电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

MMBTA20

器件型号:MMBTA20
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
下载文档

器件描述

General Purpose Amplifier(NPN Silicon)

文档预览

MMBTA20器件文档内容

MOTOROLA                                                                                                       Order this document
                                                                                                                 by MMBTA20LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

General Purpose Amplifier                                                                   MMBTA20LT1

NPN Silicon                                                                      COLLECTOR
                                                                                       3

                                                                             1                                                    3
                                                                           BASE
                                                                                                                 1
MAXIMUM RATINGS                                       Symbol       Value             2                                    2
                         Rating                        VCEO          40          EMITTER
                                                       VEBO         4.0                                   CASE 318 08, STYLE 6
Collector Emitter Voltage                                        100             Unit                   SOT 23 (TO 236AB)
                                                         IC                         Vdc
Emitter Base Voltage                                                             Vdc
                                                      Symbol            Max        mAdc
Collector Current -- Continuous                         PD             225
                                                                                    Unit
THERMAL CHARACTERISTICS                                RqJA              1.8        mW
                    Characteristic                       PD             556       mW/C
                                                                        300        C/W
Total Device Dissipation FR 5 Board(1)               RqJA                         mW
    TA = 25C                                         TJ, Tstg           2.4      mW/C
    Derate above 25C                                                   417        C/W
                                                                   55 to +150      C
Thermal Resistance Junction to Ambient
                                                                                                 Symbol
Total Device Dissipation
    Alumina Substrate,(2) TA = 25C                                                            V(BR)CEO
    Derate above 25C                                                                           V(BR)EBO

Thermal Resistance Junction to Ambient                                                            ICBO

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING
MMBTA20LT1 = 1C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted)                                             Min  Max  Unit
                                                   Characteristic
                                                                                                          40   --   Vdc
OFF CHARACTERISTICS
                                                                                                          4.0  --   Vdc
  Collector Emitter Breakdown Voltage
     (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)                                                                              --   100  nAdc

  Emitter Base Breakdown Voltage
     (IE = 100 mAdc, IC = 0)

  Collector Cutoff Current
     (VCB = 30 Vdc, IE = 0)

  1. FR 5 = 1.0 0.75 0.062 in.
  2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

MMotootorroollaa,  SmallSignal  Transistors,  FETs  and  Diodes  Device  Data                                                      1

                    Inc. 1996
MMBTA20LT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted) (Continued)

                                      Characteristic                                  Symbol    Min       Max                Unit

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain                                                                      hFE       40        400                --
    (IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
                                                                                      VCE(sat)  --        0.25               Vdc
Collector Emitter Saturation Voltage
    (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Current Gain -- Bandwidth Product                                                   fT        125                     --   MHz
   (IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
                                                                                      Cobo      --                      4.0  pF
Output Capacitance
   (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)

                                      EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS

                                               + 3.0 V                                                                  + 3.0 V
                                                                                                                                   275
              300 ns         +10.9 V                    275     10 < t1 < 500 s t1    +10.9 V
DUTY CYCLE = 2%                                              DUTY CYCLE = 2%                        10 k                          CS < 4.0 pF*
                                      10 k
               0.5 V                                                              0  < 1.0 ns 1N916
                    <1.0 ns
                                                        CS < 4.0 pF*   9.1 V

   Figure 1. TurnOn Time                      *Total shunt capacitance of test jig and connectors
                                                                                               Figure 2. TurnOff Time

2                                                            Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                                                           MMBTA20LT1

                                                                       TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
                                                                                 (VCE = 5.0 Vdc, TA = 25C)

                              20                                                                                          100
                                      IC = 1.0 mA
                                                                       BANDWIDTH = 1.0 Hz                                 50        IC = 1.0 mA              BANDWIDTH = 1.0 Hz
                                                300 A                         RS = 0                                                                                RS  
                              10
en, NOISE VOLTAGE (nV)                                                                      In, NOISE CURRENT (pA)        20                       300 A  100 A

                              7.0         100 A                                                                          10
                                                                                                                          5.0

                              5.0                                                                                         2.0
                                                                                                                          1.0

                                   10 A  30 A                                                                           0.5       30 A

                              3.0                                                                                                                  10 A

                                                                                                                          0.2

                              2.0         50 100 200 500 1 k 2 k               5 k 10 k                                   0.1       50 100 200 500 1 k 2 k                  5 k 10 k
                                 10 20              f, FREQUENCY (Hz)                                                        10 20             f, FREQUENCY (Hz)

                                            Figure 3. Noise Voltage                                                                        Figure 4. Noise Current

                                                                              NOISE FIGURE CONTOURS
                                                                                 (VCE = 5.0 Vdc, TA = 25C)

RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  500 k                                    BANDWIDTH = 1.0 Hz   RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)   1M                              BANDWIDTH = 1.0 Hz
                              200 k                                                                                       500 k
                              100 k       2.0 dB                                                                                           1.0 dB
                               50 k                                                                                       200 k
                                                        3.0 dB 4.0 dB                                                     100 k                            2.0 dB
                               20 k                                                                                        50 k                                     3.0 dB
                               10 k                                    6.0 dB  10 dB
                                5k                                                                                         20 k
                                                                                                                           10 k                                             5.0 dB
                                2k                                                                                          5k
                                1k                                                                                                                                          8.0 dB
                               500                                                                                          2k
                                          20 30 50 70 100              200 300 500 700 1 k                                  1k      20 30 50 70 100        200 300 500 700 1 k
                               200                                                                                          500
                               100
                                 50                                                                                        200
                                                                                                                            100
                                    10
                                                                                                                                10

                                                  IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                               IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                          Figure 5. Narrow Band, 100 Hz                                                             Figure 6. Narrow Band, 1.0 kHz

                              500 k                                    10 Hz to 15.7 kHz
                              200 k
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  100 k                                                                                       +  ) )   Noise Figure is defined as:
                               50 k                                                                                       NF   20 log10 en2      4KTRS In 2RS2 1 2
                                                                                                                                                    4KTRS
                               20 k                     1.0 dB
                               10 k
                                5k                                      2.0 dB                                            en = Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
                                                                                   3.0 dB                                 In = Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
                                2k                                                                                        K = Boltzman's Constant (1.38 x 1023 j/K)
                                1k                                     5.0 dB
                               500                                     8.0 dB                                             T = Temperature of the Source Resistance (K)

                               200                                                                                        RS = Source Resistance (Ohms)
                               100
                                 50       20 30 50 70 100 200 300              500 700 1 k
                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)
                                    10
                                                     Figure 7. Wideband

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                      3
MMBTA20LT1                              hFE, DC CURRENT GAIN                              TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

        400                                                                                                                        TJ = 125C
        200                                                                                                                               25C

                                                                                                                                                             55C

                                                              100                                                                                                                   MPS390
                                                               80
                                                               60                                                                                                                    VC4E = 1.0 V
                                                                                                                                                                                     VCE = 10 V

                                                              40                0.02 0.03 0.05 0.07 0.1     0.2 0.3 0.5 0.7 1.0                                     2.0 3.0         5.0 7.0 10     20 30     50 70 100
                                                              0.004 0.006 0.01

                                                                                                            IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                                                            Figure 8. DC Current Gain

VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)  1.0                                                                            IC, COLLECTOR CURRENT (mA)           100                                 IB = 500 A
                                                                                                             MPS3904                                                       TA = 25C                400 A
                                                                                                            TJ = 25C                                                                                300 A
                                                                                                                                                                   PULSE WIDTH = 300 s              200 A
                                        0.8                                                                                                                  80 DUTY CYCLE  2.0%
                                                                                                                                                                                                    100 A
                                        0.6                        IC = 1.0 mA 10 mA      50 mA 100 mA                                                       60

                                        0.4                                                                                                                  40

                                        0.2                                                                                                                  20

                                        0                                                                   5.0 10 20                                       0
                                        0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0                                                                       0 5.0 10 15 20 25 30 35 40
                                                                                                                                                                         VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
                                                                  IB, BASE CURRENT (mA)
                                                                                                                                                                       Figure 10. Collector Characteristics
                                                                   Figure 9. Collector Saturation Region

                                        1.4                                                                            V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/C)  1.6
                                                                                                                                                                    *APPLIES for IC/IB  hFE/2
                                                 TJ = 25C
                                        1.2                                                                                                                 0.8
                                                                                                                                                                     *qVC for VCE(sat)
V, VOLTAGE (VOLTS)                      1.0                                                                                                                                                        25C to 125C
                                                                                                                                                              0                                     55C to 25C
                                        0.8
                                                                   VBE(sat) @ IC/IB = 10

                                        0.6                                                                                                                  0.8
                                                      VBE(on) @ VCE = 1.0 V                                                                                                                                       25C to 125C

                                        0.4

                                        0.2                        VCE(sat) @ IC/IB = 10                                                                     1.6                                  55C to 25C
                                                                                                                                                                       qVB for VBE
                                          0                        0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
                                           0.1                                  IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  50 100                                           2.4         0.5 1.0 2.0 5.0 10 20                                  50 100
                                                                                                                                                                 0.1 0.2    IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                   Figure 11. "On" Voltages                                                                         Figure 12. Temperature Coefficients

                                        4                                                                   Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                                                                                                  MMBTA20LT1

                                                                                            TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS

                                          300                                                                                                     1000
                                          200
                                                                                                   VCC = 3.0 V                                    700
                                          100
                                           70                                                      IC/IB = 10                                     500                   ts
                                           50                                                      TJ = 25C
                                                                                                                                                  300
                                           30
                                           20                                                                                                     200

t, TIME (ns)                               10                                           tr                       t, TIME (ns)                     100               tf
                                          7.0                 td @ VBE(off) = 0.5 Vdc
                                          5.0                                                                                                     70

                                          3.0                                                                                                     50
                                              1.0
                                                                                                                                                  30 VCC = 3.0 V
                                                                                                                                                        IC/IB = 10
                                                                                                                                                  20    IB1 = IB2

                                                                                                                                                        TJ = 25C
                                                                                                                                                  10

                                                     2.0 3.0 5.0 7.0 10                     20 30  50 70 100                                      1.0 2.0 3.0               5.0 7.0 10            20 30  50 70 100

                                                              IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                              Figure 13. TurnOn Time                                                                                   Figure 14. TurnOff Time

fT, CURRENTGAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)  500                                                                                                     10
                                                 TJ = 25C
                                                 f = 100 MHz                                                                                                                                             TJ = 25C

                                          300                                                                                                     7.0                                                    f = 1.0 MHz

                                          200                 VCE = 20 V                                         C, CAPACITANCE (pF)                                                         Cib
                                                                        5.0 V                                                                     5.0

                                                                                                                                                                                             Cob
                                                                                                                                                  3.0

                                          100                                                                                                     2.0

                                          70

                                          50                  2.0 3.0 5.0 7.0 10                   20 30 50                                       1.0
                                            0.5 0.7 1.0                                                                                             0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
                                                                                                                                                                          VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
                                                              IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                                                                                                                                        Figure 16. Capacitance
                                               Figure 15. CurrentGain -- Bandwidth Product

                                          20                                                                                                      200

                                                                                                   VCE = 10 Vdc  hoe, OUTPUT ADMITTANCE (m mhos)         VCE = 10 Vdc
                                                                                                                                                  100 f = 1.0 kHz
                                          10                  MPS3904                              f = 1.0 kHz                                     70 TA = 25C
                                          7.0                 hfe  200 @ IC = 1.0 mA
hie, INPUT IMPEDANCE (k )                                                                          TA = 25C

                                          5.0                                                                                                     50                MPS3904

                                          3.0                                                                                                     30                hfe  200 @ IC = 1.0 mA

                                          2.0                                                                                                     20

                                          1.0                                                                                                     10
                                          0.7                                                                                                     7.0
                                          0.5                                                                                                     5.0

                                          0.3                 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20                50 100                                         3.0                   0.5 1.0 2.0 5.0 10 20            50 100
                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                                IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                          0.2                                                                                                     2.0
                                            0.1 0.2           Figure 17. Input Impedance                                                            0.1 0.2

                                                                                                                                                                    Figure 18. Output Admittance

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                           5
MMBTA20LT1

                                      1.0

r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE     0.7  D = 0.5
   (NORMALIZED)                       0.5

                                      0.3
                                                        0.2

                                      0.2

                                                        0.1                                                                   FIGURE 19A
                                      0.1

                                   0.07    0.05                                                                                           DUTY CYCLE, D = t1/t2

                                   0.05                                                                  P(pk)                            D CURVES APPLY FOR POWER

                                           0.02                                                                                           PULSE TRAIN SHOWN

                                   0.03                                                                                       t1          READ TIME AT t1 (SEE AN569)

                                   0.02    0.01              SINGLE PULSE                                                                 ZJA(t) = r(t) RJA
                                                                                                                                          TJ(pk) TA = P(pk) ZJA(t)
                                                                                                                                  t2

                                   0.01                                                          5.0 10 20 50 100 200             500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
                                       0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0                                      t, TIME (ms)

                                                                                                 Figure 19. Thermal Response

IC, COLLECTOR CURRENT (nA)  104                                                                            DESIGN NOTE: USE OF THERMAL RESPONSE DATA

                                     VCC = 30 Vdc                                                           A train of periodical power pulses can be represented by the model
                            103                                                                          as shown in Figure 19A. Using the model and the device thermal
                                                                                                         response the normalized effective transient thermal resistance of
                            102                                 ICEO                                     Figure 19 was calculated for various duty cycles.

                            101                                                                             To find ZJA(t), multiply the value obtained from Figure 19 by the
                                                                                                         steady state value RJA.
                            100                                                           ICBO           Example:
                                                                                                         The MPS3904 is dissipating 2.0 watts peak under the following
                                                                                          AND            conditions:

                            101                                      ICEX @ VBE(off) = 3.0 Vdc             t1 = 1.0 ms, t2 = 5.0 ms. (D = 0.2)
                                                                                                         Using Figure 19 at a pulse width of 1.0 ms and D = 0.2, the reading of
                            102           0 + 20 + 40 + 60 + 80 + 100 + 120 + 140 + 160                 r(t) is 0.22.
                                 4 2        TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)
                                  00                                                                     The peak rise in junction temperature is therefore
                                                       Figure 19A.                                          T = r(t) x P(pk) x RJA = 0.22 x 2.0 x 200 = 88C.

                                                                                                         For more information, see AN569.

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)  400                                                                             The safe operating area curves indicate ICVCE limits of the
                                                                                                         transistor that must be observed for reliable operation. Collector load
                                                                                1.0 ms 100 s
                            200                                                                          lines for specific circuits must fall below the limits indicated by the

                                                                                          10 s          applicable curve.

                            100                              TC = 25C                        1.0 s         The data of Figure 20 is based upon TJ(pk) = 150C; TC or TA is
                                                                                                         variable depending upon conditions. Pulse curves are valid for duty
                                   60                                                 dc
                                                             TA = 25C                                   cycles to 10% provided TJ(pk)  150C. TJ(pk) may be calculated from
                                   40                                                                    the data in Figure 19. At high case or ambient temperatures, thermal
                                                                         dc
                                                                                                         limitations will reduce the power that can be handled to values less
                                   20            TJ = 150C
                                                                                                         than the limitations imposed by second breakdown.

                                   10            CURRENT LIMIT

                            6.0                  THERMAL LIMIT
                                                 SECOND BREAKDOWN LIMIT

                            4.0       2.0  4.0 6.0 8.0 10                                 20         40

                                           VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)

                                                             Figure 20.

                                   6                                                                 Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                      MMBTA20LT1

INFORMATION FOR USING THE SOT23 SURFACE MOUNT PACKAGE

MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS

   Surface mount board layout is a critical portion of the total         interface between the board and the package. With the
design. The footprint for the semiconductor packages must                correct pad geometry, the packages will self align when
be the correct size to insure proper solder connection                   subjected to a solder reflow process.

                          0.037                                          0.037
                          0.95                                           0.95

                                                                         0.079
                                                                          2.0

                          0.035
                           0.9

                                                                  0.031  inches
                                                                   0.8    mm

                                      SOT23

                          SOT23 POWER DISSIPATION

   The power dissipation of the SOT23 is a function of the                             SOLDERING PRECAUTIONS

pad size. This can vary from the minimum pad size for                       The melting temperature of solder is higher than the rated
                                                                         temperature of the device. When the entire device is heated
soldering to a pad size given for maximum power dissipation.             to a high temperature, failure to complete soldering within a
                                                                         short time could result in device failure. Therefore, the
Power dissipation for a surface mount device is determined               following items should always be observed in order to
                                                                         minimize the thermal stress to which the devices are
by TJ(max), the maximum rated junction temperature of the                subjected.
die, RJA, the thermal resistance from the device junction to             Always preheat the device.
ambient, and the operating temperature, TA. Using the                     The delta temperature between the preheat and
values provided on the data sheet for the SOT23 package,
                                                                             soldering should be 100C or less.*
PD can be calculated as follows:                                          When preheating and soldering, the temperature of the

      PD =  TJ(max) TA                                                     leads and the case must not exceed the maximum
               RJA                                                           temperature ratings as shown on the data sheet. When
                                                                             using infrared heating with the reflow soldering method,
   The values for the equation are found in the maximum                      the difference shall be a maximum of 10C.
ratings table on the data sheet. Substituting these values into          The soldering temperature and time shall not exceed
the equation for an ambient temperature TA of 25C, one can                  260C for more than 10 seconds.
calculate the power dissipation of the device which in this               When shifting from preheating to soldering, the
case is 225 milliwatts.                                                      maximum temperature gradient shall be 5C or less.
                                                                         After soldering has been completed, the device should
PD =  150C 25C  = 225 milliwatts                                         be allowed to cool naturally for at least three minutes.
         556C/W                                                             Gradual cooling should be used as the use of forced
                                                                             cooling will increase the temperature gradient and result
   The 556C/W for the SOT23 package assumes the use                        in latent failure due to mechanical stress.
of the recommended footprint on a glass epoxy printed circuit             Mechanical stress or shock should not be applied during
board to achieve a power dissipation of 225 milliwatts. There                cooling.
are other alternatives to achieving higher power dissipation
from the SOT23 package. Another alternative would be to                 * Soldering a device without preheating can cause excessive
use a ceramic substrate or an aluminum core board such as                thermal shock and stress which can result in damage to the
Thermal CladTM. Using a board material such as Thermal                   device.
Clad, an aluminum core board, the power dissipation can be
doubled using the same footprint.

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                   7
MMBTA20LT1

                                                        PACKAGE DIMENSIONS

                                 A                                          NOTES:
                                    L                                         1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
                                                                                  Y14.5M, 1982.
                                 3                                            2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
                                                                              3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
                                             BS                                   FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
                                                                                  IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
            1                          2                                          MATERIAL.

   V                             G                                                      INCHES                      MILLIMETERS
                                                                            DIM MIN MAX                              MIN MAX
                                             C                               A 0.1102 0.1197                         2.80 3.04
                                                                             B 0.0472 0.0551                         1.20 1.40
   D                                      H             K  J                 C 0.0350 0.0440                         0.89 1.11
                                                                             D 0.0150 0.0200                         0.37 0.50
                                                                             G 0.0701 0.0807                         1.78 2.04
                                                                             H 0.0005 0.0040                        0.013 0.100
                                                                             J 0.0034 0.0070                        0.085 0.177
                                                                             K 0.0180 0.0236                         0.45 0.60
                                                                             L 0.0350 0.0401                         0.89 1.02
                                                                             S 0.0830 0.0984                         2.10 2.50
                                                                             V 0.0177 0.0236                         0.45 0.60

                                                             CASE 31808    STYLE 6:    BASE
                                                                               PIN 1.   EMITTER
                                                               ISSUE AE             2.  COLLECTOR
                                                        SOT23 (TO236AB)           3.

Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit,
and specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. "Typical" parameters can and do vary in different
applications. All operating parameters, including "Typicals" must be validated for each customer application by customer's technical experts. Motorola does
not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in
systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of
the Motorola product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such
unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless
against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part.
Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

How to reach us:                                           JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; TatsumiSPDJLDC, Toshikatsu Otsuki,
USA/EUROPE: Motorola Literature Distribution;              6F SeibuButsuryuCenter, 3142 Tatsumi KotoKu, Tokyo 135, Japan. 0335218315
P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 18004412447

MFAX: RMFAX0@email.sps.mot.com TOUCHTONE (602) 2446609 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,

INTERNET: http://DesignNET.com                            51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 85226629298

8                                                          *MMBTA20LT1/D* Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes DeMvMicBeTDA2a0taLT1/D
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved