NCE3080K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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                                                                                         NCE3080K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION

The NCE3080K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.

GENERAL FEATURES                                                             Schematic diagram

VDS =30V,ID =80A
    RDS(ON) < 6.5m @ VGS=10V
    RDS(ON) < 10m @ VGS=5V

High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized Avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability

Application                                                             Marking and pin Assignment

Power switching application
Hard Switched and High Frequency Circuits
Uninterruptible Power Supply

                100% UIS TESTED!

                                                                             TO-252 top view

Package Marking And Ordering Information

Device Marking        Device            Device Package       Reel Size       Tape width         Quantity
                                                                   -                -                -
NCE3080K              NCE3080K          TO-252

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                      Parameter                              Symbol            Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                    VDS       30                  V
                                                                                 �20                  V
Gate-Source Voltage                                                     VGS       80                  A
                                                                                  50                  A
Drain Current-Continuous                                         ID              170                  A
Drain Current-Continuous(TC=100)                                                  83                  W
Pulsed Drain Current                                         ID (100)            0.56               W/
Maximum Power Dissipation                                                        140                 mJ
Derating factor                                                 IDM          -55 To 175              
                                                                PD

Single pulse avalanche energy (Note 5)                                  EAS

Operating Junction and Storage Temperature Range             TJ,TSTG

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Thermal Characteristic                                                      RJC                        1.8         /W

Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

Parameter                                    Symbol                         Condition              Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage               BVDSS                          VGS=0V ID=250A         30              V

Zero Gate Voltage Drain Current              IDSS                           VDS=30V,VGS=0V                   1     A

Gate-Body Leakage Current                    IGSS                           VGS=�20V,VDS=0V                  �100  nA

On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage                       VGS(th)                        VDS=VGS,ID=250A        1         3     V

Drain-Source On-State Resistance             RDS(ON)                        VGS=10V, ID=30A                  6.5
                                                                            VGS=5V, ID=24A                                 m

                                                                                                             10

Forward Transconductance                     gFS                            VDS=10V,ID=24A         20              S

Dynamic Characteristics (Note4)

Input Capacitance                            Clss                           VDS=15V,VGS=0V,            4700        PF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance                 Coss                                                      500         PF
                                                                      F=1.0MHz

                                             Crss                                                      345         PF

Switching Characteristics (Note 4)

Turn-on Delay Time                           td(on)                                                    20          nS

Turn-on Rise Time                            tr                             VDD=10V,ID=30A             15          nS
Turn-Off Delay Time
                                             td(off)                        VGS=10V,RGEN=2.7           65          nS

Turn-Off Fall Time                           tf                                                        10          nS

Total Gate Charge                            Qg                             VDS=10V,ID=30A,            51          nC
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                            Qgs                            VGS=10V                    14          nC

                                             Qgd                                                       11          nC

Drain-Source Diode Characteristics

Diode Forward Voltage (Note 3)               VSD                            VGS=0V,IS=24A              0.85 1.2    V

Diode Forward Current (Note 2)               IS                                                              80    A

Reverse Recovery Time                        trr                            TJ = 25�C, IF = 80A        32    50    nS
Reverse Recovery Charge
                                             Qrr                            di/dt = 100A/s(Note3)      12    20    nC

Forward Turn-On Time                         ton      Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

5. EAS conditionTj=25,VDD=15V,VG=10V,L=1mH,Rg=25

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Test circuit                                     NCE3080K

1EAS test Circuits

2Gate charge test Circuit:

3Switch Time Test Circuit

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                                TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)

ID- Drain Current (A)                                                          Normalized On-Resistance

                                         Vds Drain-Source Voltage (V)                                                  TJ-Junction Temperature()

                                Figure 1 Output Characteristics                                               Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

ID- Drain Current (A)                                                          Vgs Gate-Source Voltage (V)

                                       Vgs Gate-Source Voltage (V)                                               Qg Gate Charge (nC)

                                Figure 2 Transfer Characteristics                                             Figure 5 Gate Charge

Rdson On-Resistance Normalized                                                 Is- Reverse Drain Current (A)

                                            ID- Drain Current (A)                                                       Vsd Source-Drain Voltage (V)

                                Figure 3 Rdson- Drain Current                                                 Figure 6 Source- Drain Diode Forward

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C Capacitance (pF)                                                               Normalized BVdss

                           Vds Drain-Source Voltage (V)                                                           TJ-Junction Temperature()

                       Figure 7 Capacitance vs Vds                                                 Figure 9 BVDSS vs Junction Temperature

ID- Drain Current (A)

                            Vds Drain-Source Voltage (V)                                                          TJ-Junction Temperature()

                       Figure 8 Safe Operation Area                                                Figure 10 VGS(th) vs Junction Temperatur

                       r(t),Normalized Effective
                           Transient Thermal Impedance

                                                                                       Square Wave Pluse Duration(sec)

                                                        Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

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TO-252-2L Package Information

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ATTENTION:

Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep.2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

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