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PBYR3060PT

器件型号:PBYR3060PT
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

REMOTE UNIT CATX EXTENDER

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PBYR3060PT器件文档内容

Philips Semiconductors                                                                           Product specification

Rectifier diodes                                                                     PBYR30100PT series
schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION                     QUICK REFERENCE DATA

Dual, low leakage, platinum barrier     SYMBOL PARAMETER                             MAX. MAX. MAX. UNIT
schottky rectifier diodes in a plastic
envelope featuring low forward                                        PBYR30- 60PT 80PT 100PT
voltage drop and absence of stored
charge. These devices can withstand     VRRM         Repetitive peak reverse 60           80 100 V
reverse voltage transients and have     VF
guaranteed reverse surge capability.    IO(AV)       voltage
The devices are intended for use in
switched mode power supplies and                     Forward voltage                 0.7  0.7    0.7   V
high frequency circuits in general
where low conduction and zero                        Output current (both            30   30     30    A
switching losses are important.
                                                     diodes conducting)

PINNING - SOT93                         PIN CONFIGURATION                         SYMBOL

PIN           DESCRIPTION                       tab

1 Anode 1 (a)                                                                        a1                a2

2 Cathode (k)

3 Anode 2 (a)

tab Cathode (k)                                                                               k

                                                123

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER                                CONDITIONS                     MIN.       MAX.         UNIT

VRRM     Repetitive peak reverse voltage                                       -     -60 -80 -100
VRWM                                                                                 60 80 100 V
VR       Crest working reverse voltage                                         -     60 80 100 V
IO(AV)                                                                               60 80 100 V
IO(RMS)  Continuous reverse voltage             Tmb  139 C                    -
IFRM
IFSM     Output current (both diodes            square wave;  = 0.5;           -          30           A
         conducting)1
I2t                                             Tmb  124 C
IRRM     RMS forward current                                                   -          43           A
IRSM
Tstg     Repetitive peak forward current t = 25 s;  = 0.5;                    -          30           A
Tj
         per diode                              Tmb  124 C

         Non-repetitive peak forward t = 10 ms                                 -          180          A

         current per diode.                     t = 8.3 ms                     -          200          A

                                                sinusoidal; Tj = 125 C prior
                                                to surge; with reapplied

         I2t for fusing                         VRWM(max)                      -          162          A2s
                                                t = 10 ms

         Repetitive peak reverse current tp = 2 s;  = 0.001                   -          1            A

         per diode.

         Non-repetitive peak reverse tp = 100 s                               -          1            A

         current per diode.

         Storage temperature                                                   -65        175          C

         Operating junction temperature                                        -          150          C

1 For output currents in excess of 20 A connection should be made to the exposed metal mounting base.

October 1994                                                1                                          Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                                   Product Specification

Rectifier Diode                                                             PBYR30100PT series
Schottky Barrier

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER                          CONDITIONS                        MIN.  TYP.  MAX.  UNIT

Rth j-mb  Thermal resistance junction to  per diode                           -     -    1.4  K/W
Rth j-a   mounting base                   both diodes                         -     -    1.0  K/W
          Thermal resistance junction to  in free air.                        -    45         K/W
          ambient                                                                          -

STATIC CHARACTERISTICS                    CONDITIONS                        MIN.  TYP.  MAX.  UNIT
                                          IF = 15 A; Tj = 125C
Tj = 25 C unless otherwise stated        IF = 30 A; Tj = 125C               -   0.61  0.70    V
SYMBOL PARAMETER                         IF = 15 A; Tj = 25C                -   0.74  0.85    V
                                          VR = VRWM; Tj = 25 C               -   0.77  0.85    V
VF        Forward voltage (per diode)     VR = VRWM; Tj = 125 C              -    5.0   150   A
                                          f = 1MHz; VR = 5V; Tj = 25 C to    -    5.0    15   mA
IR        Reverse current (per diode)     125 C                              -   600          pF
                                                                                           -
Cd        Junction capacitance (per

          diode)

October 1994                              2                                             Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                                                                         Product specification

Rectifier diodes                                                                                                 PBYR30100PT series
schottky barrier

        PF / W                     PBYR30100PT                   Tmb(max) / C122                   IR/ mA                                          PBYR30100PT
                                                0.5              D = 1.0                   100
20         Vo = 0.550 V
                                                                                   129
           Rs = 0.010 Ohms

15                                                                                                                                 Tj/ C = 150

                                                                                                 10
                                                                                                                                              125

10                            0.2                                                 136            1                            100

                         0.1

                                              I           tp         D  =  tp                                                                          75
                                                                           T                           0.1
5                                                                                 143
                                                                                                                                                       50
                                                              T            t
                                                                                                     0.01
0                                                                                 150                       10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
                                                                                                                                            VR/ V
        0                          10                            20            26
                                                                                           Fig.4. Typical reverse leakage current per diode;
                                       IF(AV) / A                                                           IR = f(VR); parameter Tj

Fig.1. Maximum forward dissipation PF = f(IF(AV)) per
         diode; square current waveform where
                       IF(AV) =IF(RMS) x D.

      PF / W                          PBYR30100                  Tmb(max) / C                         Cd/ pF                                           PBYR30100PT
15                                                                                 129     10000

               Vo = 0.550 V                                          a = 1.57
            Rs = 0.010 Ohms
                                                              1.9
10
                                                     2.2                          136      1000
                                           2.8

                                   4

5                                                                                 143            100

0                                                                                 150            10
                                                                                                      1
        0                     5                      10                        15                                     10                                    100

                                       IF(AV) / A                                                                     VR/ V

Fig.2. Maximum forward dissipation PF = f(IF(AV)) per                                      Fig.5. Typical junction capacitance per diode;
diode; sinusoidal current waveform where a = form                                            Cd = f(VR); f = 1 MHz; Tj = 25C to 125 C.

                     factor = IF(RMS) / IF(AV).

                 IF / A                                   PBYR30100PT                            Zth j-mb (K/W)
        100                                                      Max                       10

                   Tj = 25 C                                                               1
                   Tj = 125 C
         80

                                      Typ

         60

           40

                                                                                           0.1                        PD                           tp

           20

                                                                                                                                                         t

           0                                                                               0.01

               0              0.5          1                  1.5              2           10us                  1ms                               0.1s             10s

                                           VF / V                                                                     tp / s

Fig.3.     Typical and maximum forward characteristic                                      Fig.6. Transient thermal impedance per diode;
             per diode; IF = f(VF); parameter Tj                                                                  Zth j-mb = f(tp).

October 1994                                                                            3                                                                   Rev 1.100
Philips Semiconductors              15.2                                        Product Specification
                                    max
Rectifier Diode                                                PBYR30100PT series
Schottky Barrier                      14
                                                                              4.6
MECHANICAL DATA                     13.6                                     max
                                                                             2
Dimensions in mm                    4.25               4.4
Net Mass: 5 g                       4.15

                        2 max

                                                                                                 21
                                                                                                max

                                                                                        12.7
                                                                                        max

                        2.2 max

              dimensions within               0.5
              this zone are                   min 13.6
              uncontrolled
                                                         min

                                 1     2   3

                                    5.5                 0.5 M                                     0.4
                                                  1.15                                  1.6
                                                  0.95

                                         11

                        Fig.7. SOT93; pin 2 connected to mounting base.

Notes
1. Accessories supplied on request: refer to mounting instructions for SOT93 envelope.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

October 1994                        4                                                                  Rev 1.100
Philips Semiconductors                   Product specification

Rectifier diodes           PBYR30100PT series
schottky barrier

DEFINITIONS

Data sheet status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.

Product specification This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

Philips Electronics N.V. 1994

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.

The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting
from such improper use or sale.

October 1994            5  Rev 1.100
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