厂商名称:NCE Power


                                                         Pb Free Product


NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description                                                                               D
The NCE0106R uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It                                  S
can be used in a wide variety of applications.                                Schematic diagram

General Features                                                               SOT-223 top view

VDS = 100V,ID = 6A
    RDS(ON) < 140m @ VGS=10V (Typ:110m)

High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Excellent package for good heat dissipation


Power switching application
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply

Package Marking and Ordering Information

Device Marking            Device          Device Package      Reel Size       Tape width           Quantity
                                                              330mm             12mm              2500 units
NCE0106R              NCE0106R            SOT-223-3L

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                               Parameter                      Symbol             Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                     VDS       100                  V
                                                                                   20                  V
Gate-Source Voltage                                                      VGS                            A
                                                                                     6                  A
Drain Current-Continuous                                                 ID         24                  W
Drain Current-Pulsed (Note 1)                                            IDM   -55 To 150

Maximum Power Dissipation                                                PD

Operating Junction and Storage Temperature Range              TJ,TSTG

Thermal Characteristic                                                   RJA              41.7        /W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

          Parameter                              Symbol       Condition        Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage                    BVDSS       VGS=0V ID=250A   100 110             -           V

Zero Gate Voltage Drain Current                   IDSS        VDS=100V,VGS=0V  -                -  1           A

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd             Page 1                                                       v1.0                                                                             Pb Free Product


Gate-Body Leakage Current                IGSS                               VGS=20V,VDS=0V      -  -     100  nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A      1.2 1.8  2.5   V
Drain-Source On-State Resistance       RDS(ON)                               VGS=10V, ID=5A
Forward Transconductance                                                     VDS=5V,ID=2.9A      - 110 140      m
Dynamic Characteristics (Note4)          gFS
Input Capacitance                                                                                -  8     -     S
Output Capacitance                       Clss
Reverse Transfer Capacitance            Coss                                VDS=25V,VGS=0V,      - 690    -     PF
Switching Characteristics (Note 4)       Crss                                    F=1.0MHz
Turn-on Delay Time                                                                               - 120    -     PF
Turn-on Rise Time                       td(on)
Turn-Off Delay Time                       tr                                                     -  90    -     PF
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge                       td(off)                                                  -  11    -     nS
Gate-Source Charge                        tf
Gate-Drain Charge                        Qg                                 VDD=30V,ID=2A,RL=15  -  7.4   -     nS
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)           Qgs                                VGS=10V,RG=2.5       -  35    -     nS
Diode Forward Current (Note 2)           Qgd
                                                                                                 -  9.1   -     nS
                                          IS                                VDS=30V,ID=3A,       - 15.5         nC
                                                                                                 -  3.2   -     nC

                                                                                                 -  4.7   -     nC

                                                                            VGS=0V,IS=6A         -  -     1.2   V

                                                                                                 -  -     6     A


1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to product

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 2                                                                   v1.0
Test Circuit
                                                        Pb-Free Product
1EAS test circuit

2Gate charge test circuit

3Switch Time Test Circuit

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd        Page 3  v1.0                                  NCE0106R

                                                            Pb-Free Product

Typical Electrical and Thermal Characteristics (curves)

Figure1. Source-Drain Diode Forward Voltage              Figure2. Safe operating area

Figure3. Output characteristics                          Figure4. Transfer characteristics

Figure5. Static drain-source on resistance     Figure6. RDS(ON) vs Junction Temperature

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                               v1.0

Figure7. BVDSS vs Junction Temperature                                                        Pb-Free Product

                                               Figure8. VGS(th) vs Junction Temperature

Figure9. Gate charge waveforms                 Figure10. Capacitance

Figure11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 5                         v1.0
SOT-223 Package Information
                                                                                                                          Pb-Free Product


1. All dimensions are in millimeters.
2. Tolerance 0.10mm (4 mil) unless otherwise specified
3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.
4. Dimension L is measured in gauge plane.
5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd        Page 6                                                                    v1.0                        NCE0106R

                                                  Pb-Free Product


Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep.2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 7  v1.0
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