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MTM2N90

器件型号:MTM2N90
厂商名称:New Jersey Semiconductor
厂商官网:http://www.njsemi.com
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器件描述

Power Field Effect Transistor

MTM2N90器件文档内容

C7/iiij     tj

20 STERN AVE.                                                                                                        TELEPHONE: (973) 376-2922
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081                                                                                                              (212)227-6005
U.S.A.
                                                                                                                                   FAX: (973) 376-8960

        Designer's Data Sheet                                                                                        MTM2N85
                                                                                                                     MTM2N90
        Power Field Effect Transistor                                                                                MTP2N85
                                                                                                                     MTP2N90
        N-Channel Enhancement-Mode
        Silicon Gate TMOS                                                                                             TMOS POWER FETs
                                                                                                                            2 AMPERES
           These TMOS Power FETs are designed for high voltage, high
        speed power switching applications such as switching regulators,                                               'DSIonl = 8 OHMS
        converters, solenoid and relay drivers.                                                                       850 nd 900 VOLTS

         Silicon Gate for Fast Switching Speeds -- Switching Times
              Specified at 100C

         Designer's Data -- IQSS. vDS(on). vGS(th) "d SOA Specified
              at Elevated Temperature

         Rugged -- SOA is Power Dissipation Limited
         Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

        MAXIMUM RATINGS

                              Rating                                 Symbol    MTM2N85 MTM2N90
                                                                                                               Unit
                                                                      VDSS
                                                                      VDGR     MTP2N8S MTP2N90
                                                                      VGS
        Drain-Source Voltage                                         VGSM      850        900  Vdc

        Drain-Gate Voltage (RQS = 1Mfl>                                 ID     850        900  Vdc

        Gate-Source Voltage -- Continuous                              'DM          20        Vdc
                                   -- Non-repetitive (tp =s SO /is)
                                                                       PD           40        Vpk

        Drain Current -- Continuous                                  Tj. Ts,g       2          Adc                   MTM2N8S
                          -- Pulsed                                                                                  MTM2N90
                                                                       "JC         7                                TO-204AA
                                                                      "JA
        Total Power Dissipation @ Trj 25C                                        75         Watts                 TO-220AB
          Derate above 25C                                            TL                      wrc
                                                                                    0.6

        Operating and Storage Temperature Range                                -65 to 150      C

        THERMAL CHARACTERISTICS

        Thermal Resistance                                                                           c/w
          Junction to Case
                                                                                    1.67

        Junction to Ambient                   TO-204                                30

                                              TO-220                                62.5

        Maximum Lead Temperature for Soldering                                      275        c
          Purposes, 1/8" from case for 5 seconds

                      NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without
                      notice. Information furnished by NJ Semi-Conductors is believed to be both accurate and reliable at the time of going
                      to press. However, NJ Semi-Conductors assumesno responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
                      NJ Semi-Conductors encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

    Quality Semi-Conductors
                                                         One.

20 STERN AVE.                                                                                    TELEPHONE: (201) 376-2922
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081                                                                                        (212)227-6005
U.S.A.
                                                                                                             FAX: (201) 376-8960

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage                      MTM/MTP2N8S            V(BR)DSS  860         _      Vdc
  (VQS - 0, ID = 0.26 mAI                           MTM/MTP2N90
                                                                             IDSS                      mAdc
                                                                                     900
                                                                            IGSSF                      nAdc
Zero Gate Voltage Drain Current                                             IGSSR    I 0.2             nAdc
                                                                                                  1
     (VDS = 0.8 Rated VDSS. VGS = 0, Tj = 125C)

Gate-Body Leakage Current, Forward (VQSF = 20 Vdc. VDS - 0)                          -           100

Gate-Body Leakage Current, Reverse (VGSR = 20 Vdc, VDS " l                          -           100

ON CHARACTERISTICS*

Gate Threshold Voltage                                                     VGS(th)   2           4.5   Vdc

  (VDS = VGS. ID - 1 <"M                                                             1.5         4
TJ = loo-c

Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 Vdc, ID - 1 Adc)               rDS(on)   -           8     Ohms

Drain-Source On-Voltage (V<3s = 10 V)                                      VDS(on)   _                           Vdc
  dp = 2 Adc)                                                                                    20
  (ID = 1 Adc. Tj = 100'C)                                                                       16

Forward Transconductance (VDS = 15 V, ID = 1 A)                            9FS       0.5         -     mhos

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance                                   (VDS 25 V,VGS ~~ 0-                     _  1200  PF
Output Capacitance                                          f = 1 MHz)     Ciss
Reverse Transfer Capacitance
                                                          See Figure 11    Coss      -           300

                                                                           Crss      --          80

SWITCHING CHARACTERISTICS* (Tj = 100C)

Turn-On Delay Time                                                         td(on)    --          60    ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time                    (VDD = 12S V, ID = 0.5 Rated ID     tr        --          160
Fall Time                                        Rgen = 50 ohms)
                                                                           dloffl   --          200
                                            See Figures 9, 13 and 14

                                                                           tf        -'          100

Total Gate Charge                        (VDS = 0.8 Rated VDSS-            Qg        33 (Typ)    40    nC
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                      ID = Rated ID, VGS = 10V)                     20 (Typ)    _
                                                See Figure 12
                                                                           Qgs

                                                                           Qgd       13 (Typ)    -

SOURCE DRAIN DIODE CHARACTERISTICS*

Forward On-Voltage                                  (IS = Rated ID         VSD       1 (Typ)     1.4   Vdc
Forward Turn-On Time
                                                      VGS - oi             'on       Limited by stray inductance

Reverse Recovery Time                                                      'rr       420 (Typ)   -     ns

INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE (TO-204)

Internal Drain Inductance                                                  Ud        5 (Typ)           nH
  (Measured from the contact screw on the header closer
  to the source pin and the center of the die)

Internal Source Inductance                                                 LS        12.5 (Typ)
  (Measured from the source pin, 0.25" from the package
  to the source bond pad)

INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE (TO-220)

Internal Drain Inductance                                                  Ld                          nH
  (Measured from the contact screw on tab to center of die)
  (Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)                 3.5 (Typl   -

                                                                                     4.5 (Typ)

Internal Source Inductance                                                 LS        7.5 (Typ)   --
  (Measured from the source lead 0.26" from package to source bond pad.)

Pulse Test: PulM Width 300 M*. Duty Cycrt 2S.

Quality                                for*,
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