电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索

NSVF5490SKT3G

器件型号:NSVF5490SKT3G
器件类别:半导体    分立半导体    晶体管    RF晶体管    射频(RF)双极晶体管   
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
标准:
下载文档

器件描述

射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT

参数
产品属性属性值
制造商:ON Semiconductor
产品种类:射频(RF)双极晶体管
RoHS:详细信息
晶体管类型:Bipolar
技术:Si
晶体管极性:NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min:90
集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V
发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V
集电极连续电流:30 mA
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-623-3
封装:Cut Tape
封装:Reel
工作频率:8 GHz
商标:ON Semiconductor
最大直流电集电极电流:30 mA
Pd-功率耗散:100 mW
产品类型:RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:8000
子类别:Transistors

NSVF5490SKT3G器件文档内容

NSVF5490SK

Product Preview

RF Transistor for Low Noise

Amplifier

20 V, 30 mA, fT = 8 GHz typ. RF Transistor

   This RF transistor is designed for RF amplifier applications. SSFP                    www.onsemi.com

package is contribute to down size of application because it is small

surface mount package. This RF transistor is AEC−Q101 qualified and                                        3

PPAP capable for automotive applications.                                                         1

                                                                                                        2

Features                                                                                 SOT−623 / SSFP

• Low−noise Use:            NF = 0.9 dB typ. (f = 1 GHz)                                 CASE 631AC

•  High Cut−off Frequency:  fT = 8 GHz typ. (VCE = 5 V)

•  High Gain:               |S21e|2 = 10 dB typ. (f = 1.5 GHz)                       ELECTRICAL CONNECTION                             NPN

•  Low−voltage, Low−current Operation (VCE = 1 V, IC = 1 mA)                                         3

                            fT = 3.5 GHz typ.

                            |S21e|2 = 5.5 dB typ. (f = 1.5 GHz)

• SSFP Package is Pin−compatible with SOT−623                                        1

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable                                                                         1 : Base

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS                                               2 : Emitter

                                                                                                     2        3 : Collector

   Compliant

Typical Applications                                                                     MARKING DIAGRAM

• RF Amplifier for RKE

• RF Amplifier for ADAS                                                                  LOT No.              LOT No.

• RF Amplifier for Remote Engine Starter                                                             MN

This document contains information on a product under development. ON Semiconductor

reserves the right to change or discontinue this product without notice.             MN  = Specific Device Code

                                                                                     ORDERING INFORMATION

                                                                                     See detailed ordering and shipping information in the package

                                                                                     dimensions section on page 5 of this data sheet.

©  Semiconductor Components Industries, LLC, 2018                         1                             Publication Order Number:

June, 2018 − Rev. P1                                                                                                   NSVF5490SK/D
                                                      NSVF5490SK

                                                      SPECIFICATIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C

                              Parameter                                       Symbol                           Value                      Unit

Collector to Base Voltage                                                     VCBO                               20                       V

Collector to Emitter Voltage                                                  VCEO                               10                       V

Emitter to Base Voltage                                                       VEBO                               1.5                      V

Collector Current                                                                 IC                             30                       mA

Collector Dissipation                                                             PC                             100                      mW

Operating Junction     and Storage Temperature                                Tj, Tstg                      −55 to +150                   °C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may  damage the  device. If any  of  these     limits are exceeded,  device  functionality

should not be assumed, damage may occur and reliability may be    affected.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta = 25°C

                                                                                                                      Value

              Parameter                  Symbol                       Conditions                            Min       Typ         Max         Unit

Collector Cutoff Current                        ICBO  VCB = 10 V, IE = 0 A                                                        1.0           mA

Emitter Cutoff Current                          IEBO  VEB = 1 V, IC = 0 A                                                         10            mA

DC Current Gain                                 hFE   VCE = 5 V, IC = 10 mA                                 90                    200

Gain−Bandwidth Product                          fT1   VCE = 5 V, IC = 10 mA                                 5            8                    GHz

                                                fT2   VCE = 1 V, IC = 1 mA                                            3.5                     GHz

Output Capacitance                              Cob   VCB = 10 V,  f = 1 MHz                                          0.45        0.7           pF

Reverse Transfer Capacitance                    Cre                                                                   0.3                       pF

Forward Transfer Gain                    | S21e |21   VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1.5 GHz                    8         10                        dB

                                         | S21e |22   VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 1.5 GHz                               5.5                       dB

Noise Figure                                    NF1   VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1.5 GHz                               1.4         3.0           dB

                                                NF2   VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 1 GHz                                 0.9                       dB

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted.     Product

performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

1.  Pay attention to handling since it is liable to be affected by static electricity due to the high−frequency process adopted.

                                                      www.onsemi.com

                                                                   2
                                                                                                           NSVF5490SK

                                                                                          TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                          hFE      −−       IC                                                                            2                                   fT  −−     IC

                         5                                                                    VCE=5V

                         3                                                                                          GHz

                         2                                                                                          −−                                    10

DC Current Gain, hFE     100                                                                                        Gain−Bandwidth Product, fT            7                       VCE=5V

                         7                                                                                                                                5                          VCE=1V

                         5

                         3                                                                                                                                3

                         2

                                                                                                                                                          2

                         10

                         7

                         5                                                                                                                                1.0                 2      3        57                    2       3     5

                         0.1          2  3   5     7 1.0   2   3         5  7 10      2       3      5     7100                                                1.0                                       10

                                             Collector Current, IC              −−    mA                                                                                             Collector Current, IC      −−  mA

                                                           Figure 1.                                                                                                                     Figure 2.

                                                      Cob      −−        VCB                                                                                   5                         Cre      −−     VCB

                         5                                                                    f=1MHz                pF                                                                                                  f=1MHz

pF                       3                                                                                          Reverse Transfer Capacitance, Cre −−       3

−−                       2                                                                                                                                     2

Output Capacitance, Cob  1.0                                                                                                                              1.0

                         7                                                                                                                                     7

                         5                                                                                                                                     5

                         3                                                                                                                                     3

                         2                                                                                                                                     2

                         0.1                                                                                                                              0.1

                         7                                                                                                                                     7

                         5                                                                                                                                     5

                              7  0.1     25  3        73 1.0       2            5  7  10         25     3                                                         7  0.1      25  3      73 1.0      2       5  7   10   2     3  5

                                         Collector−to−Base Voltage,                VCB−−V                                                                                     Collector−to−Base Voltage,        VCB −−V

                                                          Figure 3.                                                                                                                      Figure 4.

                         12                                NF  −−           IC                                                                                                            NF         −−  IC

                                                                                          f=1.5GHz                                                        12                                                            VCE= 2V

                                                                                                                                                                                                                        f = 1GHz

                         10                                                                                                                               10

dB                                                                                                                  dB

−−                       8                                                                                          −−                                    8

Noise Figure, NF                                                                                                    NF

                         6                                                                                          Noise Figure,                         6

                         4                                                            VCE=1V  5V                                                          4

                         2                                                                                                                                2

                         0                                                                                                                                0

                         0.1          2  3      5  7  1.0      23     3     57        10         2         5                                                   0.1        23  3      57  1.0      2  3       5  7   10  2         5

                                             Collector Current, IC              −−    mA                                                                                             Collector Current, IC      −−  mA

                                                           Figure 5.                                                                                                                     Figure 6.

                                                                                                           www.onsemi.com

                                                                                                                 3
                                                                                                         NSVF5490SK

                                                                                               TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                          |  S21e|    2  −−          IC                                                                                |  S21e|  2  −−        IC

dB                               16                                                            f=1.5GHz            dB                              16                                                          f=1GHz

−−                               14                                                                                −−                              14                                               VCE=5V

2                                                                                                                  2

Forward Transfer Gain, | S21e|   12                                                    VCE=5V                      Forward Transfer Gain, | S21e|  12                                             2V

                                 10                                                                                                                10                                         1V

                                 8                                               1V  2V

                                                                                                                                                   8

                                 6                                                                                                                 6

                                 4                                                                                                                 4

                                 2                                                                                                                 2

                                 0                                                                                                                 0

                                      33   5      7  1.0  25             7 10            2     3   5    7 100                                          33  5  7   1.0  25           7 10          2         3  5  7 100

                                                          Collector Current, IC  −− mA                                                                                 Collector Current, IC  −− mA

                                                              Figure 7.                                                                                                    Figure 8.

                                 120                          PC    −−   Ta

Collector Dissipation, PC −− mW  100

                                 80

                                 60

                                 40

                                 20

                                 0

                                      0       20     40       60  80     100             120       140  160

                                                     Ambient Temperature, Ta           −−      _C

                                                              Figure 9.

   S PARAMETERS (COMMON                                               EMITTER)

                                 Freq (MHz)               |S11|                  -S11                   |S21|      -S21                                    |S12|          -S12        |S22|                    -S22

   VCE = 5 V, IC = 5 mA, ZO = 50 W

                                      200                 0.782                  −37.1                  12.043     148.4                                   0.038          69.7        0.889                    −19.5

                                      400                 0.623                  −65.4                  9.431      126.6                                   0.057          60.8        0.758                    −28.3

                                      600                 0.502                  −85.6                  7.415      112.2                                   0.072          56.5        0.646                    −33.3

                                      800                 0.420                  −102.4                 6.000      101.5                                   0.083          55.2        0.577                    −35.9

                                 1000                     0.369                  −114.7                 5.025      93.6                                    0.094          55.1        0.538                    −37.6

                                 1200                     0.339                  −127.2                 4.323      86.7                                    0.105          55.6        0.513                    −38.7

                                 1400                     0.311                  −137.2                 3.785      80.6                                    0.115          55.6        0.490                    −39.7

                                 1600                     0.296                  −144.9                 3.391      75.3                                    0.127          56.7        0.480                    −41.3

                                 1800                     0.285                  −156.5                 3.018      70.1                                    0.139          56.4        0.466                    −43.5

                                 2000                     0.277                  −164.2                 2.767      65.7                                    0.150          56.7        0.460                    −45.5

                                                                                                        www.onsemi.com

                                                                                                                4
                                                            NSVF5490SK

S PARAMETERS (COMMON EMITTER)

Freq (MHz)          |S11|           -S11               |S21|      -S21      |S12|           -S12               |S22|      -S22

VCE = 5 V, IC = 10 mA, ZO = 50 W

200                 0.641           −52.7              16.527     137.8     0.031           67.4               0.820      −22.9

400                 0.468           −85.4              11.299     115.7     0.048           60.5               0.643      −30.2

600                 0.377           −106.6             8.303      103.1     0.060           60.0               0.549      −32.2

800                 0.321           −124.1             6.502      94.0      0.072           60.9               0.499      −33.2

1000                0.293           −136.1             5.342      87.4      0.084           61.9               0.477      −33.9

1200                0.280           −146.7             4.546      81.4      0.097           62.7               0.462      −35.0

1400                0.266           −156.6             3.947      76.4      0.108           63.0               0.449      −36.2

1600                0.263           −163.2             3.527      71.4      0.123           63.7               0.444      −37.8

1800                0.263           −173.5             3.121      67.0      0.136           62.8               0.435      −39.9

2000                0.264           −179.8             2.864      62.8      0.150           62.4               0.434      −42.4

VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZO = 50 W

200                 0.851           −30.4              8.644      154.1     0.042           73.0               0.937      −16.4

400                 0.724           −55.7              7.310      133.8     0.073           61.3               0.820      −27.9

600                 0.612           −76.1              6.083      118.6     0.093           54.2               0.709      −35.7

800                 0.521           −93.0              5.085      106.9     0.107           50.4               0.628      −40.4

1000                0.461           −106.1             4.343      98.1      0.118           48.3               0.572      −43.7

1200                0.423           −118.6             3.806      90.0      0.128           47.5               0.536      −45.8

1400                0.382           −129.4             3.349      83.3      0.137           46.9               0.506      −47.3

1600                0.366           −138.0             3.036      77.5      0.147           47.4               0.485      −49.5

1800                0.341           −148.8             2.685      71.7      0.157           47.2               0.463      −51.9

2000                0.333           −157.7             2.479      66.7      0.167           47.6               0.453      −54.1

VCE = 1 V, IC = 1 mA, ZO = 50 W

200                 0.945           −18.7              3.431      162.9     0.053           78.1               0.982      −10.3

400                 0.892           −36.9              3.263      147.1     0.099           66.9               0.939      −19.7

600                 0.826           −52.9              3.004      133.2     0.136           57.5               0.879      −27.7

800                 0.754           −67.9              2.765      120.4     0.164           49.7               0.815      −34.8

1000                0.691           −81.1              2.539      109.9     0.184           43.4               0.758      −40.0

1200                0.639           −94.3              2.366      99.8      0.199           38.4               0.727      −44.3

1400                0.589           −104.9             2.143      91.2      0.207           34.1               0.683      −47.8

1600                0.558           −114.1             1.969      83.6      0.213           31.7               0.653      −51.4

1800                0.522           −124.4             1.797      76.2      0.218           28.7               0.621      −54.9

2000                0.490           −134.9             1.701      69.7      0.219           27.0               0.601      −58.1

ORDERING INFORMATION

            Device                                 Marking                  Package                            Shipping†

NSVF5490SKT3G                                      MN                       SOT−623 / SSFP                     8,000 / Tape & Reel

                                                                  (Pb−Free / Halogen Free)

†For information on tape and reel specifications,  including part orientation and tape sizes, please refer to  our Tape and Reel Packaging

Specifications Brochure, BRD8011/D

                                                            www.onsemi.com

                                                               5
MECHANICAL CASE OUTLINE

PACKAGE DIMENSIONS

                                                   SOT−623 / SSFP

                                                   CASE 631AC

                                                   ISSUE O

                                                                                                     DATE 29 FEB 2012

DOCUMENT NUMBER:                  98AON67431E                         Electronic  versions  are      uncontrolled  except  when

   STATUS:                        ON SEMICONDUCTOR STANDARD           accessed directly from the Document Repository. Printed

                                                                      versions    are  uncontrolled  except  when  stamped

   NEW STANDARD:                                                      “CONTROLLED COPY” in red.

©  Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  http://onsemi.com                                 Case Outline Number:

October, D20E0S2C−RRIePvT. I0ON:  SOT−623 / SSFP   1                                                               PAGE 1 OFX2XX
                                                                                                                                DOCUMENT NUMBER:

                                                                                                                                98AON67431E

                                                                                                                                PAGE 2 OF 2

   ISSUE                                           REVISION                                                                                                    DATE

   O      RELEASED FOR PRODUCTION FROM SANYO ENACT# TC−00000733 TO ON                                                                                          29 FEB 2012

          SEMICONDUCTOR. REQ. BY D. TRUHITTE.

   ON Semiconductor and       are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC).                   SCILLC reserves the right to make changes without further notice

   to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability

   arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.

   “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time.                    All

   operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts.  SCILLC does not convey any license under its patent rights

   nor the rights of others.  SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications

   intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur.                Should

   Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,

   and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death

   associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part.  SCILLC is an Equal

   Opportunity/Affirmative Action Employer.  This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.

©  Semiconductor Components Industries, LLC, 2012                                                                                                              Case Outline Number:

February, 2012 − Rev. O                                                                                                                                                                           631AC
ON Semiconductor and        are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.

ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent

coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein.

ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability

arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.

Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards,

regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or

specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer

application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not

designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification

in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized

application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and

expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such

claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This

literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

LITERATURE FULFILLMENT:                                   N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free  ON Semiconductor Website: www.onsemi.com

Literature Distribution Center for ON Semiconductor       USA/Canada

19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA            Europe, Middle East and Africa Technical Support:      Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit

Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada  Phone: 421 33 790 2910                                 For additional information, please contact your local

Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada                                                           Sales Representative

Email: orderlit@onsemi.com


Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory,  Delivery  &  Lifecycle  Information:

ON Semiconductor:

NSVF5490SKT3G
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved