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MSC2383657D-70BS20

器件型号:MSC2383657D-70BS20
厂商名称:OKI
厂商官网:http://www.oki.com
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器件描述

8,388,608-word x 36-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

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MSC2383657D-70BS20器件文档内容

                                                                                This version: Mar. 8. 1999

Semiconductor

MSC2383657D-xxBS20/DS20

8,388,608-word x 36-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO

DESCRIPTION

The MSC2383657D-xxBS20/DS20 is a fully decoded, 8,388,608-word x 36-bit CMOS dynamic random access
memory module composed of sixteen 16Mb DRAMs (4Mx4) in SOJ packages and four 8Mb DRAMs (4Mx2) in SOJ
packages mounted with twenty decoupling capacitors on a 72-pin glass epoxy single in-line package. This module
supports any application where high density and large capacity of storage memory are required.

FEATURES

8,388,608-word x 36-bit organization
72-pin Single In-Line Memory Module

     MSC2383657D-xxBS20 : Gold tab
     MSC2383657D-xxDS20 : Solder tab
Single +5V supply 10% tolerance
Input : TTL compatible
Output : TTL compatible, 3-state
Refresh : 2048cycles/32ms
/CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
Fast page mode with EDO capability
Multi-bit test mode capability

PRODUCT FAMILY                    Access Time (Max.)  Cycle   Power Dissipation
                                                      Time
                          Family  tRAC   tAA  tCAC    (Min.)  Operating (Max.)     Standby (Max.)
   MSC2383657D-60BS20/DS20        60ns  30ns  15ns
   MSC2383657D-70BS20/DS20        70ns  35ns  20ns    110ns       5995mW        110mW
                                                                  5500mW
                                                      130ns
          Semiconductor                   107.950.2*1                                                      MSC2383657D
                                          101.19Typ.
MODULE OUTLINE                                                                                   (Unit : mm)
       MSC2383657D-xxBS20/DS20                                                                     9.3Max.

                      3.38Typ.

         3.18
25.40.2

Typ. Typ.                                                                                        3.17Min.    5.71Min.

10.16 6.35     1                                                                             72

2.03Typ.                        1.270.1  R1.57           1.04Typ.                                    +0.1
6.35Typ.                                     6.35                                                1.27 -0.08

                                                   95.25

*1 The common size difference of the board width 12.5mm of its height is specified as 0.2.
     The value above 12.5mm is specified as 0.5.
          Semiconductor                                                           MSC2383657D

PIN CONFIGURATION

Pin No.  Pin Name        Pin No.  Pin Name  Pin No.  Pin Name  Pin No.  Pin Name
    1        VSS            19        A10      37      DQ17       55       DQ12
    2       DQ0             20       DQ4       38       DQ35      56       DQ30
    3                       21      DQ22       39        VSS      57       DQ13
    4      DQ18             22       DQ5       40      /CAS0      58       DQ31
    5       DQ1             23      DQ23       41      /CAS2      59        VCC
    6      DQ19             24       DQ6       42      /CAS3      60       DQ32
    7       DQ2             25      DQ24       43      /CAS1      61       DQ14
    8      DQ20             26       DQ7       44      /RAS0      62       DQ33
    9       DQ3             27      DQ25       45      /RAS1      63       DQ15
   10      DQ21             28         A7      46        NC       64       DQ34
   11        VCC            29        NC       47        /WE      65       DQ16
   12        NC             30        VCC      48        NC       66        NC
   13         A0            31         A8      49       DQ9       67        PD1
   14         A1            32         A9      50      DQ27       68        PD2
   15         A2            33                 51      DQ10       69        PD3
   16         A3            34      /RAS3      52      DQ28       70        PD4
   17         A4            35      /RAS2      53       DQ11      71        NC
   18         A5            36      DQ26       54       DQ29      72        VSS
              A6                     DQ8

Presence Detect Pins

Pin No.                  Pin Name           MSC2383657D        MSC2383657D
                                            -60BS20/DS20       -70BS20/DS20
   67                        PD1
   68                        PD2                    NC                 NC
   69                        PD3                   VSS                VSS
   70                        PD4                    NC                VSS
                                                    NC                 NC
          Semiconductor                                                                     MSC2383657D

BLOCK DIAGRAM

A0-A10   A0-A10 DQ DQ0 DQ A0-A10                       A0-A10 DQ       DQ18  DQ A0-A10      /RAS2
/RAS0                                                                                      /CAS2
/CAS0   /RAS DQ DQ1 DQ /RAS                           /RAS DQ         DQ19  DQ /RAS
                                                       /CAS DQ         DQ20  DQ /CAS        /RAS3
   /WE   /CAS DQ DQ2 DQ /CAS                           /WE DQ          DQ21  DQ /WE         /CAS3

/RAS1   /WE DQ DQ3 DQ /WE                                        /OE        /OE
/CAS1                                                  VCC VSS               VSS VCC
                         /OE            /OE
    VCC
    VSS                  VCC VSS        VSS VCC

         A0-A10 DQ DQ4 DQ A0-A10                       A0-A10 DQ       DQ22  DQ A0-A10
                                                       /RAS DQ         DQ23  DQ /RAS
         /RAS DQ DQ5 DQ /RAS                           /CAS DQ         DQ24  DQ /CAS

         /CAS DQ DQ6 DQ /CAS                           /WE DQ          DQ25  DQ /WE
                                                                  /OE        /OE
         /WE DQ DQ7 DQ /WE                                                    VSS VCC
                                                        VCC VSS
                         /OE            /OE

                         VCC VSS        VSS VCC

         A0-A10 DQ1               DQ8   DQ1 A0-A10     A0-A10 DQ1      DQ26  DQ1 A0-A10
         /RAS DQ2                 DQ17  DQ2 /RAS       /RAS DQ2        DQ35  DQ2 /RAS

         /CAS1                                  /CAS1  /CAS1                         /CAS1
         /CAS2                                  /CAS2  /CAS2                         /CAS2
         /WE /OE                        /OE /WE        /WE /OE               /OE /WE

          VCC VSS                        VSS VCC        VCC VSS               VSS VCC

         A0-A10 DQ                DQ9   DQ A0-A10      A0-A10 DQ       DQ27  DQ A0-A10

         /RAS DQ                  DQ10  DQ /RAS        /RAS DQ         DQ28  DQ /RAS
         /CAS DQ                  DQ11  DQ /CAS        /CAS DQ         DQ29  DQ /CAS
         /WE DQ                   DQ12  DQ /WE         /WE DQ          DQ30  DQ /WE

                    /OE                 /OE                       /OE        /OE
          VCC VSS                        VSS VCC        VCC VSS               VSS VCC

         A0-A10 DQ                DQ13  DQ A0-A10      A0-A10 DQ       DQ31  DQ A0-A10
         /RAS DQ                  DQ14  DQ /RAS        /RAS DQ         DQ32  DQ /RAS
         /CAS DQ                  DQ15  DQ /CAS        /CAS DQ         DQ33  DQ /CAS

         /WE DQ                   DQ16  DQ /WE         /WE DQ          DQ34  DQ /WE
                    /OE                 /OE                       /OE        /OE
                                         VSS VCC                              VSS VCC
          VCC VSS                                       VCC VSS

         C1-C20
          Semiconductor                                                  Symbol             Rating                     MSC2383657D
                                                                        VIN, VOUT        -0.5 to +7.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                               -0.5 to +7.0        Unit
                                                                            VCC                               V
Absolute Maximum Ratings                                                    IOS                50             V
                                                                            PD *               20            mA
                                    Parameter                              TOPR            0 to +70           W
           Voltage on Any Pin Relative to VSS                              TSTG          -40 to +125          C
           Voltage on VCC Supply Relative to VSS             * Ta = 25C                                      C
           Short Circuit Output Current
           Power Dissipation
           Operating Temperature
           Storage Temperature

Recommended Operating Conditions

                                                                                            ( Ta = 0C to +70C )

             Parameter                               Symbol  Min.                  Typ.     Max.             Unit
Power Supply Voltage                                    VCC   4.5
Input High Voltage                                      VSS    0                   5.0      5.5              V
Input Low Voltage                                       VIH   2.4
                                                        VIL  -0.5                  0        0                V

                                                                                   -        VCC + 0.5        V

                                                                                   -        0.8              V

Capacitance                                                                        ( VCC = 5V 10%, Ta = 25C, f = 1 MHz )

                                          Parameter                Symbol Typ.                         Max.  Unit
           Input Capacitance (A0 - A10)
           Input Capacitance (/WE)                                 CIN1                  -             135   pF
           Input Capacitance (/RAS0- /RAS3)
           Input Capacitance (/CAS0- /CAS3)                        CIN2                  -             155   pF
           I/O Capacitance (DQ0 - DQ35)
                                                                   CIN3                  -             43    pF

                                                                   CIN4                  -             50    pF

                                                                   CDQ                   -             26    pF
Semiconductor                                                                                 MSC2383657D

DC CHARACTERISTICS

                                                                          (VCC = 5V 10%, Ta = 0C to +70C )

           Parameter        Symbol  Condition            MSC2383657D      MSC2383657D   Unit  Note
Input Leakage Current                                    -60BS20/DS20     -70BS20/DS20

                                                         Min. Max. Min. Max.

                                    0V  VIN  6.5V;

                            ILI     All other pins not   -200 200         -200  200     A

                                    under test = 0V

Output Leakage Current      ILO     DQ disable           -20        20    -20   20      A

                                    0V  VOUT  5.5V

Output High Voltage         VOH     IOH = -5.0mA         2.4        VCC   2.4   VCC     V

Output Low Voltage          VOL     IOL = 4.2mA          0          0.4   0     0.4     V

Average Power               ICC1    /RAS, /CAS cycling,  -          1090  -     1000 mA 1, 2
Supply Current
(Operating)                         tRC = Min.

Power supply current                /RAS, /CAS = VIH     -          40    -     40      mA 1
(Standby)
                            ICC2    /RAS, /CAS
Average Power
Supply Current                       VCC -0.2V           -          20    -     20      mA 1
(/RAS only refresh)
                                    /RAS cycling,
Average Power
Supply Current              ICC3    /CAS = VIH,          -          1090  -     1000 mA 1, 2
(/CAS before /RAS refresh)
                                    tRC = Min.
Average Power
Supply Current              ICC6    /RAS cycling,        -          1090  -     1000 mA 1, 2
(Fast Page Mode)
                                    /CAS before /RAS

                                        /RAS = VIL,      -          970   -     880 mA 1, 3
                            ICC7 /CAS cycling,

                                        tHPC = Min.

Notes: 1. ICC Max. is specified as ICC for output open condition.
          2. Address can be changed once or less while /RAS = VIL.
          3. Address can be changed once or less while /CAS = VIH.
Semiconductor                                                                                MSC2383657D

AC CHARACTERISTICS (1/2)                                  (VCC = 5V 10%, Ta = 0C to +70C ) Note: 1, 2, 3, 10, 11

                               Parameter           Symbol  MSC2383657D   MSC2383657D   Unit  Note
                                                           -60BS20/DS20  -70BS20/DS20
   Random Read or Write Cycle Time
   Fast Page Mode Cycle Time                               Min. Max. Min. Max.
   Access Time from /RAS
   Access Time from /CAS                           tRC     110  -        130  -        ns
   Access Time from Column Address
   Access Time from /CAS Precharge                 tHPC    25   -        30   -        ns
   Output Low Impedance Time from /CAS
   Data Output Hold After /CAS Low                 tRAC    -    60       -    70       ns 4, 5, 6
   /CAS to Data Output Buffer Turn-off Delay Time
   /RAS to Data Output Buffer Turn-off Delay Time  tCAC    -    15       -    20       ns 4, 5
   /WE to Data Output Buffer Turn-off Delay Time
   Transition Time                                 tAA     -    30       -    35       ns 4, 6
   Refresh Period
   /RAS Precharge Time                             tCPA    -    35       -    40       ns 4
   /RAS Pulse Width
   /RAS Pulse Width (Fast Page Mode with EDO)      tCLZ    0    -        0    -        ns 4
   /RAS Hold Time
   /CAS Precharge Time (Fast Page Mode with EDO)   tDOH    5    -        5    -        ns
   /CAS Pulse Width
   /CAS Hold Time                                  tCEZ    0    15       0    15       ns 7, 8
   /CAS to /RAS Precharge Time
   /RAS Hold Time from /CAS Precharge              tREZ    0    15       0    15       ns 7, 8
   /RAS to /CAS Delay Time
   /RAS to Column Address Delay Time               tW EZ   0    15       0    15       ns 7
   Row Address Set-up Time
   Row Address Hold Time                           tT      2    50       2    50       ns 3
   Column Address Set-up Time
   Column Address Hold Time                        tREF    -    32       -    32       ms
   Column Address to /RAS Lead Time
   Read Command Set-up Time                        tRP     40   -        50   -        ns
   Read Command Hold Time
   Read Command Hold Time referenced to /RAS       tRAS    60   10K      70   10K      ns

                                                   tRASP   60   100K     70   100K     ns

                                                   tRSH    15   -        20   -        ns

                                                   tCP     10   -        10   -        ns

                                                   tCAS    10   10K      13   10K      ns

                                                   tCSH    40   -        45   -        ns

                                                   tCRP    10   -        10   -        ns

                                                   tRHCP   35   -        40   -        ns

                                                   tRCD    20   45       20   50       ns 5

                                                   tRAD    15   30       15   35       ns 6

                                                   tASR    0    -        0    -        ns

                                                   tRAH    10   -        13   -        ns

                                                   tASC    0    -        0    -        ns

                                                   tCAH    10   -        15   -        ns

                                                   tRAL    30   -        35   -        ns

                                                   tRCS    0    -        0    -        ns

                                                   tRCH    0    -        0    -        ns 9

                                                   tRRH    0    -        0    -        ns 9
          Semiconductor                                                                  MSC2383657D

AC Characteristics (2/2)                              (VCC = 5V 10%, Ta = 0C to +70C ) Note: 1, 2, 3, 10, 11

                               Parameter       Symbol  MSC2383657D   MSC2383657D   Unit  Note
                                                       -60BS20/DS20  -70BS20/DS20
   Write Command Set-up Time
   Write Command Hold Time                             Min. Max. Min. Max.
   Write Command Pulse Width
   /WE Pulse Width (DQ Disable)                tW CS   0   -         0   -         ns
   Write Command to /RAS Lead Time
   Write Command to /CAS Lead Time             tW CH   10  -         15  -         ns
   Data-in Set-up Time
   Data-in Hold Time                           tWP     10  -         10  -         ns
   /CAS Active Delay Time from /RAS Precharge
   /RAS to /CAS Set-up Time                    tW PE   10  -         10  -         ns
   (/CAS before /RAS)
   /RAS to /CAS Hold Time                      tRW L   15  -         20  -         ns
   (/CAS before /RAS)
   /WE to /RAS Precharge Time                  tCW L   15  -         20  -         ns
   (/CAS before /RAS)
   /WE Hold Time from /RAS                     tDS     0   -         0   -         ns
   (/CAS before /RAS)
   /RAS to /WE Set-up Time                     tDH     15  -         15  -         ns
   (Test Mode)
   /RAS to /WE Hold Time                       tRPC    10  -         10  -         ns
   (Test Mode)
                                               tCSR    10  -         10  -         ns

                                               tCHR    20  -         20  -         ns

                                               tW RP   10  -         10  -         ns

                                               tW RH   10  -         10  -         ns

                                               tW TS   10  -         10  -         ns

                                               tW TH   20  -         20  -         ns
Semiconductor  MSC2383657D

Notes: 1. A start-up delay of 200s is required after power-up, followed by a minimum of eight initialization cycles
               (/RAS only refresh or /CAS before /RAS refresh) before proper device operation is achieved.

2. The AC characteristics assumes tT = 5ns.

3. VIH(Min.) and VIL(Max.) are reference levels for measuring input timing signals. Transition time (tT) are
     measured between VIH and VIL.

4. This parameter is measured with a load circuit equivalent to 2TTL loads and 100pF.

5. Operation within the tRCD(Max.) limit ensures that tRAC(Max.) can be met.
     tRCD(Max.) is specified as a reference point only. If tRCD is greater than the specified tRCD(Max.) limit, then
     the access time is controlled by tCAC.

6. Operation within the tRAD(Max.) limit ensures that tRAC(Max.) can be met.
     tRAD(Max.) is specified as a reference point only. If tRAD is greater than the specified tRAD(Max.) limit, then
     the access time is controlled by tAA.

7. tCEZ(Max.), tREZ(Max.) and tWEZ(Max.) define the time at which the output achieves the open circuit
     condition and are not referenced to output voltage levels.

8. tCEZ and tREZ must be satisfied for open circuit condition.

9. tRCH or tRRH must be satisfied for a read cycle.

10. The test mode is initiated by performing a /WE and /CAS before /RAS refresh cycle. This mode is
      latched and remains in effect until the exit cycle is generated. The test mode specified in this data sheet
      is an 8-bit parallel test function. CA0, CA1 and CA10 are not used. In a read cycle, if all internal bits are
      equal, the DQ pin will indicate a high level. If any internal bits are not equal, the DQ pin will indicate a low
      level. The test mode is cleared and the memory device returned to its normal operating state by a /RAS
      only refresh or /CAS before /RAS refresh cycle.

11. In a test mode read cycle, the value of access time parameters is delayed for 5ns for the specified value.
      These parameters should be specified in test mode cycle by adding the above value to the specified
      value in this data sheet.
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