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NCE0108AS

器件型号:NCE0108AS
厂商名称:NCE Power [NCE Power ]
厂商官网:http://www.ncepower.com
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NCE0108AS器件文档内容

                      http://www.ncepower.com                                               Pb Free Product

                                                                                         NCE0108AS

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE0108AS uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.

General Features                                                             Schematic diagram

VDS = 100V,ID =8A           (Typ:22m)
    RDS(ON) < 28m @ VGS=10V

Special process technology for high ESD capability
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current

Application                                                             Marking and pin assignment

DC/DC Primary Side Switch
Telecom/Server
Synchronous Rectification

                                                                             SOP-8 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking            Device       Device Package        Reel Size       Tape width         Quantity
                                                             330mm             12mm            2500 units
NCE0108AS             NCE0108AS                  SOP-8

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                          Parameter                          Symbol            Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                    VDS      100                  V
                                                                                 20                  V
Gate-Source Voltage                                                     VGS                           A
                                                                                   8                  A
Drain Current-Continuous                                                ID        5.6                 A
                                                                                  57                  W
Drain Current-Continuous(TC=100)                             ID (100)             2.6               
                                                                             -55 To 150
Pulsed Drain Current                                           IDM
Maximum Power Dissipation                                      PD
Operating Junction and Storage Temperature Range             TJ,TSTG

Thermal Characteristic                                                  RJA              48         /W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd                Page 1                                                 v1.0
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                                                                                                        NCE0108AS

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

Parameter                              Symbol                               Condition               Min Typ   Max   Unit

Off Characteristics                                                                                             -     V
                                                                                                                1    A
Drain-Source Breakdown Voltage         BVDSS                                VGS=0V ID=250A          100 110   100   nA
Zero Gate Voltage Drain Current         IDSS                                VDS=100V,VGS=0V
Gate-Body Leakage Current               IGSS                                VGS=20V,VDS=0V         -   -      2.5    V
On Characteristics (Note 3)                                                                                    28    m
                                                                                                    -   -       -     S

Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A         1.3 1.8     -    PF
Drain-Source On-State Resistance       RDS(ON)                               VGS=10V, ID=8A                     -    PF
Forward Transconductance                                                       VDS=5V,ID=8A         -   22      -    PF
Dynamic Characteristics (Note4)          gFS
                                                                                                    20  -       -    nS
                                                                                                                -    nS
Input Capacitance                      Clss                                 VDS=50V,VGS=0V,         - 2000      -    nS
Output Capacitance                     Coss                                      F=1.0MHz                       -    nS
Reverse Transfer Capacitance           Crss                                                         -   300     -    nC
Switching Characteristics (Note 4)                                                                              -    nC
                                                                                                    -   250     -    nC

Turn-on Delay Time                     td(on)                                                       -   12     1.2    V
Turn-on Rise Time                        tr                                                                     8     A
Turn-Off Delay Time                                                          VDD=50V,ID=10A,RL=5,   -   10           nS
Turn-Off Fall Time                     td(off)                                    RG=1,VGS=10V                       nC
Total Gate Charge                        tf                                                         -   19
Gate-Source Charge                      Qg                                  ID=10A,VDD=50V,VGS=10V
Gate-Drain Charge                                                                                   -   8
                                       Qgs
                                       Qgd                                                          -   42

                                                                                                    -   9

                                                                                                    -   10

Drain-Source Diode Characteristics     VSD                                  VGS=0V,IS=8A            -   0.85
Diode Forward Voltage (Note 3)
Diode Forward Current (Note 2)         IS                                                           -   -

Reverse Recovery Time                  trr                                  TJ = 25C, IF = 8A      -   30

Reverse Recovery Charge                Qrr                                  di/dt = 100A/s(Note3)   -   44

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

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Test Circuit                                     NCE0108AS

1EAS test Circuit

2Gate charge test Circuit

3Switch Time Test Circuit

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                        Typical Electrical and Thermal Characteristics (Curves)
                                                                                                      NCE0108AS

ID- Drain Current (A)                                                  Normalized On-Resistance

                                 Vds Drain-Source Voltage (V)                                                  TJ-Junction Temperature()

                        Figure 1 Output Characteristics                                               Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

ID- Drain Current (A)                                                  Vgs Gate-Source Voltage (V)

                               Vgs Gate-Source Voltage (V)                                               Qg Gate Charge (nC)

                        Figure 2 Transfer Characteristics                                             Figure 5 Gate Charge

Rdson On-Resistance(m)                                                 Is- Reverse Drain Current (A)

                                    ID- Drain Current (A)                                                       Vsd Source-Drain Voltage (V)

                        Figure 3 Rdson- Drain Current                                                 Figure 6 Source- Drain Diode Forward

                        Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                                         v1.0
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                                                                                                                         NCE0108AS

C Capacitance (pF)                                                                        Power Dissipation (W)

                                                            Vds Drain-Source Voltage (V)                                  TJ-Junction Temperature()

                                                        Figure 7 Capacitance vs Vds                                      Figure 9 Power De-rating

ID- Drain Current (A)                                                                             ID- Drain Current (A)

                          Vds Drain-Source Voltage (V)                                                                      TJ-Junction Temperature()

                       Figure 8 Safe Operation Area                                                                      Figure 10 Current De-rating

                       r(t),Normalized Effective
                           Transient Thermal Impedance

                                                                                       Square Wave Pluse Duration(sec)

                                                        Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

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SOP-8 Package Information
                                                                 NCE0108AS

Symbol  Dimensions In Millimeters                             Dimensions In Inches

    A   Min.                                       Max.   Min.               Max.
   A1
   A2   1.350                                      1.750  0.053              0.069
    b
    c   0.100                                      0.250  0.004              0.010
    D
    E   1.350                                      1.550  0.053              0.061
   E1
    e   0.330                                      0.510  0.013              0.020
    L
        0.170                                      0.250  0.006              0.010
   
        4.700                                      5.100  0.185              0.200

        3.800                                      4.000  0.150              0.157

        5.800                                      6.200  0.228              0.244

                                       1.270(BSC)                0.050(BSC)

        0.400                                      1.270  0.016              0.050

        0                                         8     0                        8

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 6                                           v1.0
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                                               NCE0108AS

Attention:

Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep.2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 7  v1.0
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