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NTMFS4898NF_10

器件型号:NTMFS4898NF_10
厂商名称:ON Semiconductor(安森美)
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL

NTMFS4898NF_10器件文档内容

NTMFS4898NF

Power MOSFET                                                                               http://onsemi.com

30 V, 117 A, Single N-Channel, SO-8FL                                         V(BR)DSS      RDS(ON) MAX            ID MAX
                                                                                 30 V      3.0 mW @ 10 V            117 A
Features                                                                                   4.8 mW @ 4.5 V

Integrated Schottky Diode                                                                N-CHANNEL MOSFET
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses                                                            D
Low Capacitance to Minimize Driver Losses
Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

   Compliant

Applications

CPU Power Delivery
DC-DC Converters
Low Side Switching

MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)

              Parameter                           Symbol Value Unit

Drain-to-Source Voltage                           VDSS      30         V

Gate-to-Source Voltage                            VGS       20        V

Continuous Drain                TA = 25C         ID        22.5       A                G
Current RqJA
(Note 1)                        TA = 85C                   16.2

Power Dissipation               TA = 25C         PD        2.72       W                             S
RqJA (Note 1)
                                TA = 25C         ID        36.7       A                                MARKING
Continuous Drain                                                                                        DIAGRAM
Current RqJA v                  TA = 85C                   26.5
10 sec

Power Dissipation               TA = 25C         PD        7.23       W                                        D

RqJA, t v 10 sec       Steady                                                                     1  S                     D

Continuous Drain       State TA = 25C            ID        13.2       A      SO-8 FLAT LEAD         S 4898NF
                                                                                 CASE 488AA          S AYWWG
Current RqJA                    TA = 85C                   9.5                     STYLE 1                     G
(Note 2)                                                                                             G                     D

Power Dissipation               TA = 25C         PD        0.93       W                                        D
RqJA (Note 2)
                                TC = 25C         ID        117        A      A            = Assembly Location
Continuous Drain
Current RqJC                                                                  Y            = Year
(Note 1)
                                TC = 85C                   84.4              WW = Work Week

Power Dissipation               TC = 25C         PD        73.5       W      G            = Pb-Free Package
RqJC (Note 1)
                                                                              (Note: Microdot may be in either location)

Pulsed Drain           tp=10ms TA = 25C          IDM       234        A
Current
                                                                              ORDERING INFORMATION
Current limited by package      TA = 25C         IDmaxpkg   100         A
                                                     TJ,    -55 to      C
Operating Junction and Storage                      TSTG    +150                      Device         Package    Shipping
Temperature                                           IS                 A    NTMFS4898NFT1G
                                                              92       V/ns                           SO-8FL       1500 /
Source Current (Body Diode)                         dV/dt      6                                     (Pb-Free)  Tape & Reel

Drain to Source dV/dt                                                         NTMFS4898NFT3G SO-8FL                5000 /

Single Pulse Drain-to-Source Avalanche            EAS       228        mJ                            (Pb-Free) Tape & Reel
Energy (VDD = 50 V, VGS = 10 V,                    TL
IL = 39 Apk, L = 0.3 mH, RG = 25 W)                         260        C     For information on tape and reel specifications,
                                                                               including part orientation and tape sizes, please
Lead Temperature for Soldering Purposes                                        refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
(1/8" from case for 10 s)                                                      Brochure, BRD8011/D.

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum             *For additional information on our Pb-Free strategy
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended    and soldering details, please download the ON
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the   Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.                Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2010                    1                                Publication Order Number:
                                                                                                                NTMFS4898NF/D
June, 2010 - Rev. 2
                                                     NTMFS4898NF

  THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS                                              Symbol               Value       Unit
                                                      Parameter                     RqJC                1.7        C/W
                                                                                    RqJA                 46
  Junction-to-Case (Drain)                                                          RqJA
  Junction-to-Ambient Steady State (Note 1)                                       RqJA               134.2
  Junction-to-Ambient Steady State (Note 2)                                                           17.3
  Junction-to-Ambient - t v 10 sec
1. Surface-mounted on FR4 board using 1 sq-in pad, 1 oz Cu.
2. Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C unless otherwise specified)

           Parameter                        Symbol      Test Condition                        Min  Typ Max Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-to-Source Breakdown Voltage           V(BR)DSS    VGS = 0 V, ID = 1.0 mA                30                   V

Drain-to-Source Breakdown Voltage           V(BR)DSS/                                              26              mV/C
Temperature Coefficient                         TJ

Zero Gate Voltage Drain Current             IDSS        VGS = 0 V,                TJ = 25 C       40         500  mA
                                                        VDS = 24 V

Gate-to-Source Leakage Current              IGSS        VDS = 0 V, VGS = 20 V                           100      nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)

Gate Threshold Voltage                       VGS(TH)    VGS = VDS, ID = 1.0 mA                1.5             2.5  V
Negative Threshold Temperature Coefficient  VGS(TH)/TJ
Drain-to-Source On Resistance                                                                      4               mV/C
                                              RDS(on)
                                                        VGS = 10 V                ID = 30 A        2.2        3.0

                                                                                  ID = 15 A        2.2

                                                        VGS = 4.5 V               ID = 30 A        3.4        4.8  mW

                                                                                  ID = 15 A        3.4

Forward Transconductance                    gFS         VDS = 1.5 V, ID = 15 A                     77              S

CHARGES AND CAPACITANCES

Input Capacitance                             CISS                                                 3233
Output Capacitance                           COSS
Reverse Transfer Capacitance                 CRSS       VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 12 V           700             pF
Total Gate Charge                           QG(TOT)     VGS = 4.5 V, VDS = 15 V; ID = 30 A
Threshold Gate Charge                       QG(TH)                                                 310
Gate-to-Source Charge                         QGS              VGS = 10 V, VDS = 15 V,
Gate-to-Drain Charge                          QGD                        ID = 30 A                 24.5
Total Gate Charge                           QG(TOT)
                                                                                                   3.2
                                                                                                                             nC

                                                                                                   10

                                                                                                   9

                                                                                                   49.5            nC

SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)

Turn-On Delay Time                          td(ON)                                                 17.6

Rise Time                                      tr       VGS = 4.5 V, VDS = 15 V,                    23
Turn-Off Delay Time                         td(OFF)       ID = 15 A, RG = 3.0 W                                               ns

Fall Time                                   tf                                                      28

                                                                                                   8.3

3. Pulse Test: pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.

                                                    http://onsemi.com
                                                                 2
                                             NTMFS4898NF

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C unless otherwise specified)

           Parameter                Symbol                                                                            Test Condition         Min Typ Max Unit

SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)

Turn-On Delay Time                  td(ON)                                                                                                        11.3

Rise Time                           tr                 VGS = 10 V, VDS = 15 V,                                                                    17.8
                                                        ID = 15 A, RG = 3.0 W                                                                                                ns
Turn-Off Delay Time                 td(OFF)
                                                                                                                                                  37.3
Fall Time                           tf
                                                                                                                                                  5.6

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS

Forward Diode Voltage               VSD                VGS = 0 V,                                                                TJ = 25C        0.38 0.70
                                                       IS = 2.0 A                                                                TJ = 125C                                  V
Reverse Recovery Time               tRR
Charge Time                          ta                                                                                                           0.31
Discharge Time                       tb
Reverse Recovery Charge             QRR                                                                                                           26.7
PACKAGE PARASITIC VALUES
                                                       VGS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ms,                                                              13.7                                      ns
                                                                    IS = 30 A
                                                                                                                                                  13.0

                                                                                                                                                  17.3                                      nC

Source Inductance                   LS                                                                                                            0.65                                      nH

Drain Inductance                    LD                                                                                                            0.20
Gate Inductance
                                    LG                                                                                TA = 25C                   1.5

Gate Resistance                     RG                                                                                                            1.4                                       W

3. Pulse Test: pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.

                                    TYPICAL CHARACTERISTICS

200                                                                                                                   160
       10 V 7.5 V
                     VGS = 4.4 V TJ = 25C 4.2 V                                                                      140 VDS = 10 V
180                                                                                                                   120

160
ID, DRAIN CURRENT (A)                           4.0 V
                                                                                               ID, DRAIN CURRENT (A)
140

120                                             3.8 V                                                                 100

100                                             3.6 V                                                                 80
                                                                                                                                                               TJ = 125C
80
                                                                                                                      60
60                                              3.4 V
                                                                                                                                                    TJ = 25C
40                                              3.2 V                                                                 40

20                                              3.0 V                                                                                                                           TJ = -55C
                                                                                                                      20

0                                               2.8 V                                                                 0

     0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5                                                                                       1  1.5 2          2.5  3     3.5  4 4.5

           VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                      VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
                                                                                                                                 Figure 2. Transfer Characteristics
           Figure 1. On-Region Characteristics

                                            http://onsemi.com
                                                         3
                                                                               NTMFS4898NF

                                                                       TYPICAL CHARACTERISTICS

RDS(on), DRAIN-TO-SOURCE RESISTANCE (W)  0.019                            ID = 30 A                  RDS(on), DRAIN-TO-SOURCE RESISTANCE (W)  0.005                                      TJ = 25C
                                         0.017                            TJ = 25C                                                           0.004                             VGS = 4.5 V
                                         0.015
                                         0.013

                                         0.011                                                                                                0.003
                                                                                                                                              0.002
                                         0.009                                                                                                                                  VGS = 10 V

                                         0.007

                                         0.005

                                         0.003

                                         0.001                                                                                                0.001
                                                                                                                                                      10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
                                                  3     4     5  6  7  8                     9  10
                                                                                                                                                                            ID, DRAIN CURRENT (A)
                                                           VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)                                                            Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and

                                                  Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source                                                                                   Gate Voltage
                                                                            Voltage

RDS(on), DRAIN-TO-SOURCE                 1.8                                                    IDSS, LEAKAGE (A)  1.0E-01                                          TJ = 150C
   RESISTANCE (NORMALIZED)               1.7 ID = 30 A                                                                           VGS = 0 V                          TJ = 125C
                                         1.6 VGS = 10 V
                                         1.5                                                                       1.0E-02
                                         1.4
                                         1.3                                                                       1.0E-03
                                         1.2
                                         1.1                                                                       1.0E-04
                                         1.0
                                         0.9                                                                       1.0E-05                                          TJ = 25C
                                         0.8
                                         0.7                     25 50 75 100 125               150                1.0E-06
                                         0.6
                                                                                                                                                        5  10       15  20             25             30
                                            -50 -25 0

                                                              TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)                                                                       VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
                                                                                                                                                           Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
                                                     Figure 5. On-Resistance Variation with
                                                                       Temperature                                                                                                vs. Voltage

                                         4500                                                                      VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)  11              QT

                                         4000                          TJ = 25C                                                                    10
                                         3500 Ciss                     VGS = 0 V
                                                                                                                                                    9
C, CAPACITANCE (pF)
                                         3000                                                                                                       8

                                                                                                                                                    7

                                         2500                                                                                                       6

                                         2000                                                                                                       5 Qgs      Qgd

                                         1500                                                                                                       4
                                         1000
                                                        Coss                                                                                        3                           ID = 30 A
                                          500     Crss
                                                                                                                                                    2                           TJ = 25C
                                                                                                                                                                                VDD = 15 V

                                                                                                                                                    1                           VGS = 10 V

                                         0                                                                                                          0

                                               0     4        8 12 16 20 24 28 32                                                                       0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50

                                                     VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                      Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)

                                                           Figure 7. Capacitance Variation                                                                         Figure 8. Gate-to-Source and
                                                                                                                                                           Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge

                                                                                             http://onsemi.com
                                                                                                          4
                                                                    NTMFS4898NF

                                                                   TYPICAL CHARACTERISTICS

              1000             VDD = 15 V                           td(off)       IS, SOURCE CURRENT (A)           30
               100             ID = 15 A
                                                                                                                           VGS = 0 V
                               VGS = 10 V                                                                          25 TJ = 25C

                                                                    tf                                             20

t, TIME (ns)                                                        tr

                                                                    td(on)                                         15

                       10                                                                                          10

                                                                                                                   5

                       1                                                                                           0
                                                                                                                     0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
                            1                             10                 100
                                                                                                                                VSD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
                                           RG, GATE RESISTANCE (W)
                                                                                                                       Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
                               Figure 9. Resistive Switching Time Variation
                                                vs. Gate Resistance

              1000                                                                EAS, SINGLE PULSE DRAIN-TO-      250
                                                                                     SOURCE AVALANCHE ENERGY (mJ)                                                                     ID = 39 A
ID, DRAIN CURRENT (A)  100                                          10 ms
                                                                                                                   200

                                                                    100 ms

                       10                                           1 ms                                           150

                                                                    10 ms

                       1 VGS = 30 V                                                                                100
                             Single Pulse

                               TC = 25C

                       0.1                 RDS(on) Limit            dc                                             50

                                           Thermal Limit

                       0.01                Package Limit                                                           0
                             0.1                 1
                                                               10            100                                        25  50           75  100  125                                            150

                                  VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)                                                          TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE(C)

                                  Figure 11. Maximum Rated Forward Biased                                                   Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
                                                  Safe Operating Area                                                               Starting Junction Temperature

                                                          160

                                                          140

                                                          120

                                                          100

                                           gFS (S)        80

                                                          60

                                                          40

                                                          20

                                                          0                                                                 VDS = 1.5 V

                                                               0 15 30 45 60 75 90 105 120

                                                                    DRAIN CURRENT (A)

                                                                   Figure 13. gFS vs. Drain Current

                                                                    http://onsemi.com
                                                                                 5
                                                                NTMFS4898NF

                                                            PACKAGE DIMENSIONS

                                                            DFN5 5x6, 1.27P
                                                                (SO-8FL)

                                                            CASE 488AA-01
                                                                 ISSUE D

                             D       2X                                                      NOTES:
                                                                                              1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
                       2                    0.20 C                                                 ASME Y14.5M, 1994.
                            D1            A                                                   2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
                                                                                              3. DIMENSION D1 AND E1 DO NOT INCLUDE
                      6                         B 2X                                               MOLD FLASH PROTRUSIONS OR GATE
                                                                                                   BURRS.
                                  5
                                                            0.20 C                                                                            MILLIMETERS
                                                            c
                                                                                                                   DIM MIN NOM MAX

                                                                                                                                           A 0.90 1.00 1.10

                                                                                                                                           A1 0.00 --- 0.05

                                     E1                                        4X                                                          b 0.33 0.41 0.51
                                     2E
                                                                                q                                                          c 0.23 0.28 0.33

                                                                                  A1                                                       D  5.15 BSC

                                                                                                                                           D1 4.50 4.90 5.10

                                                                                                                                           D2 3.50 --- 4.22

                                                                                                                                           E  6.15 BSC

                                                                                                                                           E1 5.50 5.80 6.10

                      1 2 34                                                                                                               E2 3.45 --- 4.30

                       TOP VIEW                                                                                                            e  1.27 BSC

                                                                                                                                           G 0.51 0.61 0.71

                                                                           3X      C                                                       K 0.51 --- ---

                                                                          e    SEATING                                                     L 0.51 0.61 0.71
                                                                                PLANE
0.10 C                                                              DETAIL A                                                               L1 0.05 0.17 0.20
0.10 C
                                                                                                                                           M 3.00 3.40 3.80

                                            A                                                                                              q  0 _ --- 12 _
                                            DETAIL A
                      SIDE VIEW                                                       SOLDERING FOOTPRINT*

            8X b                                                                         3X                                                      4X
0.10 C A B
0.05 c L                                                                              1.270                                                   0.750

                           1                                STYLE 1:                                                                                        4X
                                                              PIN 1. SOURCE
                                                                    2. SOURCE                                                                         1.000
                                                                    3. SOURCE
                                     e/2                            4. GATE           0.965                                                        2X
                                                                    5. DRAIN
                                     4                              6. DRAIN   1.330                                                           0.905
                                                                                                                                                       4.530
                                         K                                               2X
                                                                                                                                              0.475
   E2                                                                              0.495
                                 L1 M                                          3.200

                      6           5

G                             D2                                                                                             2X

                      BOTTOM VIEW                                                                                       1.530

                                                                                                                   4.560

                                                                               *For additional information on our Pb-Free strategy and soldering
                                                                                details, please download the ON Semiconductor Soldering and
                                                                                Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

ON Semiconductor and          are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice

to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability

arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.

"Typical" parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All

operating parameters, including "Typicals" must be validated for each customer application by customer's technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights

nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications

intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should

Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,

and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death

associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal

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