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MW7IC3825NBR1

器件型号:MW7IC3825NBR1
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
文件大小:11876.66KB,共23页
厂商名称:FREESCALE (NXP )
标准:  
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器件描述

IC pwr amp RF 3500mhz TO-272-16

参数
Datasheets:
MW7IC3825:
Product Photos:
TO-272-WB-16 PKG:
PCN Obsolescence/ EOL:
Multiple Devices 04/Mar/2013:
Standard Package : 500
Category: RF/IF and RFID
Family: RF Amplifiers
Series: -
Packaging : Tape & Reel (TR)
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
P1dB: 44.8dBm (30W)
Gain: 25dB
Noise Figure: -
RF Type: WiMax
Voltage - Supply: 32V
Current - Supply: 230mA
Test Frequency: 3.6GHz
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Supplier Device Package: TO-272 WB-16

MW7IC3825NBR1器件文档内容

Freescale Semiconductor                                                                                              Document Number: MW7IC3825N
Technical Data                                                                                                                                 Rev. 1, 11/2010

RF LDMOS Wideband Integrated                                                                                            MW7IC3825NR1
Power Amplifiers                                                                                                       MW7IC3825GNR1
                                                                                                                       MW7IC3825NBR1
   The MW7IC3825N wideband integrated circuit is designed with on--chip
matching that makes it usable from 3400 -- 3600 MHz. This multi -- stage                                               3400--3600 MHz, 5 W AVG., 28 V
structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular                                                           WiMAX
base station modulation formats.
                                                                                                                             RF LDMOS WIDEBAND
  PTyoputic=al5WWiMatAtsXAPvegr.,fofr=m3a6n0ce0:MVHDDz,=O2F8DVMol8ts0,2I.D1Q61d,=6143Q0 AmMA,3/I4D,Q42  = 230 mA,   INTEGRATED POWER AMPLIFIERS
                                                                                                         Bursts,
                                                                                                                        CASE 1886--01
   10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability                                             TO--270 WB--16

   on CCDF.                                                                                                                 PLASTIC
                                                                                                                       MW7IC3825NR1
   Power Gain -- 25 dB
                                                                                                                                                    CASE 1887--01
   Power Added Efficiency -- 15%                                                                                                               TO--270 WB--16 GULL

   Device Output Signal PAR -- 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF                                                                                       PLASTIC
                                                                                                                                                  MW7IC3825GNR1
   ACPR @ 8.5 MHz Offset -- --48 dBc in 1 MHz Channel Bandwidth
                                                                                                                       CASE 1329--09
Driver Applications                                                                                                    TO--272 WB--16

Typical WiMAX Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 190 mA, IDQ2 = 230 mA,                                                 PLASTIC
    Pout = 0.5 Watts Avg., f = 3400 and 3600 MHz, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4,                                          MW7IC3825NBR1
    4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%
    Probability on CCDF.
       Power Gain -- 23.5 dB
       Power Added Efficiency -- 3.5%
       Device Output Signal PAR -- 9.2 dB @ 0.01% Probability on CCDF
       ACPR @ 8.5 MHz Offset -- --55 dBc in 1 MHz Channel Bandwidth

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 3500 MHz, 25 Watts CW
    Output Power

Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below --60 dBc @ 0 to 44 dBm CW Pout
Typical Pout @ 1 dB Compression Point  30 Watts CW

Features

100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
    and Common Source S--Parameters

On--Chip Matching (50 Ohm Input, RF Choke to Ground)

Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with
    Enable/Disable Function (1)

Integrated ESD Protection

Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

225C Capable Plastic Package

RoHS Compliant

In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13 inch Reel.

                                                                                                                     GND   1   16 GND
                                                                                                                               15 NC
                                                                                                                     VDS1  2

                                                                                                                     VGS2  3

   VDS1                                                                                                              VGS1  4

                                                                                                                     NC    5

   RFin                                                                                                  RFout/VDS2  RFin  6   14  RFout/VDS2

                                                                                                                     NC    7

                                                                                                                     VGS1  8

                                                                                                                     VGS2  9

                                                                                                                     VDS1  10  13 NC
                                                                                                                               12 GND
   VGS1                                                                                                              GND 11

                             Quiescent Current                                                                                          (Top View)

   VGS2                 Temperature Compensation (1)                                                                 Note: Exposed backside of the package is
                                                                                                                              the source terminal for the transistors.

                     Figure 1. Functional Block Diagram                                                              Figure 2. Pin Connections

   1. Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control
       for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.freescale.com/rf.Select Documentation/Application Notes -- AN1977 or AN1987.

Freescale Semiconductor, Inc., 2008, 2010. All rights reserved.                                        MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
                                                                                                                                                                                  1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 1. Maximum Ratings                                                                         Symbol      Value         Unit
                                                                                                   VDS     --0.5, +65      Vdc
                                                      Rating                                       VGS     --6.0, +10      Vdc
  Drain--Source Voltage                                                                            VDD                     Vdc
  Gate--Source Voltage                                                                              Tstg     32, +0         C
  Operating Voltage                                                                                 TC    -- 65 to +150     C
  Storage Temperature Range                                                                         TJ                      C
  Case Operating Temperature                                                                        Pin        150         dBm
  Operating Junction Temperature (1,2)                                                                         225
  Input Power                                                                                    Symbol         45         Unit
                                                                                                   RJC                     C/W
Table 2. Thermal Characteristics                                                                           Value (2,3)

                                                 Characteristic
  Thermal Resistance, Junction to Case

WiMAX Application                                                Stage 1, 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA                 4.7
(Case Temperature 71C, Pout = 5 W CW)                           Stage 2, 28 Vdc, IDQ2 = 230 mA                 1.3

Table 3. ESD Protection Characteristics                                                                        Class

                                Test Methodology

Human Body Model (per JESD22--A114)                                                                       1B (Minimum)

Machine Model (per EIA/JESD22--A115)                                                                      A (Minimum)

Charge Device Model (per JESD22--C101)                                                                    IV (Minimum)

Table 4. Moisture Sensitivity Level                                     Rating                   Package Peak Temperature  Unit

                                     Test Methodology                   3                                 260              C
  Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020

Table 5. Electrical Characteristics (TA = 25C unless otherwise noted)

Characteristic                                                          Symbol                   Min      Typ         Max  Unit

Stage 1 -- Off Characteristics                                          IDSS                     --       --          10   Adc

  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                               IDSS                     --       --          1    Adc
     (VDS = 65 Vdc, VGS = 0 Vdc)
                                                                        IGSS                     --       --          1    Adc
  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
     (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)

  Gate--Source Leakage Current
     (VGS = 1.5 Vdc, VDS = 0 Vdc)

Stage 1 -- On Characteristics

Gate Threshold Voltage                                                  VGS(th)                  1.2      2           2.7  Vdc
   (VDS = 10 Vdc, ID = 25 Adc)

Gate Quiescent Voltage                                                  VGS(Q)                   --       2.7         --   Vdc
   (VDS = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA)

Fixture Gate Quiescent Voltage (4)                                      VGG(Q)                   3.5      4.2         5    Vdc
   (VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, Measured in Functional Test)

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF

    calculators by product.
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

    Select Documentation/Application Notes -- AN1955.
4. VGG = 1.55 x VGS(Q). Parameter measured on Freescale Test Fixture, due to resistive divider network on the board. Refer to Test Circuit

    schematic.

                                                                                                                           (continued)

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                                                   RF Device Data
2                                                                                                              Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TA = 25C unless otherwise noted) (continued)

                            Characteristic                     Symbol               Min  Typ   Max   Unit

Stage 2 -- Off Characteristics                                 IDSS                 --   --    10    Adc

  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                      IDSS                 --   --    1     Adc
     (VDS = 65 Vdc, VGS = 0 Vdc)
                                                               IGSS                 --   --    1     Adc
  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
     (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)

  Gate--Source Leakage Current
     (VGS = 1.5 Vdc, VDS = 0 Vdc)

Stage 2 -- On Characteristics

Gate Threshold Voltage                                         VGS(th)              1.2  2     2.7   Vdc
   (VDS = 10 Vdc, ID = 120 Adc)

Gate Quiescent Voltage                                         VGS(Q)               --   2.7   --    Vdc
   (VDS = 28 Vdc, IDQ2 = 230 mA)

Fixture Gate Quiescent Voltage (1)                             VGG(Q)               2.5  3.3   4     Vdc
   (VDD = 28 Vdc, IDQ2 = 230 mA, Measured in Functional Test)

Drain--Source On--Voltage                                      VDS(on)              0.2  0.5   1.2   Vdc
   (VGS = 10 Vdc, ID = 1 Adc)

Stage 2 -- Dynamic Characteristics (2)

Output Capacitance                                             Coss                 --   72.3  --    pF
   (VDS = 28 Vdc 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc)

Functional Tests (3) (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA, Pout = 5 W Avg.,
f = 3600 MHz, WiMAX, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF. ACPR measured in 1 MHz Channel Bandwidth @ 8.5 MHz Offset.

Power Gain                                                     Gps                  21   25    32    dB

Power Added Efficiency                                         PAE                  12   15    --    %

Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF     PAR                  7.5  8.5   --    dB

Adjacent Channel Power Ratio                                   ACPR                 --   --48  --45  dBc

Input Return Loss                                              IRL                  --   --12  --6   dB

Typical Performances OFDM Signal -- 10 MHz Channel Bandwidth (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1 =
130 mA, IDQ2 = 230 mA, Pout = 5 W Avg., f = 3400 MHz and f = 3600 MHz, WiMAX, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 10 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Relative Constellation Error (4)                               RCE                  --   --33  --    dB

Error Vector Magnitude (4)                                     EVM                  --   2.2   --    % rms

1. VGG = 1.22 x VGS(Q). Parameter measured on Freescale Test Fixture, due to resistive divider network on the board. Refer to Test Circuit
    schematic.

2. Part internally matched both on input and output.
3. Measurement made with device in straight lead configuration before any lead forming operation is applied.
4. RCE = 20Log(EVM/100).

                                                                                                                                                                          (continued)

RF Device Data                                                 MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                 3
Table 5. Electrical Characteristics (TA = 25C unless otherwise noted) (continued)

                        Characteristic                          Symbol              Min  Typ    Max  Unit

Typical Performances (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA, 3400--3600 MHz Bandwidth

Pout @ 1 dB Compression Point, CW                               P1dB                --   30     --   W

IMD Symmetry @ 2 W PEP, Pout where IMD Third Order              IMDsym                               MHz

  Intermodulation  30 dBc                                                           --   83     --

(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower

Sidebands > 2 dB)

VBW Resonance Point                                             VBWres              --   90     --   MHz
   (IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)

Gain Flatness in 200 MHz Bandwidth @ Pout = 5 W Avg.            GF                  --   0.7    --   dB

Average Deviation from Linear Phase in 200 MHz Bandwidth                            --   3.15   --   
   @ Pout = 25 W CW
                                                                Delay               --   3.21   --   ns
Average Group Delay @ Pout = 25 W CW, f = 3500 MHz
                                                                                    --   13.88  --   
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout = 25 W CW,
   f = 3500 MHz, Six Sigma Window

Gain Variation over Temperature                                 G                   --   0.046  --   dB/C
   (--30C to +85C)

Output Power Variation over Temperature                         P1dB                --   0.015  --   dB/C
   (--30C to +85C)

Typical Driver Performances (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 190 mA, IDQ2 = 230 mA, Pout = 0.5 W Avg.,
f = 3400 MHz and f = 3600 MHz, WiMAX, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @
0.01% Probability on CCDF. ACPR measured in 1 MHz Channel Bandwidth @ 8.5 MHz Offset.

Power Gain                                                      Gps                 --   23.5   --   dB

Power Added Efficiency                                          PAE                 --   3.5    --   %

Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF      PAR                 --   9.2    --   dB

Adjacent Channel Power Ratio                                    ACPR                --   --55   --   dBc

Input Return Loss                                               IRL                 --   --12   --   dB

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                                    RF Device Data
4                                                                                               Freescale Semiconductor
                              VD1                              1 NC                     DUT      16

                                         C1 C5                 2                                 NC 15
                                                               3 VGS2                                 14

RF                                                             4 VGS1

INPUT Z1  C6                                                     5 NC
                                                   C17 Z13
              Z2 Z4 Z6        Z8 Z10 Z12 C7

                                                               6

              Z3 Z5           Z7 Z9 Z11                   NC 7

                                         C15 C14               8       Quiescent Current
                                                                          Temperature
                                                           9
                              VG1                         10 VD1       Compensation              NC 13
                                              R1

                              VG2                         11                                     12

                                               R2
                                         C16

                                                  C13 C9

                                                                 VD2
                                                             +

                                       C4 C3 C2 C12
                              Z42

                                  Z41
                                                                                   Z26

                                                                       Z25

                              Z40                         Z20          Z24                       Z31           Z37  RF

                              Z14 Z15 Z16 Z17 Z18 Z19 Z21 Z23               Z28 Z29 Z30 Z33 Z36 Z38 Z39 OUTPUT

                              Z43                                 Z22 Z27                    C8  Z32 Z34

                                                                                                          Z35

                                  Z44
                              Z45

                                               C11 R3
                                         C10

Z1 0.118 x 0.044 Microstrip   Z17 0.230 x 0.090 Microstrip             Z32              0.080 x 0.112 Microstrip
Z2 0.205 x 0.044 Microstrip   Z18 0.125 x 0.125 Microstrip             Z33              0.193 x 0.044 Microstrip
Z3 0.083 x 0.096 Microstrip   Z19 0.228 x 0.100 Microstrip             Z34              0.080 x 0.051 Microstrip
Z4 0.195 x 0.044 Microstrip   Z20 0.076 x 0.165 Microstrip             Z35              0.157 x 0.055 Microstrip
Z5 0.094 x 0.132 Microstrip   Z21 0.289 x 0.100 Microstrip             Z36              0.080 x 0.044 Microstrip
Z6 0.509 x 0.044 Microstrip   Z22 0.083 x 0.110 Microstrip             Z37              0.080 x 0.131 Microstrip
Z7 0.083 x 0.091 Microstrip   Z23 0.375 x 0.100 Microstrip             Z38              0.040 x 0.044 Microstrip
Z8 0.372 x 0.044 Microstrip   Z24 0.185 x 0.080 Microstrip             Z39              0.073 x 0.044 Microstrip
Z9 0.078 x 0.192 Microstrip   Z25 0.079 x 0.020 Microstrip             Z40              0.574 x 0.044 Microstrip
Z10 0.078 x 0.044 Microstrip  Z26 0.185 x 0.020 Microstrip             Z41              L = 0.305 wi = 0.150 Angle = 130 Microstrip
Z11 0.079 x 0.141 Microstrip  Z27 0.185 x 0.100 Microstrip             Z42              0.523 x 0.044 Microstrip
Z12 0.243 x 0.044 Microstrip  Z28 0.093 x 0.100 Microstrip             Z43              0.574 x 0.044 Microstrip
Z13 0.605 x 0.044 Microstrip  Z29 0.063 x 0.044 Microstrip             Z44              L = 0.305 wi = 0.150 Angle = 130 Microstrip
Z14 0.232 x 0.340 Microstrip  Z30 0.103 x 0.044 Microstrip             Z45              0.523 x 0.044 Microstrip
Z15 0.042 x 0.340 Microstrip  Z31 0.080 x 0.121 Microstrip             PCB              Taconic TLX8--0300, 0.020, r = 2.55
Z16 0.112 x 0.150 Microstrip

                         Figure 3. MW7IC3825NR1(GNR1)(NBR1) Test Circuit Schematic

RF Device Data                                                 MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                 5
Table 6. MW7IC3825NR1(GNR1)(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values

              Part                                 Description                Part Number                     Manufacturer
                                                                                                            TDK
C1, C13, C14                     2.2 F, 50 V Chip Capacitors                  C3225X7R1H225M                TDK
                                                                                                            ATC
C2, C3                           10 F, 50 V Chip Capacitors                   C5750X5R1H106M                ATC
                                                                                                            ATC
C4, C5, C9, C10                  2.2 pF Chip Capacitors                       ATC100B2R2BT500XT             ATC
                                                                                                            BC Components
C6, C7                           0.5 pF Chip Capacitors                       ATC100B0R5BT500XT             TDK
                                                                                                            ATC
C8                               2 pF Chip Capacitor                          ATC100B2R0BT500XT             Vishay
                                                                                                            Vishay
C11                              33 pF Chip Capacitor                         ATC100B330JT500XT

C12                              220 F, 63 V Electrolytic Capacitor           222213668221

C15, C16                         4.7 F, 50 V Chip Capacitors                  C4532X5R1H475M

C17                              0.3 pF Chip Capacitor                        ATC100B0R3BT500XT

R1, R2                           1 k, 1/8 W Chip Resistors                    CRCW08051001FKEA

R3                               10 , 1/4 W Chip Resistor                     CRCW120610R0FKEA

     MW7IC3825N/NB               VD1                                                 C2          VD2
     Rev. 7                                                                   C4                       C12
                                               C1
                                               C5                                                    C3

     C6                                     C7 C17              CUT OUT AREA                                       C8
                                                    C9                        C10
                  C15
                             R1              C13                                        R3
                                     C14                                                                    C11
      VG1
                             R2  VD1

               VG2 C16

                                 Figure 4. MW7IC3825NR1(GNR1)(NBR1) Test Circuit Component Layout

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                                     RF Device Data
6                                                                                                Freescale Semiconductor
                                                                              TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                                    25.2                                                                           18    D, DRAIN
                                                                                                                                                             EFFICIENCY (%)
                                                                    25    VDD = 28 Vdc, Pout = 5 W (Avg.), IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA            17
                                                                          OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth

                                                                    24.8 Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF                     16

                                              Gps, POWER GAIN (dB)  24.6                     hD                                                    15

                                                                    24.4      Gps                                                                  14

                                                                    24.2                                                                           --44                      --7   IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)  0

                                                                    24                                                           PARC              --45                      --8                                --0.5

                                                                    23.8                                                                           --46  ACPR (dBc)          --9                                --1    PARC (dB)

                                                                    23.6            ACPR                                    IRL                    --47                      --10                               --1.5

                                                                    23.4                                                                           --48                      --11                               --2

                                                                    23.2                                                                           --49                      --12                               --2.5

                                                                    3400 3425 3450 3475 3500 3525 3550 3575 3600

                                                                                    f, FREQUENCY (MHz)

                                              Figure 5. WiMAX Broadband Performance @ Pout = 5 Watts Avg.

                                                                    25.6                                                                           4     D, DRAIN
                                                                                                                                                             EFFICIENCY (%)
                                                                    25.4  VDD = 28 Vdc, Pout = 20 dBm (Avg.), IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA         3
                                                                          OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth
                                                                    25.2 Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
                                                                                                                                                   2

                                              Gps, POWER GAIN (dB)    25                                                                           1
                                                                    24.8 Gps
                                                                    24.6                          hD                                               0
                                                                    24.4
                                                                                                                                            PARC --54                        --7   IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)  --0

                                                                                                                                                   --55                      --8                                --0.5

                                                                    24.2                                                    IRL                    --56  ACPR (dBc)          --9                                --1    PARC (dB)

                                                                    24        ACPR                                                                 --57                      --10                               --1.5

                                                                    23.8                                                                           --58                      --11                               --2

                                                                    23.6                                                                           --59                      --12                               --2.5

                                                                    3400 3425 3450 3475 3500 3525 3550 3575 3600

                                                                                    f, FREQUENCY (MHz)

                                              Figure 6. WiMAX Broadband Performance @ Pout = 20 dBm Avg.

                      26                                                      VDD = 28 Vdc                                  26                                                                                  VDD = 28 Vdc
                                                                              IDQ1 = 130 mA                                                                                                                     IDQ2 = 230 mA
                               IDQ2 = 350 mA                                  f = 3500 MHz                                          IDQ1 = 195 mA                                                               f = 3500 MHz
                      25                                                                                                    25
Gps, POWER GAIN (dB)                                                                                  Gps, POWER GAIN (dB)
                           290 mA                                                                                                     160 mA
                      24                                                                                                    24

                            230 mA                                                                                                 130 mA
                      23                                                                                                    23

                              175 mA                                                                                                  100 mA
                                                                                                                            22
                      22
                               110 mA                                                                                       21   70 mA

                      21

                      20                                            10                       100                            20                                               10                                                   100
                                   1                                                                                                     1

                                      Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW                                                                         Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW

                      Figure 7. Power Gain versus Output Power                                                                   Figure 8. Power Gain versus Output Power
                                        @ IDQ1 = 130 mA                                                                                            @ IDQ2 = 230 mA

RF Device Data                                                                                                              MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                                                                              7
                                                                   TYPICAL CHARACTERISTICS

      IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)    --10
                                                      VDD = 28 Vdc, Pout = 2 W (PEP), IDQ1 = 130 mA
                                                      IDQ2 = 230 mA, Two--Tone Measurements

                                               --20 (f1 + f2)/2 = Center Frequency of 3500 MHz

                                                      IM3--L                                                        IM5--L
                                               --30 IM3--U                                                   IM5--U

                                               --40                                             IM7--U
                                                                                                IM7--L
                                               --50

                                               --60

                                                     0.1                           1                  10                    100

                                                                           TWO--TONE SPACING (MHz)

                                                             Figure 9. Intermodulation Distortion Products
                                                                              versus Tone Spacing

25    PARC                                                                                                                                        --20

                                                     1                             VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA   40

24.5                                                 0                Gps                       f = 3500 MHz, OFDM 802.16d      35                --25
Gps, POWER GAIN (dB)
                 OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%                                                    64 QAM 3/4, 4 Bursts                  D, DRAIN EFFICIENCY (%)
                                                                                                                                                      ACPR (dBc)
                     PROBABILITY ON CCDF (dB)                PARC

24                                                   --1                                                                        30                --30

23.5                                                 --2     --1 dB = 6 W                    D                                  25                --35
                                                                                                       ACPR

                                                                   --2 dB = 8.5 W

23                                                   --3                                                  --3 dB = 11.5 W       20                --40

22.5                                                 --4                                                                        15                --45

                                                                   10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal

22                                                   --5           PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF                     10                --50

                                                          1        5                  9         13           17             21

                                                                      Pout, OUTPUT POWER (WATTS)

                                                              Figure 10. Output Peak--to--Average Ratio
                                                             Compression (PARC) versus Output Power

      D, DRAIN EFFICIENCY (%), Gps, POWER GAIN (dB)  60                                                                         --20

                                                             VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA
                                                             f = 3500 MHz, OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4
                                                     50      4 Bursts, 10 MHz Channel Bandwidth                                 --25

                                                             Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01%           25_C --30_C

                                                     40 Probability on CCDF                     85_C             --30_C         --30

                                                     30 Gps TC = --30_C                                      25_C                     ACPR (dBc)

                                                                                                          85_C D                --35

                                                     20 25_C       85_C                                                         --40

                                                     10                                                                         --45

                                                                                         ACPR

                                                     0                                                                          --50

                                                          1                              10                                 100

                                                                   Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WiMAX

                                                             Figure 11. WiMAX, ACPR, Power Gain and
                                                                Drain Efficiency versus Output Power

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                                                                                      RF Device Data
8                                                                                                                                                 Freescale Semiconductor
                                              TYPICAL CHARACTERISTICS

30                                                                           15                                  109

25                       S21                                                 10

20                                                                           5                                   108

15                                                                           0                                                                          2nd Stage
                                                                                                                 107
10                                                                           --5
S21 (dB)
                                                                                             S11 (dB)5S11--10
                                                                                                   MTTF (HOURS)
0                                                                            --15                                106      1st Stage

--5                                                                          --20

--10                                                                         --25

--15                        VDD = 28 Vdc                                     --30                                105

--20                        IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA --35

--25                                                                         --40                                104
                                                                                                                     90
2400 2600 2800 3000 3200 3400 3600 3800 4000 4200                                                                         110 130 150 170 190 210 230 250
                                                                                                                                   TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)
                   f, FREQUENCY (MHz)

      Figure 12. Broadband Frequency Response                                                                          This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
                                                                                                                       is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 5 W Avg., and PAE = 15%.
                                                                                                                       MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
                                                                                                                       Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
                                                                                                                       calculators by product.

                                                                                                                       Figure 13. MTTF versus Junction Temperature

                                              WIMAX TEST SIGNAL

      100                                                                                                        --10

      10                                                                                                         --20                        10 MHz
                                                               Input Signal                                                                Channel BW

       1                                                                                                         --30
PROBABILITY (%)
                                                                                                  (dB)           --40

      0.1

                                                                                                                 --50

      0.01

         OFDM 802.16d, 64 QAM 3/4, 4 Bursts                                                                      --60
0.001 10 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
                                                                                                                 --70
         PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability

0.0001 on CCDF

            0   2        4             6      8                                 10                               --80      ACPR in 1 MHz                           ACPR in 1 MHz
                                                                                                                            Integrated BW                          Integrated BW
                   PEAK--TO--AVERAGE (dB)                                                                        --90
                                                                                                                    --20  --15 --10 --5
               Figure 14. OFDM 802.16d Test Signal                                                                                         0                       5  10 15 20

                                                                                                                          f, FREQUENCY (MHz)

                                                                                                                       Figure 15. WiMAX Spectrum Mask Specifications

RF Device Data                                                                                                   MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                                                                   9
                                          Zo = 50

           f = 3600 MHz

    Zload  f = 3400 MHz                   f = 3400 MHz
                                                            Zsource
                                                                             f = 3600 MHz

           VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA, Pout = 5 W Avg.

                           f              Zsource             Zload
                         MHz                                    

                         3400  31.82 -- j19.29                4.58 -- j7.62

                         3425  32.86 -- j19.70                4.42 -- j7.33

                         3450  33.95 -- j20.93                4.22 -- j7.20

                         3475  35.11 -- j22.97                4.13 -- j7.22

                         3500  36.33 -- j25.82                4.13 -- j7.26

                         3525  37.61 -- j29.49                4.07 -- j7.20

                         3550  38.95 -- j33.97                3.81 -- j6.99

                         3575  40.35 -- j39.26                3.48 -- j6.77

                         3600  41.81 -- j45.37                3.21 -- j6.72

           Zsource = Test circuit impedance as measured from
                          gate to ground.

           Zload = Test circuit impedance as measured from
                          drain to ground.

           Input                          Device              Output
           Matching                       Under Test          Matching
           Network                                            Network

                               Z source               Z load

           Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1

10                                                                                       RF Device Data
                                                                             Freescale Semiconductor
Table 7. Common Source S--Parameters (VDD = 28 V, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA, TA = 25C, 50 Ohm System)

  f                      S11                   S21                    S12                      S22
MHz                                                                                 |S22|
      |S11|                            |S21|                 |S12|                                          
                                                                                                           --87.7
3000  0.260                   --47.0   7.550        --61.6   0.00485       --43.9   0.724

3050  0.177                   --63.4   8.610        --102.0  0.00423       --72.7   0.713                  --113.0

3100  0.139                   --68.0   10.000       --143.0  0.00424       --98.1   0.675                  --141.0

3150  0.117                   --59.6   11.300       177.0    0.00293       --122.0  0.612                  --166.0

3200  0.190                   --61.1   13.600       139.0    0.00322       --98.2   0.627                  171.0

3250  0.283                   --85.6   16.800       95.7     0.00533       --118.0  0.629                  138.0

3300  0.395                   --118.0  19.900       49.1     0.00762       --146.0  0.547                  102.0

3350  0.493                   --155.0  22.300       0.9      0.00950       --178.0  0.421                  65.9

3400  0.575                   166.0    24.000       --48.3   0.0116        148.0    0.235                  23.1

3450  0.603                   126.0    23.800       --99.4   0.0132        111.0    0.053                  --130.0

3500  0.537                   82.8     19.900       --155.0  0.0135        58.2     0.409                  124.0

3550  0.479                   56.7     15.600       165.0    0.00994       27.0     0.509                  80.6

3600  0.458                   29.8     12.900       128.0    0.00810       1.1      0.585                  49.7

3650  0.465                   1.3      11.200       94.1     0.00680       --19.7   0.637                  21.3

3700  0.427                   --27.1   9.830        58.3     0.00636       --42.4   0.672                  --4.3

3750  0.429                   --53.0   8.600        25.7     0.00546       --65.7   0.707                  --28.9

3800  0.407                   --81.6   7.770        --7.2    0.00476       --82.1   0.730                  --53.8

3850  0.395                   --110.0  7.020        --39.8   0.00445       --97.7   0.752                  --77.2

3900  0.388                   --139.0  6.380        --71.8   0.00421       --113.0  0.761                  --102.0

3950  0.384                   --167.0  5.900        --104.0  0.00454       --126.0  0.779                  --125.0

4000  0.389                   165.0    5.460        --135.0  0.00531       --145.0  0.779                  --150.0

RF Device Data                                               MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                                                             11
          ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS

53                                                                                                                           53

52  P3dB = 47.45 dBm (55.6 W)                    Ideal                                                                       52                             Ideal
                                                                                                                                                                        Actual
51                                                                                                                           51  P3dB = 47.11 dBm (51.5 W)

Pout, OUTPUT POWER (dBm)                                                                                                     50
                                                                                                   Pout, OUTPUT POWER (dBm)
50                                                                                                                           49 P1dB = 46.13 dBm (41.0 W)
49 P1dB = 46.66 dBm (46.3 W)

48                                                                                                                           48
                                                                         Actual
                                                                                                                             47
47
                                                                                                                             46
46

45        VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA                                                                         45        VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 130 mA, IDQ2 = 230 mA

44        Pulsed CW, 10 sec(on), 10% Duty Cycle                                                                              44        Pulsed CW, 10 sec(on), 10% Duty Cycle

43        f = 3400 MHz                                                                                                       43        f = 3600 MHz

16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28                                                                                       18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

                       Pin, INPUT POWER (dBm)                                                                                                       Pin, INPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V                                                         NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V

          Test Impedances per Compression Level                                                                                        Test Impedances per Compression Level

          Zsource              Zload                                                                                                   Zsource              Zload
                                                                                                                                                              

    P1dB  52.4 -- j42.5        3.5 -- j8.5                                                                                       P1dB  126.6 -- j41.9       3.3 -- j8.3

      Figure 17. Pulsed CW Output Power                                                                                            Figure 18. Pulsed CW Output Power
    versus Input Power @ 28 V @ 3400 MHz                                                                                         versus Input Power @ 28 V @ 3600 MHz

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                                                                                                RF Device Data
12                                                                                                                                                          Freescale Semiconductor
                         PACKAGE DIMENSIONS

RF Device Data           MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                         13
MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1              RF Device Data
14                                        Freescale Semiconductor
RF Device Data           MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                         15
MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1              RF Device Data
16                                        Freescale Semiconductor
RF Device Data           MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                         17
MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1              RF Device Data
18                                        Freescale Semiconductor
RF Device Data           MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                         19
MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1              RF Device Data
20                                        Freescale Semiconductor
RF Device Data           MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
Freescale Semiconductor                                                                         21
                                          PRODUCT DOCUMENTATION AND SOFTWARE

   Refer to the following documents and software to aid your design process.
Application Notes
AN1907: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Plastic Packages
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
AN1977: Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family
AN1987: Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family
AN3263: Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over--Molded Plastic Packages
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
Electromigration MTTF Calculator
RF High Power Model

For Software, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the "Part Number" link. Go to the Software &
Tools tab on the part's Product Summary page to download the respective tool.

                                                          REVISION HISTORY

The following table summarizes revisions to this document.

Revision     Date                                                                     Description
     0    Nov. 2008
     1    Nov. 2010   Initial Release of Data Sheet

                      Corrected data sheet to remove "DC Block" from On--chip Matching feature bullet and replaced with
                         "RF Choke to Ground", p. 1

                      Modified data sheet to reflect RF Test Reduction described in Product and Process Change Notification
                         number, PCN13628, p. 1, 3

                      Added "RF Input Choke to Ground" circuitry to Functional Block Diagram and Test Circuit Schematic,
                         p. 1, 5

                      Added Electromigration MTTF Calculator and RF High Power Model availability to Product Software,
                         p. 22

MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1                                                RF Device Data
22                                                                          Freescale Semiconductor
How to Reach Us:                                        Information in this document is provided solely to enable system and software
                                                        implementers to use Freescale Semiconductor products. There are no express or
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Web Support:                                            Freescale Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to
http://www.freescale.com/support                        any products herein. Freescale Semiconductor makes no warranty, representation or
                                                        guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does
USA/Europe or Locations Not Listed:                     Freescale Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of
Freescale Semiconductor, Inc.                           any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without
Technical Information Center, EL516                     limitation consequential or incidental damages. "Typical" parameters that may be
2100 East Elliot Road                                   provided in Freescale Semiconductor data sheets and/or specifications can and do
Tempe, Arizona 85284                                    vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating
1--800--521--6274 or +1--480--768--2130                 parameters, including "Typicals", must be validated for each customer application by
www.freescale.com/support                               customer's technical experts. Freescale Semiconductor does not convey any license
                                                        under its patent rights nor the rights of others. Freescale Semiconductor products are
Europe, Middle East, and Africa:                        not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for
Freescale Halbleiter Deutschland GmbH                   surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life,
Technical Information Center                            or for any other application in which the failure of the Freescale Semiconductor product
Schatzbogen 7                                           could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer
81829 Muenchen, Germany                                 purchase or use Freescale Semiconductor products for any such unintended or
+44 1296 380 456 (English)                              unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Freescale Semiconductor
+46 8 52200080 (English)                                and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all
+49 89 92103 559 (German)                               claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of,
+33 1 69 35 48 48 (French)                              directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such
www.freescale.com/support                               unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Freescale
                                                        Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part.
Japan:
Freescale Semiconductor Japan Ltd.                      Freescalet and the Freescale logo are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc.
Headquarters                                            All other product or service names are the property of their respective owners.
ARCO Tower 15F                                           Freescale Semiconductor, Inc. 2008, 2010. All rights reserved.
1--8--1, Shimo--Meguro, Meguro--ku,
Tokyo 153--0064
Japan
0120 191014 or +81 3 5437 9125
support.japan@freescale.com

Asia/Pacific:
Freescale Semiconductor China Ltd.
Exchange Building 23F
No. 118 Jianguo Road
Chaoyang District
Beijing 100022
China
+86 10 5879 8000
support.asia@freescale.com

For Literature Requests Only:
Freescale Semiconductor Literature Distribution Center
1--800--441--2447 or +1--303--675--2140
Fax: +1--303--675--2150
LDCForFreescaleSemiconductor@hibbertgroup.com

RDFocuDmeevnitcNeumDbaetra: MW7IC3825N                  MW7IC3825NR1 MW7IC3825GNR1 MW7IC3825NBR1
FRreev.e1s,c1a1/l2e01S0emiconductor                                                                                            23
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             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
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