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MRF5S19130SR3

器件型号:MRF5S19130SR3
厂商名称:Motorola ( NXP )
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF5S19130SR3器件文档内容

MOTOROLA                                   Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                  Order this document
                                                                                                                                                             by MRF5S19130/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MRF5S19130R3 and MRF5S19130SR3 replaced by MRF5S19130HR3 and

MRF5S19130HSR3. "H" suffix indicates lower thermal resistance package.       MRF5S19130R3

The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors MRF5S19130SR3

N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs

   Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from               1990 MHz, 26 W AVG.,
1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier                         2 x N - CDMA, 28 V
applications.
                                                                                       LATERAL N - CHANNEL
Typical 2 - Carrier N - CDMA Performance for VDD = 28 Volts,                          RF POWER MOSFETs
    IDQ = 1200 mA, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
    IS - 95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)            CASE 465B - 03, STYLE 1
    1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured                      NI - 880
    over a 30 kHz Bandwidth at f1 - 885 kHz and f2 +885 kHz. Distortion
    Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 - 2.5 MHz and                 MRF5S19130R3
    f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
       Output Power -- 26 Watts Avg.                                          CASE 465C - 02, STYLE 1
       Power Gain -- 13 dB                                                               NI - 880S
       Efficiency -- 25%
       IM3 -- - 37 dBc                                                             MRF5S19130SR3
       ACPR -- - 51 dB

Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

High Gain, High Efficiency and High Linearity

Integrated ESD Protection

Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, f1 = 1960 MHz,
    110 Watts CW Output Power

Excellent Thermal Stability

Characterized with Series Equivalent Large - Signal Impedance Parameters

Qualified Up to a Maximum of 32 V Operation

Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
Freescale Semiconductor, Inc.

ARCHIVE INFORMATION
                                                           ARCHIVE INFORMATION
MAXIMUM RATINGS                                                               Symbol                                                                         Value      Unit
                                                      Rating                   VDSS                                                                             65       Vdc
                                                                                VGS                                                                                      Vdc
  Drain - Source Voltage                                                         PD                                                                        - 0.5, +15   Watts
  Gate - Source Voltage                                                                                                                                        324      W/C
  Total Device Dissipation @ TC = 25C                                           Tstg                                                                         1.85        C
                                                                                 TJ                                                                                       C
     Derate above 25C                                                           CW                                                                       - 65 to +150  Watts
                                                                                                                                                               200
  Storage Temperature Range                                                   Symbol                                                                           110      Unit
  Operating Junction Temperature                                                RJC                                                                                     C/W
  CW Operation                                                                                                                                                Max

THERMAL CHARACTERISTICS                                                                                                                                       0.54
                                                 Characteristic                                                                                               0.60

  Thermal Resistance, Junction to Case
     Case Temperature 80C, 110 W CW
     Case Temperature 80C, 26 W CW

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.

REV 1

MMoOtorToOla,RInOc.L2A00R3 F DEVICE DATA                                     MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3
                                           FFoor rMMGoorGoeroetIontI:onfow:forwwmrmwwaawt.fitr.oifeonreenOseOcsnancTlaeThl.ehics.iocsPmoPrmorodduucct,t,
                                                                                                                                                                               1
                                          Freescale Semiconductor, Inc.

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS                                                          Class
                                               Test Conditions                      2 (Minimum)
                                                                                   M4 (Minimum)
  Human Body Model                                                                 C7 (Minimum)
  Machine Model
  Charge Device Model

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)

   Characteristic                                                    Symbol   Min  Typ   Max                             Unit
                                                                                                                         Adc
OFF CHARACTERISTICS                                                  IDSS     --   --    10                              Adc
                                                                                                                         Adc
  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                            IDSS     --   --    1                               Vdc
     (VDS = 65 Vdc, VGS = 0 Vdc)                                                                                         Vdc
                                                                     IGSS     --   --    1                               Vdc
  Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
     (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)                                                                                           S
                                                                                                                          pF
  Gate - Source Leakage Current
     (VGS = 5 Vdc, VDS = 0 Vdc)                                                                                           dB
ARFrCeeHsIcValEe ISeNmFicOonRduMctAoTr,I IOncN.                                                                            %
                                                          ARCHIVE INFORMATIONON CHARACTERISTICSVGS(th)2.52.83.5          dBc

  Gate Threshold Voltage                                             VGS(Q)   --   3.8   --                              dBc
     (VDS = 10 Vdc, ID = 200 Adc)
                                                                     VDS(on)  --   0.26  --                               dB
  Gate Quiescent Voltage
     (VDS = 28 Vdc, ID = 1200 mAdc)                                  gfs      --   7.5   --

  Drain - Source On - Voltage
     (VGS = 10 Vdc, ID = 3 Adc)

  Forward Transconductance
     (VDS = 10 Vdc, ID = 3 Adc)

DYNAMIC CHARACTERISTICS                                              Crss     --   2.7   --

  Reverse Transfer Capacitance (1)
     (VDS = 28 Vdc 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS = 0 Vdc)

FUNCTIONAL TESTS (In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) 2 - Carrier N - CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carriers.
Peak/Avg = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Common - Source Amplifier Power Gain                                 Gps      12   13    --

   (VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W Avg, IDQ = 1200 mA, f1 = 1930 MHz,
   f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)

Drain Efficiency                                                              23   25    --

   (VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W Avg, IDQ = 1200 mA, f1 = 1930 MHz,
   f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)

Third Order Intermodulation Distortion                               IM3      --   - 37  - 35

   (VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W Avg, IDQ = 1200 mA, f1 = 1930 MHz,
   f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; IM3 measured

   over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 - 2.5 MHz and f2 +2.5 MHz

   referenced to carrier channel power.)

Adjacent Channel Power Ratio                                         ACPR     --   - 51  - 48

   (VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W Avg, IDQ = 1200 mA, f1 = 1930 MHz,
   f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz; ACPR

   measured over 30 kHz Bandwidth at f1 - 885 kHz and f2 +885 kHz)

Input Return Loss                                                    IRL      --   - 15  -9

   (VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W Avg, IDQ = 1200 mA, f1 = 1930 MHz,
   f2 = 1932.5 MHz and f1 = 1987.5 MHz, f2 = 1990 MHz)

(1) Part is internally matched both on input and output.

MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3                                                         MOTOROLA RF DEVICE DATA

2                                         For More Information On This Product,
                                           Go to: www.freescale.com
                                    Freescale Semiconductor, Inc.

                                            B1

                   R1

VGG                              +          R3                                                                             + VDD
           +             R2
                                                                                        ++                             ++

              C10                 C9 C6 C7                                   C16 C17 C18 C19 C20 C21 C22 C23 C24
                                                                 C15
                                                            C8

  RF                                                Z10                             Z13                                                    RF
INPUT                                               Z8 Z9        DUT Z12 Z15 Z16 Z17 Z18 Z19 Z20 Z21                   Z22 Z23 Z24 OUTPUT

         Z1  Z2 Z3                     Z4 Z5 Z6 Z7   Z11                                                          C25
                               C4 C5                                     Z14
             C1
                        C2 C3

                                            B2

                                            R4                                          ++++
Freescale Semiconductor, Inc.  +

ARCHIVE INFORMATION           C11 C12 C14                  C13  C26       C27 C28 C29 C30 C31 C32 C33 C34
                                                           ARCHIVE INFORMATION
             Z1                0.200 x 0.085 Microstrip          Z13, Z14  1.125 x 0.068 Microstrip
             Z2                0.170 x 0.085 Microstrip          Z15       0.071 x 1.080 Microstrip
             Z3                0.480 x 0.085 Microstrip          Z16       0.060 x 1.080 Microstrip
             Z4                0.926 x 0.085 Microstrip          Z17       0.290 x 1.080 Microstrip
             Z5                0.590 x 0.085 Microstrip          Z18       1.075 x 0.825 x 0.125 Taper
             Z6                0.519 x 0.955 x 0.160 Taper       Z19       0.635 x 0.120 Microstrip
             Z7                0.022 x 0.955 Microstrip          Z20       0.185 x 0.096 Microstrip
             Z8                0.046 x 0.955 Microstrip          Z21       0.414 x 0.084 Microstrip
             Z9                0.080 x 0.955 Microstrip          Z22       0.040 x 0.084 Microstrip
             Z10, Z11          1.280 x 0.046 Microstrip          Z23       0.199 x 0.057 Microstrip
             Z12               0.053 x 1.080 Microstrip          PCB       Arlon GX0300 - 55 - 22, 0.03, r = 2.55

                                    Figure 1. MRF5S19130R3(SR3) Test Circuit Schematic

                       Table 1. MRF5S19130R3(SR3) Test Circuit Component Designations and Values

                   Part                                     Description                Value, P/N or DWG               Manufacturer

B1, B2                                      Short RF Bead                              95F786                          Newark
C1                                          0.8 pF Chip Capacitor, B Case              100B0R8BP 500X                  ATC
C2, C4                                      0.6 4.5 pF Gigatrim Variable Capacitors  44F3358                         Newark
C3                                          2.2 pF Chip Capacitor, B Case              100B2R2BP 500X                  ATC
C5                                          1.7 pF Chip Capacitor, B Case              100B1R7BP 500X                  ATC
C8, C13                                     9.1 pF Chip Capacitors, B Case             100B9R1CP 500X                  ATC
C9, C11                                     1 F, 25 V Tantalum Capacitors             92F1845                         Newark
C10                                         47 F, 50 V Electrolytic Capacitor         51F2913                         Newark
C6, C14, C17, C18, C19, C28, C29, C30       0.1 F Chip Capacitors, B Case             CDR33BX104AKWS                  Kemet
C7, C12, C16, C27                           1000 pF Chip Capacitors, B Case            100B102JP 500X                  ATC
C15, C26                                    8.2 pF Chip Capacitors, B Case             100B8R2CP 500X                  ATC
C20, C21, C22, C23, C31, C32, C33, C34      22 F, 35 V Tantalum Capacitors            92F1853                         Newark
C24                                         470 F, 63 V Electrolytic Capacitor        95F4579                         Newark
C25                                         6.2 pF Chip Capacitor, B Case              100B6R2CP 500X                  ATC
R1                                          1 kW Chip Resistor                         D5534M07B1K00R                  Newark
R2                                          560 kW Chip Resistor                       CR1206 564JT                    Newark
R3, R4                                      12 W Chip Resistors                        RM73B2B120JT                    Garrett Electtonics

MOTOROLA RF DEVICE DATA                                                                MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3

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                                 Freescale Semiconductor, Inc.

                 C10             B1                MRF5S19130  C18 C19
                                                   Rev 5       C15 C20 C21 C24

                      R1             R3 C8

            VGG                                                                              VDD
                                                                             C22 C23
                 R2                  C7                        C16
                       C9                                               C17

                                         C6

                                                                                      C25
ARFrCeeHsIcValEe ISeNmFicOonRduMctAoTr,I IOncN.
                                                                                                          CUT OUT AREAC1C3 C5C14
        C2      C4                   C12
                                                          ARCHIVE INFORMATION
                            C11                                         C28  C33 C34
                                                               C27

                      B2 R4 C13

                                                               C26           C31 C32

                                                               C29 C30

                 Figure 2. MRF5S19130R3(SR3) Test Circuit Component Layout

MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3                                                   MOTOROLA RF DEVICE DATA

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                                                                                                                                TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                                                                               15                                                                        40               , DRAIN
                                                                                                                                                                                                              EFFICIENCY (%)
                                                                                                               14                                                                        35

                                                                                        G ps, POWER GAIN (dB)  13 Gps                                                                    30

                                                                                                               12                                                                        25
                                                                                                               11
                                                                                                                         VDD = 28 Vdc, Pout = 26 W (Avg.), IDQ = 1200 mA 20                                                           IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
                                                                                                               10 IRL
                                                                                                                9        2-Carrier N-CDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing                       -10                                     -5

                                                                                                                         1.2288 MHz Channel Bandwidth                                                     IM3 (dBc), ACPR (dBc)

                                                                                                                         Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF) -20                                                       -10

                                                                                                               8 IM3                                                                     -30                                     -15

                                                                                                               7                                                                         -40                                     -20
                                                                                                                   ACPR
                                                                                                                                                                                         -50                                     -25
                                                                                                               6

                                                                                                               5                                                                         -60                                     -30

Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                  1900 1910 1920 1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2000                                                                                                       ARCHIVE INFORMATION

ARCHIVE INFORMATION                                                                                                              f, FREQUENCY (MHz)

                                                                                                               Figure 3. 2 - Carrier N - CDMA Broadband Performance

                                                                      16                                                                   IM3, THIRD ORDER                      -25
                                                                                VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz              INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
                                                                                Two-Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing                                                              VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
                                                                                                                                                                                 -30 Two-Tone Measurement, 2.5 MHz Tone Spacing
                                                                      15
                               G ps, POWER GAIN (dB)                        IDQ = 1800 mA                                                                                        -35                                    1500 mA
                                                                                                                                                                                         IDQ = 1800 mA    1200 mA
                                                                      14
                                                                            1500 mA                                                                                              -40
                                                                                                                                                                                        600 mA
                                                                      13 1200 mA
                                                                                                                                                                                 -45
                                                                      12 900 mA
                                                                                                                                                                                 -50

                                                                      11                                                                                                         -55
                                                                            600 mA
                                                                                                                                                                                                  900 mA
                                                                      10                                                                                                         -60
                                                                                 1
                                                                                                               10                 100 200                                             1                                               10                           100 200

                                                                                        Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP                                                                   Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP

                                                                               Figure 4. Two - Tone Power Gain versus                                                                 Figure 5. Third Order Intermodulation
                                                                                                 Output Power                                                                             Distortion versus Output Power

                               IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)  -20                                                                                                        60

                                                                      -25                                                                             Pout , OUTPUT POWER (dBm)  59
                                                                      -30 3rd Order                                                                                                                                                                     Ideal

                                                                                                                                                                                 58

                                                                      -35                                                                                                        57
                                                                                                                                                                                                          P3dB = 53.11 dBm (205.57 W)

                                                                                                                                                                                 56

                                                                      -40 5th Order                                                                                              55
                                                                                                                                                                                           P1dB = 52.54 dBm (179.61 W)
                                                                      -45
                                                                             7th Order                                                                                           54

                                                                      -50                                                                                                        53
                                                                                                                                                                                                                                                        Actual

                                                                                                                                                                                 52

                                                                                                                                                                                 51

                                                                               VDD = 28 Vdc, Pout = 130 W (PEP), IDQ = 1200 mA                                                   50                                              VDD = 28 Vdc, IDQ = 1200 mA
                                                                               Two-Tone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz
                                                                      -55                                                                                                        49                                              Pulsed CW, 8 sec (on), 1 msec (off)
                                                                                                                                                                                 48
                                                                      -60                                                                                                                                                        Center Frequency = 1960 MHz
                                                                          0.1
                                                                                        1                                10                                                          35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45

                                                                                        TWO-TONE SPACING (MHz)                                                                                            Pin, INPUT POWER (dBm)

                                                                           Figure 6. Intermodulation Distortion Products                                                              Figure 7. Pulse CW Output Power versus
                                                                                            versus Tone Spacing                                                                                           Input Power

                               MOTOROLA RF DEVICE DATA                                                                                                                                                    MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3

                                                                                                                       For More Information On This Product,                                                                                                           5

                                                                                                                         Go to: www.freescale.com
                                                                                                              Freescale Semiconductor, Inc.

                                                                                                                      TYPICAL CHARACTERISTICS

ARFrCeeHsIcValEe ISeNmFicOonRduMctAoTr,I IOncN.                                                           35                                                                          -30
           (dB)                                                                                                 VDD = 28 Vdc, IDQ = 1200 mA                           IM3
                                                          , DRAIN EFFICIENCY (%), G ps , POWER GAIN (dB)
                                                                                                          30 f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz                              -35
                                                                                                                2 x N-CDMA, 2.5 MHz @
                                                                                                                                                                                     -40            IM3 (dBc), ACPR (dBc)
                                                                                                          25 1.2288 MHz Channel Bandwidth                                  ACPR
                                                                                                                Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
                                                                                                                                                                                     -45
                                                                                                          20

                                                                                                          15                                                               Gps -50

                                                                                                          10                                                                 -55

                                                                                                          5                                                                  -60

                                                                                                          0                                                                                    -65                                              ARCHIVE INFORMATION
                                                                                                                             1                                   10

                                                                                                                     Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. (N-CDMA)

                                                                                                              Figure 8. 2 - Carrier N - CDMA ACPR, IM3,
                                                                                                                   Power Gain and Drain Efficiency
                                                                                                                           versus Output Power

   0                                                                                                                                                             109
                                      1.2288 MHz

-10                 Channel BW                                                                                                      MTBF FACTOR (HOURS X AMPS2)

-20                                                                                                                                                              108

     -IM3 @                                                                                                      +IM3 @
                                                                                                               1.2288 MHz
-30  1.2288 MHz                                                                                               Integrated BW

     Integrated BW

-40                                                                                                                                                              107

-50

-60                                                                                                                                                              106

-70  -ACPR @ 30 kHz +ACPR @ 30 kHz

     Integrated BW                                                                                        Integrated BW

-80                                                                                                                                                              105

-90                                                                                                                                                              100  120    140                                           160  180  200 220

                                                                                                                                                                           TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)

-100                                                                                                          1.5 3      4.5 6 7.5                                    This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere2
    -7.5 -6 -4.5 -3 -1.5 0
                                                                                                                                                                      drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
             f, FREQUENCY (MHz)                                                                                                                                       better than 10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
                                                                                                                                                                      MTBF factor by ID2 for MTBF in a particular application.
     Figure 9. 2 - Carrier N - CDMA Spectrum

                                                                                                                                                                      Figure 10. MTBF Factor versus Junction
                                                                                                                                                                                         Temperature

MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3                                                                                                                                                                          MOTOROLA RF DEVICE DATA

6                                                                                                             For More Information On This Product,
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                         Freescale Semiconductor, Inc.

f = 1990 MHz                                         Zo = 10
              Zload*
                                                   Zsource
f = 1930 MHz                                f = 1990 MHz
                                   f = 1930 MHz
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                                                           ARCHIVE INFORMATION
                         VDD = 28 V, IDQ = 1.2 A, Pout = 26 W (2-Carrier N-CDMA)

                           f       Zsource                       Zload
                         MHz                                       

                         1930      2.57 - j9.1           1.48 - j1.8

                         1960      2.35 - j7.6           1.28 - j1.5

                         1990      3.86 - j9.2           1.42 - j1.3

                         Zsource = Test circuit impedance as measured from
                                        gate to ground.

                         Zload = Test circuit impedance as measured
                                        from drain to ground.

                         Input               Device              Output
                         Matching            Under Test          Matching
                         Network                                 Network

                                   Z source              Z load

Figure 11. Series Equivalent Source and Load Impedance

MOTOROLA RF DEVICE DATA                                                           MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3

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MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3                            MOTOROLA RF DEVICE DATA

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                                                                   PACKAGE DIMENSIONS

    B               G                                       2X Q                                                   NOTES:
                                                                    bbb M T A M B M                                  1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    B                      1                                                                                             Y14.5M-1994.
                                                                                                                     2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
(FLANGE)                                                                                                             3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
                                                                                                                         FROM PACKAGE BODY.
              K                                                                                                      4. DELETED

                                                      3                                                                        INCHES   MILLIMETERS
                                      2                                                                                                  MIN MAX
                                                                                                                   DIM MIN MAX          33.91 34.16
                            D                                                                                       A 1.335 1.345        13.6 13.8
                 bbb M T A M B M                                                                                    B 0.535 0.545        3.73 5.08
                                                                                                                    C 0.147 0.200       12.57 12.83
                                           M (INSULATOR)                                    R (LID)                 D 0.495 0.505        0.89 1.14
                 bbb M T A M B M                                        ccc M T A M B M                             E 0.035 0.045        0.08 0.15
                                                                                                                    F 0.003 0.006         27.94 BSC
                                          N (LID)                                           S (INSULATOR)           G 1.100 BSC          1.45 1.70
                 ccc M T A M B M                                        aaa M T A M B M                             H 0.057 0.067        4.32 5.33
                                                                                                                    K 0.170 0.210       22.15 22.55
                                                                                                                    M 0.872 0.888       19.30 22.60
                                                                                                                    N 0.871 0.889        3.00 3.51
                                                                                                                    Q .118 .138         13.10 13.30
                                                                                                                    R 0.515 0.525       13.10 13.30
                                                                                                                    S 0.515 0.525         0.178 REF
                                                                                                                   aaa 0.007 REF          0.254 REF
                                                                                                                   bbb 0.010 REF          0.381 REF
                                                                                                                   ccc 0.015 REF
Freescale Semiconductor, Inc.H                           C

ARCHIVE INFORMATIONE                                                                   F                          STYLE 1:
                                                           ARCHIVE INFORMATIONA                                       PIN 1. DRAIN
                                                            T  SEATING  CASE 465B - 03                                     2. GATE
                                                               PLANE         ISSUE B                                       3. SOURCE
                                                                              NI - 880
                        A
                                                                        MRF5S19130R3
                    (FLANGE)

        B                                                                                                          NOTES:
                                                                                                                     1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
                                               1                                                                         Y14.5M-1994.
                                                                                                                     2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
    B                                                                                                                3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
                                                                                                                         FROM PACKAGE BODY.
(FLANGE)

                 K            2                                                                                                 INCHES  MILLIMETERS
                                                                                                                    DIM MIN MAX          MIN MAX
                               D                                                                                     A 0.905 0.915      22.99 23.24
                    bbb M T A M B M                                                                                  B 0.535 0.545      13.60 13.80
                                                                                                                     C 0.147 0.200       3.73 5.08
                                            M (INSULATOR)                                           R (LID)          D 0.495 0.505      12.57 12.83
                    bbb M T A M B M                                            ccc M T A M B M                       E 0.035 0.045       0.89 1.14
                                                                                                                     F 0.003 0.006       0.08 0.15
                                            N (LID)                                                 S (INSULATOR)    H 0.057 0.067       1.45 1.70
                    ccc M T A M B M                                            aaa M T A M B M                       K 0.170 0.210       4.32 5.33
H                                                                                                                    M 0.872 0.888      22.15 22.55
                                                                                                             F       N 0.871 0.889      19.30 22.60
                                              C                                                                      R 0.515 0.525      13.10 13.30
                                                                         CASE 465C - 02                              S 0.515 0.525      13.10 13.30
                                                                              ISSUE A                               aaa 0.007 REF
                                                                              NI - 880S                             bbb 0.010 REF         0.178 REF
                                                                                                                    ccc 0.015 REF         0.254 REF
                                                                        MRF5S19130SR3                                                     0.381 REF
                                                                                                                   STYLE 1:
                                                                                                                      PIN 1. DRAIN
                                                                                                                           2. GATE
                                                                                                                           3. SOURCE

E                                                 T      SEATING
   A                                                     PLANE

                        A

                    (FLANGE)

MOTOROLA RF DEVICE DATA                                                                                            MRF5S19130R3 MRF5S19130SR3

                                                  For More Information On This Product,                                                                             11

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"Typicals", must be validated for each customer application by customer's technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the
rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other
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arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
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MRF5S19130R3          MRF5S19130SR3             FMooGrrMoeGotIonroe:fotwIornmw:fowawrtw.miforwaent.efiOrosencneaTOslechn.aicsTloehPm.ircsoodPmurocdt,uctM,OTOROLA  RF DEVICE DATA
12                                         For                                                                                                                      MRF5S19130/D
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