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NE68939-T1

器件型号:NE68939-T1
厂商名称:NEC ( Renesas )
厂商官网:https://www2.renesas.cn/zh-cn/
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器件描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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NE68939-T1器件文档内容

                                PRELIMINARY DATA SHEET

          NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR NE68939

FEATURES                                                        OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)

OUTPUT POWER AT 1dB COMPRESSION POINT:                                        PACKAGE OUTLINE 39                +0.10
   24.5 dBm TYP @F = 1.9 GHZ, VCE = 3.6 V, Class AB,                                                         0.4 -0.05
   Duty 1/8                                                                                          +0.2    (LEADS 2, 3, 4)
                                                                                                2.8 -0.3
4 PIN MINI MOLD PACKAGE: NE68939
                                                                                                     +0.2
DESCRIPTION                                                                                     1.5 -0.1

The NE68939 is a low voltage, NPN Silicon Bipolar Transistor    2.9 0.2 0.95       2                   3
for pulsed power applications. The device is designed to op-                                                              1.9
erate from a 3.6 V supply, and deliver over 1/4 watt of power
output at frequencies up to 2.0 GHZ with a 1:8 duty cycle.             0.85
These characteristics make it an ideal device for TX driver
stage in a 1.9 GHZ digital cordless telephone (DECT or PHS).                                1            4
The part is supplied in a SOT-143 (SC-61) 4-pin Mini-mold                        +0.10
package and is available on tape and reel.                                  0.6 -0.05                               1) Collector
                                                                                                                    2) Emitter
The NE68939 transistors are manufactured to NEC's strin-        1.1+-00..21 0.8                                     3) Base
gent quality assurance standards to ensure highest reliability
and consistent superior performance.                                                                                4) Emitter

                                                                                                             0.16  +0.10
                                                                                                                   -0.06

                                                                                5                       5

                                                                                               0 to 0.1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)

           PART NUMBER                                                                         NE68939
          PACKAGE CODE                                                                              39

SYMBOLS   PARAMETERS                                            UNITS           MIN            TYP                 MAX
    ICBO                                                          A
    IEBO  Collector Cutoff Current, VCB = 5 V, IE = 0             A                                               2.5
     hFE
     P-1  Emitter Cutoff Current, VEB = 1 V, IC = 0              dBm                                               2.5
     Gp                                                           dB
          DC Current Gain, VCE = 3.6 V, IC = 100 mA                %            30
    C                                                             MS
          Output Power          VCE = 3.6 V, f = 1.9 GHZ                                       24.5
    TON   Power Gain            ICq = 2 mA (Class AB)
          Collector Efficiency  Duty 1/8                                        6.5            8

                                                                                50             62

          Maximum Device On Time                                                                                   10.0

                                                                       California Eastern Laboratories
NE68939

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25 C)                                                                                                                                                      OUTLINE 39
                                                                                                                                                                              RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
SYMBOLS                                   PARAMETERS              UNITS RATINGS
                                                                                                                                                                                                          2.4

VCBO                            Collector to Base Voltage         V                                                                9.0

VCEO                            Collector to Emitter Voltage      V                                                                6.0

VEBO                            Emitter to Base Voltage           V                                                                2.0                                             2                                      3

                          IC    Collector Current mA              150

PT                             Total Power Dissipation           mW 200 (CW)
  Tj                            Junction Temperature
TSTG                            Storage Temperature               C                                                               150                                        1.9

                                                                  C -65 to +150

Note:                                                                                                                                                                                                                              1.0
1. Operation in excess of any one of these parameters may result

   in permanent damage.

                                                                                                                                                                                   1                                            4

APPLICATION                                                                                                                                                                                                          1.0

(1) TX Amplifier for DECT                                                                                                                                                 ORDERING INFORMATION

+3 dBm                                                                                                        Po = 27 dBm                                                     PART NUMBER                            QTY
                                                                                                                                                                              NE68939-T1                             3K/REEL

                                NE68839       NE68939         NE69039                                                                                                         Note:
                                                                                                                                                                              1. Lead material: Cu
(2) TX Amplifier for PHS
                                                                                                                                                                                  Lead plating: PbSn

-14 dBm                                                                                                       P1 = 22 dBm                                                          ZIN (), ZOUT () DATA

                                                                                                                                                                                           j50

                                PC2771T      NE68939         NE69039

                                                                                                                                                                              j25                                         j100

Output Power, Pout (dBm)            OUTPUT POWER, COLLECTOR                                                   Collector               Collector Currents, IC (mA)         j10                                                            0
                                EFFICIENCY, COLLECTOR CURRENT                                                    Efficency, C (%)                                                          ZIN                            -j100

                                     AND POWER GAIN VS. INPUT                                                                                                             0
                                                     POWER
                                                                                                                                                                                                    ZOUT
                          30                                                                                                                                              -j10
                                  f = 1.9 GHZ, VCC = 3.6V
                                  IC = 1mA (Duty 1/8)                                                                                                                                 -j25
                                                                                                                                                                                                               -j50
                          25

                                                             Pout

                          20                                               80

                                                       C                   60

                          15                                               40 30

                                                              IC           20 20

                                                                           0                                  10

                          10                                               8                                  Power Gain, Gp       0
                                                                                                                 (dB)
                                                                                                           7                                                                                                                                 Z OUT
                                                                                         GP                                                                        Z IN

                                                                                                           6
                          5

                                                                                                           5

                                                                           4

                                5         10      15      20           25

                                   Input Power, Pin (dBm)

TYPICAL DATA                                                                                                                                                       IMPEDANCE LOOKING INTO DEVICE
f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICQ = 1 mA, DUTY = 1/8                                                                                                                   VCC = 3.6 V, ICQ = I mA, CLASS AB

                          P1dB                24.5                     dbm                                                                                         FREQUENCY          ZIN                                   ZOUT
                                                                                                                                                                                                                               ()
                          C                   62                       %                                                                                           (GHZ)              ()
                                                                                                                                                                                                                          21.9-j11.6
                          IC                  15                       mA                                                                                          1.9                7.85+j5.62                           5.3-j5.7

                          GL                  9.0                      db                                                                                          0.9                3.1+j11.6

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