电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

NESG260234-T1

器件型号:NESG260234-T1
厂商名称:NEC ( Renesas )
厂商官网:https://www2.renesas.cn/zh-cn/
下载文档

器件描述

3-PIN POWER MINIMOLD

文档预览

NESG260234-T1器件文档内容

               NEC's NPN SiGe RF TRANSISTOR

                              FOR MEDIUM OUTPUT POWER                                    NESG260234
                                           AMPLIFICATION (1 W)

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

FEATURES

THIS PRODUCT IS SUITABLE FOR
    MEDIUM OUTPUT POWER (1 W) AMPLIFICATION
    PO = 30 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 15 dBm, f = 460 MHz
    PO = 30 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 900 MHz

MAXIMUM STABLE GAIN:
    MSG = 23 dB TYP @ VCE = 6 V, IC = 100 mA, f = 460 MHz

SiGe TECHNOLOGY:
    UHS2-HV process

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:
    VCBO = 25 V

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER      ORDER NUMBER    PACKAGE                     QUANTITY        SUPPLYING FORM
NESG260234     NESG260234-AZ
NESG260234-T1  NESG260234-T1-AZ  3-pin power minimold 25 pcs (Non reel) Magazine case

                                 (Pb-Free) Note1       1 kpcs/reel      12 mm wide embossed taping

                                                                        Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape

Notes 1. Contains Lead in the part except the electrode terminals.

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
             Unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =+25C)

               PARAMETER         SYMBOL            RATINGS             UNIT
Collector to Base Voltage           VCBO                25               V
Collector to Emitter Voltage        VCEO               9.2               V
Emitter to Base Voltage             VEBO               2.8               V
Collector Current                     IC               600              mA
Total Power Dissipation            Ptot Note           1.9               W
Junction Temperature                  Tj               150              C
Storage Temperature                  Tstg                               C
                                                  -65 to +150

Note Mounted on 34.2 cm2 0.8 mm (t) glass epoxy PWB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

                                                  California Eastern Laboratories
NESG260234

THERMAL RESISTANCE (TA = 25C)

                      PARAMETER                   SYMBOL           RATINGS        UNIT
Thermal Resistance from Junction to Ambient Note     Rthj-a             65        C/W

Note Mounted on 34.2 cm2 0.8 mm (t) glass epoxy PWB

RECOMMENDED OPERATING RANGE (TA = 25C)

               PARAMETER      SYMBOL              MIN.       TYP.  MAX.     UNIT
Collector to Emitter Voltage      VCE               -         6.0   7.2       V
Collector Current                  IC               -        400    500      mA
Input Power Note                  Pin               -         15     20
                                                                            dBm

Note Input power under conditions of VCE  6.0 V, f = 460 MHz
                                                                                             NESG260234

ELECTRICAL CHARACHTERISTICS (TA = 25C)

PARAMETER                  SYMBOL    TEST CONDITIONS                        MIN.  TYP. MAX. UNIT

DC Characteristics          ICBO     VCB = 9.2 V, IE = 0 mA                 -     -     1    A
Collector Cut-off Current   IEBO     VEB = 1.0 V, IC = 0 mA
Emitter Cut-off Current    hFE Note  VCE = 3 V, IC = 100 mA                 -     -     1    A
DC Current Gain
RF Characteristics                                                          80    120   180  -
Linear gain (1)
                           GL        VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  19    22    -    dB
Linear gain (2)
                                     f = 460 MHz, Pin = 0 dBm
Output Power (1)
                           GL        VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  -     19    -    dB
Output Power (2)
                                     f = 900 MHz, Pin = 0 dBm
Collector Efficiency (1)
                           Po        VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  28.5  30.0  -    dBm
Collector Efficiency (2)
                                     f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

                           Po        VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  -     30.0  -    dBm

                                     f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

                           c         VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  -     50    -    %

                                     f = 460 MHz, Pin = 15 dBm

                           c         VCE = 6 V, IC (set) = 30 mA (RF OFF),  -     60    -    %

                                     f = 900 MHz, Pin = 20 dBm

Notes 1. Pulse measurement: PW  350 s, Duty Cycle  2%

hFE CLASSIFICATION

RANK          FB
Marking        SP
hFE Value  80 to 180
NESG260234                                                                                                 1.50.1
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE) (UNIT:mm)

                                                                                       4.50.1
                                                                                       1.60.2

0.8 MIN.      2
                                                       2.50.1
                                                              4.00.2513

0.420.06                                                                                       0.420.06  0.41+-00..0036

               0.470.06
              1.5

                   3.0

PIN CONNECTIONS

       1. Collector
       2. Emitter
       3. Base

Life Support Applications
These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably
be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and
agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.

                                                                                                                                                                                                                                                     12/22/2004

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                 A Business Partner of NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved