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NZQA6V8AXV5T3G

器件型号:NZQA6V8AXV5T3G
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商名称:ON Semiconductor(安森美)
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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器件描述

ESD Suppressors / TVS Diodes Low Cap. TVS Quad Array for ESD

参数
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-F5
针数5
制造商包装代码463B-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性LOW CAPACITANCE
最大击穿电压7.14 V
最小击穿电压6.47 V
击穿电压标称值6.8 V
最大钳位电压13 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散20 W
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.38 W
认证状态Not Qualified
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压4.3 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压4.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

NZQA6V8AXV5T3G器件文档内容

NZQA5V6AXV5 Series

ESD Protection Diode

Low Clamping Voltage

    This integrated surge protection device is designed for applications

requiring transient overvoltage protection. It is intended for use in

sensitive equipment such as computers, printers, business machines,                        www.onsemi.com

communication systems, medical equipment, and other applications.

Its integrated design provides very effective and reliable protection for

four separate lines using only one package. These devices are ideal for            1                                     5

situations where board space is at a premium.

Features                                                                           2

• Low Clamping Voltage

• Small SOT−553 SMT Package                                                        3                                     4

• Stand Off Voltage: 3 V

• Low Leakage Current

• Four Separate Unidirectional Configurations for Protection

•   ESD Protection:      IEC61000−4−2: Level 4 ESD Protection

                         MILSTD 883C − Method 3015−6: Class 3                                      SCALE 4:1

• Complies to USB 1.1 Low Speed & Full Speed Specifications                                        SOT−553

• These are Pb−Free Devices                                                                        CASE 463B

Benefits                                                                                           PLASTIC

• Provides Protection for ESD Industry Standards: IEC 61000, HBM

• Protects Four Lines Against Transient Voltage Conditions                                 MARKING DIAGRAM

• Minimize Power Consumption of the System

• Minimize PCB Board Space

Typical Applications                                                                               xx M G

• Instrumentation Equipment                                                                              G

• Serial and Parallel Ports

• Microprocessor Based Equipment

• Notebooks, Desktops, Servers                                                     xx              = Device Code

• Cellular and Portable Equipment                                                  M               = Date Code*

                                                                                   G               = Pb−Free Package

MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)                                 (Note: Microdot may be in either location)

               Characteristic                       Symbol   Value           Unit

    Peak Power Dissipation (Note 1)                 PPK      20              W     ORDERING INFORMATION

    Steady State Power − 1 Diode (Note 2)           PD       380             mW

    Thermal Resistance,                             RqJA     327             °C/W  Device          Package               Shipping†

    Junction−to−Ambient                                      3.05         mW/°C    NZQA5V6AXV5T1   SOT−553* 4000/Tape & Reel

    Above 25°C, Derate

    Maximum Junction Temperature                    TJmax    150             °C    NZQA5V6AXV5T1G  SOT−553*      4000/Tape & Reel

    Operating Junction and Storage                  TJ Tstg  −55 to +150     °C    NZQA6V8AXV5T1   SOT−553* 4000/Tape & Reel

    Temperature Range

    Lead Solder Temperature (10 seconds             TL       260             °C    NZQA6V8AXV5T1G  SOT−553*      4000/Tape & Reel

    duration)

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the        NZQA6V8AXV5T3   SOT−553* 16000/Tape & Reel

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be    NZQA6V8AXV5T3G  SOT−553*      16000/Tape & Reel

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1.  Non−repetitive current per Figure 5.                                           †For information on tape and reel specifications,

2.  Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, PD will be 25%.        including part orientation and tape sizes, please

    Mounted on FR−4 board with min pad.                                            refer to our Tape and Reel Packaging Specification

See Application Note AND8308/D for further description of                          Brochure, BRD8011/D.

survivability specs.                                                               *This package is inherently Pb−Free.

©   Semiconductor Components Industries, LLC, 2009                        1                              Publication Order Number:

November, 2017 − Rev. 8                                                                                          NZQA5V6AXV5/D
                                                     NZQA5V6AXV5 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                                                    I

(TA = 25°C unless otherwise noted)                                                                        IF

Symbol                       Parameter

    IPP     Maximum Reverse Peak Pulse Current

    VC      Clamping Voltage @ IPP

    VRWM    Working Peak Reverse Voltage                                          VC       VBR VRWM                               V

    IR      Maximum Reverse Leakage Current @ VRWM                                                            IIRT  VF

    VBR     Breakdown Voltage @ IT

    IT      Test Current

    QVBR    Maximum Temperature Coefficient of VBR                                                            IPP

    IF      Forward Current

    VF      Forward Voltage @ IF                                                                      Uni−Directional

    ZZT     Maximum Zener Impedance @ IZT

    IZK     Reverse Current

    ZZK     Maximum Zener Impedance @ IZK

*See Application Note AND8308/D for detailed explanations       of

    datasheet parameters.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

                                                                                                Typ                   Typ

                                                                                           Capacitance        Capacitance

                                    Breakdown        Leakage                               @ 0 V Bias            @ 3 V Bias

                                    Voltage          Current                 VC Max @ IPP       (pF)                  (pF)

                             VBR @ 1 mA (V)          IRM @ VRM               (Note 4)      (Note 3)                 (Note 3)      VC

                                                                                                                                  Per

             Device                                                 IRWM     VC   IPP                                             IEC61000−4−2

    Device   Marking         Min    Nom        Max   VRWM           (mA)     (V)  (A)      Typ       Max      Typ           Max   (Note 5)

NZQA5V6AXV5  5P              5.3          5.6  5.9   3.0            1.0      13   1.6      13         17         7.0        11.5  Figures 1 and 2

                                                                                                                                  (See Below)

NZQA6V8AXV5  6H              6.47         6.8  7.14  4.3            1.0      13   1.6      12         15         6.7        9.5

3.  Capacitance of one diode at f = 1 MHz, VR = 0 V, TA = 25°C

4.  Surge current waveform per Figure 5.

5.  For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.

         Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot                                Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot

          Positive 8 kV Contact per IEC61000−4−2                                  Negative 8 kV Contact per IEC61000−4−2

                                                           www.onsemi.com

                                                                          2
                                                                        NZQA5V6AXV5 Series

IEC 61000−4−2 Spec.                                                                                IEC61000−4−2     Waveform

                                                                                           Ipeak

                   First Peak                                                              100%

       Test Volt-     Current  Current at                               Current at

Level  age (kV)       (A)                               30 ns (A)         60 ns (A)          90%

1      2              7.5                                    4             2

2      4              15                                     8             4                 I @ 30 ns

3      6              22.5                              12                 6

4      8              30                                16                 8                 I @ 60 ns

                                                                                             10%

                                                                                                                tP  = 0.7 ns to  1  ns

                                                                    Figure 3. IEC61000−4−2 Spec

                               Device

       ESD Gun                                          Under                  Oscilloscope

                                                        Test

                                                                    50 W

                                                                    Cable            50 W

                                                                Figure 4. Diagram of ESD Test Setup

The following is taken from Application Note                                               systems such as cell phones or laptop computers it is not

AND8308/D − Interpretation of Datasheet Parameters                                         clearly defined in the spec how to specify a clamping voltage

for ESD Devices.                                                                           at the device level. ON Semiconductor has developed a way

ESD Voltage Clamping                                                                       to examine the entire voltage waveform across the ESD

For sensitive circuit elements it is important to limit the                                protection diode over the time domain of an ESD pulse in the

voltage that an IC will be exposed to during an ESD event                                  form of an oscilloscope screenshot, which can be found on

to as low a voltage as possible. The ESD clamping voltage                                  the datasheets for all ESD protection diodes. For more

is the voltage drop across the ESD protection diode during                                 information  on      how  ON  Semiconductor        creates  these

an ESD event per the IEC61000−4−2 waveform. Since the                                      screenshots  and     how  to  interpret      them  please  refer  to

IEC61000−4−2 was written as a pass/fail spec for larger                                    AND8307/D.

                                                        100     tr         PEAK VALUE IRSM @ 8 ms

                               % OF PEAK PULSE CURRENT  90

                                                        80                              PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED

                                                                                        AS THAT POINT WHERE THE

                                                        70                              PEAK CURRENT DECAY = 8 ms

                                                        60

                                                        50                           HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms

                                                        40

                                                        30          tP

                                                        20

                                                        10

                                                        0    0             20           40              60           80

                                                                                     t, TIME (ms)

                                                                    Figure 5. 8 x 20 ms Pulse Waveform

                                                                           www.onsemi.com

                                                                                     3
                                                                                             NZQA5V6AXV5 Series

                                                      TYPICAL ELECTRICAL                          CHARACTERISTICS − NZQA6V8AXV5

                           100                                                                                                           110

Ppk, PEAK SURGE POWER (W)                                                                                                                100

                                                                                                               % OF RATED POWER OR IPP   90

                                                                                                                                         80

                                                                                                                                         70

                           10                                                                                                            60

                                                                                                                                         50

                                                                                                                                         40

                                                                                                                                         30

                                                                                                                                         20

                                                                                                                                         10

                           1                                                                                                                              0  0       25       50       75     100          125      150

                                1                 10                                    100           1000

                                                      t, TIME (ms)                                                                                                       TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                             Figure 6. Pulse Width                                                                                                   Figure 7. Power Derating Curve

                           0.16                                                                                                                           14

IR, REVERSE LEAKAGE (mA)   0.14                                                                                TYPICAL CAPACITANCE (pF)                   12                                           TA  =  25°C

                           0.12                                                                                                          1 MHz FREQUENCY  10

                           0.10

                                                                                                                                                             8

                           0.08

                                                                                                                                                             6

                           0.06

                           0.04                                                                                                                              4

                           0.02                                                                                                                              2

                                0                                                                                                                            0

                                   −60  −40  −20      0  20                             40   60   80   100                                                      0    1            2        3        4         5     6

                                                  T, TEMPERATURE (°C)                                                                                                             BIAS VOLTAGE (V)

                                        Figure 8. Reverse Leakage versus                                                                                                      Figure 9. Capacitance

                                                      Temperature

                                                                                  1

                                                         IF, FORWARD CURRENT (A)  0.1

                                                                                  0.01

                                                                                                                                                                     TA = 25°C

                                                         0.001

                                                                                        0.6  0.8  1.0          1.2                                              1.4      1.6      1.8

                                                                                                  VF, FORWARD VOLTAGE (V)

                                                                                                  Figure 10. Forward Voltage

                                                                                                  www.onsemi.com

                                                                                                            4
                                                              NZQA5V6AXV5 Series

                                                              PACKAGE DIMENSIONS

                                                                       SOT−553, 5 LEAD

                                                                       CASE 463B

                                                                                             ISSUE C

         D                                                                                                  NOTES:

         −X−                                                        A                                       1.  DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

                                                                                             L              2.  CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS

                                                                                                            3.  MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH

                                                                                                                THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM

   5                        4                                                                                   THICKNESS OF BASE MATERIAL.

                                  E                                                                                             MILLIMETERS                  INCHES

                                  −Y−                                     HE                                        DIM   MIN       NOM      MAX   MIN       NOM        MAX

      1  2                  3                                                                                       A     0.50      0.55     0.60  0.020     0.022      0.024

                                                                                                                    b     0.17      0.22     0.27  0.007     0.009      0.011

                                                                                                                    c     0.08      0.13     0.18  0.003     0.005      0.007

                               b  5 PL                                                       c                      D     1.55      1.60     1.65  0.061     0.063      0.065

      e                                                                                                             E     1.15      1.20     1.25  0.045     0.047      0.049

                               0.08 (0.003)          M  X  Y                                                        e           0.50 BSC                     0.020 BSC

                                                                                                                    L     0.10      0.20     0.30  0.004     0.008      0.012

                                                                                                                    HE    1.55      1.60     1.65  0.061     0.063      0.065

                                                                                                                STYLE 2:

                                                                                                                    PIN 1. CATHODE

                                                                                                                         2. COMMON ANODE

                                                                                                                         3. CATHODE 2

                                                                                                                         4. CATHODE 3

                                                                                                                         5. CATHODE 4

                                                                       RECOMMENDED

                                                              SOLDERING FOOTPRINT*

                                                                                                0.3

                                                                                             0.0118

                                                                                                                    0.45

                                                                                                                0.0177

                                                                                                  1.0

                                                              1.35                              0.0394

                                                              0.0531

                                                                                             0.5       0.5

                                                                       0.0197 0.0197

                                                                                                        SCALE 20:1  ǒ mm Ǔ
                                                                                                                        inches

                                        *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering

                                                     details, please download the ON Semiconductor Soldering and

                                                     Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

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