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MJD210

器件型号:MJD210
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

5 A, 25 V, PNP, 硅, 功率晶体管

参数
MJD210端子数量 2
MJD210晶体管极性 PNP
MJD210最大集电极电流 5 A
MJD210最大集电极发射极电压 25 V
MJD210加工封装描述 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3
MJD210无铅 Yes
MJD210欧盟RoHS规范 Yes
MJD210状态 ACTIVE
MJD210包装形状 RECTANGULAR
MJD210包装尺寸 SMALL OUTLINE
MJD210表面贴装 Yes
MJD210端子形式 GULL WING
MJD210端子涂层 MATTE TIN
MJD210端子位置 SINGLE
MJD210包装材料 PLASTIC/EPOXY
MJD210结构 SINGLE
MJD210壳体连接 COLLECTOR
MJD210元件数量 1
MJD210晶体管应用 AMPLIFIER
MJD210晶体管元件材料 SILICON
MJD210晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
MJD210最小直流放大倍数 10
MJD210额定交叉频率 65 MHz

文档预览

MJD210器件文档内容

MJD200 (NPN)
MJD210 (PNP)

Complementary Plastic                                                                          http://onsemi.com
Power Transistors
                                                                                               SILICON
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface                                                    POWER TRANSISTORS
Mount Applications
                                                                                            5 AMPERES
  Designed for low voltage, low-power, high-gain audio                              25 VOLTS, 12.5 WATTS
amplifier applications.
                                                                                                                       4
Features
                                                                                                        12
Collector-Emitter Sustaining Voltage -                                                                       3

             VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc                                                        DPAK
                                                                                                        CASE 369C
High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
                                                                                                          STYLE 1
                                        = 45 (Min) @ IC = 2 Adc
                                        = 10 (Min) @ IC = 5 Adc                               MARKING DIAGRAM

Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves                                               YWW
                                                                                                              J2x0G
   (No Suffix)
                                                                                                 Y = Year
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -                                                     WW = Work Week

             VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc                                                     x = 1 or 0
                        = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc                                          G = Pb-Free Package

High Current-Gain - Bandwidth Product -                                                ORDERING INFORMATION

             fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc                                See detailed ordering and shipping information in the package
                                                                              dimensions section on page 2 of this data sheet.
Annular Construction for Low Leakage -

             ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V

                     Machine Model, C u 400 V

Pb-Free Packages are Available

MAXIMUM RATINGS

                       Rating                     Symbol  Max       Unit
Collector-Base Voltage                              VCB    40       Vdc
Collector-Emitter Voltage                          VCEO    25       Vdc
Emitter-Base Voltage                                VEB   8.0       Vdc
                                                     IC   5.0       Adc
Collector Current - Continuous                             10
                           - Peak

Base Current                                      IB      1.0       Adc

Total Power Dissipation @ TC = 25C               PD      12.5      W
Derate above 25C
                                                          0.1       W/C

Total Power Dissipation (Note 1)                  PD

@ TA = 25C                                               1.4       W
Derate above 25C
                                                          0.011     W/C

Operating and Storage Junction                    TJ, Tstg -65 to +150 C
Temperature Range

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad

    sizes recommended.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006                 1            Publication Order Number:
                                                                                                   MJD200/D
August, 2006 - Rev. 8
                                      MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)

THERMAL CHARACTERISTICS

                             Characteristic                                  Symbol                  Max            Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case                                         RqJC                    10             C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 2)                             RqJA                    89.3           C/W

2. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.

    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)

Characteristic
OFF CHARACTERISTICS                        Symbol             Min        Max      Unit
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 3), (IC = 10 mAdc, IB = 0)
                                                                             VCEO(sus)          25         -        Vdc
       Collector Cutoff Current
                                                                             VCBO               -          100      nAdc
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0, TJ = 125C)                            -          100      mAdc
Emitter Cutoff Current (VBE = 8 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS                         VEBO               -          100      nAdc

       DC Current Gain (Note 3),                                             hFE                                    -

(IC = 500 mAdc, VCE = 1 Vdc)                                  70         -
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)

                    (IC = 5 Adc, VCE = 2 Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)                 45         180
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
                                                                                                10         -
                    (IC = 2 Adc, IB = 200 mAdc)
                                                                             VCE(sat)                               Vdc
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
                                                                                                -          0.3

                                                                                                -          0.75
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3), (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
Base-Emitter On Voltage (Note 3), (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)   -          1.8
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current-Gain - Bandwidth Product (Note 4)  VBE(sat)           -          2.5      Vdc
                                                                             VBE(on)
                    (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)                               -          1.6      Vdc

Output Capacitance                                        fT  65         -        MHz
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle [ 2%.MJD200Cob-          80       pF

                                                                     MJD210                     -          120

4. fT = hfe ftest.

ORDERING INFORMATION

                     Device                       Package Type                                  Shipping

MJD200                                              DPAK                                        75 Units / Rail
MJD200G
                                                    DPAK
                                                  (Pb-Free)

MJD200RL                                            DPAK                                        1800 / Tape & Reel
MJD200RLG
                                                    DPAK
                                                  (Pb-Free)

MJD200T4                                            DPAK                                        2500 / Tape & Reel
MJD200T4G
                                                    DPAK
                                                  (Pb-Free)

MJD210                                              DPAK                                        75 Units / Rail
MJD210G
                                                    DPAK
                                                  (Pb-Free)

MJD210RL                                            DPAK                                        1800 / Tape & Reel
MJD210RLG
                                                    DPAK
                                                  (Pb-Free)

MJD210T4                                          DPAK

MJD210T4G                                           DPAK                                        2500 / Tape & Reel
                                                  (Pb-Free)

For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.

                                                  http://onsemi.com
                                                               2
                                                                  MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)

                               TA TC                                                                                                                              VCC
                               2.5 25                                                                                                                            +30 V

PD, POWER DISSIPATION (WATTS)    2 20                                                                                           25 ms
                               1.5 15
                                                                                                     +11 V                                                          RC
                                 1 10                                                                                                                                      SCOPE
                               0.5 5                                                                               0                         RB

                                 00                                                                                       -9 V
                                         25
                                                             TA (SURFACE MOUNT)                                           tr, tf  10 ns  51                  D1
                                                          TC                                                                                            -4 V
                                                                                                                      DUTY CYCLE = 1%

                                                                                                                      RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS

                                                                                                                   D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:

                                                  50      75      100               125         150                   1N5825 USED ABOVE IB  100 mA       FOR PNP TEST CIRCUIT,

                                                                                                                      MSD6100 USED BELOW IB  100 mA REVERSE ALL POLARITIES

                                                          T, TEMPERATURE (C)

                                                          Figure 1. Power Derating                                              Figure 2. Switching Time Test Circuit

                                             1K                                                                    10K

                                             500              td                                                      5K                                         VCC = 30 V

                                             300                                                                      3K                            ts           IC/IB = 10
                                             200
                                                                                                                      2K                                         IB1 = IB2

                                             100                                                                      1K                                         TJ = 25C

                               t, TIME (ns)  50                                                      t, TIME (ns)  500
                                                                                                                   300
                                             30           tr                        VCC = 30 V                     200
                                             20
                                                                                    IC/IB = 10                     100
                                             10
                                                                                    TJ = 25C

                                             5                                                                        50

                                             3    MJD200                                                              30  MJD200         tf
                                             2                                                                        20
                                                  MJD210                                                                  MJD210

                                             1                                                                        10
                                                                                                                       0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1
                                             0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1  2 3 5 10                                                                      2 3 5 10

                                                      IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                          IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                          Figure 3. Turn-On Time                                                         Figure 4. Turn-Off Time

                                                                                    http://onsemi.com
                                                                                                 3
                                                                              MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)

                                           NPN                                                                                                         PNP
                                           MJD200                                                                                                      MJD210

                                     400   TJ = 150C                                                                                            400

hFE, DC CURRENT GAIN                                     25C                                               hFE, DC CURRENT GAIN                                     TJ = 150C
                                     200                                                                                                         200

                                                                                                                                                                         25C

                                                           -55 C                                                                                100
                                     100
                                      80                                                                                                         80                -55 C

                                      60                                                                                                         60

                                     40                            VCE = 1 V                                                                     40                         VCE = 1 V

                                                                   VCE = 2 V                                                                                                VCE = 2 V

                                     20                        0.2 0.3 0.5 0.7 1             23 5                                                20                      0.2 0.3 0.5 0.7 1        23 5
                                       0.05 0.07 0.1                                                                                               0.05 0.07 0.1

                                                       IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                                                             Figure 5. DC Current Gain

                                       2                                                                                                           2

                                                TJ = 25C                                                                                                     TJ = 25C
                                     1.6                                                                                                         1.6

V, VOLTAGE (VOLTS)                   1.2                                                                    V, VOLTAGE (VOLTS)                   1.2

                                     0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10                                                                                   0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10

                                                     VBE @ VCE = 1 V                                                                                             VBE @ VCE = 1 V
                                     0.4                                                                                                         0.4

                                                   VCE(sat) @ IC/IB = 10                                                                               VCE(sat) @ IC/IB = 10

                                     0                         0.2 0.3        0.5 0.7 1      23 5                                                0                       0.2 0.3       0.5 0.7 1  23 5
                                     0.05 0.07 0.1                                                                                               0.05 0.07 0.1

                                                       IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                                                             Figure 6. "On" Voltage

                                     +2.5                                                                                                        +2.5

V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/C)  +2    *APPLIES FOR IC/IB  hFE/3                                        V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/C)  +2    *APPLIES FOR IC/IB  hFE/3

                                     +1.5                                                                                                        +1.5                                  25C to 150C

                                     +1                                                                                                          +1

                                     +0.5  qVC for VCE(sat)                   25C to 150C                                                      +0.5  *qVC for VCE(sat)

                                     0                                                                                                           0                                           -55 C to 25C
                                                                                                                                                                                  25C to 150C
                                     -0.5                                 -55 C to 25C                                                         -0.5
                                                                                                                                                                                                  -55 C to 25C
                                     -1                                   25C to 150C                                                          -1
                                                                                            -55 C to 25C
                                     -1.5  qVB for VBE                                                                                           -1.5  qVB for VBE

                                     -2                                                                                                            -2

                                     -2.5                      0.2 0.3 0.5 0.7 1             23 5                                                -2.5                    0.2 0.3 0.5 0.7 1        23 5
                                        0.05 0.07 0.1                                                                                               0.05 0.07 0.1

                                                       IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                                                          Figure 7. Temperature Coefficients

                                                                                             http://onsemi.com
                                                                                                          4
                                                                                                MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)

                                1

                                0.7           D = 0.5

r(t), TRANSIENT THERMAL         0.5
   RESISTANCE (NORMALIZED)
                                0.3              0.2

                                0.2              0.1                                                                  RqJC(t) = r(t) qJC                                  P(pk)
                                                                                                                      RqJC = 10C/W MAX
                                        0.05                                                                          D CURVES APPLY FOR POWER                                    t1
                                0.1                                                                                                                                                   t2
                                                                                                                      PULSE TRAIN SHOWN
                             0.07                                                                                                                                            DUTY CYCLE, D = t1/t2
                                                                                                                      READ TIME AT t1
                             0.05                      0.02                                                           TJ(pk) - TC = P(pk) qJC(t)

                                                    0.01
                             0.03

                                         0 (SINGLE PULSE)
                             0.02

                             0.01                0.05            0.1                       0.2  0.5     1             2         5                                 10      20  50  100               200
                                 0.02

                                                                                                               t, TIME (ms)

                                                                                                        Figure 8. Thermal Response

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)  10                                                                                         There are two limitations on the power handling ability of
                                                           5 ms
                                                                                                                      a transistor: average junction temperature and second
                              5
                                                                                                                      breakdown. Safe operating area curves indicate IC - VCE
                             3       TJ = 150C        100 ms                                   1 ms                  limits of the transistor that must be observed for reliable
                             2
                                                                                                                      operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
                             1                         500 ms                                                         dissipation than the curves indicate.

                                                                                                dc                      The data of Figure 9 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
                                                                                                                      variable depending on conditions. Second breakdown pulse
                            0.1                  BONDING WIRE LIMITED                                                 limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
                           0.01                  THERMALLY LIMITED @ TC = 25C                                        v 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
                                                                                                                      Figure 8. At high case temperatures, thermal limitations will
                               0.3                  (SINGLE PULSE)                                                    reduce the power that can be handled to values less than the
                                                 SECOND BREAKDOWN LIMITED
                                                                                                                      limitations imposed by second breakdown.
                                                    CURVES APPLY BELOW
                                                    RATED VCEO

                                                 1     2 3 5 7 10                                       20 30

                                       VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

                                    Figure 9. Active Region Safe Operating Area

                                                                      C, CAPACITANCE (pF)  200
                                                                                                                                                          TJ = 25C

                                                                                                                             Cib
                                                                                           100
                                                                                            70

                                                                                           50
                                                                                                                                                         Cob

                                                                                           30           MJD200 (NPN)
                                                                                                        MJD210 (PNP)

                                                                                           200.4 0.6 1  2      4 6 10                                         20      40

                                                                                                        VR, REVERSE VOLTAGE (V)

                                                                                                        Figure 10. Capacitance

                                                                                                        http://onsemi.com
                                                                                                                     5
                                             MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)

                                                   PACKAGE DIMENSIONS

                                                                         DPAK
                                                                      CASE 369C

                                                                        ISSUE O

                                                    -T-        SEATING                                             NOTES:
                                                               PLANE                                                 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
                                                                                                                         PER ANSI Y14.5M, 1982.
      B                                      C                                                                       2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

V     R                                                     E                                                                   INCHES     MILLIMETERS

                        4                                                                         Z                DIM MIN MAX              MIN MAX
                                                               U                                                    A 0.235 0.245           5.97 6.22
                               A                                                                                    B 0.250 0.265           6.35 6.73
S                                                                                                                   C 0.086 0.094           2.19 2.38
                                                                                                                    D 0.027 0.035           0.69 0.88
                 1 23                                                                                               E 0.018 0.023           0.46 0.58
                                                                                                                    F 0.037 0.045           0.94 1.14
                               K                                                                                    G 0.180 BSC
                                                                                                                    H 0.034 0.040             4.58 BSC
   F                                      J                                                                         J 0.018 0.023           0.87 1.01
                                                                                                                    K 0.102 0.114           0.46 0.58
                      L                   H                                                                         L 0.090 BSC             2.60 2.89
                                                                                                                    R 0.180 0.215
                                  D 2 PL                                                                            S 0.025 0.040             2.29 BSC
                                                                                                                    U 0.020 ---             4.57 5.45
                                                                                                                    V 0.035 0.050           0.63 1.01
                                                                                                                    Z 0.155 ---             0.51 ---
                                                                                                                                            0.89 1.27
                                                                                                                                            3.93 ---

      G                           0.13 (0.005) M T

                                                            SOLDERING FOOTPRINT*                                   STYLE 1:
                                                                                                                     PIN 1. BASE
                                                                                                                          2. COLLECTOR
                                                                                                                          3. EMITTER
                                                                                                                          4. COLLECTOR

                                                               6.20      3.0
                                                               0.244    0.118

                                                                2.58
                                                               0.101

                                             5.80                        1.6 6.172
                                             0.228                      0.063 0.243

                                                                                   SCALE 3:1
                                                                                                      mm
                                                                                                     inches

                                          *For additional information on our Pb-Free strategy and soldering
                                           details, please download the ON Semiconductor Soldering and
                                           Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

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"Typical" parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All

operating parameters, including "Typicals" must be validated for each customer application by customer's technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights

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Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,

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