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MS13P21

器件型号:MS13P21
厂商名称:BWTECH
厂商官网:http://www.bruckewell-semi.com
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器件描述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

MS13P21器件文档内容

MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Description
These miniature surface mount MOSFETs utilize a high
cell density trench process to provide low rDS(on) and to
ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical
applications are DC-DC converters and power
management in portable and battery-powered products
such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and
cordless telephones.
Features
Low rDS(on) provides higher efficiency and extends
battery life
Low thermal impedance copper leadframe SC70-3
saves board space
Fast switching speed
High performance trench technology
RoHS compliant package
Packing & Order Information
3,000/Reel

Graphic symbol

Publication Order Number: [MS13P21]                         Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise specified)

Symbol   Parameter                                                            Value                Unit

VDS      Drain-Source Voltage                                                 -20                   V

VGS      Gate-Source Voltage                                                  8                    V

ID       Continuous Drain Currenta (TA=25C)                                  -1.7                  A

         Continuous Drain Currenta (TA =70C)                                 -1.4                  A

IDM      Pulsed Drain Currentb                                                -2.5                  A

IS       Continuous Source Current (Diode Conduction)a                        0.28                 A

         Power Dissipationa (TA =25C)                                        0.34                  W

PD       Power Dissipationa (TA =70C)                                        0.22                  W

TJ/TSTG  Operating Junction and Storage Temperature                           -55 to +150           C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Symbol   Parameter                                                            Maximum               Units
                                                                                  375               C/W
RTHJA    Maximum Junction-to-Ambient C/Wa (t <= 5 sec)                            430
         Maximum Junction-to-Ambient C/Wa (Steady-State)

Notes

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Static                                    Test Conditions                     Min Typ. Max. Units
Symbol Parameter

VGS      Gate Threshold Voltage           VDS = VGS, ID =-250A                -0.4                       V

IGSS     Gate-Body Leakage                VDS = 0 V , VGS = 8 V                               100 nA

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current  VDS = -16 V , VGS = 0 V                              -1        uA
ID(on)                                    VDS = -16 V , VGS = 0 V , TJ= 55C
                                                                                               -10

         On-State Drain CurrentA          VDS = -5 V, VGs = -4.5 V            -5                         A

IDS(on)  Drain-Source On-ResistanceA      VGS = -4.5 V, ID = -1.7 A                            79        m
gfs      Forward TranconductanceA         VGS = -2.5 V, ID = -1.5 A
                                          VDS = -5V, ID = -1.25 A                              110

                                                                                           9             S

VSD      Diode Forward Voltage            IS = -0.46 V, VGS = 0 V                       -0.65            V

Dynamicb                             Test Conditions                 Min            Typ.       Max. Units
Symbol Parameter
                                     VDD = -10 V , IL = -1 A,
td(on)   Turn-On Delay Time          VGEN = -4.5 V , RG = 6          --             10         --        ns

tr       Rise Time                                                   --             9          --        ns

td(off)  Turn-Off Delay Time                                         --             27         --        ns

tf       Fall Time                                                   --             11         --        ns

Publication Order Number: [MS13P21]                                  Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Dynamicb                             Test Conditions            Min  Typ.  Max. Units
Symbol Parameter
                                     VDS= -10 V , ID = -1.7 A,
Qg   Total Gate Charge               VGS= -4.5 V                --   7.2   --  nC

Qgs  Gate-Source Charge                                         --   1.7   --  nC

Qgd  Gate-Drain Charge                                          --   1.5   --  nC

Publication Order Number: [MS13P21]                              Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Typical Electrical Characteristics

FIG.1-ON REGION CHARACTERISTICS       FIG.2-ON-RESISTANCE VARIATION WITH
                                      DRAIN CURRENT AND GATE VOLTAGE

FIG.3-ON RESISTANCE VARIATION WITH    FIG.4-ON-RESISTANCE VARIATION WITH GATE TO
TEMPERATURE                           SOURCE VOLTAGE

FIG.5-TRANSFER CHARACTERISTICS        FIG.6-BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION
                                      WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
Publication Order Number: [MS13P21]
                                                            Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Typical Electrical Characteristics

FIG.7-GATE CHARGE CHARACTERISTIC         FIG.8-CAPACITANCE CHARACTERISTIC

FIG.9-MAXIMUM SAFE OPERATING AREA        FIG.10-SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION

FIG.11-TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE   Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014

Publication Order Number: [MS13P21]
MS13P21

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

laimer
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WITHOUT NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.
Bruckewell Technology Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or
their behalf (collectively, "Bruckewell"), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or
incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product.
Bruckewell makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products
for any particular purpose or the continuing production of any product. To the maximum extent
permitted by applicable law, Bruckewell disclaims
(i) Any and all liability arising out of the application or use of any product.
(ii) Any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
(iii) Any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular purpose,
non-infringement and merchantability.
Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on
Bruckewell's knowledge of typical requirements that are often placed on Bruckewell products in
generic applications.
Such statements are not binding statements about the suitability of products for a particular
application. It is the customer's responsibility to validate that a particular product with the properties
described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters
provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance
may vary over time.
Product specifications do not expand or otherwise modify Bruckewell's terms and conditions of
purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.

Publication Order Number: [MS13P21]   Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
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