厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)




25 W, 2.3GHz - 2.5GHz , N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Introduction                                          Table 1. Thermal Characteristics

The PD25025F is a high-voltage, gold-metalized,               Parameter          Sym    Value  Unit
laterally diffused metal oxide semiconductor                                     R JC    2.1   C/W
(LDMOS) RF power transistor suitable for              Thermal Resistance,
2.3GHz - 2.5GHz Class AB wireless base station          Junction to Case:
amplifier applications.
                                                      Table 2. Absolute Maximum Ratings*
This device is manufactured on an advanced LDMOS
technology, offering state-of-the-art performance,                 Parameter     Sym Value Unit
reliability, and thermal resistance. Packaged in an   Drain-source Voltage       VDSS 65 Vdc
industry-standard CuW package capable of deliver      Gate-source Voltage        VGS 0.5, +15 Vdc
ing a minimum output power of 25 W, it is ideally     Drain Current--Continuous
suited for today's RF power amplifier applications.-                               ID 4.25 Adc

                                                      Total Dissipation at TC = 25 C: PD 120.7 W

                                                      Derate Above 25 C:        -- 0.69 W/C

                                                      Operating Junction Tempera- TJ      200 C

                                                      Storage Temperature Range TSTG 65, +150 C

                           PD25025F (flanged)         * Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause
                                                        permanent damage to the device. These are absolute stress rat-
              Figure 1. Available Packages              ings only. Functional operation of the device is not implied at
                                                        these or any other conditions in excess of those given in the
Features                                                operational sections of the data sheet. Exposure to absolute
                                                        maximum ratings for extended periods can adversely affect
Application Specific Performance, 2.5 GHz             device reliability.

    Typical 2-Tone Performance                       Table 3. ESD Rating*

     Average Load Power 12.5 W                      HBM                  Minimum (V)    Class
     D 30%                                          MM                         500        1B
     Power Gain 12.5 dB                             CDM                         50         A
     IMD3: -30dBc @ -100kHz/ +100KHz                                            1500         4

    Typical CW Performance                           * Although electrostatic discharge (ESD) protection circuitry has
                                                        been designed into this device, proper precautions must be
     Average Load Power 25 W                          taken to avoid exposure to ESD and electrical overstress (EOS)
     D 40%                                            during all handling, assembly, and test operations. PAEgeArKe Devices
     Power Gain 12.0 dB                               employs a human-body model (HBM), a machine model (MM),
                                                        and a charged-device model (CDM) qualification requirement in
                                                        order to determine ESD-susceptibility limits and protection
                                                        design evaluation. ESD voltage thresholds are dependent on the
                                                        circuit parameters used in each of the models, as defined by
                                                        JEDEC's JESD22-A114B (HBM), JESD22-A115A (MM), and
                                                        JESD22-C101A (CDM) standards.

                                                      Caution: MOS devices are susceptible to damage from elec-
                                                                   trostatic charge. Reasonable precautions in han-
                                                                   dling and packaging MOS devices should be
25 W, 2.3GHz - 2.5GHz , N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Electrical Characteristics

Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 C.

Table 4. dc Characteristics

                             Parameter                            Symbol Min Typ Max Unit

                                        Off Characteristics

Drain-source Breakdown Voltage (VGS = 0, ID = 115000 uA)          V(BR)DSS 65        -- -- Vdc
                                                                                     -- 10..01 Adc
Gate-source Leakage Current (VGS =15V, VDS = 0 V)                 IGSS          --   -- 110.00 mAdc

Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (VDS = 28 V, VGS = 0 V)   IDSS          --

                                        On Characteristics

Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2.0 A)                 Gm            1    3--      S
Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 1 mA )
Gate Quiescent Voltage (VDS = 28 V, IDQ = 330 mA)                 VGS(TH)       --   3.5  --  Vdc
Drain-source On-voltage (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)
                                                                  VGS(Q)        2.7 3.7 4.5   Vdc

                                                                  VDS(ON)       -- 0.3    --  Vdc

Table 5. RF Characteristics

                               Rating                     Symbol  Min           Typ    Max      Unit
                                                            CISS                          -      pF
Input capacitance * (including matching capacitor)         COSS  -             74        -      pF
   (VDS=28V, VGS=0V, f = 1MHz)                              CRSS                          -      pF
Output capacitance * (including matching capacitor)              -             352
   (VDS= 28V, VGS=0V, f = 1MHz)                                                         Max   Unit
Feedback capacitance *                                           -             1.6       -    dB
   (VDS=28V, VGS=0V, f = 1MHz)                                                            -    dB
* Part is internally matched on input and output.                                         -    %
                                                                                          -    dB
RF and Functional Tests (InBroadband Fixture, Tc=25 C unless otherwise specified)            dBc
                                                                                     - 28      %
Rating                                                    Symbol  Min           Typ       -
CW Low Power Gain, Pout=8W                                  GL    12.5          -        -9
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2300MHz and 2500MHz                   GP                            -   
                                                            D     12            -
CW Power Gain, Pout = 25 W                                  GTT
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2300MHz and 2500MHz                  IMD   35            40
CW Drain Efficiency, Pout = 25 W,                                 12.5          -
VDD=28V, IDQ=330mA, f=2300MHz and 2500MHz                   IRL
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain               VSWR    -             -30
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP
f1 =2500 MHz and f2=2500.1 MHz                                   26            30
Two-Tone Intermodulation Distortion
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP                               -             -
f1 =2500 MHz and f2=2500.1 MHz
Two-Tone Drain Efficiency                                         10:1          -
VDD=28V, IDQ=330mA, Pout = 25 W PEP
f1 =2500 MHz and f2=2500.1 MHz
Input Return Loss
VDD =28V, Pout = 25 W PEP, IDQ=330mA
f1 =2300 MHz and 2500 MHz, Tone Spacing =
Load Mismatch Tolerance
VDS=28V, IDQ= 330 mA, Pout=25W, f=2500 MHz
                                                                                 N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

Package Dimensions

All dimensions are in inches. Tolerances are 0.005 in. unless specified.

                                 1         1
                           PEAK DEVICES 3                   3

                               PD25025F    2




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