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MD7IC2251GN

器件型号:MD7IC2251GN
器件类别:热门应用    无线_射频_通信   
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2110-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
NXP
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
商标:
Brand:
NXP / Freescale
产品类型:
Product Type:
RF Amplifier
子类别:
Subcategory:
Wireless & RF Integrated Circuits

MD7IC2251GN器件文档内容

Freescale Semiconductor                                                                         Document Number: MD7IC2251N

Technical Data                                                                                                          Rev. 0, 5/2012

RF LDMOS Wideband Integrated

Power Amplifiers                                                                                       MD7IC2251NR1

   The MD7IC2251N wideband integrated circuit is designed with on--chip                         MD7IC2251GNR1

matching that makes it usable from 2110 -- 2170 MHz. This multi -- stage

structure is rated for 26 to 32 volt operation and covers all typical cellular

base station modulation formats.

•  Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Characterization Performance:

   VDD = 28 Volts, IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc,                          2110--2170 MHz, 12 W AVG., 28 V

   Pout = 12 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz,                          SINGLE W--CDMA

   Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.                                              RF LDMOS WIDEBAND

                              Gps  PAE                       Output PAR  ACPR                   INTEGRATED POWER AMPLIFIERS

              Frequency  (dB)      (%)                       (dB)        (dBc)

              2110 MHz   28.8      38.2                      7.1         --34.6                 TO--270 WB--14

              2140 MHz   29.0      37.9                      7.1         --36.2                        PLASTIC

                                                                                                MD7IC2251NR1

              2170 MHz   29.2      37.4                      6.9         --36.1

•  Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2140 MHz, 63 Watts CW

   Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)                                                          TO--270 WB--14 GULL

•  Typical Pout @ 3 dB Compression Point ≃ 58 Watts (1)                                                                 PLASTIC

Features                                                                                                            MD7IC2251GNR1

•  100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

•  Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration

•  Characterized with Large--Signal Load--Pull Parameters and Common Source S--Parameters

•  On--Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)

•  Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function (2)

•  Integrated ESD Protection

•  225°C Capable Plastic Package

•  In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13 inch Reel.

       VDS1A                                                                                               Carrier

                                                                                  CARRIER (3)   VDS1A  1

       RFinA                                                                      RFout1/VDS2A  VGS2A  2

                                                                                                VGS1A  3            14  RFout1/VDS2A

                                                                                                RFinA  4

                                                                                                NC     5

       VGS1A                       Quiescent Current                                            NC     6

       VGS2A             Temperature Compensation (2)                                           NC     7

                                                                                                NC     8

       VGS1B                                                                                    RFinB  9            13  RFout2/VDS2B

                                   Quiescent Current                                            VGS1B  10

       VGS2B             Temperature Compensation (2)                                           VGS2B  11

                                                                                  PEAKING (3)   VDS1B  12  Peaking

       RFinB                                                                      RFout2/VDS2B            (Top View)

                                                                                                Note:  Exposed backside of the package is

       VDS1B                                                                                           the source terminal for the transistors.

                         Figure 1. Functional Block Diagram                                            Figure 2. Pin Connections

   1.  P3dB = Pavg + 7.0 dB where Pavg is the average output power measured using an unclipped W--CDMA single--carrier input signal where output

       PAR is compressed to 7.0 dB @ 0.01% probability on CCDF.

   2.  Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control

       for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes -- AN1977 or AN1987.

   3.  Peaking and Carrier orientation is determined by the test fixture design.

© Freescale Semiconductor, Inc., 2012. All rights reserved.                                            MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                                                       1
Table 1. Maximum Ratings

                                            Rating                                       Symbol                         Value           Unit

   Drain--Source Voltage                                                                 VDS                            --0.5, +65      Vdc

   Gate--Source Voltage                                                                  VGS                            --0.5, +10      Vdc

   Operating Voltage                                                                     VDD                            32, +0          Vdc

   Storage Temperature Range                                                             Tstg    -- 65 to +150                          °C

   Case Operating Temperature                                                            TC                             150             °C

   Operating Junction Temperature (1,2)                                                     TJ                          225             °C

   Input Power                                                                           Pin                            28              dBm

Table 2. Thermal Characteristics

                                         Characteristic                                  Symbol                         Value (2,3)     Unit

Final Doherty Application

   Thermal Resistance, Junction to Case                                                  RθJC                                           °C/W

   Case Temperature 78°C, Pout = 12 W CW

       Stage 1, 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA                                                                               4.8

       Stage 2, 28 Vdc, IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc                                                                 1.5

   Case Temperature 89°C, Pout = 50 W CW

       Stage 1, 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA                                                                               3.7

       Stage 2, 28 Vdc, IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc                                                                 1.0

Table 3. ESD Protection Characteristics

                                         Test Methodology                                                               Class

   Human Body Model (per JESD22--A114)                                                                                  1A

   Machine Model (per EIA/JESD22--A115)                                                                                 A

   Charge Device Model (per JESD22--C101)                                                                               II

Table 4. Moisture Sensitivity Level

                                Test Methodology                                Rating   Package Peak Temperature                       Unit

   Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020                                      3                260                                    °C

Table 5. Electrical Characteristics         (TA = 25°C unless otherwise noted)

                                    Characteristic                              Symbol   Min     Typ                            Max     Unit

Stage 1 -- Off Characteristics (4)

   Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                                      IDSS     —       —                              10      μAdc

   (VDS = 65 Vdc, VGS = 0 Vdc)

   Zero Gate Voltage Drain Leakage Current                                      IDSS     —       —                                  1   μAdc

   (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)

   Gate--Source Leakage Current                                                 IGSS     —       —                                  1   μAdc

   (VGS = 1.5 Vdc, VDS = 0 Vdc)

Stage 1 -- On Characteristics (4)

   Gate Threshold Voltage                                                       VGS(th)  1.2     2.0                            2.7     Vdc

   (VDS = 10 Vdc, ID = 23 μAdc)

   Gate Quiescent Voltage                                                       VGS(Q)   —       2.7                            —       Vdc

   (VDS = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mAdc)

   Fixture Gate Quiescent Voltage                                               VGG(Q)   6.0     7.0                            8.0     Vdc

   (VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mAdc, Measured in Functional Test)

   1.  Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

   2.  MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators      to  access  MTTF

       calculators by product.

   3.  Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

       Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

   4.  Each side of device measured separately.

                                                                                                                                        (continued)

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                                                                                                     RF Device Data

2                                                                                                Freescale Semiconductor, Inc.
Table 5. Electrical Characteristics     (TA = 25°C unless otherwise noted) (continued)

                            Characteristic                                Symbol        Min                    Typ         Max           Unit

Stage 2 -- Off Characteristics (1)

Zero Gate Voltage Drain Leakage     Current                               IDSS          —                      —           10            μAdc

(VDS = 65 Vdc, VGS = 0 Vdc)

Zero Gate Voltage Drain Leakage     Current                               IDSS          —                      —           1             μAdc

(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)

Gate--Source Leakage Current                                              IGSS          —                      —           1             μAdc

(VGS = 1.5 Vdc, VDS = 0 Vdc)

Stage 2 -- On Characteristics (1)

Gate Threshold Voltage                                                    VGS(th)       1.2                    2.0         2.7           Vdc

(VDS = 10 Vdc, ID = 150 μAdc)

Gate Quiescent Voltage                                                    VGSA(Q)       —                      2.7         —             Vdc

(VDS = 28 Vdc, IDQ2A = 260 mAdc)

Fixture Gate Quiescent Voltage                                            VGGA(Q)       5.5                    6.3         7.5           Vdc

(VDD = 28 Vdc, IDQ2A = 260 mAdc, Measured in Functional Test)

Drain--Source On--Voltage                                                 VDS(on)       0.1                    0.24        1.2           Vdc

(VGS = 10 Vdc, ID = 1 Adc)

Functional Tests (2,3,4) (In Freescale Doherty Production Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA,

VGS2B = 1.4 Vdc, Pout = 12 W Avg., f = 2140 MHz, Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%

Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.

Power Gain                                                                Gps           27.6                   28.2        32.0          dB

Power Added Efficiency                                                    PAE           33.5                   36.9        —             %

Output Peak--to--Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF                PAR           6.2                    6.6         —             dB

Adjacent Channel Power Ratio                                              ACPR          —         --34.2                   --31.5        dBc

Typical Broadband Performance (In Freescale Doherty Characterization Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA,

IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc, Pout = 12 W Avg., Single--Carrier W--CDMA, IQ Magnitude Clipping, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%

Probability on CCDF. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.

                                                                          Gps              PAE                    Output PAR        ACPR

                            Frequency                                     (dB)               (%)                     (dB)           (dBc)

                              2110 MHz                                    28.8             38.2                      7.1            --34.6

                              2140 MHz                                    29.0             37.9                      7.1            --36.2

                              2170 MHz                                    29.2             37.4                      6.9            --36.1

1.  Each side of device measured separately.

2.  Part internally matched both on input and output.

3.  Measurement made with device in a Symmetrical Doherty configuration.

4.  Measurement made with device in straight lead configuration before any lead forming operation is applied.

                                                                                                                                   (continued)

                                                                                                  MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                                                   3
Table 5. Electrical Characteristics         (TA = 25°C unless otherwise noted) (continued)

                             Characteristic                                  Symbol         Min  Typ    Max                           Unit

Typical Performances (1) (In Freescale Doherty Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA, VGS2B =

1.4 Vdc, 2110--2170 MHz Bandwidth

   Pout @ 1 dB Compression Point, CW                                         P1dB           —    40     —                                        W

   Pout @ 3 dB Compression Point (2)                                         P3dB           —    58     —                                        W

   IMD Symmetry @ 18 W PEP, Pout where IMD Third Order                       IMDsym         —    25     —                             MHz

   Intermodulation  30 dBc

   (Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower

   Sidebands > 2 dB)

   VBW Resonance Point                                                       VBWres         —    65     —                             MHz

   (IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)

   Quiescent Current Accuracy over Temperature                               ∆IQT                                                                %

   with 4.7 kΩ Gate Feed Resistors (--30 to 85°C) (3)    Stage 1                            —    1.5    —

                                                         Stage 2                            —    5.0    —

   Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout = 12 W Avg.                      GF             —    0.2    —                                        dB

   Gain Variation over Temperature                                           ∆G             —    0.028  —                             dB/°C

   (--30°C to +85°C)

   Output Power Variation over Temperature                                   ∆P1dB          —    0.028  —                             dB/°C

   (--30°C to +85°C)

   1.  Measurement made with device in a Symmetrical Doherty configuration.

   2.  P3dB = Pavg + 7.0 dB where Pavg is the average output power measured using an unclipped W--CDMA single--carrier input signal where

       output PAR is compressed to 7.0 dB @ 0.01% probability on CCDF.

   3.  Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control

       for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes -- AN1977 or

       AN1987.

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                                                                           RF Device Data

4                                                                                                Freescale Semiconductor, Inc.
                VGS1A   VGS2A       VDS1A                                                                             VDS2A

                                                      C1

                        R2                                        C7        C9

          R1                                               C23                               C13

                                                                                                           C3   C4

                                                          C19                                              C11

                                                           C15         C16

                                                                            CUT OUT AREA  C

                                Z1

                                                                                          P

                R5

                                                           C17         C18                                 C12        C21

                                                          C20                                                              MD7IC2251N

                                                                                                           C5   C6         Rev. 1

          R3                                               C22                               C14

                                                                  C8        C10

                        R4

                                                      C2

                VGS1B   VGS2B       VDS1B                                                                                          VDS2B

                        Figure  3.  MD7IC2251NR1(GNR1)            Production Test                 Circuit  Component  Layout

Table 6. MD7IC2251NR1(GNR1) Production Test Circuit Component Designations and Values

              Part                                        Description                                      Part Number                    Manufacturer

C1, C2, C3, C4, C5, C6              10 μF Chip Capacitors                                         GRM55DR61H106KA88L               Murata

C7, C8                              4.7 pF Chip Capacitors                                        ATC600F4R7BT250XT                ATC

C9, C10                             5.6 pF Chip Capacitors                                        ATC600F5R6BT250XT                ATC

C11, C12                            39 pF Chip Capacitors                                         ATC600F390JT250XT                ATC

C13, C14, C15, C16, C17, C18        4.7 μF Chip Capacitors                                        GRM31CR71H475KA12L               Murata

C19, C20                            0.5 pF Chip Capacitors                                        ATC600F0R5BT250XT                ATC

C21                                 0.9 pF Chip Capacitor                                         ATC600F0R9BT250XT                ATC

C22, C23                            1.0 μF Chip Capacitors                                        GRM31CR71H105KA12L               Murata

R1, R2, R3, R4                      4.7 kΩ, 1/4 W Chip Resistors                                  CRCW12064K70FKEA                 Vishay

R5                                  50 Ω, 10 W, Termination                                       RFP-06012A15Z50                  Anaren

Z1                                  2100--2200 MHz, 90°, 3 dB Chip Hybrid Coupler                 GSC355-HYB2150                   Soshin

PCB                                 0.020″, εr = 3.5                                              RF-35A2                          Taconic

                                                                                                                MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                                                           5
                   VGS1A   VGS2A      VDS1A                                                                 VDS2A

                                             C1

                           R2                                       C7    C9

             R1                                         C23                               C13

                                                                                               C3       C4

                                                        C19                                    C11

                                                             C15     C16

                                                                         CUT OUT AREA  C

                                  Z1

                                                                                       P

                   R5

                                                        C17         C18                        C12             C21

                                                        C20                                                         MD7IC2251N

                                                                                               C5       C6          Rev. 1

             R3                                              C22                          C14

                                                                    C8    C10

                           R4

                                             C2

                   VGS1B   VGS2B      VDS1B                                                                                 VDS2B

                       Figure 4. MD7IC2251NR1(GNR1) Characterization Test                      Circuit Component Layout

Table 7. MD7IC2251NR1(GNR1) Characterization Test Circuit Component                            Designations and Values

                 Part                                   Description                            Part Number                         Manufacturer

   C1, C2, C3, C4, C5, C6             10 μF Chip Capacitors                                    GRM55DR61H106KA88L           Murata

   C7, C8                             4.7 pF Chip Capacitors                                   ATC600F4R7BT250XT            ATC

   C9, C10                            5.6 pF Chip Capacitors                                   ATC600F5R6BT250XT            ATC

   C11, C12                           39 pF Chip Capacitors                                    ATC600F390JT250XT            ATC

   C13, C14, C15, C16, C17, C18       4.7 μF Chip Capacitors                                   GRM31CR71H475KA12L           Murata

   C19, C20                           0.5 pF Chip Capacitors                                   ATC600F0R5BT250XT            ATC

   C21                                0.9 pF Chip Capacitor                                    ATC600F0R9BT250XT            ATC

   C22, C23                           1.0 μF Chip Capacitors                                   GRM31CR71H105KA12L           Murata

   R1, R2, R3, R4                     4.7 kΩ, 1/4 W Chip Resistors                             CRCW12064K70FKEA             Vishay

   R5                                 50 Ω, 10 W, Termination                                  RFP-06012A15Z50              Anaren

   Z1                                 2100--2200 MHz, 90°, 3 dB Chip Hybrid Coupler            GSC355-HYB2150               Soshin

   PCB                                0.020″, εr = 3.5                                         RF-35A2                      Taconic

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                                                                                                   RF Device Data

6                                                                                                           Freescale Semiconductor, Inc.
                                                                                                          TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                                                                 31                                                                               39        PAE, POWER ADDED                 EFFICIENCY (%)

                                                                                                 30.6                                                                       PAE   37

                                                                                                 30.2     VDD = 28 Vdc, Pout = 12 W (Avg.)                                        35

                                                GAIN (dB)                                                 IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA

                                                                                                 29.8     VGS2B = 1.4 Vdc, Single--Carrier W--CDMA                                33

                                                                                                 29.4     3.84 MHz Channel Bandwidth                                        Gps   31

                                                Gps, POWER                                       29                                                                               --30                                                       0

                                                                                                 28.6               Input Signal PAR = 9.9 dB @                                   --32                                                       --1

                                                                                                                    0.01% Probability on CCDF                                               ACPR (dBc)

                                                                                                 28.2                                                                       ACPR  --34                                                       --2   PARC (dB)

                                                                                                 27.8                                                                             --36                                                       --3

                                                                                                 27.4                                                                       PARC  --38                                                       --4

                                                                                                 27                                                                                   --40                                                   --5

                                                                                                 2060     2080  2100       2120       2140     2160    2180        2200          2220

                                                                                                                           f, FREQUENCY (MHz)

                                                Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)

                                                                                                       Broadband Performance @ Pout = 12 Watts Avg.

                                                IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)            --20

                                                                                                                                                               IM3--L

                                                                                                 --30

                                                                                                                                                       IM3--U

                                                                                                 --40

                                                                                                                                               IM5--U

                                                                                                                                                       IM5--L

                                                                                                 --50

                                                                                                          VDD = 28 Vdc, Pout = 18 W (PEP)

                                                                                                 --60     IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA

                                                                                                          VGS2B = 1.4 Vdc, Two--Tone Measurements      IM7--U          IM7--L

                                                                                                          (f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz

                                                                                                 --70

                                                                                                       1                                   10                                    100

                                                                                                                      TWO--TONE SPACING (MHz)

                                                                                                          Figure 6. Intermodulation Distortion Products

                                                                                                                    versus Two--Tone Spacing

                                      30                                                         0                                                                                    50                                                     --20

                                                                                                                      Gps                                          PAE

                                      29  OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%                            --1            --1 dB = 7.2 W                                                        46    PAE, POWER ADDED EFFICIENCY (%)                  --25

                Gps, POWER GAIN (dB)                                   PROBABILITY ON CCDF (dB)                     --2 dB = 9.9 W                                          ACPR

                                      28                                                         --2                                                                                  42                                                     --30

                                      27                                                         --3                                         VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA          38                                                     --35  ACPR (dBc)

                                                                                                                                             IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc

                                                                                                                                             f = 2140 MHz, Single--Carrier

                                      26                                                         --4            --3 dB = 12.5 W              W--CDMA                                  34                                                     --40

                                      25                                                         --5                                                                                  30                                                     --45

                                                                                                          3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal                     PARC

                                      24                                                         --6      PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF                                    26                                                     --50

                                                                                                       5        10              15             20              25                 30

                                                                                                                    Pout, OUTPUT POWER (WATTS)

                                                                                                          Figure 7. Output Peak--to--Average Ratio

                                                                                                          Compression (PARC) versus Output Power

                                                                                                                                                                                       MD7IC2251NR1                                                            MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor,                  Inc.                                                                                                                                                                                                                 7
                                                                                            TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                                          31                                                                                   60                                   --20

                                                                                   VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA                           ACPR                  PAE, POWER ADDED EFFICIENCY (%)

                                                                          30       IDQ2A = 260 mA, VGS2B = 1.4 Vdc                                             50                                   --25

                                                                                                                                                   PAE

                                                    Gps, POWER GAIN (dB)  29       Single--Carrier W--CDMA                                   2140 MHz          40                                   --30

                                                                                   3.84 MHz Channel Bandwidth

                                                                                   Input Signal PAR = 9.9 dB                                 2110 MHz                                                         ACPR (dBc)

                                                                          28       @ 0.01% Probability                                      2170 MHz           30                                   --35

                                                                                   on CCDF                              2110 MHz

                                                                          27                                            2140 MHz                               20                                   --40

                                                                          26                                            2170 MHz                               10                                   --45

                                                                                                                                                   Gps

                                                                          25                                                                                   0                                    --50

                                                                                1                                   10                                    100

                                                                                            Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.

                                                                          Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Power

                                                                             Added Efficiency and ACPR versus Output Power

                                                                          36

                                                                          30

                                                                                                              Gain

                                                                          24

                                                    GAIN (dB)             18

                                                                          12                VDD = 28 Vdc

                                                                                            Pin = 0 dBm

                                                                                            IDQ1(A+B) = 80 mA

                                                                             6              IDQ2A = 260 mA

                                                                                            VGS2B = 1.4 Vdc

                                                                             0

                                                                             1800  1900     2000         2100  2200           2300     2400        2500   2600

                                                                                                         f, FREQUENCY (MHz)

                                                                                   Figure 9. Broadband Frequency Response

                                                                                            W--CDMA TEST                      SIGNAL

                 100                                                                                                          10

                                                                                                                                    0

                 10                                                                                                           --10

                                                                                                                                                                                                    3.84 MHz

PROBABILITY (%)  1                                                                                                            --20                                 Channel BW

                                                    Input Signal                                                              --30

                 0.1                                                                                                          --40

                                                                                                                        (dB)  --50

                 0.01

                            W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz                                                                --60          --ACPR in 3.84 MHz                                                            +ACPR in 3.84 MHz

                 0.001      Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.                                                                --70           Integrated BW                                                                Integrated BW

                            Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%

                 0.0001     Probability on CCDF                                                                               --80

                         0  2                    4                        6        8        10                 12             --90

                                                 PEAK--TO--AVERAGE (dB)                                                       --100

                            Figure 10. CCDF W--CDMA IQ Magnitude                                                                       --9  --7.2  --5.4  --3.6    --1.8                            0         1.8         3.6  5.4  7.2      9

                            Clipping, Single--Carrier Test Signal                                                                                                 f, FREQUENCY (MHz)

                                                                                                                                            Figure 11. Single--Carrier W--CDMA Spectrum

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                                                                                                                                                                                          RF Device Data

8                                                                                                                                                                                                   Freescale Semiconductor, Inc.
                                     VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A     = 260 mA, CW

                                                                                    Max Output Power

                f              Zin   Zload (1)                      P1dB                              P3dB

                (MHz)          (Ω)   (Ω)                (dBm)       (W)             PAE (%)   (dBm)         (W)   PAE (%)

                2110   68.0 – j42.0  7.20 – j14.0            45.8           38         52.2   46.4          44    53.1

                2140   60.6 – j37.0  7.40 – j14.4            45.7           37         51.9   46.4          44    52.7

                2170   54.0 – j31.0  7.30 – j14.7            45.7           37         51.6   46.4          44    52.2

(1)             Load impedance for optimum P1dB power.

Zin                =   Impedance as measured from input contact to ground.

Zload              =   Impedance as measured from drain contact to ground.

                                          Device                            Output

                                          Under                             Load Pull

                                          Test                              Tuner

                                     Zin                     Zload

                       Figure 12. Carrier Side Load Pull Performance — Maximum P1dB Tuning

                                     VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 80 mA, IDQ2A = 260 mA, CW

                                                                                Max Power Added Efficiency

                f              Zin   Zload (1)                      P1dB                              P3dB

                (MHz)          (Ω)   (Ω)                (dBm)       (W)             PAE (%)   (dBm)         (W)   PAE (%)

                2110   60.0 – j53.0  9.10 – j8.80            44.4           28         58.1   45.0          32.0  57.6

                2140   54.0 – j46.0  8.20 – j9.10            44.4           28         57.6   44.9          31.0  57.0

                2170   48.0 – j39.0  7.90 – j9.60            44.4           28         57.4   45.0          32.0  56.7

(1)             Load impedance for optimum P1dB efficiency.

Zin                =   Impedance as measured from input contact to ground.

Zload              =   Impedance as measured from drain contact to ground.

                                          Device                            Output

                                          Under                             Load Pull

                                          Test                              Tuner

                                     Zin                     Zload

Figure 13. Carrier Side Load Pull Performance — Maximum Power Added Efficiency Tuning

                                                                                                     MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.                                                                                                    9
                            PACKAGE DIMENSIONS

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                RF Device Data

10                                              Freescale Semiconductor, Inc.
                               MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.  11
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                            RF Device Data

12                          Freescale Semiconductor, Inc.
                               MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.  13
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                            RF Device Data

14                          Freescale Semiconductor, Inc.
                               MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.  15
                               PRODUCT DOCUMENTATION, SOFTWARE AND TOOLS

   Refer to the following documents, software and tools to aid your design process.

Application Notes

•   AN1907: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over--Molded Plastic Packages

•   AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers

•   AN1977: Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family

•   AN1987: Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family

•   AN3789: Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over--Molded Plastic Packages

Engineering Bulletins

•   EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

Software

•   Electromigration MTTF Calculator

•   RF High Power Model

•   .s2p File

Development Tools

•   Printed Circuit Boards

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                                      REVISION HISTORY

   The following table summarizes revisions to this document.

   Revision    Date                                                 Description

    0          May 2012     •  Initial Release of Data Sheet

MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

                                                                                                              RF Device Data

16                                                                                            Freescale Semiconductor, Inc.
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                                           disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental

                                           damages. “Typical” parameters that may be provided in Freescale data sheets and/or

                                           specifications can and do vary in different applications, and actual performance may

                                           vary over time. All operating parameters, including “typicals,” must be validated for

                                           each customer application by customer’s technical experts. Freescale does not convey

                                           any license under its patent rights nor the rights of others. Freescale sells products

                                           pursuant to standard terms and conditions of sale, which can be found at the following

                                           address: http://www.reg.net/v2/webservices/Freescale/Docs/TermsandConditions.htm.

                                           Freescale, the Freescale logo, AltiVec, C--5, CodeTest, CodeWarrior, ColdFire,

                                           C--Ware, Energy Efficient Solutions logo, Kinetis, mobileGT, PowerQUICC, Processor

                                           Expert, QorIQ, Qorivva, StarCore, Symphony, and VortiQa are trademarks of

                                           Freescale Semiconductor, Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off. Airfast, BeeKit, BeeStack,

                                           ColdFire+, CoreNet, Flexis, MagniV, MXC, Platform in a Package, QorIQ Qonverge,

                                           QUICC Engine, Ready Play, SafeAssure, SMARTMOS, TurboLink, Vybrid, and Xtrinsic

                                           are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names

                                           are the property of their respective owners.

                                           E 2012 Freescale Semiconductor, Inc.

                                                                                         MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1

RDFocDumeevnict eNuDmabetar: MD7IC2251N

FRreeve.s0c, 5a/l2e01S2emiconductor, Inc.                                                                                               17
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