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MM60FU030PC

器件型号:MM60FU030PC
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厂商名称:THINKISEMI [THINKISEMI [Thinki Semiconductor Co., Ltd.]]
厂商官网:http://www.thinkisemi.com
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MM60FU030PC器件文档内容

     MM60FU030PC                                                                                                         

                                      MM60FU030PC                                                  Pb

Pb Free Plating Product

                                      60.0 Ampere,300 Volt Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode

APPLICATION                                             TO-3PB/TO-3PN

Freewheeling, Snubber, Clamp                                Cathode(Bottom Side Metal Heatsink)
Inversion Welder
PFC
Plating Power Supply
Ultrasonic Cleaner and Welder
Converter & Chopper
UPS

PRODUCT FEATURE                                         Internal Configuration                         Anode
                                                                       Base Backside              Cathode
Ultrafast Recovery Time                                                                    Anode
Soft Recovery Characteristics                           --
Low Recovery Loss
Low Forward Voltage
High Surge Current Capability
Low Leakage Current

GENERAL DESCRIPTION

MM60FU030PC using the lastest FRED FAB process(planar passivation chip) with ultrafast and soft recovery characteristic.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                         TC=25C unless otherwise specified

Symbol  Parameter                             Test Conditions                         Values       Unit

VR      Maximum D.C. Reverse Voltage                                                  300          V

VRRM    Maximum Repetitive Reverse Voltage                                            300          V

                                            TC=110C, Per Diode                       30           A
                                            TC=110C, Per Package
IF(AV)  Average Forward Current                                                       60           A

IF(RMS) RMS Forward Current                 TC=110C, Per Diode                       42           A

IFSM    Non-Repetitive Surge Forward Current TJ=45C, t=10ms, 50Hz, Sine              480          A

PD      Power Dissipation                                                             156          W

TJ      Junction Temperature                                                  -55to +150           C

TSTG    Storage Temperature Range                                             -55 to +150          C
Torque  Module-to-Sink
                                            RecommendedM3                             1.1          Nm

Rth(J-C) Thermal Resistance                 Junction-to-Case, Per Diode               0.8          C /W

Weight                                                                                   6        g

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                       TC=25C unless otherwise specified

Symbol  Parameter                             Test Conditions            Min. Typ. Max. Unit

                                      VR=300V                             --          --      10   A
                                      VR=300V, TJ=125C
IRM     Reverse Leakage Current                                                               10 mA

                                                                          --          --

VF      Forward Voltage               IF=30A                              -- 1.25 1.8              V

                                      IF=30A, TJ=125C                    -- 1.12 --               V

trr     Reverse Recovery Time         IF=1A, VR=30V, diF/dt=-200A/s       --          22      --   ns

trr     Reverse Recovery Time         VR=150V, IF=30A                     --          35      --   ns

IRRM    Max. Reverse Recovery Current diF/dt=-200A/s, TJ=25C             -- 2.5 --                A

trr     Reverse Recovery Time         VR=150V, IF=30A                     --          70      --   ns

IRRM    Max. Reverse Recovery Current diF/dt=-200A/s, TJ=125C            -- 6.8 --                A

Rev.05                                                                                                        Page 1/3
2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.                                                  http://www.thinkisemi.com/
          MM60FU030PC                                                                                                                          

          60                                                                                100                    IF=60A     VR=150V
                                                                                             80                               TJ =125C
          50
IF (A)                                                                         trr (ns)     60
          40
                                                                                                  IF=30A
                                       TJ =125C
                                                                                            40 IF=15A
          30
                                                                                            20
          20
                                                                                            0     0   200 400 600 800 1000
                                                                     TJ =25C
                                                                                                                   diF/dtA/s
          10
                                                                                                     Fig2. Reverse Recovery Time vs diF/dt
           0
             0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8

                                    VFV
          Fig1. Forward Voltage Drop vs Forward Current

          24                                                                                600

                    VR=150V                                                                             VR=150V
                    TJ =125C                                                                           TJ =125C

          20                                                                                500

IRRM (A)  16                                                                                400

                                          IF=60A                               Qrr (nc)                                             IF=60A
                                                                                                                                    IF=30A
          12                              IF=30A                                            300

                                                                    IF=15A                                                          IF=15A

          8                                                                                 200

          4                                                                                 100

          0   0  200 400 600 800 1000                                                       0     0   200 400 600 800 1000

                               diF/dtA/s                                                                           diF/dtA/s

              Fig3. Reverse Recovery Current vs diF/dt                                            Fig4. Reverse Recovery Charge vs diF/dt

    1.2                                                                                     10

       1Kf                                                                     ZthJC (K/W)     1                              Duty
                                                                                            10-1                              0.5
    0.8                                                                                     10-2                              0.2
                                                                                                                              0.1
    0.6                                                                                                                       0.05
                                                                                                                              Single Pulse
                 trr
                                                                                            10-310-4      10-3     10-2       10-1          1
    0.4 IRRM
                                                                                                     Rectangular Pulse Duration (seconds)
    0.2 Qrr
                                                                                                      Fig6. Transient Thermal Impedance
      0
        0 25 50 75 100 125 150
                                   TJ (C)

Fig5. Dynamic Parameters vs Junction Temperature

Rev.05                                                                                                                                             Page 2/3
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MM60FU030PC                                                                                 

                                      IF                         trr

                                                                       Qrr        0.25 IRRM
                                                                 IRRM
                                          dIF/dt
                                                                        0.9 IRRM

Fig7. Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveform

                                      Dimensions in Millimeters
                                        Fig8. Package Outline

Rev.05                                                                                        Page 3/3
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