厂商名称:NCE Power


                                                         Pb Free Product


NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


The NCE2060K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.

General Features                                                            Schematic diagram

VDS =20V,ID =60A
    RDS(ON) <8m @ VGS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation

Application                                                            Marking and pin assignment

Load switching
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply

                 100% UIS TESTED!

                 100% Vds TESTED!                                           TO-252-2L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking        Device            Device Package      Reel Size       Tape width          Quantity
                                                                  -                -                 -
NCE2060K              NCE2060K               TO-252-2L

Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)

                      Parameter                             Symbol            Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                   VDS       20                  V
                                                                                12                  V
Gate-Source Voltage                                                    VGS       60                  A
                                                                                 42                  A
Drain Current-Continuous                                        ID              210                  A
Drain Current-Continuous(TC=100)                                                 60                  W
                                                            ID (100)            0.48               W/
                                                                                200                 mJ
Pulsed Drain Current                                                   IDM  -55 To 150              

Maximum Power Dissipation                                              PD

Derating factor

Single pulse avalanche energy (Note 5)                                 EAS

Operating Junction and Storage Temperature Range            TJ,TSTG

Thermal Characteristic                                                 RJC              2.1        /W

Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)

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                                                                        Pb Free Product


Electrical Characteristics (TC=25unless otherwise noted)

Parameter                              Symbol                               Condition              Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage         BVDSS                                VGS=0V ID=250A         20  -    -     V

Zero Gate Voltage Drain Current        IDSS                                 VDS=20V,VGS=0V         -   -    1     A

Gate-Body Leakage Current              IGSS                                 VGS=12V,VDS=0V        -   -    100  nA
On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A        0.5 0.8  1.4   V

Drain-Source On-State Resistance       RDS(ON)                              VGS=4.5V, ID=20 A      -   5.5  8     m
                                                                            VGS=2.5V, ID=15A
                                                                                                       8    11    m

Forward Transconductance               gFS                                  VDS=10V,ID=20A         15  -    -     S
Dynamic Characteristics (Note4)

Input Capacitance                      Clss                                 VDS=10V,VGS=0V,        - 2000   -     PF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance           Coss                                 F=1.0MHz               -   500  -     PF
Switching Characteristics (Note 4)
                                       Crss                                                        -   200  -     PF

Turn-on Delay Time                     td(on)                                                      -   6.4  -     nS

Turn-on Rise Time                      tr                                   VDD=10V,ID=2A,RL=1     - 17.2   -     nS
Turn-Off Delay Time
                                       td(off)                              VGS=4.5V,RG=3          - 29.6   -     nS

Turn-Off Fall Time                     tf                                                          - 16.8   -     nS

Total Gate Charge                      Qg                                   VDS=10V,ID=20A,        -   27         nC
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                      Qgs                                  VGS=10V                -   6.5        nC

                                       Qgd                                                         -   6.4        nC

Drain-Source Diode Characteristics     VSD                                  VGS=0V,IS=10A          -        1.2   V
Diode Forward Voltage (Note 3)
Diode Forward Current (Note 2)         IS                                                          -   -    60    A

Reverse Recovery Time                  trr                                  TJ = 25C, IF = 20A    -   25   -     nS
Reverse Recovery Charge
                                       Qrr                                  di/dt = 100A/s(Note3)  -   24   -     nC

Forward Turn-On Time                   ton        Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)


1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

5. EAS condition : Tj=25,VDD=10V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25

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                  Pb Free Product

Test circuit                                     NCE2060K

1) EAS Test Circuit

2) Gate Charge Test Circuit

3) Switch Time Test Circuit

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 3    v1.0
                                                                       Pb Free Product
                        Typical Electrical and Thermal Characteristics (Curves)

ID- Drain Current (A)                                                  Normalized On-Resistance

                                 Vds Drain-Source Voltage (V)                                                  TJ-Junction Temperature()

                        Figure 1 Output Characteristics                                               Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

ID- Drain Current (A)                                                  Vgs Gate-Source Voltage (V)

                               Vgs Gate-Source Voltage (V)                                               Qg Gate Charge (nC)

                        Figure 2 Transfer Characteristics                                             Figure 5 Gate Charge

Rdson On-Resistance(m)                                                 Is- Reverse Drain Current (A)

                                    ID- Drain Current (A)                                                       Vsd Source-Drain Voltage (V)

                        Figure 3 Rdson- Drain Current                                                 Figure 6 Source- Drain Diode Forward

                        Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                                         v1.0
                                                                                  Pb Free Product


C Capacitance (pF)                                                                        Power Dissipation (W)

                                                            Vds Drain-Source Voltage (V)                          TJ-Junction Temperature ()

                                                        Figure 7 Capacitance vs Vds                              Figure 9 Power De-rating

ID- Drain Current (A)

                          Vds Drain-Source Voltage (V)                                                                         TJ-Junction Temperature()

                       Figure 8 Safe Operation Area                                                              Figure 10 VGS(th) vs Junction Temperature

                       r(t),Normalized Effective
                           Transient Thermal Impedance

                                                                                       Square Wave Pluse Duration(sec)

                                                        Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

                    Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd                                 Page 5                                              v1.0
                                   Pb Free Product
TO-252 Package Information

Symbol  Dimensions In Millimeters                          Dimensions In Inches

    A   Min.                                       Max.    Min.               Max.
    b   2.200                                      2.400   0.087              0.094
    D   0.000                                      0.127   0.000              0.005
   D2   0.660                                      0.860   0.026              0.034
    e   0.460                                      0.580   0.018              0.023
   L1   6.500                                      6.700   0.256              0.264
   L3   5.100                                      5.460   0.201              0.215
                                       0.483 TYP.                 0.190 TYP.
    h   6.000                                      6.200   0.236              0.244
        2.186                                      2.386   0.086              0.094

        9.800                                      10.400  0.386              0.409

                                       2.900 TYP.                 0.114 TYP.

        1.400                                      1.700   0.055              0.067

                                       1.600 TYP.                 0.063 TYP.

        0.600                                      1.000   0.024              0.039

        1.100                                      1.300   0.043              0.051
         0                                         8      0                 8

        0.000                                      0.300   0.000              0.012

                                       5.350 TYP.                 0.211 TYP.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 6                                        v1.0                          Pb Free Product



Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep.2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

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