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MSA-0786-TR1G

器件型号:MSA-0786-TR1G
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:AVAGO
厂商官网:http://www.avagotech.com/
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器件描述

0 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 2000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数
MSA-0786-TR1G最大输入功率 13 dBm
MSA-0786-TR1G最大工作频率 2000 MHz
MSA-0786-TR1G最小工作频率 0.0 MHz
MSA-0786-TR1G加工封装描述 PLASTIC, LEAD FREE, 4 PIN
MSA-0786-TR1G无铅 Yes
MSA-0786-TR1G欧盟RoHS规范 Yes
MSA-0786-TR1G中国RoHS规范 Yes
MSA-0786-TR1G状态 DISCONTINUED
MSA-0786-TR1G最大电压驻波比 1.7
MSA-0786-TR1G结构 COMPONENT
MSA-0786-TR1G端子涂层 MATTE TIN
MSA-0786-TR1G阻抗特性 50 ohm
MSA-0786-TR1G微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER

MSA-0786-TR1G器件文档内容

MSA-0786
Cascadable Silicon Bipolar MMIC Amplifier

Data Sheet

Description                                                       Features

The MSA-0786 is a high performance silicon bipolar                 Cascadable 50  Gain Block
Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) housed              Low Operating Voltage: 4.0 V Typical Vd
in a low cost, surface mount plastic package. This MMIC            3 dB Bandwidth: DC to 2.0 GHz
is designed for use as a general purpose 50  gain block.           12.5 dB Typical at 1.0 GHz
Applications include narrow and broad band IF and RF               Unconditionally Stable (k>1)
amplifiers in commercial and industrial applications.              Surface Mount Plastic Package
                                                                   Tape-and-Reel Packaging Available
The MSA-series is fabricated using Avago's 10 GHz fT,              Lead-free Option Available
25 GHz fMAX, silicon bipolar MMIC process which uses
nitride self-alignment, ion implantation, and gold metal-
lization to achieve excellent performance, uniformity and
reliability. The use of an external bias resistor for tempera-
ture and current stability also allows bias flexibility.

86 Plastic Package

Typical Biasing Configuration

                                                 Rbias

                                                        VCC t5 V

       Cblock    4                 RFC (Optional)
IN
                          3            Cblock
               1 MSA                                   OUT

                     2       Vd = 4 V
MSA-0786 Absolute Maximum Ratings                     Absolute Maximum [1]         Thermal Resistance [2]:
Parameter                                             60 mA                        jc = 120C/W
                                                      275 mW
Device Current                                        +13 dBm                      Notes:
Power Dissipation [2, 3]                              150 C                       1. Permanent damage may occur if
RF Input Power                                        -65 to 150 C
Junction Temperature                                                                   any of these limits are exceeded.
Storage Temperature                                                                2. TCASE = 25 C.
                                                                                   3. Derate at 8.3 mW/C for TC >

                                                                                       117 C.

Electrical Specifications[1], TA = 25 C

Symbol        Parameters and Test Conditions: Id = 16 mA, ZO = 50           Units Min.   Typ.   Max.
GP
              Power Gain (|S21|2)                     f = 0.1 GHz           dB           13.5
                                                      f = 1.0 GHz
                                                                                   10.5  12.5

GP            Gain Flatness                           f = 0.1 to 1.3 GHz    dB           +0.7
f3 dB         3 dB Bandwidth[2]
VSWR          Input VSWR                                                    GHz          2.0

                                                      f = 0.1 to 2.5 GHz                 1.7:1

              Output VSWR                             f = 0.1 to 2.5 GHz                 1.7:1

NF            50  Noise Figure                        f = 1.0 GHz           dB           5.0

P1dB          Output Power at 1 dB Gain Compression   f = 1.0 GHz           dBm          5.5
IP3           Third Order Intercept Point             f = 1.0 GHz
tD            Group Delay                             f = 1.0 GHz           dBm          19.0
Vd            Device Voltage
dV/dT         Device Voltage Temperature Coefficient                        psec         150

                                                                            V      3.2   4.0    4.8

                                                                            mV/C        -7.0

Notes:
1. The recommended operating current range for this device is 15 to 40 mA. Typical performance as a function of current is on the following page.

Ordering Information

Part Numbers               No. of Devices Comments

MSA-0786-BLK               100            Bulk

MSA-0786-BLKG              100            Bulk

MSA-0786-TR1               1000           7" Reel

MSA-0786-TR1G              1000           7" Reel

Note: Order part number with a "G" suffix if lead-free option is desired.

2
MSA-0786 Typical Scattering Parameters (ZO = 50 , TA = 25 C, Id = 22 mA)

Freq.  S11         S21              S12                                                S22

GHz    Mag   Ang   dB    Mag   Ang  dB                                     Mag    Ang  Mag   Ang

0.1    0.05  175   13.5  4.74  174  -18.7                                  0.116  1    0.14  -12

0.2    0.05  174   13.4  4.71  169  -18.7                                  0.117  3    0.14  -22

0.4    0.04  167   13.3  4.64  158  -18.4                                  0.120  7    0.15  -44

0.6    0.04  175   13.1  4.52  148  -18.3                                  0.122  7    0.16  -65

0.8    0.05  -156  12.9  4.39  138  -18.0                                  0.126  8    0.17  -84

1.0    0.06  -134  12.6  4.25  127  -17.5                                  0.134  10   0.18  -102

1.5    0.08  -142  11.6  3.79  103  -16.6                                  0.148  9    0.21  -139

2.0    0.15  -159  10.5  3.34  80   -15.7                                  0.164  7    0.23  -164

2.5    0.25  -176  9.2   2.89  63   -15.1                                  0.176  5    0.24  174

3.0    0.33  166   7.8   2.45  44   -14.7                                  0.185  1    0.24  159

3.5    0.41  150   6.5   2.11  27   -14.9                                  0.179  -5   0.24  149

4.0    0.49  137   5.2   1.82  12   -15.1                                  0.177  -9   0.23  145

5.0    0.60  116   3.0   1.41  -14  -15.4                                  0.169  -14  0.26  145

3
Typical Performance, TA = 25 C

(unless otherwise noted)

             16                                                                           40

             14                                                                                  TC = +85 C
                                                                                                 TC = +25 C

             12                                                                           30     TC = 25 C

             10

Gp (dB)      8        Id = 15 mA                                         Id (mA)          20

             6        Id = 22 mA

             4        Id = 40 mA                                                          10

             2                                                                            0
                 Gain Flat to DC
                                  0.3 0.5 1.0                   3.0 6.0                       0           1   2          3     4         5
             0                     FREQUENCY (GHz)
                       0.1

                                                                                                                 Vd (V)

Figure 1. Typical Power Gain vs Frequency.                               Figure 2. Device Current vs. Voltage.

             14                                                                   15
                                                                                       Id = 40 mA
Gp (dB)      13
                                                                                  12

             12                                     GP

                                                    NF          6  NF (dB)                9
                                                                             P1 dB (dBm)      Id = 22 mA
                                                                5
                                                                                          6

                                                                4                         3

P1 dB (dBm)  6                                      P1 dB

             5                                                                            0
                                                                                              Id = 15 mA

             4                                                                            -3
                       -25 0 +25 +55 +85                                                  0.1    0.2 0.3 0.5             1.0   2.0       4.0
                                      TEMPERATURE (C)
                                                                                                              FREQUENCY (GHz)

Figure 3. Output Power at 1 dB Gain Compression, NF and Power Gain vs.   Figure 4. Output Power at 1 dB Gain Compression vs. Frequency.
Case Temperature, f = 1.0 GHz, Id = 22 mA.

             6.5

                      Id = 15 mA

                      Id = 22 mA

             6.0      Id = 40 mA

NF (dB)      5.5

             5.0

             4.5
                 0.1  0.2 0.3 0.5           1.0            2.0     4.0

                                  FREQUENCY (GHz)

Figure 5. Noise Figure vs. Frequency.

4
86 Plastic Package Dimensions       A07  4

                        0.51 0.13            RF OUTPUT
                     (0.020 0.005)           AND DC BIAS

                              GROUND                      CL
                                                  3
                  45                             2.34 0.38
            RF INPUT                            (0.092 0.015)
                                         2
                           1

                              GROUND

  1.52 0.25     2.67 0.38
(0.060 0.010)  (0.105 0.15)

                           5 TYP.       0.203 0.051
                                         (0.006 0.002)

  0.66 0.13                     8 MAX
(0.026 0.005)                   0 MIN
                  2.16 0.13
                (0.085 0.005)

0.30 MIN
(0.012 MIN)

Dimensions are in millimeters (inches)

For product information and a complete list of distributors, please go to our web site: www.avagotech.com

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