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MMA041AA

器件型号:MMA041AA
器件类别:半导体    无线和射频集成电路    射频放大器   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
标准:
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器件描述

射频放大器 DC-26 GHz GaAs

参数
产品属性属性值
制造商:Microsemi
产品种类:射频放大器
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
类型:MMIC
技术:GaAs
工作频率:DC to 26 GHz
P1dB - 压缩点:20 dBm
增益:18 dB
工作电源电压:7 V
NF—噪声系数:3.2 dB
测试频率:12 GHz to 20 GHz
OIP3 - 三阶截点:34 dBm
工作电源电流:150 mA
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 85 C
商标:Microsemi
通道数量:1 Channel
输入返回损失:20 dB
Pd-功率耗散:2.4 W
产品类型:RF Amplifier
工厂包装数量:25
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits

MMA041AA器件文档内容

MMA041AA Datasheet

DC–26 GHz GaAs MMIC Distributed Amplifier
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

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                                                          MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                                                 2
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

1    Revision History

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1.1  Revision 1.0

     Revision 1.0 was the first publication of this document.

                       MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                              3
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

Contents

1  Revision History........................................................................................................................ 3

   1.1  Revision 1.0 ................................................................................................................................................ 3

2  Product Overview .................................................................................................................... 7

   2.1  Applications ............................................................................................................................................... 7

   2.2  Key Features............................................................................................................................................... 7

3  Electrical Specifications............................................................................................................ 9

   3.1  Absolute Maximum Ratings ....................................................................................................................... 9

   3.2  Typical Electrical Performance ................................................................................................................... 9

   3.3  Typical Performance Curves..................................................................................................................... 10

4  Chip Outline Drawing, Die Packaging, Bond Pad, and Assembly Information....................... 16

   4.1  Chip Outline Drawing ............................................................................................................................... 16

   4.2  Die Packaging Information ....................................................................................................................... 16

   4.3  Bond Pad Information .............................................................................................................................. 17

   4.4  Assembly Diagram ................................................................................................................................... 17

5  Handling and Die Attachment Recommendations................................................................. 18

6  Ordering Information ............................................................................................................. 19

          MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                                                                                                                4
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

List of Figures

Figure 1   Functional Block Diagram ..............................................................................................................................7

Figure 2   Gain Response..............................................................................................................................................10

Figure 3   Gain vs. Temperature...................................................................................................................................11

Figure 4   Gain vs. Voltage ...........................................................................................................................................11

Figure 5   Input Return Loss vs. Temperature..............................................................................................................12

Figure 6   Output Return Loss vs. Temperature...........................................................................................................12

Figure 7   Noise Figure vs. Temperature ......................................................................................................................13

Figure 8   Noise Figure vs. Voltage...............................................................................................................................13

Figure 9   P1dB and P3dB Output Power vs. Temperature..........................................................................................14

Figure 10  P1dB and P3dB Output Power vs. VDD......................................................................................................14

Figure 11  OIP3 vs. Temperature ................................................................................................................................15

Figure 12  OIP3 vs. Current (IDD) ................................................................................................................................15

Figure 13  Chip Outline ...............................................................................................................................................16

Figure 14  Assembly Diagram .....................................................................................................................................17

                 MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                                                                                                           5
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

List of Tables

Table 1  Absolute Maximum Ratings ............................................................................................................................9

Table 2  Typical Electrical Performance ........................................................................................................................9

Table 3  Die Packaging Information ............................................................................................................................16

Table 4  Bond Pad Information ...................................................................................................................................17

Table 5  Ordering Information ....................................................................................................................................19

                MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                                                                                                       6
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

2    Product Overview

     MMA041AA is a gallium arsenide (GaAs) monolithic microwave integrated circuit (MMIC)

     pseudomorphic high-electron mobility transistor (pHEMT) distributed amplifier die that operates

     between DC and 26 GHz. It is ideal for test instrumentation and communications infrastructure

     applications. The amplifier provides a flat gain of 18 dB, 3.2 dB noise figure, and 22 dBm of output

     power at 1 dBm gain compression while requiring only 150 mA from a 7 V supply. Output IP3 is

     typically 36 dBm. The MMA041AA amplifier features RF I/Os that are internally matched to 50 Ω,

     which allows for easy integration into multi-chip modules (MCMs).

     The following illustration shows the primary functional blocks of the MMA041AA device.

     Figure 1  Functional Block Diagram

2.1  Applications

     The MMA041AA device is designed for the following applications:

     •  Test instrumentation

     •  Telecom infrastructure

     •  OC192 LN/MZ modulator driver

     •  Military and space

     •  Electronic warfare (EW), electronic countermeasures (ECM), and electronic counter-

        countermeasures (ECCM)

2.2  Key Features

     The following are key features of the MMA041AA device:

     •  Frequency range: DC to 26 GHz

     •  Flat gain: 18 dB

                                MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                            7
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

•  High output IP3: 36 dBm

•  Low noise figure: 3.2 dB

•  Supply voltage: 7 V at 150 mA

•  50 Ω matched I/O

•  Compact die size: 3 mm × 1.30 mm × 0.1 mm

                             MMA041AA Datasheet Revision 1.0  8
26 GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

3           Electrical Specifications

3.1         Absolute Maximum Ratings

            The following table shows the absolute   maximum   ratings of the MMA041AA      device.

            Table 1  Absolute Maximum Ratings

            Parameter                                              Rating

            Storage temperature                                    –65 °C to 150 °C

            Operating temperature                                  –55 °C to 85 °C

            Drain bias voltage (VD)                                8V

            Gate bias voltages (VG1 and VG2)                       –2 V to 0.5 V

            Gate bias voltage (VG2)                                0 V to 2.5 V

            VD current (IDD)                                       300 mA

            RF input power                                         19 dBm

            DC power dissipation (T = 85 °C)                       2.4 W

            Channel temperature                                    150 °C

            Thermal impedance                                      18 °C/W

            ESD HBM

3.2         Typical Electrical Performance

            The following table shows the typical electrical performance of the MMA041AA device at 25 °C,

            where VDD is 7 V and IDD is 150 mA. Unless otherwise indicated, all measurements are derived from

            the RF probed die according to the assembly diagram shown in section 4.4.

            Table 2  Typical Electrical Performance

            Parameter                                Frequency Range        Min      Typ    Max            Units

            Operational frequency range                                     DC              26             GHz

            Gain                                     DC–6 GHz               18       20                    dB

                                                     6 GHz–12 GHz           18       18.5                  dB

                                                     12 GHz–20 GHz          17       18                    dB

            Gain flatness                            DC–6 GHz                        ±0.5                  dB

                                                     6 GHz–12 GHz                    ±0.25                 dB

                                                     12 GHz–20 GHz                   ±0.25                 dB

            Input return loss                        DC–6 GHz                        17                    dB

                                                     6 GHz–12 GHz                    20                    dB

                                                     12 GHz–20 GHz                   20                    dB

            Output return loss                       DC–6 GHz                        12                    dB

                                                     6 GHz–12 GHz                    16                    dB

                                                     12 GHz–20 GHz                   16                    dB

                                         MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                          9
26 GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

            Parameter                              Frequency Range         Min      Typ         Max        Units

            P1dB                                   DC–6 GHz                22       22.5                   dBm

                                                   6 GHz–12 GHz            21       22                     dBm

                                                   12 GHz–20 GHz           18       20                     dBm

            OIP3                                   DC–6 GHz                         35                     dBm

                                                   6 GHz–12 GHz                     35                     dBm

                                                   12 GHz–20 GHz                    34                     dBm

            VDD (drain voltage   supply)                                            7                      V

            IDD (drain current)                                                     150                    mA

3.3         Typical Performance Curves

            The following graphs show the typical performance curves of the MMA041AA        device at  25  °C, unless

            otherwise indicated.

            Figure 2     Gain Response

                            Gain:   T=    25  °C;  VDD = 7 V; IDD =        150 mA

                     22

                     20

                     18

                     16

            S21, dB  14

                     12

                     10

                     8

                     6

                     4

                     2

                         0  2    4  6     8   10   12  14  16  18   20     22   24  26  28  30

                                                   Frequency, GHz

                                          MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                         10
26  GHz  DC  GaAs MMIC    Distributed Amplifier

             Figure 3     Gain vs. Temperature

                                          Gain vs. Temperature at

                                          VDD = 7 V; IDD = 150mA

                      22

                      20

                      18

                      16

             S21, dB  14

                      12                                                                      T = –55 °C

                      10                                                                      T = 25 °C

                      8                                                                       T = 85 °C

                      6

                      4

                      2

                          0  2  4   6  8     10  12  14  16  18  20  22  24  26  28  30

                                             Frequency, GHz

             Figure 4     Gain vs.  Voltage

                             Gain   vs. Voltages at T =              25 °C; IDD      =   150  mA

                      22

                      20

                      18

                      16

             S21, dB  14                                                                      Vdd  =  5  V

                      12                                                                      Vdd  =  6  V

                      10                                                                      Vdd  =  7  V

                      8                                                                       Vdd  =  8  V

                      6

                      4

                      2

                          0  2  4   6  8     10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

                                             Frequency, GHz

                                             MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                11
26  GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

             Figure 5                    Input  Return Loss vs. Temperature

                                                Input Return Loss Temperature               at

                                                         VDD = 7 V; IDD = 150 mA

                                    0

             Input Return Loss, dB  -5

                                    -10

                                                                                                    T=    –55 °C

                                    -15                                                             T=    25 °C

                                                                                                    T=    85 °C

                                    -20

                                    -25

                                         0  2   4  6  8  10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

                                                         Frequency, GHz

             Figure 6                    Output Return Loss vs. Temperature

                                         Output Return Loss Temperature                 at  VDD  =  7 V;

                                                         IDD = 150 mA

                                    0

             Input Return Loss, dB  -5

                                    -10

                                                                                                    T=    –55 °C

                                    -15                                                             T=    25 °C

                                                                                                    T=    85 °C

                                    -20

                                    -25

                                         0  2   4  6  8  10 12 14 16 18 20 22 24 26 28  30

                                                         Frequency, GHz

                                                         MMA041AA Datasheet Revision 1.0                          12
26  GHz  DC  GaAs MMIC             Distributed Amplifier

             Figure 7              Noise Figure vs. Temperature

                                      MMA041AA: Noise Figure vs. Temperature

                                               (VDD = 7 V, IDD = 150 mA)

                               10

                               9

                               8

             Noise Figure, dB  7

                               6

                               5                                                        T = –55 °C

                               4                                                        T = 25 °C

                               3                                                        T = 85 °C

                               2

                               1

                               0

                                   2  4  6  8  10  12 14 16 18 20  22  24  26  28   30

                                                   Frequency, GHz

             Figure 8              Noise Figure vs. Voltage

                                      MMA041AA: Noise Figure vs. Voltage                (VDD)

                                                   at 25 °C; IDD = 150 mA

                               10

                               9

             Noise Figure, dB  8

                               7

                               6                                                        Vdd    =  5  V

                               5                                                        Vdd    =  6  V

                               4

                               3                                                        Vdd    =  7  V

                               2                                                        Vdd    =  8  V

                               1

                               0

                                   2  4  6  8  10  12 14 16 18 20  22  24  26  28   30

                                                   Frequency, GHz

                                                   MMA041AA Datasheet Revision 1.0                      13
26  GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

             Figure 9             P1dB and P3dB Output Power vs. Temperature

                                           P1dB and P3dB vs. Temperature                   at

                                                 VDD = 7 V; IDD = 150 mA

                              30

             P1dB, P3dB, dBm  25

                              20                                                           P1dB;  T  =  –55 °C

                                                                                           P1dB;  T  =  25 °C

                              15                                                           P1dB;  T  =  85 °C

                              10                                                           P3dB;  T  =  –55 °C

                              5                                                            P3dB;  T  =  25 °C

                              0                                                            P3dB;  T  =  85 °C

                                  0  2  4  6  8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

                                                 Frequency, GHz

             Figure 10            P1dB and P3dB Output Power vs. VDD

                                  P1dB and P3dB vs. VDD at 25 °C;                  IDD  =  180 mA

                              30

                              25

             P1dB, P3dB, dBm  20                                                           P1dB;  Vdd   =  6   V

                                                                                           P1dB;  Vdd   =  7   V

                              15                                                           P1dB;  Vdd   =  8   V

                              10                                                           P3dB;  Vdd   =  6   V

                                                                                           P3dB;  Vdd   =  7   V

                              5                                                            P3dB;  Vdd   =  8   V

                              0

                                  0  2  4  6  8  10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

                                                 Frequency, GHz

                                                 MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                  14
26  GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

             Figure 11      OIP3  vs.   Temperature

                                        Output IP3, vs. Temperature                at

                                              VDD = 7 V; IDD = 150 mA

                        40

                        35

                        30

             OIP3, dBm  25

                        20                                                              T = –55 °C

                        15                                                              T = 25 °C

                        10                                                              T = 85 °C

                        5

                        0

                            0  2  4     6  8  10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

                                              Frequency, GHz

             Figure 12      OIP3 vs.    Current (IDD)

                            Output      IP3 vs. Current (IDD) at  25 °C;           VDD  =6V

                        40

                        35

                        30

             OIP3, dBm  25

                        20                                                              Idd = 100  mA

                        15                                                              Idd = 150  mA

                        10                                                              Idd = 180  mA

                        5

                        0

                            0        5        10  15   20     25  30

                                              Frequency, GHz

                                                  MMA041AA Datasheet Revision 1.0                      15
26 GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

4           Chip Outline Drawing, Die Packaging, Bond Pad, and

            Assembly Information

4.1         Chip Outline Drawing

            The following illustration shows the chip outline of the MMA041AA device. Dimensions are in µm

            and are relative to the zero datum locations shown in the drawing. The minimum bond pad size is

            100 μm × 100 μm. Both the bond pad surface and the backside metal are 3 μm gold. The die

            thickness is 100 μm. The backside is the DC/RF ground. The airbridge keepout region is in

            crosshatch, and the unlabeled pads should not be bonded.

            Figure 13  Chip Outline

4.2         Die Packaging Information

            The following table shows the chip outline of the MMA041AA device. For additional packaging

            information, contact your Microsemi sales representative.

            Table 3    Die Packaging Information

            Standard Format                       Optional Format

            Waffle pack                           Gel pack

            50–100 pieces per pack                50 pieces per pack

                                     MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                         16
26 GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

4.3         Bond Pad Information

            The following table shows the bond pad information of the MMA041AA device.

            Table 4    Bond Pad Information

            Bond Pad Number     Bond Pad Name    Description

            1, 3, 7, 8, 10, 13  GND              Die bottom must be connected to RF/DC ground.

            2                   RFIN             This pad is DC-coupled and matched to 50 Ω.

            4, 5, 6             VD1, VD1A, VD1B  Power supply voltage for the amplifier. External bypass

                                                 capacitors are required.

            9                   RFOUT            This pad is DC-coupled and matched to 50 Ω.

            14, 12, 11          VG1, VG1A, VG1B  Gate control for amplifier. Adjust to achieve IDD = 60 mA.

            Backside paddle     RF/DC GND        RF/DC ground.

4.4         Assembly Diagram

            The following illustration shows the assembly diagram of the MMA041AA device.

            Figure 14   Assembly Diagram

                                       MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                       17
26 GHz DC GaAs MMIC Distributed Amplifier

5  Handling and Die Attachment Recommendations

   Gallium arsenide integrated circuits are sensitive to electrostatic discharge (ESD) and can be

   damaged by static electricity. It is recommended to follow all procedures and guidelines outlined in

   the Microsemi application note AN01 GaAs MMIC Handling and Die Attach Recommendations.

   MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                                                       18
26  GHz  DC  GaAs MMIC Distributed Amplifier

6            Ordering Information

             The following table shows the ordering  information  for  the  MMA044AA  device.

             Table 5  Ordering Information

             Part Number  Package

             MMA041AA     Die

                               MMA041AA Datasheet Revision 1.0                                 19
Mouser Electronics

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Microsemi:

MMA041AA

小广播

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