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MRF6S27015NR1_07

器件型号:MRF6S27015NR1_07
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:FREESCALE (NXP )
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器件描述

S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA

S波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管, TO-270AA

参数
MRF6S27015NR1_07端子数量 2
MRF6S27015NR1_07最小击穿电压 68 V
MRF6S27015NR1_07加工封装描述 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-270, CASE 1265-09, 2 PIN
MRF6S27015NR1_07欧盟RoHS规范 Yes
MRF6S27015NR1_07状态 ACTIVE
MRF6S27015NR1_07包装形状 RECTANGULAR
MRF6S27015NR1_07包装尺寸 FLANGE MOUNT
MRF6S27015NR1_07表面贴装 Yes
MRF6S27015NR1_07端子形式 FLAT
MRF6S27015NR1_07端子涂层 TIN
MRF6S27015NR1_07端子位置 DUAL
MRF6S27015NR1_07包装材料 PLASTIC/EPOXY
MRF6S27015NR1_07结构 SINGLE
MRF6S27015NR1_07壳体连接 SOURCE
MRF6S27015NR1_07元件数量 1
MRF6S27015NR1_07晶体管应用 AMPLIFIER
MRF6S27015NR1_07晶体管元件材料 SILICON
MRF6S27015NR1_07通道类型 N-CHANNEL
MRF6S27015NR1_07场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MRF6S27015NR1_07操作模式 ENHANCEMENT
MRF6S27015NR1_07晶体管类型 RF POWER
MRF6S27015NR1_07最高频带 S BAND

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MRF6S27015NR1_07器件文档内容

Freescale Semiconductor                                                              Document Number: MRF6S27015N
Technical Data                                                                                                    Rev. 1, 6/2007

RF Power Field Effect Transistors                                                       MRF6S27015NR1
                                                                                       MRF6S27015GNR1
N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
                                                                                        2300 - 2700 MHz, 3 W AVG., 28 V
   Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2000 to                     SINGLE W - CDMA
2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class
AB and Class C amplifier applications.                                                        LATERAL N - CHANNEL
                                                                                               RF POWER MOSFETs
Typical Single - Carrier W - CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ =
    160 mA, Pout = 3 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =                       CASE 1265 - 08, STYLE 1
    3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.                                                    TO - 270 - 2
       Power Gain -- 14 dB                                                                                 PLASTIC
       Drain Efficiency -- 22%
       ACPR @ 5 MHz Offset -- - 45 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth                                 MRF6S27015NR1

Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2600 MHz, 15 Watts CW                                CASE 1265A - 02, STYLE 1
    Output Power                                                                                      TO - 270 - 2 GULL
                                                                                                           PLASTIC
Features
                                                                                                    MRF6S27015GNR1
Characterized with Series Equivalent Large - Signal Impedance Parameters

Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
Integrated ESD Protection
225C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

Table 1. Maximum Ratings

                          Rating                                  Symbol             Value         Unit

Drain - Source Voltage                                                        VDSS   - 0.5, +68    Vdc
Gate - Source Voltage                                                         VGS
Storage Temperature Range                                                      Tstg  - 0.5, +12    Vdc
Case Operating Temperature                                                     TC
Operating Junction Temperature (1,2)                                           TJ    - 65 to +175  C

                                                                                     150           C

                                                                                     225           C

Table 2. Thermal Characteristics

                          Characteristic                          Symbol             Value (2,3)   Unit

Thermal Resistance, Junction to Case                                          RJC                             C/W
   Case Temperature 80C, 7.5 W Avg., Two - Tone                                     2.0
   Case Temperature 79C, 3 W CW                                                     2.2

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF

    calculators by product.
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

    Select Documentation/Application Notes - AN1955.

Freescale Semiconductor, Inc., 2006-2007. All rights reserved.                     MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
                                                                                                                                        1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 3. ESD Protection Characteristics

                   Test Methodology                                                    Class

Human Body Model (per JESD22 - A114)                                                   1A (Minimum)

Machine Model (per EIA/JESD22 - A115)                                                  A (Minimum)

Charge Device Model (per JESD22 - C101)                                                IV (Minimum)

Table 4. Moisture Sensitivity Level

                   Test Methodology                                     Rating   Package Peak Temperature  Unit

Per JESD 22 - A113, IPC/JEDEC J - STD - 020                             3              260                 C

Table 5. Electrical Characteristics (TC = 25C unless otherwise noted)

                   Characteristic                                       Symbol   Min   Typ           Max   Unit

Off Characteristics                                                     IDSS     --    --            10    Adc

  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                               IDSS     --    --            1     Adc
     (VDS = 68 Vdc, VGS = 0 Vdc)
                                                                        IGSS     --    --            500   nAdc
  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
     (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)

  Gate - Source Leakage Current
     (VGS = 5 Vdc, VDS = 0 Vdc)

On Characteristics                                                      VGS(th)  1.5   2.2           3.5   Vdc

  Gate Threshold Voltage                                                VGS(Q)   --    2.8           --    Vdc
     (VDS = 10 Vdc, ID = 40 Adc)
                                                                        VGG(Q)   2.2   3.1           4.4   Vdc
  Gate Quiescent Voltage
     (VDS = 28 Vdc, ID = 160 mAdc)                                      VDS(on)  --    0.27          0.4   Vdc

  Fixture Gate Quiescent Voltage (1)                                    Crss     --    11.6          --    pF
     (VDD = 28 Vdc, ID = 160 mAdc, Measured in Functional Test)
                                                                        Coss     --    22.9          --    pF
  Drain - Source On - Voltage
     (VGS = 10 Vdc, ID = 0.4 Adc)

Dynamic Characteristics (2)

  Reverse Transfer Capacitance
     (VDS = 28 Vdc 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc)

  Output Capacitance
     (VDS = 28 Vdc 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc)

Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA, Pout = 3 W Avg., f = 2600 MHz, Single - Carrier
W - CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ 5 MHz Offset. PAR = 8.5 dB @

0.01% Probability on CCDF.

Power Gain                                                              Gps      12.5  14            16    dB

Drain Efficiency                                                        D        19    22            --    %

Adjacent Channel Power Ratio                                            ACPR     --    - 45          - 42  dBc

Input Return Loss                                                       IRL      --    - 18          -9    dB

1. VGG = 11/10 x VGS(Q). Parameter measured on Freescale Test Fixture, due to resistive divider network on the board. Refer to Test Circuit
    schematic.

2. Part internally input matched.

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                                              RF Device Data
2                                                                                            Freescale Semiconductor
                  R1

VBIAS                                                                                 VSUPPLY

            +

            C11        R2 C1 C2    Z7                                            C4 C7 C8
                                                                  Z18
  RF                               R3              Z8 Z9 Z10                                                           RF
INPUT Z1                              Z6                           Z11 Z12 Z13 Z14 Z15 Z16                  Z17 OUTPUT

                      Z2 Z3 Z4 Z5                                                                       C6

            C3                                     DUT            Z19

                                                                                      VSUPPLY

                                                                       C5 C9 C10

                  Z1     0.503 x 0.066 Microstrip            Z11       0.143 x 0.816 Microstrip
                                                             Z12       0.101 x 0.667 Microstrip
                  Z2     0.905 x 0.066 Microstrip            Z13       0.073 x 0.485 Microstrip
                                                             Z14       0.120 x 0.021 Microstrip
                  Z3     0.371 x 0.300 x 0.049 Taper         Z15       0.407 x 0.170 Microstrip
                                                             Z16       0.714 x 0.066 Microstrip
                  Z4     0.041 x 0.016 Microstrip            Z17       0.496 x 0.066 Microstrip
                                                             Z18       0.475 x 0.050 Microstrip
                  Z5     0.245 x 0.851 Microstrip            Z19       0.480 x 0.050 Microstrip
                                                             PCB       Taconic RF - 35, 0.030, r = 3.5
                  Z6     0.248 x 0.851 Microstrip

                  Z7     0.973 x 0.050 Microstrip

                  Z8     0.085 x 0.485 Microstrip

                  Z9     0.091 x 0.667 Microstrip

                  Z10    0.138 x 0.816 Microstrip

                         Figure 1. MRF6S27015NR1(GNR1) Test Circuit Schematic

Table 6. MRF6S27015NR1(GNR1) Test Circuit Component Designations and Values

            Part                   Description                         Part Number         Manufacturer
                                                                                      Kemet
C1                       100 nF Chip Capacitor                    CDR33BX104AKYS      ATC
                                                                                      ATC
C2                       4.7 pF Chip Capacitor                    ATC100B4R7BT500XT   ATC
                                                                                      Murata
C3                       9.1 pF Chip Capacitor                    ATC100B9R1BT500XT   Kemet
                                                                                      Vishay
C4, C5, C6               8.2 pF Chip Capacitors                   ATC100B8R2BT500XT   Vishay
                                                                                      Vishay
C7, C8, C9, C10          10 F, 50 V Chip Capacitors               GRM55DR61H106KA88L

C11                      10 F, 35 V Tantalum Chip Capacitor       T491D106K035AS

R1                       1 K, 1/4 W Chip Resistor                 CRCW12061001FKTA

R2                       10 K,1/4 W Chip Resistor                 CRCW12061002FKTA

R3                       10 , 1/4 W Chip Resistor                 CRCW120610R0FKTA

RF Device Data                                                         MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                   3
C11        R2 C1 C2                             C4
     R1
                                                                  C7 C8
                              R3                                         C6

C3

                                  CUT OUT AREA

                                                                                        C9 C10
                                                C5

MRF6S27015N Rev. 3

     Figure 2. MRF6S27015NR1(GNR1) Test Circuit Component Layout

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                   RF Device Data
4                                                                 Freescale Semiconductor
                                                                                               TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                                        16                                                                           24

                                                                        15                                                                           23    D, DRAIN
                                                                                                                                                              EFFICIENCY (%)
                                                                        14 Gps                                                                       22

                                                  Gps, POWER GAIN (dB)  13                     VDD = 28 Vdc, Pout = 3 W (Avg.)                       21                                    IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
                                                                              D
                                                                                               IDQ = 160 mA, Single-Carrier W-CDMA                   20    ACPR (dBc), ALT1 (dBc)  -5
                                                                        12
                                                                                               3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
                                                                                          IRL
                                                                        11                     @ 0.01% Probability (CCDF)                            - 30
                                                                                                                                                                                   - 10

                                                                        10 ACPR                                                                      - 40                          - 15

                                                                        9                                                                            - 50                          - 20

                                                                              ALT1                                                                   - 60                          - 25
                                                                        8

                                                                        2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700

                                                                                               f, FREQUENCY (MHz)

                                                  Figure 3. Single - Carrier W - CDMA Broadband Performance
                                                                             @ Pout = 3 Watts Avg.

                                                                        15                                                                           32

                                                                        14 Gps                                                                       31    D, DRAIN
                                                                        13                                                                                    EFFICIENCY (%)
                                                                                                                                                     30
                                                                        12 D
                                                  Gps, POWER GAIN (dB)  11                     VDD = 28 Vdc, Pout = 6 W (Avg.)                       29                                    IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
                                                                                               IDQ = 160 mA, Single-Carrier W-CDMA
                                                                                     IRL
                                                                        10                     3.84 MHz Channel Bandwidth                            28    ACPR (dBc), ALT1 (dBc)  -5

                                                                         9 ACPR                PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)

                                                                                                                                                     - 30                          - 10

                                                                                                                                                     - 40                          - 15

                                                                        8 ALT1                                                                       - 50                          - 20

                                                                        7                                                                            - 60                          - 25

                                                                        2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700

                                                                                               f, FREQUENCY (MHz)

                                                  Figure 4. Single - Carrier W - CDMA Broadband Performance
                                                                             @ Pout = 6 Watts Avg.

Gps, POWER GAIN (dB)  16                                                                       IMD, THIRD ORDER                     - 10
                                    IDQ = 240 mA                                                  INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
                                                                                                                                    -15 VDD = 28 Vdc
                              190 mA                                                                                                        f1 = 2595 MHz, f2 = 2605 MHz
                      15
                                                                                                                                    -20 Two -Tone Measurements
                            160 mA
                      14 130 mA                                                                                                     - 25

                                                                                                                                    -30 IDQ = 80 mA                                240 mA
                                                                                                                                    - 35

                                                                                                                                    - 40

                      13 80 mA                                                                                                      - 45                                                                                    190 mA

                      12                          VDD = 28 Vdc                                                                      - 50                                           160 mA
                         1                        f1 = 2592 MHz, f2 = 2605 MHz                                                             130 mA
                                                  Two -Tone Measurements
                                                                                                                                    - 55
                                                                      10
                                                                                                                                    - 60

                                                                                                                                          1                                                                             10

                                Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP                                                                                            Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP

                      Figure 5. Two - Tone Power Gain versus                                                                              Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
                                        Output Power                                                                                                         versus Output Power

RF Device Data                                                                                                                                           MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                                                                                     5
                                                                                                                   TYPICAL CHARACTERISTICS

IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)  - 15                                                                                                IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)  - 25                                                                      IM3 -U
                                       -20 VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA
                                                                                                                                                                                         VDD = 28 Vdc, Pout = 15 W (PEP)
                                               f1 = 2595 MHz, f2 = 2605 MHz                                                                                                       -30 IDQ = 160 mA
                                       -25 Two -Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
                                                                                                                                                                                  -35 Two -Tone Measurements                                                IM3 -L
                                       - 30

                                       - 35                                                                                                                                              (f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2600 MHz
                                       -40 3rd Order
                                                                                                                                                                                  - 40
                                                                                                                                                                                                                                            IM5 -U

                                       - 45                                                                                                                                       - 45

                                                                                                                                                                                                                                                    IM5 -L

                                       -50 5th Order                                                                                                                              - 50          IM7 -U
                                       - 55
                                                                                                                                                                                                                IM7 -L
                                       - 60                                                                                                                                       - 55

                                       - 65     7th Order                                                                                                                         - 60
                                                                                                                                                                                      1
                                             1                                                                 10                                                                                                       10                                          100

                                                              Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP                                                                                                    TWO -TONE SPACING (MHz)

                                                Figure 7. Intermodulation Distortion Products                                                                                            Figure 8. Intermodulation Distortion Products
                                                                 versus Output Power                                                                                                                      versus Tone Spacing

                                                                                                           50                                                                            Ideal

                                                                                                           49                  P6dB = 44.3 dBm (27 W)

                                                           Pout, OUTPUT POWER (dBm)                        48

                                                                                                           47      P3dB = 43.7 dBm (23 W)

                                                                                                           46

                                                                                                           45 P1dB = 43 dBm (20 W)                                                              Actual
                                                                                                           44
                                                                                                           43

                                                                                                           42                          VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA

                                                                                                           41                          Pulsed CW, 12 sec(on), 1% Duty Cycle

                                                                                                                                       f = 2600 MHz

                                                                                                           40

                                                                                                               26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36

                                                                                                                                     Pin, INPUT POWER (dBm)

                                                                                                                   Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
                                                                                                                                        Input Power

                                                           D, DRAIN EFFICIENCY (%), Gps, POWER GAIN (dBc)  50                                                                                                 - 20

                                                                                                           45      VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA, f = 2600 MHz                                                   - 25
                                                                                                                   Single -Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel

                                                                                                           40 Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%                                                                 - 30          ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
                                                                                                                   Probability (CCDF)

                                                                                                           35                                                                                                 - 35

                                                                                                           30                                                                                                 - 40

                                                                                                                                                                                         ALT1

                                                                                                           25                  ACPR                                               D                           - 45

                                                                                                           20                                                                                                 - 50

                                                                                                           15                                                                                   Gps -55

                                                                                                           10                                                                                                 - 60

                                                                                                           5                                                                                              - 65
                                                                                                                            1                                                            10

                                                                                                                               Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.

                                                                                                                   Figure 10. Single - Carrier W - CDMA ACPR,
                                                                                                                     ALT1, Power Gain and Drain Efficiency
                                                                                                                                  versus Output Power

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                                                                                                                                                                                                     RF Device Data
6                                                                                                                                                                                                                                                   Freescale Semiconductor
                                                                         TYPICAL CHARACTERISTICS

                         18                                                      64                                    15

                         17                                              - 30_C  56                                                                                                 IDQ = 160 mA
                               Gps                                                                                                                                                  f = 2600 MHz
                                       TC = -30_C                            25_C 48  D, DRAIN EFFICIENCY (%)          14
                         16                  25_C                        85_C                   Gps, POWER GAIN (dB)
Gps, POWER GAIN (dB)                         85_C
                         15                                                      40                                    13

                         14                                                      32

                         13                                                      24                                    12

                         12         D                                            16                                                    VDD = 24 V 28 V 32 V

                                          VDD = 28 Vdc                                                                 11

                         11               IDQ = 160 mA                           8
                                          f = 2600 MHz

                         10                                                      0                                     10

                             1                                       10                                                     5  10  15           20            25                                  30

                                       Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW                                                                        Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
                                                                                                                               Figure 12. Power Gain versus Output Power
                                Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
                                            versus CW Output Power

                         25                                                      3                                     109

                                VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA                            EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (%)
                                                                                              MTTF (HOURS)
                                WiMAX, 802.16, 64 QAM 3/4, 4 Bursts              2.5

D, DRAIN EFFICIENCY (%)  20 7 MHz Channel Bandwidth, f = 2600 MHz

                                                                                                                       108

                         15                                                      2

                         10                                                      1.5                                   107

                                       D

                         5                                  EVM                  1

                         0                                                       0.5                                   106     110 130 150 170  190 210 230 250
                                                                                                                           90
                             21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36

                                                  Pout, OUTPUT POWER (dBm)                                                     TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)

                                Figure 13. Drain Efficiency and Error Vector                                                This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
                                        Magnitude versus Output Power                                                       is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 3 W Avg., and D = 22%.

                                                                                                                            MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
                                                                                                                            Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu-
                                                                                                                            lators by product.

                                                                                                                            Figure 14. MTTF versus Junction Temperature

RF Device Data                                                                                                                     MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                                                               7
                                                    W - CDMA TEST SIGNAL

100                                                                                                        - 10
                                                                                                                                                  3.84 MHz

                                                                                                           - 20                      Channel BW

10

                                                                                                           - 30

1PROBABILITY (%)                                                                                           - 40
                                                                                                     (dB)
  0.1                                                                                                      - 50
         W-CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
                                                                                                           - 60
0.01 Bandwidth @ 5 MHz Offset. PAR = 8.5 dB @
         0.01% Probability on CCDF                                                                         - 70

0.001                                                                                                      - 80

0.0001                                                                                                     - 90   -ACPR in 3.84 MHz                         -ACPR in 3.84 MHz
        0                                                                                                                                                     Integrated BW
                                                                                                                  Integrated BW

           2  4               6                     8  10                                                  - 100

              PEAK -TO-AVERAGE (dB)                                                                        - 110
                                                                                                                -9 -7.2 -5.4 -3.6 -1.8 0 1.8 3.6 5.4 7.2 9
  Figure 15. CCDF W - CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single - Carrier Test Signal                                                                                        f, FREQUENCY (MHz)
                                                                                                                   Figure 16. Single - Carrier W - CDMA Spectrum

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                                                                                      RF Device Data
8                                                                                                                                    Freescale Semiconductor
                                       f = 2700 MHz                                Zo = 5
                                                            Zload

                                                     f = 2500 MHz

                         f = 2700 MHz

                                                                   f = 2500 MHz

                                       Zsource

                                   VDD = 28 Vdc, IDQ = 160 mA, Pout = 3 W Avg.

                           f           Zsource                     Zload
                         MHz              W                          W

                         2500      4.059 - j2.284                  3.380 - j0.543
                         2525      3.679 - j2.593                  3.265 - j0.546
                         2550      3.006 - j2.574                  3.077 - j0.449
                         2575      2.355 - j2.190                  2.892 - j0.336
                         2600      2.075 - j1.657                  2.727 - j0.182
                         2625      1.930 - j1.179                  2.564 - j0.034
                         2650      1.973 - j0.771                  2.435 + j0.140
                         2675      2.017 - j0.557                  2.286 + j0.340
                         2700      2.024 - j0.379                  2.227 + j0.538

                         Zsource = Test circuit impedance as measured from
                                        gate to ground.

                         Zload = Test circuit impedance as measured
                                        from drain to ground.

                         Input               Device                Output
                         Matching            Under                 Matching
                         Network             Test                  Network

                                   Z source          Z load

                         Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance

RF Device Data                                                                     MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                               9
Table 7. Common Source Scattering Parameters (VDD = 28 V, IDQ = 160 mA, TC = 25C, 50 ohm system)

  f          S11                     S21                S12                      S22
MHz                                                                   |S22|
      |S11|                   |S21|              |S12|                                             
                                                                                                   - 122.3
500   0.984       - 178.2     1.453       39.2   0.001       - 109.8  0.870

550   0.984       - 179.0     1.180       36.5   0.000       - 121.0  0.888                        - 127.6

600   0.986       180.0       0.958       34.4   0.000       159.6    0.901                        - 132.0

650   0.987       179.0       0.776       33.0   0.001       118.4    0.911                        - 135.8

700   0.987       178.1       0.627       32.3   0.001       106.5    0.921                        - 139.1

750   0.986       177.3       0.502       32.5   0.001       104.2    0.931                        - 142.1

800   0.985       176.5       0.397       34.1   0.002       96.0     0.940                        - 144.8

850   0.985       175.8       0.308       37.7   0.002       95.6     0.944                        - 147.3

900   0.984       175.1       0.235       44.5   0.003       94.0     0.951                        - 149.5

950   0.983       174.5       0.180       56.5   0.003       91.2     0.956                        - 151.5

1000  0.982       173.8       0.146       75.6   0.003       91.2     0.962                        - 153.4

1050  0.981       173.2       0.142       98.9   0.004       89.9     0.965                        - 155.2

1100  0.980       172.5       0.163       118.0  0.004       89.2     0.969                        - 156.8

1150  0.978       171.9       0.199       129.9  0.005       88.9     0.973                        - 158.3

1200  0.976       171.2       0.243       136.6  0.005       87.4     0.976                        - 159.8

1250  0.974       170.5       0.291       140.2  0.006       86.5     0.980                        - 161.1

1300  0.970       169.8       0.342       141.8  0.006       86.3     0.983                        - 162.4

1350  0.966       169.0       0.395       142.1  0.006       84.6     0.986                        - 163.7

1400  0.960       168.3       0.452       141.5  0.006       84.8     0.988                        - 164.9

1450  0.953       167.5       0.514       140.2  0.007       86.9     0.990                        - 166.1

1500  0.945       166.6       0.580       138.4  0.007       92.5     0.993                        - 167.3

1550  0.933       165.8       0.655       135.9  0.009       100.3    0.992                        - 168.4

1600  0.918       164.9       0.738       132.5  0.011       93.7     0.994                        - 169.4

1650  0.901       164.1       0.828       128.4  0.013       83.6     0.996                        - 170.4

1700  0.879       163.2       0.925       123.5  0.014       75.4     0.997                        - 171.6

1750  0.850       162.5       1.030       117.6  0.014       69.1     0.998                        - 172.8

1800  0.815       162.2       1.139       110.8  0.015       62.8     0.995                        - 173.9

1850  0.775       162.5       1.246       102.7  0.016       55.8     0.991                        - 175.0

1900  0.734       164.0       1.337       93.6   0.016       48.2     0.984                        - 176.0

1950  0.700       167.0       1.399       83.5   0.015       40.3     0.976                        - 176.9

2000  0.683       171.0       1.420       73.1   0.015       33.2     0.966                        - 177.6

2050  0.687       175.1       1.396       62.9   0.014       26.5     0.957                        - 178.0

2100  0.710       178.5       1.338       53.4   0.012       22.1     0.951                        - 178.3

2150  0.741       - 179.3     1.259       45.0   0.011       19.8     0.948                        - 178.6

2200  0.774       - 178.2     1.169       37.6   0.010       19.7     0.947                        - 178.9

2250  0.805       - 177.8     1.079       31.1   0.009       19.7     0.947                        - 179.2

2300  0.832       - 177.9     0.993       25.8   0.008       19.6     0.948                        - 179.5

2350  0.855       - 178.2     0.917       21.2   0.007       22.6     0.950                        - 179.9

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                       RF Device Data
10                                                                    Freescale Semiconductor
Table 7. Common Source Scattering Parameters (VDD = 28 V, IDQ = 160 mA, TC = 25C, 50 ohm system) (continued)

  f                      S11                  S21                 S12               S22
MHz
      |S11|                            |S21|               |S12|             |S22|      

2400  0.873                   - 178.8  0.848       17.2    0.006       31.2  0.953       179.7

2450  0.887                   - 179.4  0.786       13.7    0.006       42.2  0.955       179.2

2500  0.897                   - 179.9  0.731       10.6    0.007       45.6  0.956       178.7

2550  0.907                   179.6    0.682       7.9     0.007       46.5  0.957       178.2

2600  0.914                   179.1    0.639       5.5     0.007       48.0  0.958       177.8

2650  0.919                   178.8    0.600       3.3     0.007       47.0  0.960       177.2

2700  0.926                   178.3    0.566       1.3     0.007       45.8  0.962       176.8

2750  0.931                   177.9    0.534       - 0.6   0.006       52.1  0.964       176.2

2800  0.936                   177.4    0.505       - 2.2   0.006       62.3  0.965       175.7

2850  0.940                   177.0    0.480       - 3.8   0.006       69.8  0.966       175.2

2900  0.942                   176.6    0.457       - 5.2   0.007       73.2  0.967       174.7

2950  0.945                   176.3    0.436       - 6.5   0.007       78.7  0.968       174.2

3000  0.947                   175.8    0.416       - 7.6   0.008       85.1  0.969       173.8

3050  0.949                   175.6    0.399       - 8.7   0.009       87.9  0.969       173.2

3100  0.950                   175.1    0.382       - 9.6   0.011       88.2  0.970       172.9

3150  0.953                   174.8    0.368       - 10.5  0.012       86.9  0.972       172.6

3200  0.955                   174.5    0.355       - 11.5  0.014       85.1  0.974       172.1

RF Device Data                                                         MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                 11
                              PACKAGE DIMENSIONS

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                   RF Device Data
12                                                Freescale Semiconductor
RF Device Data           MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                   13
MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1               RF Device Data
14                            Freescale Semiconductor
    B                            E1           2X

                                 2X           D3

                                 E4                             PIN ONE ID

                                                                                                              L1    GAGE
                                                                                                                    PLANE

aaa M C A

    D                                                                     e     L                                   A1
                                                 D1
                             2X                                                         DETAIL Y

aaa M C A b1

                                     E                                          NOTES:
                                                                 A                1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
                                                                                  2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
                                 bbb M C B                                            PER ASME Y14.5M-1994.
                                                                                  3. DATUM PLANE -H- IS LOCATED AT TOP OF LEAD
                              DETAIL Y                                                AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE
                                                                                      THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE
H                                                                                     TOP OF THE PARTING LINE.
                                                                                  4. DIMENSIONS "D1" AND "E1" DO NOT INCLUDE
                                              A                        A2             MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
                                                                                      IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D1" AND "E1" DO
c1                               2X                                                   INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE DETER-
                                                                                      MINED AT DATUM PLANE -H-.
                                 E2                                    SEATING    5. DIMENSION b1 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
                                                                       PLANE          PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
                                                                    D                 PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
                                                                                      OF THE b1 DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
                                                                                      CONDITION.
                                                                                  6. DATUMS -A- AND -B- TO BE DETERMINED AT
                                                                                      DATUM PLANE -H-.
                                                                                  7. DIMENSIONS "D" AND "E2" DO NOT INCLUDE
                                                                                      MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
                                                                                      IS .003 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E2" DO
                                                                                      INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE DETER-
                                                                                      MINED AT DATUM PLANE -D-.

                                 E5                                                     INCHES            MILLIMETERS

                                                                                   DIM MIN MAX MIN MAX

                                 E5                                                A .078 .082 1.98 2.08

PIN 2                 E3                                                A1 .001 .004 0.02 0.10
   D2
                                                              EXPOSED              A2 .077 .088 1.96 2.24
                                                         HEATSINK AREA
                                                                                   D .416 .424 10.57 10.77
                                                                    PIN 1
                                                                                   D1 .378 .382 9.60 9.70

                                                                                   D2 .290 .320 7.37 8.13

                                                                                   D3 .016 .024 0.41 0.61

                                                                                   E .316 .324 8.03 8.23

                                                                                   E1 .238 .242 6.04 6.15

    PIN 3                                                E2 .066 .074 1.68 1.88

                                                                                   E3 .150 .180 3.81 4.57

                                                                                   E4 .058 .066 1.47 1.68

                                                                                   E5 .231 .235 5.87 5.97

                                                                                   L .018 .024 4.90 5.06

                                                                                   L1   .01 BSC           0.25 BSC

                                                                                   b1 .193 .199 4.90 5.06

                                                                                   c1 .007 .011 0.18 0.28

                                                                                   e    2            8  2        8

                                                                                   aaa  .004                  0.10

                                 BOTTOM VIEW                                       STYLE 1:
                                                                                      PIN 1. DRAIN
                                                                                           2. GATE
                                                                                           3. SOURCE

                                              CASE 1265A - 02
                                                    ISSUE B

                                              TO - 270- 2 GULL

                                                   PLASTIC
                                              MRF6S27015GN

RF Device Data                                                                          MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
Freescale Semiconductor                                                                                                                  15
                                                      PRODUCT DOCUMENTATION

   Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1907: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Plastic Packages
AN1949: Mounting Method for the MHVIC910HNR2 (PFP - 16) and Similar Surface Mount Packages
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
AN3263: Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over - Molded Plastic Packages
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

                                                           REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.

Revision     Date                                                                     Description
     0    Aug. 2006
     1    June 2007   Initial Release of Data Sheet

                      Added Case Operating Temperature limit to the Maximum Ratings table and set limit to 150_C, p. 1
                      Operating Junction Temperature increased from 200_C to 225_C in Maximum Ratings table, related

                         "Continuous use at maximum temperature will affect MTTF" footnote added and changed 200_C to
                         225_C in Capable Plastic Package bullet, p, 1
                      Removed footnote and "Measured in Functional Test" from the RF test condition voltage callout for VGS(Q),
                         and added Fixture Gate Quiescent Voltage, VGG(Q) to On Characteristics table, p. 2
                      VDS(on) Typ and Min values corrected in On Characteristics table, p. 2
                      Output Capacitance Typ value corrected in Dynamic Characteristics table, p. 2
                      Updated Part Numbers in Table 6, Component Designations and Values, to RoHS compliant part
                         numbers, p. 3
                      Replaced Fig. 14, MTTF versus Junction Temperature with updated graph. Removed Amps2 and listed
                         operating characteristics and location of MTTF calculator for device, p. 7
                      Fig. 15, CCDF W - CDMA 3GPP, Test Model 1, 64 DPCH, 50% Clipping, Single - Carrier Test Signal,
                         updated to remove IM3 measurement copy from callout in graph, p. 8
                      Updated Fig. 16, Single - Carrier W - CDMA Spectrum, to correctly reflect integrated bandwidth offsets, p. 8

MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1                                                              RF Device Data
16                                                                           Freescale Semiconductor
How to Reach Us:                                        Information in this document is provided solely to enable system and software
                                                        implementers to use Freescale Semiconductor products. There are no express or
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Web Support:                                            Freescale Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to
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Technical Information Center, EL516                     limitation consequential or incidental damages. "Typical" parameters that may be
2100 East Elliot Road                                   provided in Freescale Semiconductor data sheets and/or specifications can and do
Tempe, Arizona 85284                                    vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating
+1 - 800 - 521 - 6274 or +1 - 480 - 768 - 2130          parameters, including "Typicals", must be validated for each customer application by
www.freescale.com/support                               customer's technical experts. Freescale Semiconductor does not convey any license
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Europe, Middle East, and Africa:                        not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for
Freescale Halbleiter Deutschland GmbH                   surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life,
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Schatzbogen 7                                           could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer
81829 Muenchen, Germany                                 purchase or use Freescale Semiconductor products for any such unintended or
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