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NE722S01-T1

器件型号:NE722S01-T1
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:NEC ( Renesas )
厂商官网:https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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器件描述

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET

参数
NE722S01-T1端子数量 4
NE722S01-T1最小击穿电压 5 V
NE722S01-T1加工封装描述 PLASTIC, S01, 4 PIN
NE722S01-T1状态 TRANSFERRED
NE722S01-T1包装形状 UNSPECIFIED
NE722S01-T1包装尺寸 MICROWAVE
NE722S01-T1表面贴装 Yes
NE722S01-T1端子形式 GULL WING
NE722S01-T1端子位置 UNSPECIFIED
NE722S01-T1包装材料 PLASTIC/EPOXY
NE722S01-T1结构 SINGLE
NE722S01-T1壳体连接 SOURCE
NE722S01-T1元件数量 1
NE722S01-T1晶体管应用 AMPLIFIER
NE722S01-T1晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
NE722S01-T1最大环境功耗 0.2500 W
NE722S01-T1通道类型 N-CHANNEL
NE722S01-T1场效应晶体管技术 METAL SEMICONDUCTOR
NE722S01-T1操作模式 DEPLETION
NE722S01-T1晶体管类型 RF SMALL SIGNAL
NE722S01-T1最大漏电流 0.0400 A
NE722S01-T1最高频带 X BAND

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NE722S01-T1器件文档内容

                     NEC's C TO X BAND
          N-CHANNEL GaAs MES FET NE722S01

FEATURES                                                         OUTLINE DIMENSION (Units in mm)

HIGH POWER GAIN:                                                                          PACKAGE OUTLINE SO1
   GS = 6 dB TYP at f = 12 GHz
                                                                                                              2.0 0.2
OUTPUT POWER (at 1 dB compression):
   15 dB TYP at f = 12 GHz                                                        1               2.0 0.2

LOW NOISE/HIGH GAIN:                                           2                   P
   NF = 0.9 dB TYP, Ga = 12 dB TYP at f = 4 GHz
                                                                                                                         0.5
GATE LENGTH: LG = 0.8 m (recessed gate)                                                                               TYP
GATE WIDTH: WG = 400 m
                                                                                                        4                2.00.2
DESCRIPTION
                                                                                               3                         1. Source
NEC's NE722S01 is a low cost GaAs MESFET suitable for                              0.65 TYP                              2. Drain
both amplifier and oscillator applications through X-band.                                                               3. Source
The device features a 0.8 micron recessed gate, triple                            1.9 0.2                              4. Gate
epitaxial technology and is fabricated using ion implantation                         1.6
for improved RF and DC performance and uniformity. This
device's low phase noise and high fT makes it a excellent        0.125 0.05                                 1.5 MAX
choice for oscillator applications on a digital LNB (Low
Noise Block). The NE722S01 is housed in a low cost plastic                                 0.4 MAX
package which is available in Tape and Reel.                                       4.0 0.2

NEC's stringent quality assurance and test procedures
ensure the highest reliability performance.

APPLICATIONS

C to X band low noise amplifiers
C to X band oscillators

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C)

             PART NUMBER                                                                          NE722S01
          PACKAGE OUTLINE                                                                             S01

SYMBOLS                   PARAMETERS AND CONDITIONS              UNITS         MIN                TYP                         MAX
    IGSO  Gate to Source Leak Current, VGS = -5 V                  uA
                                                                   mA                            1.0                         10
                                                                    V
IDSS      Saturated Drain Current, VDS = 3 V, VGS = 0 V            mS          60                 90                          120
                                                                   dB
VGS       Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 3 V, ID = 100 A   dBm          -0.5                                          -4.0

gm        Transconductance, VDS = 3 V, IDS = 30 mA                 dB          20                 45                          
                                                                   dB
GS        Power Gain, VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz                                         6                           

P1dB      Output Power at 1 dB Gain Compression Point at                                          15.0
          VDS = 3 V, IDS = 30 mA, f = 12 GHz

NF        Noise Figure, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz                                        0.9                        

Ga        Associated Gain, VDS = 3 V, IDS = 10 mA, f = 4 GHz                                     12                          _

                                                                        California Eastern Laboratories
NE722S01

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25C)                                                      RECOMMENDED

SYMBOLS                                        PARAMETERS            UNITS RATINGS         OPERATING CONDITIONS (TA = 25C)

VDS                                      Drain to Source Voltage     V               5.0                                                           PART NUMBER                                                                  NE722S01

VGS                                      Gate to Source Voltage      V               -5.0  SYMBOLS                                                 PARAMETERS                                     UNITS MIN TYP MAX

                                                                                           VDS                                              Drain to Source Voltage                               V                                 34
                                                                                                                                                                                                                                    30 40
VGD                                      Gate to Drain Voltage       V               -6.0  IDS                                              Drain Current                                         mA

IDS                                      Drain Current               mA              IDSS

PT                                       Total Power Dissipation     mW              250

PIN                                      Input Power                 mW              40    ORDERING INFORMATION

TCH                                      Channel Temperature         C              125   PART NUMBER                                                                    SUPPLY FORM                                               MARKING
                                                                                                                                                                                                                                          P
TSTG                                     Storage Temperature         C -65 to +125        NE722S01-T1                                                       Tape & Reel 1000 pcs/reel

Note:                                                                                      NE722S01-T1B1                                                     Tape & Reel 4000 pcs/reel
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
                                                                                           Note:
   in permanent damage.

                                                                                           1. Available if quantity is over 100k per month

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25C)                                                                                                 DRAIN CURRENT vs.
                                                                                                                                DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
                        TOTAL POWER DISSIPATION vs.
                             AMBIENT TEMPERATURE                                                                    100

                    500                                                                                                                                                          VGS = 0.0 V
                                                                                                                     80
Total Power Dissipation, (PT) mW  400                                                      Drain Current, IDS (mA)

                                  300                                                                               60                                                                                                  -0.5 V
                                  200
                                                                                                                    40
                                                                                                                                                                                  -1.0 V

                                  100                                                                               20
                                                                                                                                                                                       -2.0 V

                                  0            50       100     150  200        250                                                     0                 1  2               3                                       4          5

                                               Ambient Temperature, TA (C)                                                                        Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                                  DRAIN CURRENT vs.                                                                       MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
                                            GATE TO SOURCE VOLTAGE                                                                            INSERTION GAIN vs. FREQUENCY

                                          VDS = 3.0 V                                                                                   20
                                  80
                                                                                           Maximum Stable Gain, MSG (dB)                                                                                             VDS = 3 V
                                                                                              Maximum Available Gain, MAG (dB)
                                                                                                  Forward Insertion Gain, |S21S|2 (dB)                       MSG.                                                    IDS = 10 mA

Drain Current, IDS (mA)                                                                                                                 16

                                  60

                                                                                                                                        12

                                                                                                                                                             |S21S| 2

                                  40                                                                                                                                            MAG.

                                                                                                                                        8

                                  20                                                                                                    4

                                                                                                                                            ( MAG = |S21| K K 2 - 1 ).
                                                                                                                                                        |S12|

                                                                                                                                            When K  1, MAG is undefined and MSG values are used.

                                                                                                                                            MSG = |S21| , K = 1 + |  | 2 - |S11| 2 - |S22| 2 ,  = S11 S22 - S21 S12
                                  0                                                                                                                |S12|     2 |S12 S21|
                                                                                                                                        0
                                         -4.0                -2.0               0                                                           0.5    1                      5            10 14 20                                 50

                                               Gate to Source Voltage, VGS (V)                                                                               Frequency, f (GHz)

Note:
1. Gain Calculation:

( ). MAG = |S21| K K 2 - 1 When K  1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG = |S21| , K = 1 + |  | 2 - |S11| 2 - |S22| 2 ,  = S11 S22 - S21 S12
                                  |S12|                                                                                                     |S12|                         2 |S12 S21|

MAG = Maximum Available Gain

MSG = Maximum Stable Gain
                                                                         NE722S01

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25C)

                               OUTPUT POWER vs. INPUT POWER

Output Power, Pout (dBm)  20

                                  VDS = 3.0 V, ID = 30 mA
                                  fin = 12 GHz
                          15

                          10

                          5

                          0

                          -5

                          -10

                               -15  -10  -5                0  5  10  15

                                         Input Power, Pin (dBm)
NE722S01

TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25C)

NE722S01
VDS = 3.0 V, IDS = 10 mA

FREQUENCY                    S11                 S21                  S12                       S22

GHz                    MAG         ANG    MAG          ANG     MAG         ANG            MAG     ANG

2.0                  0.912        -44.0  3.100       136.2    0.077        59.0         0.659   -30.2
2.5                  0.876        -56.1  3.037       124.9    0.091        51.2         0.629   -38.0
3.0                  0.828        -68.0  2.935        113.9   0.105        42.9         0.597   -46.4
3.5                  0.784        -79.3  2.819       103.7    0.115        36.2         0.570   -53.5
4.0                  0.737        -89.5  2.696                0.124        30.0         0.546   -60.9
4.5                  0.699        -99.3  2.589         94.2   0.130        24.7         0.529   -67.2
5.0                  0.660       -109.0  2.499         85.3   0.136        19.1         0.514   -73.6
5.5                  0.620       -119.0  2.420         76.6   0.140        14.1         0.495   -79.6
6.0                  0.583       -130.6  2.355         67.9   0.146                     0.475   -85.2
6.5                  0.547       -143.8  2.283         59.4   0.148         9.1         0.447   -91.5
7.0                  0.516       -158.5  2.196         50.1   0.151         3.8         0.408   -97.0
7.5                  0.496       -173.7  2.098         41.0   0.149        -1.6         0.366  -103.7
8.0                  0.500        172.6  2.016         32.2   0.152        -6.6         0.331  -110.8
8.5                  0.510        159.9  1.920         23.7   0.150       -10.1         0.298  -120.4
9.0                  0.526        148.4  1.834         15.3   0.151       -13.6         0.274  -133.2
9.5                  0.540       138.4   1.749                0.151       -17.3         0.265  -147.9
10.0                  0.553        129.9  1.676           7.2  0.152       -20.3         0.275  -160.7
10.5                  0.566        120.6  1.608          -0.6  0.156       -23.2         0.297  -172.7
11.0                  0.576        111.3  1.542          -7.9  0.157       -26.3         0.312   178.5
11.5                  0.592       101.8   1.470        -15.8   0.157       -29.8         0.328   171.0
12.0                  0.608         92.8  1.401        -23.5   0.158       -32.9         0.340   163.5
12.5                  0.640         85.2  1.325        -31.1   0.159       -35.7         0.339   155.6
13.0                  0.665         79.1  1.256        -38.4   0.160       -38.0         0.341   145.5
13.5                  0.693         73.3  1.183        -45.7   0.158       -41.3         0.356   133.8
14.0                  0.718         69.3  1.111        -52.7   0.162       -44.5         0.386  122.3
14.5                  0.744         64.8  1.045        -59.7   0.163       -47.0         0.421   111.6
15.0                  0.759         59.6  0.966        -66.4   0.159       -49.5         0.474   104.4
15.5                  0.756         55.5  0.893        -73.3   0.159       -53.4         0.516    98.7
16.0                  0.750         51.0  0.839        -79.7   0.160       -55.8         0.563    95.8
16.5                  0.738         45.4  0.777        -85.4   0.158       -57.6         0.601    92.8
17.0                  0.728         40.9  0.714        -91.0   0.158       -61.4         0.624    89.4
17.5                  0.721         36.4  0.676        -96.7   0.156       -63.1         0.628    86.9
18.0                  0.721         32.5  0.624       -101.5   0.158       -65.9         0.625    82.2
                                                      -105.7               -68.4
                                                      -109.8

Note:
1. Gain Calculation:

( ). MAG = |S21| K K 2 - 1 When K  1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG = |S21| , K = 1 + |  | 2 - |S11| 2 - |S22| 2 ,  = S11 S22 - S21 S12
|S12|                                                                             |S12|         2 |S12 S21|

MAG = Maximum Available Gain

MSG = Maximum Stable Gain
                                                                                                             NE722S01

TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25C)

NE722S01
VDS = 3.0 V, IDS = 30 mA

FREQUENCY                    S11                 S21                  S12                       S22

GHz                    MAG         ANG    MAG          ANG     MAG         ANG            MAG     ANG

2.0                  0.896        -48.3  3.721       134.0    0.063        59.9         0.547   -29.6
2.5                  0.851        -61.5  3.606       122.4    0.077        53.2         0.519   -37.4
3.0                  0.799        -74.1  3.449        111.3   0.086        45.1         0.489   -45.4
3.5                  0.753        -86.1  3.275       101.1    0.095        39.6         0.464   -52.6
4.0                  0.705        -97.0  3.102                0.102        34.1         0.443   -59.5
4.5                  0.666       -107.3  2.957         91.6   0.106        29.5         0.431   -65.5
5.0                  0.625       -117.5  2.834         82.7   0.111        24.9         0.419   -71.5
5.5                  0.586       -128.3  2.724         74.0   0.115        20.6         0.406   -76.9
6.0                  0.553       -140.6  2.627         65.3   0.122        17.0         0.390   -82.2
6.5                  0.521       -154.2  2.522         56.8   0.125        12.6         0.366   -88.2
7.0                  0.497       -169.4  2.402         47.7   0.128                     0.334   -93.4
7.5                  0.489       175.8   2.281         39.0   0.128         8.5         0.296   -99.7
8.0                  0.501       162.9   2.176         30.5   0.131         5.0         0.267  -106.8
8.5                  0.519       151.0   2.062         22.5   0.135         1.8         0.234  -117.8
9.0                  0.540       140.4   1.963         14.5   0.139        -1.2         0.209  -132.7
9.5                  0.562       131.2   1.865                0.142        -3.4         0.206  -150.0
10.0                  0.575       123.2   1.786           6.8  0.146        -6.8         0.221  -164.3
10.5                  0.589        114.3  1.709          -0.7  0.151        -9.9         0.246  -177.2
11.0                  0.602       105.5   1.637          -7.8  0.156       -12.8         0.265   173.7
11.5                  0.619         96.4  1.554        -15.4   0.161       -16.7         0.285  166.1
12.0                  0.633         88.0  1.480        -22.9   0.163       -20.5         0.299   158.1
12.5                  0.666         80.9  1.400        -30.2   0.168       -23.9         0.303   149.9
13.0                  0.690         75.2  1.321        -37.4   0.171       -27.4         0.307   139.1
13.5                  0.715         70.0  1.241        -44.5   0.173       -30.5         0.326   127.4
14.0                  0.740         66.4  1.169        -51.1   0.173       -33.9         0.358   116.2
14.5                  0.769         62.0  1.101        -57.9   0.174       -37.3         0.396   106.2
15.0                  0.780         57.0  1.021        -64.2   0.178       -41.0         0.450    99.5
15.5                  0.778         52.5  0.945        -70.8   0.175       -45.3         0.494    94.8
16.0                  0.774         48.2  0.888        -77.1   0.176       -48.6         0.540    92.0
16.5                  0.759         42.7  0.824        -82.6   0.176       -51.4         0.578    89.4
17.0                  0.750         38.1  0.767        -88.0   0.174       -56.1         0.601    86.3
17.5                  0.739         33.9  0.721        -93.4   0.175       -58.3         0.604    84.0
18.0                  0.741         30.2  0.672        -98.3   0.176       -61.1         0.599    79.2
                                                      -102.3               -63.3
                                                      -106.6

Note:
1. Gain Calculation:

( ). MAG = |S21| K K 2 - 1 When K  1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG = |S21| , K = 1 + |  | 2 - |S11| 2 - |S22| 2 ,  = S11 S22 - S21 S12
|S12|                                                                             |S12|         2 |S12 S21|

MAG = Maximum Available Gain

MSG = Maximum Stable Gain
NE722S01                                                       CGD_PKG
NONLINEAR MODEL                                                 0.001pF
SCHEMATIC
                                                                            Ldx
                                                   GATE
                                                                       Lgx  Q1 0.5nH Rdx                        DRAIN
                                                                                               1 ohms
                                                           Rgx 0.71nH                                  CDS_PKG
                                                         1 ohms                    Lsx                    0.1PF
                                                                                  0.13nH
                                                         CGS_PKG
                                                          0.08pF

                                                                            Rsx
                                                                            0.01 ohms

                                                                            SOURCE

FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)                                          UNITS

Parameters  Q1        Parameters                         Q1                        Parameter            Units
                                                                                   time                seconds
VTO         -2.24     RG                                 8                         capacitance         farads
                                                                                   inductance          henries
VTOSC       0         RD                                 0.5                       resistance          ohms
                                                                                   voltage             volts
ALPHA       8         RS                                 6                         current             amps

BETA        0.055     RGMET                              0

TQGAMMA     0.04      TNOM                               27

TQGAMMAAC 0.05        XTI                                3

Q           1.5       EG                                 1.43

TQDELTA     0.25      VTOTC                              0                  MODEL RANGE

VBI         1         BETATCE                            0                  Frequency: 0.1 to 18 GHz

IS          1e-14     FFE                                1                  Bias:                      VDS = 2 V to 4 V, ID = 10 mA to 40 mA
                                                                            Date:                      02/2002
N           1.3       FNC(2)                             150e-6

RIS         0         R                                  0.5

RID         0         P                                  1

TAU         3e-12     C                                  0.9

CDS         0.19e-12

RDB            250
CBS           1e-9
CGS         0.92e-12

CGD         0.05e-12

DELTA1      0.3

DELTA2      0.3

FC           0.5
VBR         Infinity

(1) ADS TOM Model
(2) To simulate phase noise using AF/KF: AF = 1.5 KF = 2e-10

Life Support Applications
These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably
be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and
agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.

                                                                                                                                                          07/01/2004

                                                                                                                       A Business Partner of NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
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