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NBB-400_07

器件型号:NBB-400_07
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:RF Micro Devices (Qorvo)
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器件描述

0 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 8000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数
NBB-400_07最大工作温度 85 Cel
NBB-400_07最小工作温度 -45 Cel
NBB-400_07最大输入功率 20 dBm
NBB-400_07最大工作频率 8000 MHz
NBB-400_07最小工作频率 0.0 MHz
NBB-400_07加工封装描述 GREEN, CERAMIC, MICRO-X, 4 PIN
NBB-400_07无铅 Yes
NBB-400_07欧盟RoHS规范 Yes
NBB-400_07状态 ACTIVE
NBB-400_07最大电压驻波比 1.9
NBB-400_07结构 COMPONENT
NBB-400_07端子涂层 MATTE TIN
NBB-400_07阻抗特性 50 ohm
NBB-400_07微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER

文档预览

NBB-400_07器件文档内容

                                                                                                                  NBB-400

                                                                                                                CASCADABLE BROADBAND
                                                                                                     GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz

                                                                                                                  RoHS Compliant & Pb-Free Product
                                                                                                             Package Style: Micro-X, 4-Pin, Ceramic

Features                                                                                                 GND
                                                                                                           4
Reliable, Low-Cost HBT
  Design                                                                                                      MARKING - N4

15.5dB Gain, +15.0dBm                                                                      RF IN 1           3 RF OUT
  P1dB @ 2 GHz
                                                                                                           2
High P1dB of                                                                                            GND
  +14.6 dBm @ 6.0 GHz
                                                              Functional Block Diagram
Single Power Supply Opera-
  tion                          Product Description

50 I/O Matched for High        The NBB-400 cascadable broadband InGaP/GaAs MMIC amplifier is a
  Freq. Use                     low-cost, high-performance solution for general purpose RF and micro-
                                wave amplification needs. This 50 gain block is based on a reliable HBT
Applications                    proprietary MMIC design, providing unsurpassed performance for small-
                                signal applications. Designed with an external bias resistor, the NBB-400
Narrow and Broadband Com-      provides flexibility and stability. The NBB-400 is packaged in a low-cost,
  mercial and Military Radio    surface-mount ceramic package, providing ease of assembly for high-vol-
  Designs                       ume tape-and-reel requirements. It is available in either packaged or chip
                                (NBB-400-D) form, where its gold metallization is ideal for hybrid circuit
Linear and Saturated Amplifi-  designs.
  ers

Gain Stage or Driver Amplifi-
  ers for MWRadio/Optical
  Designs (PTP/PMP/
  LMDS/UNII/VSAT/WLAN/Cel-
  lular/DWDM)

                                Ordering Information

                                NBB-400Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to 8GHz  Cascadable Broadband GaAs MMIC Amplifier DC to 8GHz
                                                                                            Tape & Reel, 1000 Pieces
                                NBB-400                                                     NBB-400 Chip Form (100 pieces minimum order)
                                NBB-400-T1                                                  Fully Assembled Evaluation Board
                                                                                            Extended Frequency InGaP Amp Designer's Tool Kit
                                NBB-400-D

                                NBB-400-E
                                NBB-X-K1

                                                                                            Optimum Technology Matching Applied

                                    GaAs HBT                                                SiGe BiCMOS       GaAs pHEMT                                                                                         GaN HEMT
                                                                                            Si BiCMOS         Si CMOS
                                9GaAs MESFET                                                SiGe HBT          Si BJT
                                    InGaP HBT

RF MICRO DEVICES, RFMD, Optimum Technology Matching, Enabling Wireless ConnectivityTM, PowerStar, POLARISTM TOTAL RADIOTM and UltimateBlueTM are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. 2006, RF Micro Devices, Inc.

Rev A10 DS070327  7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical                                                                                                                        1 of 12
                  support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
NBB-400

Absolute Maximum Ratings

         Parameter                   Rating         Unit

RF Input Power                       +20            dBm                                  Caution! ESD sensitive device.

Power Dissipation                    300            mW                  The information in this publication is believed to be accurate and reliable. How-
                                                                        ever, no responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use,
Device Current                       70             mA                  nor for any infringement of patents, or other rights of third parties, resulting
                                                                        from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent
Channel Temperature                  200            C                  or patent rights of RFMD. RFMD reserves the right to change component cir-
                                                                        cuitry, recommended application circuitry and specifications at any time without
Operating Temperature                -45 to +85     C                  prior notice.

Storage Temperature                  -65 to +150    C                  RoHS status based on EUDirective2002/95/EC (at time of this document revi-
                                                                        sion).
Exceeding any one or a combination of these limits may cause permanent
damage.

          Parameter                  Specification                      Unit                    Condition

Overall                        Min.       Typ.      Max.                  dB   VD=+3.9V, ICC=47mA, Z0=50, TA=+25C
                                                                          dB   f=0.1GHz to 1.0GHz
Small Signal Power Gain, S21   15.5        16.7                           dB   f=1.0GHz to 4.0GHz
                               12.5        16.5                           dB   f=4.0GHz to 6.0GHz
Gain Flatness, GF                          16.0                           dB   f=6.0GHz to 8.0GHz
Input and Output VSWR                      13.5                                f=0.1GHz to 5.0GHz
                                           0.8                          GHz   f=0.1GHz to 4.0GHz
Bandwidth, BW                             1.45:1                               f=4.0GHz to 6.0GHz
Output Power @                            1.30:1                         dBm   f=6.0GHz to 12.0GHz
                                          1.90:1                         dBm   BW3 (3dB)
    -1dB Compression, P1dB                  7.5                          dBm
                                                                          dB   f = 2.0 GHz
Noise Figure, NF                          13.0                           dBm   f = 6.0 GHz
Third Order Intercept, IP3                                                dB   f = 9.0 GHz
Reverse Isolation, S12                    14.6                                 f = 3.0 GHz
Device Voltage, VD                                                         V   f = 2.0 GHz
Gain Temperature Coefficient,             13.5                          dB/C  f=0.1GHz to 12.0GHz

    GT/T                                     4.3

MTTF versus Temperature                   +28.1
@ ICC=50mA
                                          -17.5
Case Temperature
Junction Temperature           3.6           3.9    4.2
MTTF
                                          -0.0015
Thermal Resistance
                                           85                            C
JC                                        131                            C
                                     >1,000,000                         hours

                                          251                           C/W   J---T---------T----C---A---S---E-
                                                                                VD  ICC
                                                                                                                   =  JC(C / Watt)

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                               support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
                                                                                                         NBB-400

Pin Function Description                                                                          Interface Schematic

1  RF IN          RF input pin. This pin is NOT internally DC blocked. A DC blocking capacitor,

                  suitable for the frequency of operation, should be used in most applica-

                  tions. DC coupling of the input is not allowed, because this will override the

                  internal feedback loop and cause temperature instability.

2  GND            Ground connection. For best performance, keep traces physically short

                  and connect immediately to ground plane.

3  RF OUT         RF output and bias pin. Biasing is accomplished with an external series

                  resistor and choke inductor to VCC. The resistor is selected to set the DC

                  current into this pin to a desired level. The resistor value is determined by                        RF OUT

                  the following equation:

                  R = (---V----C---C---------V----D----E---V---I--C----E----)
                                  ICC
                                                                                                  RF IN

                  Care should also be taken in the resistor selection to ensure that the cur-
                  rent into the part never exceeds maximum datasheet operating current
                  over the planned operating temperature. This means that a resistor

                  between the supply and this pin is always required, even if a supply near
                  5.0V is available, to provide DC feedback to prevent thermal runaway.
                  Because DC is present on this pin, a DC blocking capacitor, suitable for the

                  frequency of operation, should be used in most applications. The supply
                  side of the bias network should also be well bypassed.

4  GND            Same as pin 2.

                                           Package Drawing

                                                                                45  0.055
                                                                                     (1.40)

                                       UNITS:
                                       Inches
                                       (mm)

                  0.040                                                         N4
                  (1.02)

                                           0.070
                                           (1.78)

                                           0.020

                                                    0.200 sq.
                                                      (5.08)

                                                                                     0.005
                                                                                     (0.13)

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NBB-400

                                       Typical Bias Configuration

         Application notes related to biasing circuit, device footprint, and thermal considerations are available on request.
                                                                                          VCC

                                                                                            RCC

                                               1      4            L choke
                             In                             3
                                                                    (optional)
                                       C block        2
                                                                                 Out
                                                                      C block
                                                               VDEVICE

                                                                    VD = 3.9 V

Recommended Bias Resistor Values

Supply Voltage, VCC (V)  5        8               10           12   15                            20

Bias Resistor, RCC ()    22       81              122          162  222                           322

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                                                                                           NBB-400

                  Chip Outline Drawing - NBB-400-D

                        Chip Dimensions: 0.017" x 0.017" x 0.004"

                  UNITS:                    Back of chip is ground.
                     Inches
                     (mm)

                  OUTPUT          INPUT

                                            0.017 0.001
                                            (0.44 0.03)

                             GND
                             VIA

                             0.017 0.001  0.004 0.001
                             (0.44 0.03)  (0.10 0.03)

                  Sales Criteria - Unpackaged Die

Die Sales Information
    All segmented die are sold 100% DC-tested. Testing parameters for wafer-level sales of die material shall be nego-
      tiated on a case-by-case basis.
    Segmented die are selected for customer shipment in accordance with RFMD Document #6000152 - Die Product
      Final Visual Inspection Criteria1.
    Segmented die has a minimum sales volume of 100 pieces per order. A maximum of 400 die per carrier is allow-
      able.

Die Packaging
    All die are packaged in GelPak ESD protective containers with the following specification:
      O.D.=2"X2", Capacity=400 Die (20X20 segments), Retention Level=High(X0).
    GelPak ESD protective containers are placed in a static shield bag. RFMD recommends that once the bag is
      opened the GelPak/s should be stored in a controlled nitrogen environment. Do not press on the cover of a closed
      GelPak, handle by the edges only. Do not vacuum seal bags containing GelPak containers.
    Precaution must be taken to minimize vibration of packaging during handling, as die can shift during transit 2.

Package Storage
    Unit packages should be kept in a dry nitrogen environment for optimal assembly, performance, and reliability.
    Precaution must be taken to minimize vibration of packaging during handling, as die can shift during transit2.

Die Handling
    Proper ESD precautions must be taken when handling die material.
    Die should be handled using vacuum pick-up equipment, or handled along the long side with a sharp pair of twee-
      zers. Do not touch die with any part of the body.
    When using automated pick-up and placement equipment, ensure that force impact is set correctly. Excessive force
      may damage GaAs devices.

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NBB-400

Die Attach
    The die attach process mechanically attaches the die to the circuit substrate. In addition, the utilization of proper die
      attach processes electrically connect the ground to the trace on which the chip is mounted. It also establishes the
      thermal path by which heat can leave the chip.
    Die should be mounted to a clean, flat surface. Epoxy or eutectic die attach are both acceptable attachment meth-
      ods. Top and bottom metallization are gold. Conductive silver-filled epoxies are recommended. This procedure
      involves the use of epoxy to form a joint between the backside gold of the chip and the metallized area of the sub-
      strate.
    All connections should be made on the topside of the die. It is essential to performance that the backside be well
      grounded and that the length of topside interconnects be minimized.
    Some die utilize vias for effective grounding. Care must be exercised when mounting die to preclude excess run-out
      on the topside.

Die Wire Bonding
    Electrical connections to the chip are made through wire bonds. Either wedge or ball bonding methods are accept-
      able practices for wire bonding.
    All bond wires should be made as short as possible.

Notes
1RFMD Document #6000152 - Die Product Final Visual Inspection Criteria. This document provides guidance for die inspec-
tion personnel to determine final visual acceptance of die product prior to shipping to customers.

2RFMD takes precautions to ensure that die product is shipped in accordance with quality standards established to minimize
material shift. However, due to the physical size of die-level product, RFMD does not guarantee that material will not shift dur-
ing transit, especially under extreme handling circumstances. Product replacement due to material shift will be at the discre-
tion of RFMD.

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                Extended Frequency InGaP Amplifier Designer's Tool Kit
                                              NBB-X-K1

This tool kit was created to assist in the design-in of the RFMD NBB- and NLB-series InGap HBT gain block amplifiers. Each tool
kit contains the following.

    5 each NBB-300, NBB-310 and NBB-400 Ceramic Micro-X Amplifiers
    5 each NLB-300, NLB-310 and NLB-400 Plastic Micro-X Amplifiers
    2 Broadband Evaluation Boards and High Frequency SMA Connectors
    Broadband Bias Instructions and Specification Summary Index for ease of operation

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                                        Tape and Reel Dimensions

                                               All Dimensions in Millimeters

Carrier tape basic dimensions are based on EIA 481. The pocket is designed to hold the part for shipping and loading onto SMT
manufacturing equipment, while protecting the body and the solder terminals from damaging stresses. The individual pocket
design can vary from vendor to vendor, but width and pitch will be consistent.

Carrier tape is wound or placed onto a shipping reel 178 mm (7 inches) in diameter. The center hub design is large enough to
ensure the radius formed by the carrier tape around it does not put unnecessary stress on the parts.

Prior to shipping, moisture sensitive parts (MSL Level 2a-5a) are baked and placed into the pockets of the carrier tape. A cover
tape is sealed over the top of the entire length of the carrier tape. The reel is sealed in a moisture barrier ESD bag with the
appropriate units of desiccant and a humidity indicator card, which is placed in a cardboard shipping box. It is important to
note that unused moisture sensitive parts need to be resealed in the moisture barrier bag. If the reels exceed the exposure
limit and need to be rebaked, most carrier tape and shipping reels are not rated as bakeable at 125C. If baking is required,
devices may be baked according to section 4, table 4-1, column 8 of Joint Industry Standard IPC/JEDEC J-STD-033.

Table 1 provides useful information for carrier tape and reels used for shipping the devices described in this document.

Table 1. Tape and Reel              Reel               Hub                                  Width     Pocket Pitch                Feed    Units per
                                Diameter           Diameter                                 (mm)           (mm)                   Single     Reel
          RFMD Part Number      Inch (mm)          Inch (mm)
                 NBB-400                                                                      12              8                              1000
                                  7 (178)            2.4 (61)

         Notes:                                                                                       Ao = 5.8 .1
                                                                                                      Bo = 6.1 .1
           1. All dimensions are in millimeters (mm).                                                 F = 5.50 .05
           2. Unless otherwise specified, all dimension tolerances per EIA-481.                       Ko = 2.0 .1
           3. 10 sprocket hole pitch cumulative tolerance .02.                                       P = 8.0 .1
                                                                                                      W = 12.0 .3

                                                                                       4.0                    1.5+..01  1.75             0.30.05
                                                                            See Note 3                15 inch Leader
                                                                            2.00.05        Top View

         Sprocket holes toward                                      15 inch Trailer                                      F
         rear of reel                                Pin 1                                                                     W
                                                Location

                                Bo 3.1.1

                                1.3.1

                                           1.3.1                                           P                                     Ko

                                           3.1.1

                                                   Ao

                                           Direction of Feed

Figure 1. Carrier Tape Drawing with Part Orientation

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Note: The s-parameter gain results shown below include device performance as well as evaluation board and connector loss
variations. The insertion losses of the evaluation board and connectors are as follows:

                         1GHz to 4GHz=-0.06dB

                               5GHz to 9GHz=-0.22dB
                             10GHz to 14GHz=-0.50dB
                             15GHz to 20GHz=-1.08dB

                      S11 versus Frequency, Over Temperature                                                                                      S12 versus Frequency, Over Temperature

          0.0                                                                                                                        0.0
                                                                                                                                                                                                                                       +25 C
          -5.0                                                                                                                                                                                                                         -40 C
                                                                                                                                                                                                                                       +85 C

                                                                                                                                     -5.0

          -10.0

          -15.0                                                                                                                      -10.0

S11 (dB)  -20.0                                                                                                            S12 (dB)

          -25.0                                                                                                                      -15.0

          -30.0

                                                       +25 C                                                                         -20.0

          -35.0                                        -40 C

                                                       +85 C

          -40.0                                                                                                                      -25.0

                 0.0  2.0  4.0  6.0  8.0         10.0  12.0                                                          14.0                   0.0  2.0  4.0  6.0  8.0         10.0  12.0                                                        14.0

                                Frequency (GHz)                                                                                                            Frequency (GHz)

                        S21 versus Frequency, Over Temperature                                                                                   S22 versus Frequency, Over Temperature

          25.0                                                                                                                       0.0
                                                                                                              +25 C
                                                                                                              -40 C                  -5.0
                                                                                                              +85 C

          20.0

                                                                                                                                     -10.0

          15.0

S21 (dB)                                                                                                                   S22 (dB)  -15.0

          10.0

                                                                                                                                     -20.0

          5.0                                                                                                                                                                            +25 C
                                                                                                                                                                                         -40 C
                                                                                                                                     -25.0

                                                                                                                                                                                         +85 C

          0.0                                                                                                                        -30.0

                0.0   2.0  4.0  6.0  8.0         10.0  12.0                                                          14.0                   0.0  2.0  4.0  6.0  8.0         10.0  12.0                                                        14.0

                                Frequency (GHz)                                                                                                            Frequency (GHz)

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NBB-400

                                        Device Voltage versus Amplifier Current                                                                             P1dB versus Frequency

                         4.00                                                                                                    20.0

                         3.95

                                                                                                                                 15.0

Device Voltage, V D (V)  3.90

                         3.85                                                                             P1dB (dBm)             10.0

                         3.80

                                                                                                                                 5.0

                         3.75

                         3.70            40.00        45.00           50.00            55.00       60.00                          0.0       3.0  5.0              7.0                  9.0
                             35.00                                                                                                     1.0
                                                Amplifier Current, ICC (mA)                                                                      Frequency (GHz)
                         20.0                                                                                                    20.0
                                           POUT/Gain versus PIN at 2 GHz                                                                    POUT/Gain versus PIN at 6 GHz

                         15.0                                                                                                    15.0

POUT (dBm), Gain (dB)    10.0                                                                             POUT (dBm), Gain (dB)  10.0

                         5.0                                                                                                     5.0

                          0.0                                                                 POUT                               0.0                                                     Pout
                         -5.0                                                                 Gain                                                                                       Gain
                                                                                                                                 -5.0
                             -13.0  -11.0       -9.0       -7.0       -5.0       -3.0  -1.0         1.0                              -14.0 -12.0 -10.0 -8.0 -6.0 -4.0 -2.0 0.0         2.0 4.0

                         50.0                              PIN (dBm)                                                                                                        PIN (dBm)

                                    Third Order Intercept versus Frequency

                         40.0

Output IP3 (dBm)         30.0

                         20.0

                         10.0

                         0.0

                               1.0  2.0    3.0        4.0        5.0        6.0  7.0          8.0   9.0

                                                      Frequency (GHz)

10 of 12                                                     7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 For sales or technical                                               Rev A10 DS070327
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                                                                                              NBB-400

                                    RoHS* Banned Material Content

RoHS Compliant:                                        Yes
Package total weight in grams (g):                   0.019
Compliance Date Code:                                0602
Bill of Materials Revision:
Pb Free Category:                                          -
                                                         e3

     Bill of Materials                                        Parts Per Million (PPM)
                                             Pb
                                                 Cd           Hg  Cr VI                    PBB  PBDE
                                                                                                   0
Die                                 0            0            0   0                        0       0
                                                                                                   0
Molding Compound                    0            0            0   0                        0       0
                                                                                                   0
Lead Frame                          0            0            0   0                        0       0

Die Attach Epoxy                    0            0            0   0                        0

Wire                                0            0            0   0                        0

Solder Plating                      0            0            0   0                        0

This RoHS banned material content declaration was prepared solely on information, including analytical
     data, provided to RFMD by its suppliers, and applies to the Bill of Materials (BOM) revision noted

* DIRECTIVE 2002/95/EC OF THE EUROPEAN PARLIAMENT AND OF THE COUNCIL of 27 January 2003 on the restriction of the
use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment

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