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NZQA5V6AXV5_09

器件型号:NZQA5V6AXV5_09
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:ON Semiconductor(安森美)
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

20 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

20 W, 单向, 4 组成, 硅, 瞬态抑制二极管

参数
端子数量5
元件数量4
最大击穿电压5.9 V
最小击穿电压5.3 V
加工封装描述铅 FREE, 塑料, CASE 463B-01, 5 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺AVALANCHE
结构COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
最大功耗极限0.3800 W
极性单向
二极管类型TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
最大非重复峰值转速功率20 W

NZQA5V6AXV5_09器件文档内容

NZQA5V6AXV5 Series

Transient Voltage Suppressors

ESD Protection Diode with Low Clamping

Voltage

  This integrated transient voltage suppressor device (TVS) is                        http://onsemi.com

designed for applications requiring transient overvoltage protection. It      1                          5
is intended for use in sensitive equipment such as computers, printers,
                                                                              2
business machines, communication systems, medical equipment, and
                                                                              3                          4
other applications. Its integrated design provides very effective and
reliable protection for four separate lines using only one package.                             SOT-553
                                                                                              CASE 463B
These devices are ideal for situations where board space is at a premium.
Features                                                                                        PLASTIC

Low Clamping Voltage                                                                MARKING DIAGRAM
Small SOT-553 SMT Package
Stand Off Voltage: 3 V                                                              xx M G
Low Leakage Current                                                                    G
Four Separate Unidirectional Configurations for Protection
ESD Protection: IEC61000-4-2: Level 4 ESD Protection                        xx      = Device Code

                        MILSTD 883C - Method 3015-6: Class 3                  M       = Date Code*

Complies to USB 1.1 Low Speed & Full Speed Specifications
These are Pb-Free Devices

Benefits

Provides Protection for ESD Industry Standards: IEC 61000, HBM
Protects Four Lines Against Transient Voltage Conditions
Minimize Power Consumption of the System
Minimize PCB Board Space

Typical Applications

Instrumentation Equipment
Serial and Parallel Ports
Microprocessor Based Equipment
Notebooks, Desktops, Servers
Cellular and Portable Equipment

MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise noted)                            G       = Pb-Free Package

           Characteristic                         Symbol Value        Unit    (Note: Microdot may be in either location)

Peak Power Dissipation (Note 1)                    PPK       20       W       ORDERING INFORMATION
Steady State Power - 1 Diode (Note 2)               PD      380      mW
Thermal Resistance,                                RqJA     327     C/W      Device  Package            Shipping
                                                            3.05   mW/C
   Junction-to-Ambient                            TJmax                       NZQA5V6AXV5T1 SOT-553* 4000/Tape & Reel
   Above 25C, Derate                             TJ Tstg   150       C
                                                           -55 to     C      NZQA5V6AXV5T1G SOT-553* 4000/Tape & Reel
Maximum Junction Temperature                               +150
Operating Junction and Storage                                                NZQA6V8AXV5T1 SOT-553* 4000/Tape & Reel

   Temperature Range

Lead Solder Temperature (10 seconds               TL       260        C

duration)                                                                     NZQA6V8AXV5T1G SOT-553* 4000/Tape & Reel

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum             NZQA6V8AXV5T3 SOT-553* 16000/Tape & Reel
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended   NZQA6V8AXV5T3G SOT-553* 16000/Tape & Reel
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.               For information on tape and reel specifications,
1. Non-repetitive current per Figure 5.                                        including part orientation and tape sizes, please
2. Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, PD will be 25%.     refer to our Tape and Reel Packaging Specification
                                                                               Brochure, BRD8011/D.
    Mounted on FR-4 board with min pad.
                                                                              *This package is inherently Pb-Free.
See Application Note AND8308/D for further description of

survivability specs.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2009                   1                  Publication Order Number:
                                                                                                 NZQA5V6AXV5/D
September, 2009 - Rev. 7
                                            NZQA5V6AXV5 Series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                                  I
(TA = 25C unless otherwise noted)                                                      IF

Symbol                   Parameter

IPP     Maximum Reverse Peak Pulse Current

VC      Clamping Voltage @ IPP

VRWM Working Peak Reverse Voltage                                          VC VBR VRWM                      V

IR      Maximum Reverse Leakage Current @ VRWM                                                 IIRT VF

VBR     Breakdown Voltage @ IT

IT      Test Current

QVBR Maximum Temperature Coefficient of VBR                                                       IPP
                                                                                        Uni-Directional
IF      Forward Current

VF      Forward Voltage @ IF

ZZT     Maximum Zener Impedance @ IZT

IZK     Reverse Current

ZZK     Maximum Zener Impedance @ IZK

*See Application Note AND8308/D for detailed explanations of
datasheet parameters.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C)

                            Breakdown         Leakage               VC Max @ IPP        Typ          Typ            VC
                              Voltage          Current                  (Note 4)  Capacitance  Capacitance
                                             IRM @ VRM                             @ 0 V Bias   @ 3 V Bias          Per
                         VBR @ 1 mA (V)                                                                     IEC61000-4-2
                                                                                        (pF)         (pF)
                                                                                     (Note 3)     (Note 3)      (Note 5)

        Device                                                IRWM  VC     IPP                 Typ Max      Figures 1 and 2
                                                                                                7.0 11.5      (See Below)
Device  Marking Min Nom Max VRWM (mA)                               (V)    (A) Typ Max
                                                                                                6.7 9.5
NZQA5V6AXV5 5P           5.3 5.6 5.9 3.0                      1.0   13 1.6 13 17

NZQA6V8AXV5 6H 6.47 6.8 7.14 4.3                              1.0   13 1.6 12 15

3. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, VR = 0 V, TA = 25C
4. Surge current waveform per Figure 5.
5. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.

     Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot                             Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
       Positive 8 kV Contact per IEC61000-4-2                                Negative 8 kV Contact per IEC61000-4-2

                                             http://onsemi.com
                                                          2
                                                                   NZQA5V6AXV5 Series

IEC 61000-4-2 Spec.                                                                      IEC61000-4-2 Waveform
                                                                               Ipeak
         Test   First Peak                                                     100%
       Voltage                                                                  90%
                Current Current at                                 Current at
         (kV)                                                      60 ns (A)    I @ 30 ns
Level                (A)                             30 ns (A)
                                                                         2      I @ 60 ns
1      2             7.5                             4                   4
                                                                         6
2      4             15                              8                   8

3      6             22.5                            12

4      8             30                              16

                                                                                                 10%   tP = 0.7 ns to 1 ns
                                                                   Figure 3. IEC61000-4-2 Spec

       ESD Gun              TVS                                        Oscilloscope

                                                         50 W                  50 W
                                                         Cable

                                                         Figure 4. Diagram of ESD Test Setup

The following is taken from Application Note                                   systems such as cell phones or laptop computers it is not
AND8308/D - Interpretation of Datasheet Parameters                             clearly defined in the spec how to specify a clamping voltage
for ESD Devices.                                                               at the device level. ON Semiconductor has developed a way
                                                                               to examine the entire voltage waveform across the ESD
ESD Voltage Clamping                                                           protection diode over the time domain of an ESD pulse in the
  For sensitive circuit elements it is important to limit the                  form of an oscilloscope screenshot, which can be found on
                                                                               the datasheets for all ESD protection diodes. For more
voltage that an IC will be exposed to during an ESD event                      information on how ON Semiconductor creates these
to as low a voltage as possible. The ESD clamping voltage                      screenshots and how to interpret them please refer to
is the voltage drop across the ESD protection diode during                     AND8307/D.
an ESD event per the IEC61000-4-2 waveform. Since the
IEC61000-4-2 was written as a pass/fail spec for larger

                            % OF PEAK PULSE CURRENT  100                  PEAK VALUE IRSM @ 8 ms
                                                               tr                             PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
                                                                                              AS THAT POINT WHERE THE
                                                      90                                      PEAK CURRENT DECAY = 8 ms
                                                      80
                                                      70                             HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms
                                                      60
                                                      50           tP
                                                      40
                                                      30           20          40            60                            80
                                                      20
                                                      10

                                                        0
                                                          0

                                                                               t, TIME (ms)

                                                                   Figure 5. 8 X 20 ms Pulse Waveform

                                                                   http://onsemi.com
                                                                                3
                                                                          NZQA5V6AXV5 Series

                                      TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS - NZQA6V8AXV5

Ppk, PEAK SURGE POWER (W)100                                                         % OF RATED POWER OR IPP                  110
                          10                                                                                                  100
                            1     10                                 100       1000                                                                         25       50       75  100       125       150
                               1                                                                                               90
                                                                                                                               80
                                                                                                                               70
                                                                                                                               60
                                                                                                                               50
                                                                                                                               40
                                                                                                                               30
                                                                                                                               20
                                                                                                                               10

                                                                                                                                 0
                                                                                                                                   0

                                      t, TIME (ms)                                                                                                              TA, AMBIENT TEMPERATURE (C)

                                  Figure 6. Pulse Width                                                                                                     Figure 7. Power Derating Curve

                           0.16                                                                                                    14

IR, REVERSE LEAKAGE (mA)   0.14                                                                                                    12                                                      TA = 25C

                           0.12                                                                                               TYPICAL CAPACITANCE10
                                                                                                                                 (pF)
                           0.10
                                                                                                                             8       1 MHz FREQUENCY

                           0.08
                                                                                                                             6

                           0.06

                           0.04                                                                                                                     4

                           0.02                                                                                                                     2

                           0     -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100                                                                                      0

                                                                                                                                                       0    1            2    3   4           5       6

                                  T, TEMPERATURE (C)                                                                                                                    BIAS VOLTAGE (V)

                                  Figure 8. Reverse Leakage versus                                                                                                   Figure 9. Capacitance
                                                 Temperature

                                                               1

                                      IF, FORWARD CURRENT (A)  0.1

                                                               0.01

                                                                                                                                                            TA = 25C

                                      0.001                               0.8  1.0                                            1.2                      1.4      1.6      1.8
                                              0.6

                                                                               VF, FORWARD VOLTAGE (V)

                                                                               Figure 10. Forward Voltage

                                                                               http://onsemi.com
                                                                                            4
                                                            NZQA5V6AXV5 Series

                                                            PACKAGE DIMENSIONS

                                                            SOT-553, 5 LEAD
                                                              CASE 463B-01
                                                                  ISSUE B

    D                                                       A              NOTES:
   -X-                                                                 L    1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
                                                                            2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
5                     4                                               HE    3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
                                                                                 THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
                             E                                         c         THICKNESS OF BASE MATERIAL.
                           -Y-
                                                                                         MILLIMETERS                                                     INCHES
                         b 5 PL
   12 3                  0.08 (0.003) M X Y                                DIM MIN NOM MAX                                                       MIN       NOM     MAX
                                                                                                                                                 0.020     0.022   0.024
                                                                               A 0.50      0.55                    0.60                          0.007     0.009   0.011
                                                                                                                                                 0.003     0.005   0.007
                                                                               b 0.17      0.22                    0.27                          0.059     0.063   0.067
                                                                                                                                                 0.043     0.047   0.051
                                                                               c   0.08    0.13                    0.18                                 0.020 BSC
                                                                                                                                                 0.004     0.008   0.012
   e                                                                           D 1.50      1.60                    1.70                          0.059     0.063   0.067

                                                                               E 1.10      1.20                    1.30

                                                                               e         0.50 BSC

                                                                               L 0.10      0.20                    0.30

                                                                             H E 1.50      1.60                    1.70

                                                            SOLDERING FOOTPRINT*                                                                 STYLE 2:
                                                                                                                                                   PIN 1. CATHODE
                                                                                                                                                         2. COMMON ANODE
                                                                                                                                                         3. CATHODE 2
                                                                                                                                                         4. CATHODE 3
                                                                                                                                                         5. CATHODE 4

                                                              0.3
                                                            0.0118

                                                                            0.45
                                                                           0.0177

                          1.35                                1.0
                         0.0531                             0.0394

                                                              0.5 0.5        SCALE 20:1
                                                            0.0197 0.0197           mm
                                                                                   inches

                         *For additional information on our Pb-Free strategy and soldering
                          details, please download the ON Semiconductor Soldering and
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                                                                         5
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