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MMBT5087LT3

器件型号:MMBT5087LT3
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

参数
MMBT5087LT3状态 ACTIVE
MMBT5087LT3晶体管类型 射频小信号

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MMBT5087LT3器件文档内容

MOTOROLA                                                                                                           Order this document
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Low Noise Transistor                                                                 COLLECTOR                MMBT5087LT1
                                                                                            3
PNP Silicon                                                                                                                Motorola Preferred Device
                                                                             1
                                                                           BASE

MAXIMUM RATINGS                                                                                2                                           3
                                                                                           EMITTER
                                                                                                                          1
                    Rating                                 Symbol          Value           Unit                                    2

CollectorEmitter Voltage                                  VCEO            50             Vdc                     CASE 318 08, STYLE 6
CollectorBase Voltage                                                                                              SOT 23 (TO 236AB)
                                                           VCBO            50             Vdc

EmitterBase Voltage                                      VEBO            3.0            Vdc
Collector Current -- Continuous
DEVICE MARKING                                             IC              50             mAdc

MMBT5087LT1 = 2Q

THERMAL CHARACTERISTICS

                                  Characteristic                                                    Symbol         Max       Unit
                                                                                                                   225        mW
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)                                                             PD
                                                                                                                    1.8     mW/C
TA = 25C                                                                                                          556       C/W
                                                                                                                   300        mW
Derate above 25C
                                                                                                                    2.4     mW/C
Thermal Resistance, Junction to Ambient                                                             RJA            417       C/W
                                                                                                     PD       55 to +150
Total Device Dissipation                                                                                                       C
   Alumina Substrate, (2) TA = 25C
   Derate above 25C

Thermal Resistance, Junction to Ambient                                                              RJA
Junction and Storage Temperature                                                                    TJ, Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted)                                       Symbol    Min  Max      Unit
                                             Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

CollectorEmitter Breakdown Voltage                                                        V(BR)CEO           50  --       Vdc
   (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)

CollectorBase Breakdown Voltage                                                           V(BR)CBO           50  --       Vdc
   (IC = 100 Adc, IE = 0)

Collector Cutoff Current                                                                            ICBO                    nAdc

   (VCB = 10 Vdc, IE = 0)                                                                                    --   10
   (VCB = 35 Vdc, IE = 0)
                                                                                                              --   50

1. FR5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

MMotootorroollaa,  SmallSignal  Transistors,  FETs  and  Diodes  Device  Data                                                               1

                    Inc. 1996
MMBT5087LT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted) (Continued)

                    Characteristic                            Symbol            Min  Max   Unit

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain                                              hFE                          --
    (IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
    (IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)                                            250  800
    (IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
                                                                                250  --
CollectorEmitter Saturation Voltage
    (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)                                             250  --

BaseEmitter Saturation Voltage                              VCE(sat)          --   0.3  Vdc
    (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
                                                              VBE(sat)          --   0.85  Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS

CurrentGain -- Bandwidth Product                                          fT   40   --    MHz
   (IC = 500 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
                                                              Cobo              --   4.0   pF
Output Capacitance
   (VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)                                   hfe  250  900   --

SmallSignal Current Gain                                                  NF              dB
   (IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
                                                                                --   2.0
Noise Figure
   (IC = 20 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 10 k, f = 1.0 kHz)                      --   2.0
   (IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 3.0 k, f = 1.0 kHz)

2                                                             Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                                                                       MMBT5087LT1

                                                      TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
                                                               (VCE = 5.0 Vdc, TA = 25C)

                              10                      BANDWIDTH = 1.0 Hz                                                                1.0                            BANDWIDTH = 1.0 Hz
                              7.0                             RS  0                                                                     7.0                                    RS  
                              5.0                                                                                                       5.0
en, NOISE VOLTAGE (nV)                    IC = 10 A                                                      In, NOISE CURRENT (pA)                          IC = 1.0 mA
                              3.0                                                                                                       3.0
                              2.0 1.0 mA   30 A                                                                                        2.0                       300 A
                                           100 A                                                                                                                 100 A
                                           300 A                                                                                       1.0
                                                                                                                                        0.7                           30 A
                              1.0         50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k                                                         0.5                           10 A
                                 10 20              f, FREQUENCY (Hz)
                                                                                                                                        0.3       50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k
                                            Figure 1. Noise Voltage                                                                     0.2                 f, FREQUENCY (Hz)

                                                                                                                                        0.1         Figure 2. Noise Current
                                                                                                                                           10 20

                                                      NOISE FIGURE CONTOURS
                                                        (VCE = 5.0 Vdc, TA = 25C)

RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  1.0 M                                              BANDWIDTH = 1.0 Hz       RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  1.0 M                          BANDWIDTH = 1.0 Hz
                              500 k                                                                                                     500 k
                                        0.5 dB                                                                                                            0.5 dB
                              200 k                              1.0 dB                                                                 200 k
                              100 k                                                        2.0 dB                                       100 k                                 1.0 dB
                               50 k                                                               3.0 dB                                 50 k
                                                                                                  5.0 dB                                                               2.0 dB
                               20 k                                                                                                      20 k                           3.0 dB
                               10 k        20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k                                                         10 k
                              5.0 k                  IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                         5.0 k                                         5.0 dB

                              2.0 k           Figure 3. Narrow Band, 100 Hz                                                             2.0 k     20 30 50 70 100      200 300 500 700 1.0 k
                              1.0 k                                                                                                     1.0 k
                                500                                                                                                       500

                                200                                                                                                       200
                                100                                                                                                       100

                                    10                                                                                                        10

                                                                                                                                                  IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                                                                                                                  Figure 4. Narrow Band, 1.0 kHz

RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)  1.0 M                   10 Hz to 15.7 kHz
                              500 k
                                                                                                                                        +  ) )   Noise Figure is Defined as:
                              200 k                                                                                                     NF  20 log10 en2  4KTRS In 2RS2 1 2
                              100 k                                                                                                                          4KTRS
                               50 k                      0.5 dB
                                                                                                                                        en = Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
                               20 k                                                     1.0 dB                                          In = Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
                               10 k                                                          2.0 dB                                     K = Boltzman's Constant (1.38 x 1023 j/K)
                              5.0 k                                                          3.0 dB
                                                                                              5.0 dB                                    T = Temperature of the Source Resistance (K)
                              2.0 k
                              1.0 k       20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k                                                         RS = Source Resistance (Ohms)
                                500                IC, COLLECTOR CURRENT (A)
                                                     Figure 5. Wideband
                               200
                                100

                                    10

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                3
MMBT5087LT1

                                                                              TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)  1.0                                                                                                                  100                                        IB = 400 A
                                                                                                             TA = 25C                                                      TA = 25C
                                                                                                                        IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                              350 A
                                        0.8                                                                                                                         PULSE WIDTH = 300 s
                                                                                                                                                              80 DUTY CYCLE  2.0%
                                        0.6  IC = 1.0 mA 10 mA                50 mA 100 mA                                                                                                                   250 A
                                                                                                                                                                              300 A                         200 A
                                        0.4                                                                                                                   60                                              150 A
                                                                                                                                                                                                             100 A
                                                                                                                                                              40
                                        0.2                                                                                                                                                                  50 A
                                                                                                                                                              20

                                        0                                                5.0 10 20                                                           0
                                        0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0                                                                        0 5.0 10 15 20 25 30 35 40
                                                                                                                                                                          VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
                                                                  IB, BASE CURRENT (mA)
                                                                                                                                                                        Figure 7. Collector Characteristics
                                             Figure 6. Collector Saturation Region

                                        1.4                                                                             V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/C)  1.6
                                                                                                                                                                     *APPLIES for IC/IB  hFE/2
                                               TJ = 25C
                                        1.2                                                                                                                  0.8

V, VOLTAGE (VOLTS)                      1.0                                                                                                                           *qVC for VCE(sat)                 25C to 125C
                                                                                                                                                               0                                        55C to 25C
                                        0.8
                                                 VBE(sat) @ IC/IB = 10                                                                                       0.8                                        25C to 125C
                                                                                                                                                             1.6                                              55C to 25C
                                        0.6
                                                       VBE(on) @ VCE = 1.0 V                                                                                          qVB for VBE

                                        0.4

                                        0.2                                   5.0 10 20  50 100                                                              2.4     0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20                       50 100
                                                 VCE(sat) @ IC/IB = 10                                                                                          0.1              IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                          0
                                           0.1 0.2 0.5 1.0 2.0

                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                          Figure 8. "On" Voltages                                                                                    Figure 9. Temperature Coefficients

4                                                                                                                       Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                                                                                                 MMBT5087LT1

                                                                                           TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS

                                             500                                                                                         1000

                                             300                                                       VCC = 3.0 V                       700                                                       VCC = 3.0 V
                                             200
                                                                                                       IC/IB = 10                        500                                                       IC/IB = 10
                                             100                                                       TJ = 25C
                                              70                                                                                         300                     ts                                IB1 = IB2
                                              50                                                                                                                                                   TJ = 25C

                                              30                                                                                         200
                                              20
t, TIME (ns)                                                                                                        t, TIME (ns)         100
                                              10                                                                                          70
                                             7.0                                                   tr                                     50
                                             5.0                 td @ VBE(off) = 0.5 V
                                                                                                                                                                                               tf
                                                 1.0                                                                                      30

                                                                                                                                          20

                                                      2.0 3.0 5.0 7.0 10                   20 30       50 70 100                         10           2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30              50 70 100
                                                                                                                                           1.0                  IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)                                                                    Figure 11. TurnOff Time

                                                                 Figure 10. TurnOn Time

fT, CURRENTGAIN -- BANDWIDTH PRODUCT (MHz)  500                                                                                         10

                                                      TJ = 25C                                                                                                                                             TJ = 25C
                                                                                                                                         7.0
                                             300                 VCE = 20 V
                                                                                                                                                                                           Cib
                                                                                    5.0 V                           C, CAPACITANCE (pF)  5.0
                                             200

                                                                                                                                         3.0

                                             100                                                                                         2.0                                                       Cob

                                             70

                                             50                        2.0 3.0 5.0 7.0 10              20 30 50                          1.0
                                               0.5 0.7 1.0                                                                                 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50
                                                                                                                                                                 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
                                                                                                                                                               Figure 13. Capacitance
                                                  Figure 12. CurrentGain -- Bandwidth Product

                                             1.0

r(t) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE            0.7      D = 0.5
   (NORMALIZED)                              0.5

                                             0.3
                                                               0.2

                                             0.2

                                                               0.1                                                                                    FIGURE 16
                                             0.1

                                             0.07                0.05                                                                                            DUTY CYCLE, D = t1/t2

                                             0.05                                                                                              P(pk)             D CURVES APPLY FOR POWER

                                                                 0.02                                                                                            PULSE TRAIN SHOWN

                                             0.03                                                                                                     t1         READ TIME AT t1 (SEE AN569)

                                             0.02     0.01                   SINGLE PULSE                                                                        ZJA(t) = r(t) RJA
                                                                                                                                                                 TJ(pk) TA = P(pk) ZJA(t)
                                                                                                                                                          t2

                                             0.01                                                      5.0 10 20 50 100 200                               500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
                                                 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0                                  t, TIME (ms)

                                                                                                       Figure 14. Thermal Response

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                                                                                                                                                 5
MMBT5087LT1

IC, COLLECTOR CURRENT (nA)  104                                                          DESIGN NOTE: USE OF THERMAL RESPONSE DATA

                                      VCC = 30 V                                          A train of periodical power pulses can be represented by the model
                            103                                                        as shown in Figure 16. Using the model and the device thermal
                                                                                       response the normalized effective transient thermal resistance of
                            102                   ICEO                                 Figure 14 was calculated for various duty cycles.

                            101                         ICBO                              To find ZJA(t), multiply the value obtained from Figure 14 by the
                                                                                       steady state value RJA.
                                                        AND                            Example:
                                                                                       Dissipating 2.0 watts peak under the following conditions:
                            100                         ICEX @ VBE(off) = 3.0 V
                                                                                                                  t1 = 1.0 ms, t2 = 5.0 ms (D = 0.2)
                            101                                                       Using Figure 14 at a pulse width of 1.0 ms and D = 0.2, the reading of
                                                                                       r(t) is 0.22.
                            102        0 + 20 + 40 + 60 + 80 + 100 + 120 + 140 + 160
                                 4 2     TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C)               The peak rise in junction temperature is therefore
                                  00                                                      T = r(t) x P(pk) x RJA = 0.22 x 2.0 x 200 = 88C.

                                                                                       For more information, see AN569.

                                  Figure 15. Typical Collector Leakage Current

6                                                                                Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
                                                                                    MMBT5087LT1

INFORMATION FOR USING THE SOT23 SURFACE MOUNT PACKAGE

MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS

   Surface mount board layout is a critical portion of the total         interface between the board and the package. With the
design. The footprint for the semiconductor packages must                correct pad geometry, the packages will self align when
be the correct size to insure proper solder connection                   subjected to a solder reflow process.

                          0.037                                          0.037
                          0.95                                           0.95

                                                                         0.079
                                                                          2.0

                          0.035
                           0.9

                                                                  0.031  inches
                                                                   0.8    mm

                                      SOT23

                          SOT23 POWER DISSIPATION

   The power dissipation of the SOT23 is a function of the                             SOLDERING PRECAUTIONS

pad size. This can vary from the minimum pad size for                       The melting temperature of solder is higher than the rated
                                                                         temperature of the device. When the entire device is heated
soldering to a pad size given for maximum power dissipation.             to a high temperature, failure to complete soldering within a
                                                                         short time could result in device failure. Therefore, the
Power dissipation for a surface mount device is determined               following items should always be observed in order to
                                                                         minimize the thermal stress to which the devices are
by TJ(max), the maximum rated junction temperature of the                subjected.
die, RJA, the thermal resistance from the device junction to             Always preheat the device.
ambient, and the operating temperature, TA. Using the                     The delta temperature between the preheat and
values provided on the data sheet for the SOT23 package,
                                                                             soldering should be 100C or less.*
PD can be calculated as follows:                                          When preheating and soldering, the temperature of the

      PD =  TJ(max) TA                                                     leads and the case must not exceed the maximum
               RJA                                                           temperature ratings as shown on the data sheet. When
                                                                             using infrared heating with the reflow soldering method,
   The values for the equation are found in the maximum                      the difference shall be a maximum of 10C.
ratings table on the data sheet. Substituting these values into          The soldering temperature and time shall not exceed
the equation for an ambient temperature TA of 25C, one can                  260C for more than 10 seconds.
calculate the power dissipation of the device which in this               When shifting from preheating to soldering, the
case is 225 milliwatts.                                                      maximum temperature gradient shall be 5C or less.
                                                                         After soldering has been completed, the device should
PD =  150C 25C  = 225 milliwatts                                         be allowed to cool naturally for at least three minutes.
         556C/W                                                             Gradual cooling should be used as the use of forced
                                                                             cooling will increase the temperature gradient and result
   The 556C/W for the SOT23 package assumes the use                        in latent failure due to mechanical stress.
of the recommended footprint on a glass epoxy printed circuit             Mechanical stress or shock should not be applied during
board to achieve a power dissipation of 225 milliwatts. There                cooling.
are other alternatives to achieving higher power dissipation
from the SOT23 package. Another alternative would be to                 * Soldering a device without preheating can cause excessive
use a ceramic substrate or an aluminum core board such as                thermal shock and stress which can result in damage to the
Thermal CladTM. Using a board material such as Thermal                   device.
Clad, an aluminum core board, the power dissipation can be
doubled using the same footprint.

Motorola SmallSignal Transistors, FETs and Diodes Device Data                   7
MMBT5087LT1

                                PACKAGE DIMENSIONS

                A                                                          NOTES:
                   L                                                         1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
                                                                                 Y14.5M, 1982.
                3                                                            2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
                                                                             3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
                            BS                                                   FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
                                                                                 IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
             1        2                                                          MATERIAL.

   V            G                                                                      INCHES     MILLIMETERS

                            C                                              DIM MIN MAX             MIN MAX
                                                                            A 0.1102 0.1197        2.80 3.04
   D                     H      K                                       J   B 0.0472 0.0551        1.20 1.40
                                                                            C 0.0350 0.0440        0.89 1.11
                                                                            D 0.0150 0.0200        0.37 0.50
                                                                            G 0.0701 0.0807        1.78 2.04
                                                                            H 0.0005 0.0040       0.013 0.100
                                                                            J 0.0034 0.0070       0.085 0.177
                                                                            K 0.0180 0.0236        0.45 0.60
                                                                            L 0.0350 0.0401        0.89 1.02
                                                                            S 0.0830 0.0984        2.10 2.50
                                                                            V 0.0177 0.0236        0.45 0.60

                                     CASE 31808                           STYLE 6:    BASE
                                                                              PIN 1.   EMITTER
                                       ISSUE AE                                    2.  COLLECTOR
                                SOT23 (TO236AB)                                  3.

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8                                  *MMBT5087LT1/D* Motorola SmallSignal Transistors, FETs and DiodesMDMeBvTic5e08D7LaTta1/D
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