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NZQA6V8AXV5T3

器件型号:NZQA6V8AXV5T3
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商名称:ON Semiconductor(安森美)
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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器件描述

ESD Suppressors / TVS Diodes Low Cap. TVS Quad

参数
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-F5
针数5
制造商包装代码463B-01
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CAPACITANCE
最大击穿电压7.14 V
最小击穿电压6.47 V
击穿电压标称值6.8 V
最大钳位电压13 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散20 W
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.38 W
认证状态Not Qualified
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压4.3 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压4.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

NZQA6V8AXV5T3器件文档内容

NZQA5V6AXV5 Series

Transient Voltage Suppressors

ESD Protection Diode with Low Clamping

Voltage

    This  integrated     transient   voltage        suppressor  device  (TVS)    is

designed for applications requiring transient overvoltage protection. It

is intended for use in sensitive equipment such as computers, printers,

business machines, communication systems, medical equipment, and                             http://onsemi.com

other applications. Its integrated design provides very effective and

reliable protection for four separate lines using only one package.

These devices are ideal for situations where board space is at a premium.            1                                     5

Features

• Low Clamping Voltage                                                               2

• Small SOT−553 SMT Package                                                          3                                     4

• Stand Off Voltage: 3 V

• Low Leakage Current

• Four Separate Unidirectional Configurations for Protection

•   ESD Protection:      IEC61000−4−2: Level 4 ESD Protection

                         MILSTD 883C − Method 3015−6: Class 3

• Complies to USB 1.1 Low Speed & Full Speed Specifications                                          SOT−553

• These are Pb−Free Devices                                                                          CASE 463B

Benefits                                                                                             PLASTIC

• Provides Protection for ESD Industry Standards: IEC 61000, HBM

• Protects Four Lines Against Transient Voltage Conditions

• Minimize Power Consumption of the System                                                   MARKING DIAGRAM

• Minimize PCB Board Space

Typical Applications

• Instrumentation Equipment                                                                          xx M G

• Serial and Parallel Ports                                                                                G

• Microprocessor Based Equipment

• Notebooks, Desktops, Servers                                                       xx              = Device Code

• Cellular and Portable Equipment                                                    M               = Date Code*

MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)                                   G               = Pb−Free Package

               Characteristic                       Symbol      Value      Unit      (Note: Microdot may be in either location)

    Peak Power Dissipation (Note 1)                 PPK         20         W

    Steady State Power − 1 Diode (Note 2)           PD          380        mW        ORDERING INFORMATION

    Thermal Resistance,                             RqJA        327        °C/W                                            Shipping†

    Junction−to−Ambient                                         3.05    mW/°C        Device          Package

    Above 25°C, Derate                                                               NZQA5V6AXV5T1   SOT−553* 4000/Tape & Reel

    Maximum Junction Temperature                    TJmax       150        °C

    Operating Junction and Storage                  TJ Tstg     −55 to     °C        NZQA5V6AXV5T1G  SOT−553*      4000/Tape & Reel

    Temperature Range                                           +150                 NZQA6V8AXV5T1   SOT−553* 4000/Tape & Reel

    Lead Solder Temperature (10 seconds             TL          260        °C

    duration)                                                                        NZQA6V8AXV5T1G  SOT−553*      4000/Tape & Reel

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum                    NZQA6V8AXV5T3   SOT−553* 16000/Tape & Reel

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the         NZQA6V8AXV5T3G  SOT−553*      16000/Tape & Reel

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1.  Non−repetitive current per Figure 5.                                             †For information on tape and reel specifications,

2.  Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, PD will be 25%.          including part orientation and tape sizes, please

    Mounted on FR−4 board with min pad.                                              refer to our Tape and Reel Packaging Specification

See Application Note AND8308/D for further description of                            Brochure, BRD8011/D.

survivability specs.                                                                 *This package is inherently Pb−Free.

©   Semiconductor Components Industries, LLC, 2009                      1                                  Publication Order Number:

September, 2009 − Rev. 7                                                                                           NZQA5V6AXV5/D
                                                     NZQA5V6AXV5 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                                                    I

(TA = 25°C unless otherwise noted)                                                                        IF

Symbol                       Parameter

    IPP     Maximum Reverse Peak Pulse Current

    VC      Clamping Voltage @ IPP

    VRWM    Working Peak Reverse Voltage                                          VC       VBR VRWM                               V

    IR      Maximum Reverse Leakage Current @ VRWM                                                            IIRT  VF

    VBR     Breakdown Voltage @ IT

    IT      Test Current

    QVBR    Maximum Temperature Coefficient of VBR                                                            IPP

    IF      Forward Current

    VF      Forward Voltage @ IF                                                                      Uni−Directional

    ZZT     Maximum Zener Impedance @ IZT

    IZK     Reverse Current

    ZZK     Maximum Zener Impedance @ IZK

*See Application Note AND8308/D for detailed explanations       of

    datasheet parameters.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

                                                                                                Typ                   Typ

                                                                                           Capacitance        Capacitance

                                    Breakdown        Leakage                               @ 0 V Bias            @ 3 V Bias

                                    Voltage                Current           VC Max @ IPP       (pF)                  (pF)

                             VBR @ 1 mA (V)          IRM @ VRM               (Note 4)      (Note 3)                 (Note 3)      VC

                                                                                                                                  Per

             Device                                                 IRWM     VC   IPP                                             IEC61000−4−2

    Device   Marking         Min    Nom        Max   VRWM           (mA)     (V)  (A)      Typ       Max      Typ           Max   (Note 5)

NZQA5V6AXV5  5P              5.3          5.6  5.9   3.0            1.0      13   1.6      13         17         7.0        11.5  Figures 1 and 2

                                                                                                                                  (See Below)

NZQA6V8AXV5  6H              6.47         6.8  7.14  4.3            1.0      13   1.6      12         15         6.7        9.5

3.  Capacitance of one diode at f = 1 MHz, VR = 0 V, TA = 25°C

4.  Surge current waveform per Figure 5.

5.  For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.

         Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot                                Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot

          Positive 8 kV Contact per IEC61000−4−2                                  Negative 8 kV Contact per IEC61000−4−2

                                                           http://onsemi.com

                                                                          2
                                                                        NZQA5V6AXV5 Series

IEC 61000−4−2 Spec.                                                                               IEC61000−4−2     Waveform

                                                                                          Ipeak

       Test       First Peak                                                           100%

       Voltage        Current  Current at                               Current at

Level  (kV)           (A)                               30 ns (A)       60 ns (A)          90%

1      2              7.5                                    4          2

2      4              15                                     8          4                  I @ 30 ns

3      6              22.5                              12              6

4      8              30                                16              8                  I @ 60 ns

                                                                                           10%

                                                                                                               tP   = 0.7 ns to  1  ns

                                                                    Figure 3. IEC61000−4−2 Spec

       ESD Gun                 TVS                                          Oscilloscope

                                                                50 W                50 W

                                                                Cable

                                                                Figure 4. Diagram of ESD Test Setup

The following is taken from Application Note                                           systems such as cell phones or laptop computers it is not

AND8308/D − Interpretation of Datasheet Parameters                                     clearly defined in the spec how to specify a clamping voltage

for ESD Devices.                                                                       at the device level. ON Semiconductor has developed a way

ESD Voltage Clamping                                                                   to examine the entire voltage waveform across the ESD

For sensitive circuit elements it is important to limit the                            protection diode over the time domain of an ESD pulse in the

voltage that an IC will be exposed to during an ESD event                              form of an oscilloscope screenshot, which can be found on

to as low a voltage as possible. The ESD clamping voltage                              the datasheets for all ESD protection diodes. For more

is the voltage drop across the ESD protection diode during                             information    on       how  ON  Semiconductor         creates  these

an ESD event per the IEC61000−4−2 waveform. Since the                                  screenshots    and      how  to  interpret       them  please  refer  to

IEC61000−4−2 was written as a pass/fail spec for larger                                AND8307/D.

                                                        100     tr      PEAK VALUE IRSM @ 8 ms

                               % OF PEAK PULSE CURRENT  90

                                                        80                             PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED

                                                                                       AS THAT POINT WHERE THE

                                                        70                             PEAK CURRENT DECAY = 8 ms

                                                        60

                                                        50                          HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms

                                                        40

                                                        30          tP

                                                        20

                                                        10

                                                        0    0          20             40             60            80

                                                                                    t, TIME (ms)

                                                                    Figure 5. 8 X 20 ms Pulse Waveform

                                                                        http://onsemi.com

                                                                                    3
                                                                                            NZQA5V6AXV5 Series

                                                     TYPICAL ELECTRICAL                          CHARACTERISTICS − NZQA6V8AXV5

                          100                                                                                                      110

(W)                                                                                                                                100

                                                                                                              IPP                  90

Ppk, PEAK SURGE POWER                                                                                         % OF RATED POWER OR  80

                                                                                                                                   70

                          10                                                                                                       60

                                                                                                                                   50

                                                                                                                                   40

                                                                                                                                   30

                                                                                                                                   20

                                                                                                                                   10

                          1    1                 10                                    100           1000                                0              0       25          50       75     100          125      150

                                                     t, TIME (ms)                                                                                                   TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                            Figure 6. Pulse Width                                                                                               Figure 7. Power Derating Curve

                          0.16                                                                                                           14

IR, REVERSE LEAKAGE (mA)  0.14                                                                                                           12                                                          TA  =  25°C

                          0.12                                                                                TYPICAL CAPACITANCE        1 MHz FREQUENCY10

                          0.10

                                                                                                                                   (pF)                 8

                          0.08

                                                                                                                                                        6

                          0.06

                          0.04                                                                                                                          4

                          0.02                                                                                                                          2

                               0                                                                                                                        0

                                  −60  −40  −20      0  20                             40   60   80   100                                                  0        1           2        3        4         5     6

                                                 T, TEMPERATURE (°C)                                                                                                            BIAS VOLTAGE (V)

                                       Figure 8. Reverse Leakage versus                                                                                                     Figure 9. Capacitance

                                                     Temperature

                                                                                 1

                                                        IF, FORWARD CURRENT (A)  0.1

                                                                                 0.01

                                                                                                                                                                TA = 25°C

                                                        0.001

                                                                                       0.6  0.8  1.0          1.2                                          1.4         1.6      1.8

                                                                                                 VF, FORWARD VOLTAGE (V)

                                                                                                 Figure 10. Forward Voltage

                                                                                                 http://onsemi.com

                                                                                                           4
                                                                NZQA5V6AXV5 Series

                                                                PACKAGE DIMENSIONS

                                                                   SOT−553, 5 LEAD

                                                                   CASE 463B−01

                                                                            ISSUE B

                      D                                         A

      −X−                                                                               NOTES:

                                                                            L           1.   DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

                                                                                        2.   CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS

                                                                                        3.   MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH

5                                 4                                                          THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM

                                           E                                                 THICKNESS OF BASE MATERIAL.

                                        −Y−                                 HE                                 MILLIMETERS                                    INCHES

   1                  2           3                                                          DIM         MIN                 NOM       MAX             MIN       NOM        MAX

                                                                                             A           0.50                0.55      0.60            0.020     0.022      0.024

                                                                                             b           0.17                0.22      0.27            0.007     0.009      0.011

                                     b  5 PL                                c                c           0.08                0.13      0.18            0.003     0.005      0.007

   e                                 0.08 (0.003)       X  Y                                 D           1.50                1.60      1.70            0.059     0.063      0.067

                                                     M                                       E           1.10                1.20      1.30            0.043     0.047      0.051

                                                                                             e                               0.50 BSC                         0.020 BSC

                                                                                             L           0.10                0.20      0.30            0.004     0.008      0.012

                                                                                             HE          1.50                1.60      1.70            0.059     0.063      0.067

                                                                                                                                                       STYLE 2:

                                                                                                                                                       PIN 1. CATHODE

                                                                                                                                                              2. COMMON ANODE

                                                                                                                                                              3. CATHODE 2

                                                                                                                                                              4. CATHODE 3

                                                                SOLDERING        FOOTPRINT*                                                                   5. CATHODE 4

                                                                   0.3

                                                                   0.0118

                                                                                             0.45

                                                                                             0.0177

                                                                            1.0

                                                        1.35       0.0394

                                                        0.0531

                                                                   0.5           0.5

                                                                   0.0197 0.0197             SCALE 20:1  ǒ mm Ǔ

                                                                                                         inches

                                                *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering

                                                     details, please download the ON Semiconductor Soldering and

                                                     Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

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