厂商名称:NCE Power


                                                           Pb Free Product


NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET                                              D

The NCE0102Z uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.

General Features                                                                                S
                                                                                Schematic diagram
VDS = 100V,ID = 2A
    RDS(ON) <240m @ VGS=10V (Typ:210m)

High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Excellent package for good heat dissipation


Power switching application
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply

                                                                                 TO-92 view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking            Device          Device Package        Reel Size       Tape width          Quantity
                                                                      -                -                 -
0102Z                 NCE0102Z                   TO-92

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                               Parameter                        Symbol             Limit               Unit

Drain-Source Voltage                                                       VDS       100                 V
                                                                                     20                 V
Gate-Source Voltage                                                        VGS                           A
                                                                                       2                 A
Drain Current-Continuous                                                   ID          5                 W
Drain Current-Pulsed (Note 1)                                              IDM   -55 To 150

Maximum Power Dissipation                                                  PD

Operating Junction and Storage Temperature Range                TJ,TSTG

Thermal Characteristic                                                     RJA              100        /W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

       Parameter                                 Symbol         Condition        Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage                      BVDSS       VGS=0V ID=250A   100 110            -         V

Zero Gate Voltage Drain Current                         IDSS    VDS=100V,VGS=0V  -               -  1         A

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd                   Page 1                                                v1.0                                                                              Pb Free Product


Gate-Body Leakage Current              IGSS                                 VGS=20V,VDS=0V   -      -    100  nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A   1.2 1.8     2.5   V
Drain-Source On-State Resistance       RDS(ON)                               VGS=10V, ID=1A
Forward Transconductance                                                       VDS=5V,ID=1A   - 210 240         m
Dynamic Characteristics (Note4)          gFS
Input Capacitance                                                                             1      -    -     S
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance           Clss                                 VDS=50V,VGS=0V,   - 190       -     PF
Switching Characteristics (Note 4)
Turn-on Delay Time                     Coss                                 F=1.0MHz          -      22   -     PF
Turn-on Rise Time
Turn-Off Delay Time                    Crss                                                   -      13   -     PF
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge                      td(on)                                                 -      6    -     nS
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                      tr                                   VDD=50V,ID=1.3A,RL=39 -  10   -     nS
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)         td(off)                              VGS=10V,RG=1      -      10   -     nS
Diode Forward Current (Note 2)
                                       tf                                                     -      6    -     nS

                                       Qg                                   VDS=50V,ID=1.3A,  -      5.2        nC

                                       Qgs                                  VGS=10V           - 0.75      -     nC

                                       Qgd                                                    -      1.4  -     nC

                                       VSD                                  VGS=0V,IS=1.3A    -      -    1.2   V

                                       IS                                                     -      -    2     A


1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 2                                                                   v1.0
                Pb Free Product

Test Circuit                                     NCE0102Z

1EAS test circuit

2Gate charge test circuit

3Switch Time Test Circuit

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 3    v1.0
                       Typical Electrical and Thermal Characteristics (Curves)
                                                                                                        Pb-Free Product

ID- Drain Current (A)                                                 Normalized On-Resistance

                                Vds Drain-Source Voltage (V)                                                  TJ-Junction Temperature()

                       Figure 1 Output Characteristics                                               Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

ID- Drain Current (A)                                                 Vgs Gate-Source Voltage (V)

                              Vgs Gate-Source Voltage (V)                                               Qg Gate Charge (nC)

                       Figure 2 Transfer Characteristics                                             Figure 5 Gate Charge

Rdson On-Resistance()                                                 Is- Reverse Drain Current (A)

                                   ID- Drain Current (A)                                                       Vsd Source-Drain Voltage (V)

                       Figure 3 Rdson- Drain Current                                                 Figure 6 Source- Drain Diode Forward

                       Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                                         v1.0

                                                                                                                    Pb-Free Product

C Capacitance (nF)

                                                            Vds Drain-Source Voltage (V)                                       TJ-Junction Temperature()

                                                        Figure 7 Capacitance vs Vds                              Figure 9 BVDSS vs Junction Temperature

ID- Drain Current (A)                                                                     Power Dissipation (w)

                          Vds Drain-Source Voltage (V)                                                             TJ-Junction Temperature()

                       Figure 8 Safe Operation Area                                                              Figure 10 Power De-rating

                       r(t),Normalized Effective
                           Transient Thermal Impedance

                                                                                       Square Wave Pluse Duration(sec)

                                                        Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

                    Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd                                 Page 5                                              v1.0
TO-92 Package Information
                                                                                                                          Pb-Free Product


1. All dimensions are in millimeters.
2. Tolerance 0.10mm (4 mil) unless otherwise specified
3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.
4. Dimension L is measured in gauge plane.
5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd        Page 6                                                                    v1.0                        NCE0102Z

                                                  Pb-Free Product


Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep.2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 7  v1.0
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