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MUN53xxDW1T1

器件型号:MUN53xxDW1T1
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Motorola ( NXP )
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

参数
MUN53xxDW1T1状态 CONSULT MFR
MUN53xxDW1T1晶体管类型 通用小信号

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MUN53xxDW1T1器件文档内容

MOTOROLA                                                                                                            Order this document
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Dual Bias Resistor Transistors                                                                       MUN5311DW1T1
                                                                                                          SERIES
NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors
with Monolithic Bias Resistor Network                                                                           Motorola Preferred Devices

   The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a                                                      65
monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a                                                     4
baseemitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single
device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these                                            123
individual components by integrating them into a single device. In the                                    CASE 419B01, STYLE 1
MUN5311DW1T1 series, two complementary BRT devices are housed in the
SOT363 package which is ideal for low power surface mount applications                                              SOT363
where board space is at a premium.
                                                                                                     (3)                       (2)        (1)
Simplifies Circuit Design
Reduces Board Space                                                                                                      R1       R2
Reduces Component Count                                                                               Q1                                   Q2
                                                                                                                                              (6)
Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel.

                                                                                                               R2       R1

                                                                                                     (4)           (5)

MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise noted, common for Q1 and Q2, minus sign for Q2 (PNP) omitted)

                        Rating                                                             Symbol         Value                     Unit

Collector-Base Voltage                                                                    VCBO           50                        Vdc
Collector-Emitter Voltage
Collector Current                                                                         VCEO           50                        Vdc
THERMAL CHARACTERISTICS
                                                                                               IC         100                       mAdc

Thermal Resistance -- Junction-to-Ambient (surface mounted)                                RJA            833                       C/W
                                                                                                      65 to +150                    C
Operating and Storage Temperature Range                                                    TJ, Tstg                                 mW
Total Package Dissipation @ TA = 25C(1)                                                      PD          *150

DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES: MUN5311DW1T1 SERIES

       Device                             Marking                                          R1 (K)                  R2 (K)

       MUN5311DW1T1                       11                                               10                                  10

       MUN5312DW1T1                       12                                               22                                  22

       MUN5313DW1T1                       13                                               47                                  47

       MUN5314DW1T1                       14                                               10                                  47

       MUN5315DW1T1(2)                    15                                               10                                 

       MUN5316DW1T1(2)                    16                                               4.7                                 

       MUN5330DW1T1(2)                    30                                               1.0                                 1.0

       MUN5331DW1T1(2)                    31                                               2.2                                 2.2

       MUN5332DW1T1(2)                    32                                               4.7                                 4.7

       MUN5333DW1T1(2)                    33                                               4.7                                 47

       MUN5334DW1T1(2)                    34                                               22                                  47

       MUN5335DW1T1(2)                    35                                               2.2                                 47

1. Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 3

MMoototorroollaa, ISncm. 1a9l9l7Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                  1
MUN5311DW1T1 SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted, common for Q1 and Q2, minus sign for Q2 (PNP) omitted)

                     Characteristic                             Symbol    Min  Typ  Max   Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Cutoff Current (VCB = 50 V, IE = 0)              ICBO      --   --   100   nAdc

Collector-Emitter Cutoff Current (VCE = 50 V, IB = 0)           ICEO      --   --   500   nAdc

Emitter-Base Cutoff Current               MUN5311DW1T1          IEBO      --   --   0.5   mAdc
   (VEB = 6.0 V, IC = 0)
                                          MUN5312DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5313DW1T1                    --   --   0.1

                                          MUN5314DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5315DW1T1                    --   --   0.9

                                          MUN5316DW1T1                    --   --   1.9

                                          MUN5330DW1T1                    --   --   4.3

                                          MUN5331DW1T1                    --   --   2.3

                                          MUN5332DW1T1                    --   --   1.5

                                          MUN5333DW1T1                    --   --   0.18

                                          MUN5334DW1T1                    --   --   0.13

                                          MUN5335DW1T1                    --   --   0.2

Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 10 A, IE = 0)           V(BR)CBO  50   --   --    Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) (IC = 2.0 mA, IB = 0)    V(BR)CEO  50   --   --    Vdc

ON CHARACTERISTICS(3)

DC Current Gain                           MUN5311DW1T1          hFE       35   60   --
   (VCE = 10 V, IC = 5.0 mA)
                                          MUN5312DW1T1                    60   100  --

                                          MUN5313DW1T1                    80   140  --

                                          MUN5314DW1T1                    80   140  --

                                          MUN5315DW1T1                    160  350  --

                                          MUN5316DW1T1                    160  350  --

                                          MUN5330DW1T1                    3.0  5.0  --

                                          MUN5331DW1T1                    8.0  15   --

                                          MUN5332DW1T1                    15   30   --

                                          MUN5333DW1T1                    80   200  --

                                          MUN5334DW1T1                    80   150  --

                                          MUN5335DW1T1                    80   140  --

Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.3 mA)  VCE(sat)  --   --   0.25  Vdc

   (IC = 10 mA, IB = 5 mA) MUN5330DW1T1/MUN5331DW1T1

   (IC = 10 mA, IB = 1 mA) MUN5315DW1T1/MUN5316DW1T1

   MUN5332DW1T1/MUN5333DW1T1/MUN5334DW1T1

Output Voltage (on)                                             VOL                       Vdc

   (VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 k)  MUN5311lDW1T1                   --   --   0.2

                                          MUN5312DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5314DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5315DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5316DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5330DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5331DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5332DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5333DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5334DW1T1                    --   --   0.2

                                          MUN5335DW1T1                    --   --   0.2

   (VCC = 5.0 V, VB = 3.5 V, RL = 1.0 k)  MUN5313DW1T1                    --   --   0.2

3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%

2                                                               Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                    MUN5311DW1T1 SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted, common for Q1 and Q2, minus sign for Q2 (PNP) omitted)
(Continued)

                Characteristic                                               Symbol                     Min         Typ  Max    Unit

Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k)                                    VOH       4.9         --   --     Vdc

(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k) MUN5330DW1T1

(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k) MUN5315DW1T1

                                                           MUN5316DW1T1

                                                           MUN5333DW1T1

Input Resistor                                             MUN5311DW1T1                       R1        7.0         10   13     k

                                                           MUN5312DW1T1                                 15.4        22   28.6

                                                           MUN5313DW1T1                                 32.9        47   61.1

                                                           MUN5314DW1T1                                 7.0         10   13

                                                           MUN5315DW1T1                                 7.0         10   13

                                                           MUN5316DW1T1                                 3.3         4.7  6.1

                                                           MUN5330DW1T1                                 0.7         1.0  1.3

                                                           MUN5331DW1T1                                 1.5         2.2  2.9

                                                           MUN5332DW1T1                                 3.3         4.7  6.1

                                                           MUN5333DW1T1                                 3.3         4.7  6.1

                                                           MUN5334DW1T1                                 15.4        22   28.6

                                                           MUN5335DW1T1                                 1.54        2.2  2.86

Resistor Ratio MUN5311DW1T1/MUN5312DW1T1/MUN5313DW1T1                        R1/R2                       0.8    1.0       1.2
                  MUN5314DW1T1                                                                          0.17   0.21      0.25
                  MUN5315DW1T1/MUN5316DW1T1                                                               --     --        --
                  MUN5330DW1T1/MUN5331DW1T1/MUN5332DW1T1                                                 0.8    1.0       1.2
                  MUN5333DW1T1                                                                          0.055   0.1      0.185
                  MUN5334DW1T1                                                                          0.38   0.47      0.56
                  MUN5335DW1T1                                                                          0.038  0.047     0.056

                PD, POWER DISSIPATION (MILLIWATTS)  250
                                                    200

                                                    150

                                                    100
                                                                               RJA = 833C/W

                                                     50

                                                    0 50  0             50                        100         150

                                                           TA, AMBIENT TEMPERATURE (C)

                                                           Figure 1. Derating Curve

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                        3
MUN5311DW1T1 SERIES

                TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5311DW1T1 NPN TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)     1                                                                                                   1000hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                                 VCE = 10 V
                                                       IC/IB = 10                                              TA = 25C
                                                                                                                                                                                                                                          TA = 75C
                                               0.1                                                                            25C                                                                                                                25C

                                              0.01                                                                     75C                                                                                                                     25C
                                                                                                                                                      100

                                              0.001                20                                          40             50                                                            10   1                          10                          100
                                                     0
                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                  4
                                                  3                Figure 2. VCE(sat) versus IC                                                                                                               Figure 3. DC Current Gain
                                                  2
                                                  1                                                                f = 1 MHz                             IC, COLLECTOR CURRENT (mA)         100               25C
                                                  00                                                                                                                                                75C        TA = 25C
                                                                                                                   IE = 0 V
                                                                                                                   TA = 25C                                                                 10

Cob, CAPACITANCE (pF)                                                                                                                                                                       1

                                                                                                                                                                                            0.1

                                                        10             20                              30          40         50                                                    0.01
                                                                                                                                                                                                                                                          VO = 5 V
                                                                   VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
                                                                                                                                                                                   0.001
                                                                   Figure 4. Output Capacitance                                                                                          0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
                                                                                                                                                                                                               Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                                                                                                                                                           Figure 5. Output Current versus Input Voltage

                                                                           Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)  10                             TA = 25C
                                                                                                            VO = 0.2 V
                                                                                                                                                                   25C
                                                                                                        1                                       75C

                                                                                                       0.1  0           10        20                                                        30            40  50

                                                                                                                            IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                               Figure 6. Input Voltage versus Output Current

4                                                                                                                                 Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                               MUN5311DW1T1 SERIES

                                                      TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5311DW1T1 PNP TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)  1                                                                                   hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)  1000
                                                     IC/IB = 10                                                                                                                                                                          VCE = 10 V

                                                                         TA = 25C                                                                                                                                     TA = 75C
                                                                                                                                                                                                                                 25C
                                              0.1                                                                                                                    100
                                                                                                                                                                                                                             25C
                                                                                                                 25C

                                                                                                     75C

                                              0.01               20                                          40                                                      10    1                            10                                           100
                                                   0
                                                                                                                          50

                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                      Figure 7. VCE(sat) versus IC                                                                                                   Figure 8. DC Current Gain

                                              4                                                                                                                      100                    25C

                                                                                                             f = 1 MHz                                                         75C

                                              3                                                              lE = 0 V             IC, COLLECTOR CURRENT (mA)         10                     TA = 25C
                                                                                                             TA = 25C
Cob , CAPACITANCE (pF)
                                                                                                                                                 1
                                              2

                                                                                                                                                                     0.1

                                              1

                                                                                                                                                                     0.01                                   VO = 5 V

                                              0       10             20  30                                  40           50                                         0.001
                                                0                                                                                                                           0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

                                                      VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                                      Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                      Figure 9. Output Capacitance                                                                                             Figure 10. Output Current versus Input
                                                                                                                                                                                                     Voltage

                                                                         Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)  100                                                             TA = 25C
                                                                                                              VO = 0.2 V
                                                                                                                                                                                      25C
                                                                                                      10                                                                  75C

                                                                                                       1

                                                                                                     0.1  0      10           20                                           30  40           50

                                                                                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                             Figure 11. Input Voltage versus Output Current

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                                                                       5
MUN5311DW1T1 SERIES

                TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5312DW1T1 NPN TRANSISTOR

VCE(sat), MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)  1                                                                                                                           1000

                                                      IC/IB = 10                                                                      hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                           VCE = 10 V

                                                                                                                25C                                                                                                TA = 75C
                                                                                                                                                                                                                               25C
                                             0.1                  TA = 25C
                                                                                                                                                                                                                        25C
                                                                                                                            75C

                                                                                                                                                                         100

                                             0.01

                                             0.001                                                                                                                       10    1                      10                                          100
                                                   0
                                                                  20                                                  40          50
                                                 4
                                                 3                IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                 2
                                                 1    Figure 12. VCE(sat) versus IC                                                                                                   Figure 13. DC Current Gain
                                                 0
                                                                                                                                                                         100                          75C  25C
                                                   0
                                                                                                                      f = 1 MHz       IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                      TA = 25C
                                                                                                                                                                         10
                                                                                                                      IE = 0 V
Cob, CAPACITANCE (pF)                                                                                                 TA = 25C

                                                                                                                                                                         1

                                                                                                                                                                         0.1

                                                                                                                                                                         0.01

                                                                                                                                                                                                                  VO = 5 V

                                                      10          20                                      30          40          50  0.001                                       2                4        6     8                               10
                                                                                                                                            0

                                                      VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                                Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                      Figure 14. Output Capacitance                                                                                            Figure 15. Output Current versus Input Voltage

                                                                              Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)100                                                                  TA = 25C
                                                                                                                VO = 0.2 V                                                          75C 25C

                                                                                                         10

                                                                                                          1

                                                                                                        0.1  0        10          20                                     30       40           50

                                                                                                                            IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                                Figure 16. Input Voltage versus Output
                                                                                                                                      Current

6                                                                                                                                     Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                              MUN5311DW1T1 SERIES

                                                     TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5312DW1T1 PNP TRANSISTOR

VCE(sat), MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)  10                                                                                hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)  1000
                                                       IC/IB = 10                                                                                                                                                                     VCE = 10 V

                                             1                                                                 25C                                                                                            TA = 75C
                                                                                                                                                                                                                             25C
                                                                       TA = 25C                                                                                 100
                                                                                                                                                                                                                         25C

                                                                                                                   75C
                                             0.1

                                             0.01                  20                                      40              50                                     10                                10                                            100
                                                  0                                                                                                                   1

                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                  IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                     Figure 17. VCE(sat) versus IC                                                                                             Figure 18. DC Current Gain

                                             4                                                                                                                    100

                                                                                                           f = 1 MHz                                                         75C 25C

                                                                                                           lE = 0 V            IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                               TA = 25C
                                                                                                           TA = 25C
                                             3                                                                                                                    10

Cob , CAPACITANCE (pF)                                                                                                                         1
                                             2

                                                                                                                                                                  0.1

                                             1

                                                                                                                                                                  0.01
                                                                                                                                                                                                                                       VO = 5 V

                                             0  0    10            20  30                                  40              50                                     0.001 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

                                                     VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                              Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                     Figure 19. Output Capacitance                                                                                       Figure 20. Output Current versus Input Voltage

                                                                                                   100
                                                                                                               VO = 0.2 V

                                                                       Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)                              TA = 25C

                                                                                                   10                                                                    25C

                                                                                                                               75C

                                                                                                   1

                                                                                                   0.1  0      10              20                                        30    40       50

                                                                                                                         IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                        Figure 21. Input Voltage versus Output Current

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                                                                    7
MUN5311DW1T1 SERIES

                TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5313DW1T1 NPN TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)  10                                                                                       1000
                                                         IC/IB = 10
                                                                                                                                       hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                               VCE = 10 V
                                                1
                                                                                                                                                                                                                      TA = 75C
                                              0.1                                                                                                                                                                             25C
                                                                                                                                                                                                                              25C

                                                                         TA = 25C                                      25C                                             100

                                                                                                                         75C

                                              0.01                   20                                      40                50                                         10 1                      10                   100
                                                   0
                                                                     IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                        IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                 1
                                               0.8    Figure 22. VCE(sat) versus IC                                                                                                 Figure 23. DC Current Gain
                                               0.6
                                               0.4                                                                                                                        100                 25C
                                               0.2
                                                                                                             f = 1 MHz                                                              75C
                                                 00
                                                                                                             IE = 0 V                  IC, COLLECTOR CURRENT (mA)         10                            TA = 25C
                                                                                                             TA = 25C

Cob, CAPACITANCE (pF)                                                                                                                                                     1

                                                                                                                                                                          0.1

                                                                                                                                                                 0.01

                                                                                                                                                                                                           VO = 5 V

                                                      10             20  30                                  40                50      0.001                                        2         4         6             8              10
                                                                                                                                              0

                                                      VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                                    Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                      Figure 24. Output Capacitance                                                                                             Figure 25. Output Current versus Input Voltage

                                                                         Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)100                                 TA = 25C                                 25C
                                                                                                             VO = 0.2 V                                                         75C

                                                                                                    10

                                                                                                     1

                                                                                                     0.1

                                                                                                          0      10                20                                     30    40        50

                                                                                                                         IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                          Figure 26. Input Voltage versus Output Current

8                                                                                                                                  Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                               MUN5311DW1T1 SERIES

                                                      TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5313DW1T1 PNP TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)  1                                                                                          1000

                                                      IC/IB = 10                                                                   hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)

                                                                          TA = 25C                                25C                                                                                TA = 75C
                                                                                                                                                                                                                        25C
                                                                                                              75C                                                    100
                                                                                                                                                                                                              25C
                                              0.1

                                              0.01                10      20                                  30               40                                     10                      10                              100
                                                   0                                                                                                                       1

                                                                  IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                      IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                      Figure 27. VCE(sat) versus IC                                                                                               Figure 28. DC Current Gain

                                              1                                                                                                     100                                                 TA = 75C     25C
                                                                                                                    f = 1 MHz

                                              0.8                                                                   lE = 0 V                                          10                                              25C

Cob , CAPACITANCE (pF)                                                                                              TA = 25C      IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                              0.6                                                                                                                         1

                                              0.4                                                                                                                     0.1

                                              0.2                                                                                                                     0.01

                                                                                                                                                                                              VO = 5 V

                                              0    0  10              20                              30            40         50  0.001                                     0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

                                                                  VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                        Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                      Figure 29. Output Capacitance                                                                                          Figure 30. Output Current versus Input Voltage

                                                                                                      100

                                                                                                                                                                              VO = 0.2 V

                                                                          Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)                TA = 25C
                                                                                                                                            25C

                                                                                                      10                           75C

                                                                                                      1

                                                                                                      0.1  0        10         20                                     30      40          50

                                                                                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                              Figure 31. Input Voltage versus Output Current

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                                                9
MUN5311DW1T1 SERIES

                TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5314DW1T1 NPN TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)     1                                                           TA = 25C                 hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)  300                                      TA = 75C
                                                         IC/IB = 10                                                       25C                                                     VCE = 10                              25C

                                               0.1                                                                  75C                                                   250                                 25C
                                                                                                                                                                           200
                                              0.01                                                                                                                         150

                                                                                                                                                                           100

                                                                                                                                                                           50

                                              0.001 0                20  40                                  60                 80                                         01 2 4 6 8 10 15 20 40 50 60 70 80 90 100
                                                                                                                                                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                                     IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                                                                                                                                                            Figure 33. DC Current Gain
                                                       Figure 32. VCE(sat) versus IC

                                              4                                                                                                                            100
                                                                                                                                                                                     TA = 75C
                                              3.5                                                            f = 1 MHz                                                                                                      25C
                                                                                                                                                                            10                              25C
                                                                                                             lE = 0 V                   IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Cob , CAPACITANCE (pF)                        3                                                              TA = 25C

                                              2.5

                                                2
                                              1.5

                                              1

                                              0.5                                                                                                                                                                                 VO = 5 V

                                              0                                                                                                                            1    0            2          4   6                     8         10
                                               0 2 4 6 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50
                                                                VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)                                                                                                Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)

                                                            Figure 34. Output Capacitance                                                                                          Figure 35. Output Current versus Input Voltage

                                                                                                     10                                 TA = 25C                                              25C
                                                                                                              VO = 0.2 V                                                                          75C
                                                                         Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
                                                                                                      1

                                                                                                     0.1  0      10                 20                                     30      40                   50

                                                                                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                             Figure 36. Input Voltage versus Output Current

10                                                                                                                              Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                                MUN5311DW1T1 SERIES

                                                       TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5314DW1T1 PNP TRANSISTOR

VCE(sat) , MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)     1                                                  TA = 25C                          hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)  180                                       TA = 75C
                                                        IC/IB = 10                                                                                                         160 VCE = 10 V                     25C
                                                                                                                        25C                                               140
                                               0.1                                                  75C                                                                   120                            25C

                                              0.01                                                                                                                         100

                                                                                                                                                                           80

                                                                                                                                                                           60

                                                                                                                                                                           40

                                                                                                                                                                           20

                                              0.001 0               20  40                                  60                80                                           0
                                                                                                                                                                            1 2 4 6 8 10 15 20 40 50 60 70 80 90 100
                                                                    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                       Figure 37. VCE(sat) versus IC                                                                                                           Figure 38. DC Current Gain

                                              4.5                                                                                                                          100

                                              4                                                             f = 1 MHz                                                                          TA = 75C                                  25C

                                              3.5                                                           lE = 0 V

Cob , CAPACITANCE (pF)                                                                                      TA = 25C                   IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                              3                                                                                                                                                                          25C
                                                                                                                                                                           10
                                              2.5

                                                2
                                              1.5

                                                1                                                                                                                                                                               VO = 5 V
                                              0.5
                                                                                                                                                                           1    0          2   4          6                               8     10
                                                0
                                                 0 2 4 6 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50                                                                                                          Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
                                                                  VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
                                                              Figure 39. Output Capacitance                                                                                        Figure 40. Output Current versus Input Voltage

                                                                        Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)  10                                                                               25C
                                                                                                            VO = 0.2 V                                                     TA = 25C

                                                                                                                                  75C
                                                                                                     1

                                                                                                    0.1  0      10            20                                           30              40  50

                                                                                                                       IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                         Figure 41. Input Voltage versus Output Current

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                                                                  11
MUN5311DW1T1 SERIES

                              TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5315DW1T1

                                   1000                                                                                      1000

HFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                         TA = 25C       HFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                     TA = 25C
                                                                                                                                                VCE = 10 V
                                                            VCE = 10 V                                                                      VCE = 5.0 V
                                                  VCE = 5.0 V

                                   100                                                                                       100

                                         1.0  10                                     100                                           1.0  10                                      100

                                              IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                              Figure 42. DC Current Gain -- PNP                                                         Figure 43. DC Current Gain -- NPN

                                              TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS -- MUN5316DW1T1

                                   1000                                                                                      1000

HFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                         TA = 25C       HFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)                                         TA = 25C

                                                      VCE = 10 V                                                                                                    VCE = 10 V
                                                  VCE = 5.0 V

                                                                                                                                            VCE = 5.0 V

                                   100                                                                                       100
                                                                                                                                 1.0
                                         1.0  10                                     100                                                10                                      100

                                              IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                              Figure 44. DC Current Gain -- PNP                                                         Figure 45. DC Current Gain -- NPN

12                                                                                   Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                           MUN5311DW1T1 SERIES

INFORMATION FOR USING THE SOT363 SURFACE MOUNT PACKAGE

MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINTS FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS

Surface mount board layout is a critical portion of the total    interface between the board and the package. With the

design. The footprint for the semiconductor packages must        correct pad geometry, the packages will self align when

be the correct size to insure proper solder connection           subjected to a solder reflow process.

                                    SOT363

                    0.5 mm (min)

      0.4 mm (min)                                                              
                                                                                0.65 mm 0.65 mm

                                    1.9 mm

                    SOT363 POWER DISSIPATION

   The power dissipation of the SOT363 is a function of the                    SOLDERING PRECAUTIONS

pad size. This can vary from the minimum pad size for               The melting temperature of solder is higher than the rated
                                                                 temperature of the device. When the entire device is heated
soldering to the pad size given for maximum power                to a high temperature, failure to complete soldering within a
                                                                 short time could result in device failure. Therefore, the
dissipation. Power dissipation for a surface mount device is     following items should always be observed in order to
                                                                 minimize the thermal stress to which the devices are
determined by TJ(max), the maximum rated junction tempera-       subjected.
ture of the die, RJA, the thermal resistance from the device      Always preheat the device.
junction to ambient; and the operating temperature, TA.          The delta temperature between the preheat and
Using the values provided on the data sheet, PD can be
calculated as follows:                                               soldering should be 100C or less.*
                                                                  When preheating and soldering, the temperature of the
PD =  TJ(max) TA
           RJA                                                       leads and the case must not exceed the maximum
                                                                     temperature ratings as shown on the data sheet. When
   The values for the equation are found in the maximum              using infrared heating with the reflow soldering method,
ratings table on the data sheet. Substituting these values into      the difference should be a maximum of 10C.
the equation for an ambient temperature TA of 25C, one can       The soldering temperature and time should not exceed
calculate the power dissipation of the device which in this          260C for more than 10 seconds.
case is 150 milliwatts.                                           When shifting from preheating to soldering, the
                                                                     maximum temperature gradient should be 5C or less.
        150C 25C                                              After soldering has been completed, the device should
PD = 833C/W = 150 milliwatts                                        be allowed to cool naturally for at least three minutes.
                                                                     Gradual cooling should be used as the use of forced
   The 833C/W for the SOT363 package assumes the use               cooling will increase the temperature gradient and result
of the recommended footprint on a glass epoxy printed circuit        in latent failure due to mechanical stress.
board to achieve a power dissipation of 150 milliwatts. There    Mechanical stress or shock should not be applied during
are other alternatives to achieving higher power dissipation         cooling.
from the SOT363 package. Another alternative would be to
use a ceramic substrate or an aluminum core board such as        * Soldering a device without preheating can cause excessive
Thermal CladTM. Using a board material such as Thermal           thermal shock and stress which can result in damage to the
Clad, an aluminum core board, the power dissipation can be       device.
doubled using the same footprint.

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                 13
MUN5311DW1T1 SERIES

                     SOLDER STENCIL GUIDELINES

   Prior to placing surface mount components onto a printed              or stainless steel with a typical thickness of 0.008 inches.
circuit board, solder paste must be applied to the pads. A               The stencil opening size for the surface mounted package
solder stencil is required to screen the optimum amount of               should be the same as the pad size on the printed circuit
solder paste onto the footprint. The stencil is made of brass            board, i.e., a 1:1 registration.

                     TYPICAL SOLDER HEATING PROFILE

   For any given circuit board, there will be a group of control         actual temperature that might be experienced on the surface
settings that will give the desired heat pattern. The operator           of a test board at or near a central solder joint. The two
must set temperatures for several heating zones, and a                   profiles are based on a high density and a low density board.
figure for belt speed. Taken together, these control settings            The Vitronics SMD310 convection/infrared reflow soldering
make up a heating "profile" for that particular circuit board.           system was used to generate this profile. The type of solder
On machines controlled by a computer, the computer                       used was 62/36/2 Tin Lead Silver with a melting point
remembers these profiles from one operating session to the               between 177 189C. When this type of furnace is used for
next. Figure 25 shows a typical heating profile for use when             solder reflow work, the circuit boards and solder joints tend to
soldering a surface mount device to a printed circuit board.             heat first. The components on the board are then heated by
This profile will vary among soldering systems but it is a good          conduction. The circuit board, because it has a large surface
starting point. Factors that can affect the profile include the          area, absorbs the thermal energy more efficiently, then
type of soldering system in use, density and types of                    distributes this energy to the components. Because of this
components on the board, type of solder used, and the type               effect, the main body of a component may be up to 30
of board or substrate material being used. This profile shows            degrees cooler than the adjacent solder joints.
temperature versus time. The line on the graph shows the

            STEP 1   STEP 2     STEP 3                            STEP 4  STEP 5           STEP 6 STEP 7
           PREHEAT   VENT      HEATING                                                     VENT COOLING
            ZONE 1   "SOAK"  ZONES 2 & 5                          HEATING HEATING
            "RAMP"              "RAMP"                                                            205 TO 219C
                                                                  ZONES 3 & 6 ZONES 4 & 7            PEAK AT

                                                                  "SOAK"  "SPIKE"                SOLDER JOINT

    200C            DESIRED CURVE FOR HIGH                               170C
    150C                MASS ASSEMBLIES
    100C                                                         160C

                     150C

                     100C                                        140C   SOLDER IS LIQUID FOR
                                                                            40 TO 80 SECONDS
                                                                              (DEPENDING ON
                                                                           MASS OF ASSEMBLY)

                                         DESIRED CURVE FOR LOW
                                              MASS ASSEMBLIES

    50C

           TIME (3 TO 7 MINUTES TOTAL)                                                     TMAX

                     Figure 46. Typical Solder Heating Profile

14                                           Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                   MUN5311DW1T1 SERIES

                              PACKAGE DIMENSIONS

         A                                                      NOTES:
                                                                  1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
            G                                                         Y14.5M, 1982.
                  V                                               2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

                                                                   INCHES               MILLIMETERS
                                                                                        MIN MAX
      6  5  4                                                   DIM MIN MAX              1.80 2.20
                                                                                         1.15 1.35
                                                                A 0.071 0.087            0.80 1.10
                                                                                         0.10 0.30
S                    B                                        B 0.045 0.053
                                                                                           0.65 BSC
                                                                C 0.031 0.043             0.10
                                                                                         0.10 0.25
      1  2  3                                                   D 0.004 0.012            0.10 0.30
                                                                                           0.20 REF
                                                                G  0.026 BSC             2.00 2.20
                                                                                         0.30 0.40
                                                                H 0.004

                                                                J 0.004 0.010

                                                                K 0.004 0.012

                      D 6 PL  0.2 (0.008) M B M                 N  0.008 REF
                     C               N
                                                             J  S 0.079 0.087

                                                                V 0.012 0.016

                                                                STYLE 1:
                                                                   PIN 1. EMITTER 2
                                                                        2. BASE 2
                                                                        3. COLLECTOR 1
                                                                        4. EMITTER 1
                                                                        5. BASE 1
                                                                        6. COLLECTOR 2

   H                          K

                                 CASE 419B01
                                      ISSUE C

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                              15
MUN5311DW1T1 SERIES

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16                                                         Motorola SmallSignal Transistors, FETs and DioMdeUsN5D3e1v1iDceWD1Ta1t/aD
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