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MMBT5551

器件型号:MMBT5551
器件类别:晶体管   
厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT5551在线购买

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器件描述

600 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

600 mA, NPN, , 小信号晶体管

参数

MMBT5551端子数量 3
MMBT5551晶体管极性 NPN
MMBT5551最大集电极电流 0.6000 A
MMBT5551加工封装描述 SOT-23, 3 PIN
MMBT5551状态 CONSULT MFR
MMBT5551包装形状 矩形的
MMBT5551包装尺寸 SMALL OUTLINE
MMBT5551表面贴装 Yes
MMBT5551端子形式 GULL WING
MMBT5551端子位置
MMBT5551包装材料 塑料/环氧树脂
MMBT5551结构 单一的
MMBT5551元件数量 1
MMBT5551晶体管元件材料
MMBT5551最大环境功耗 0.2250 W
MMBT5551晶体管类型 通用小信号
MMBT5551最小直流放大倍数 80

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MMBT5551器件文档内容

UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

MMBT5551                                         NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR

     FEATURES                                                             3

* High Collector-Emitter Voltage:                                                      1
   VCEO=160V                                                                     2

*High current gain                                                                     SOT-23

                                                             *Pb-free plating product number:MMBT5551L

ORDERING INFORMATION

        Order Number                             Package  Pin Assignment   Packing
                                                                          Tape Reel
Normal                Lead Free Plating                   1  2  3

MMBT5551-x-AE3-6-R MMBT5551L-x-AE3-6-R SOT-23             EBC

MMBT5551L-x-AE3-6-R  (1)Packing Type            (1) R: Tape Reel
                      (2)Pin Assignment          (2) refer to Pin Assignment
                      (3)Package Type            (3) AE3: SOT-23
      MARKING         (4)Rank                    (4) x: refer to Classification of hFE
                      (5)Lead Plating            (5) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

        G1

www.unisonic.com.tw                                                                             1 of 4
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd                                          QW-R206-010,D
  MMBT5551                                        NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

  ABSOLUATE MAXIUM RATINGS (Ta = 25)

                           PARAMETER                        SYMBOL              RATINGS                   UNIT

  Collector -Base Voltage                                    VCBO                  180                    V

  Collector -Emitter Voltage                                 VCEO                  160                    V

  Emitter -Base Voltage                                      VEBO                    6                    V

  DC Collector Current                                             IC              600                    mA

  Power Dissipation                                                PD              350                    mW
  Operating and Storage Junction Temperature
                                                            TJ, TSTG            -55 ~ +150               

  Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

  Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

  ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25, unless otherwise specified)

  PARAMETER                             SYMBOL    TEST CONDITIONS               MIN TYP MAX UNIT

  Collector-Base Breakdown Voltage      VCBO IC=100A, IE=0                     180                       V

  Collector-Emitter Breakdown Voltage VCEO IC=1mA, IB=0                         160                       V

  Emitter-Base Breakdown Voltage        VEBO IE=10A, IC=0                      6                         V

  Collector Cut-off Current             ICBO VCB=120V, IE=0                                         50    nA

  Emitter Cut-off Current               IEBO VBE=4V, IC =0                                          50    nA

                                                  VCE=5V, IC =1mA               80

  DC Current Gain(note)                 hFE VCE=5V, IC =10mA                    80 160 400

                                                  VCE=5V, IC =50mA              80

  Collector-Emitter Saturation Voltage  VCE(SAT)  IC=10mA, IB=1mA                                   0.15  V
                                                  IC=50mA, IB=5mA                                   0.2

  Base-Emitter Saturation Voltage       VBE(SAT)  IC=10mA, IB=1mA                                   1     V
                                                  IC=50mA, IB=5mA                                   1

  Current Gain Bandwidth Product        fT VCE=10V, IC =10mA, f=100MHz          100                 300 MHz

  Output Capacitance                    Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz                                   6.0 pF

  Noise Figure                          NF        IC=0.25mA, VCE=5V                                 8     dB
                                                  RS=1k, f=10Hz ~ 15.7kHz

  Note: Pulse test: PW<300s, Duty Cycle<2%

  CLASSIFICATION OF hFE

   RANK                                    A                               B                    C
  RANGE                                 80-170                         150-240              200-400



  UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                           2 of 4

  www.unisonic.com.tw                                                                               QW-R206-010,D
MMBT5551                                                                                        NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERICS

                                          Fig.1 Collector Output Capacitance                                                       Fig.2 DC Current Gain

                                           10                                                                           103

Capacitance, Cob (pF)                     8                       f=1MHz                        DC current Gain, hFE                                        VCE=5V

                                                                       IE=0                                             10 2

                                          6

                                          4                                                                             10 1
                                          2

                                          0                       101                      102                          100   10-1  100     10 1         102        103
                                             100

                                                   Collector-Base Voltage (V)                                                       Collector Current, Ic (mA)

                                                   Fig.3 Base-Emitter on Voltage                                                    Fig.4 Saturation Voltage

                                          103                                                                           101

                                                                                                                                  Ic=10*IB

Collector Current, Ic (mA)                                                         VCE=5V       Saturation Voltage (V)  100                 VBE ( SAT)

                                          102

                                          101                                                                           10-1

                                                                                                                                              VCE(SAT )

                                          100                                                                           10-2  -1         0     1            2       103
                                               0                                                                                            10           10
                                                   0.2       0.4       0.6   0.8           1.0                                10    10

                                                   Base-Emitter Voltage (V)                                                         Collector Current, Ic (mA)

Current Gain-Bandwidth Product, fT (MHz)        Fig.5 Current Gain -Bandwidth
                                                               Product

                                          103

                                                                           VCE=10V

                                          102

                                          101

                                          100           101            102                 103
                                              100

                                                   Collector Current, Ic (mA)

                                               UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                              3 of 4

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MMBT5551                         NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                
                                

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.

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