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MC9S08SE8CWLR

器件型号:MC9S08SE8CWLR
器件类别:半导体    嵌入式处理器和控制器   
文件大小:6103.23KB,共10页
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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器件描述

8-bit Microcontrollers - MCU BL Microcontrollers

参数
产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
8-bit Microcontrollers - MCU
制造商:
Manufacturer:
NXP
封装:
Packaging:
Reel
商标:
Brand:
NXP / Freescale
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
1000
单位重量:
Unit Weight:
0.026676 oz

MC9S08SE8CWLR器件文档内容

Freescale Semiconductor                                                                Document Number: MC9S08SE8

Data Sheet: Technical Data                                                                                   Rev. 4, 4/2015

                                                                                       MC9S08SE8

                                                                                    28-Pin SOIC                    16-Pin TSSOP

                                                                   TBD              Case 751F                      Case 948F-01

MC9S08SE8 Series                                                                    28-Pin PDIP

   Covers:            MC9S08SE8                                                     Case 710-02

Features:             MC9S08SE4                                         –  SCI — Full duplex non-return to zero (NRZ); LIN

•  8-Bit HCS08 Central Processor Unit (CPU)                                master extended break generation; LIN slave extended

   –  20 MHz HCS08 CPU (central processor unit)                            break detection; wakeup on active edge

   –  10 MHz internal bus frequency                                     –  ADC — 10-channel, 10-bit resolution; 2.5 μs

   –  HC08 instruction set with added BGND                                 conversion time; automatic compare function;

   –  Support for up to 32 interrupt/reset sources                         1.7 mV/°C temperature sensor; internal bandgap

•  On-Chip Memory                                                          reference channel; runs in stop3

   –  Up to 8 KB of on-chip in-circuit programmable flash               –  TPMx — One 2-channel (TPM1) and one 1-channel

      memory with block protection and security options                    (TPM2) 16-bit timer/pulse-width modulator (TPM)

   –  Up to 512 bytes of on-chip RAM                                       modules; selectable input capture, output compare, and

•  Power-Saving Modes                                                      edge-aligned PWM capability on each channel; timer

   –  Wait plus two stops                                                  module may be configured for buffered, centered PWM

•  Clock Source Options                                                    (CPWM) on all channels

   –  Oscillator (XOSC) — Loop-control Pierce oscillator;               –  KBI — 8-pin keyboard interrupt module

      crystal or ceramic resonator range of 31.25 kHz to                –  RTC — Real-time counter with binary- or

      38.4 kHz or 1 MHz to 16 MHz                                          decimal-based prescaler

   –  Internal Clock Source (ICS) — Internal clock source       •       Input/Output

      module containing a frequency-locked-loop (FLL)                   –  Software selectable pullups on ports when used as inputs

      controlled by internal or external reference; precision           –  Software selectable slew rate control on ports when used

      trimming of internal reference allows 0.2% resolution                as outputs

      and 2% deviation over temperature and voltage;                    –  Software selectable drive strength on ports when used as

      supports bus frequencies from 1 MHz to 10 MHz.                       outputs

•  System Protection                                                    –  Master reset pin and power-on reset (POR)

   –  Optional computer operating properly (COP) reset with             –  Internal pullup on RESET, IRQ, and BKGD/MS pins to

      option to run from independent 1 kHz internal clock                  reduce customer system cost

      source or the bus clock                                   •       Package Options

   –  Low voltage detection                                             –  28-pin PDIP

   –  Illegal opcode detection with reset                               –  28-pin SOIC

   –  Illegal address detection with reset                              –  16-pin TSSOP

•  Development Support

   –  Single-wire background debug interface

   –  Breakpoint capability to allow single breakpoint setting

      during in-circuit debugging

•  Peripherals

This document contains information on a product under development. Freescale reserves the

right to change or discontinue this product without notice.

© Freescale Semiconductor, Inc., 2008-2009, 2015. All rights reserved.
                                        Table of                                                Contents

1     MCU Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3              3.8       Internal Clock Source (ICS) Characteristics                 .  .  .  .  .  .  .  .  20

2     Pin Assignments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4          3.9       ADC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  22

3     Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6             3.10      AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  .  .  .  .  .  .  .  .  25

      3.1  Parameter Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6                            3.10.1 Control Timing . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  25

      3.2  Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6                                  3.10.2 TPM/MTIM Module Timing . . . . . . . .               .  .  .  .  .  .  .  .  26

      3.3  Thermal Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7                   3.11      Flash Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . .   .  .  .  .  .  .  .  .  27

      3.4  ESD Protection and Latch-Up Immunity . . . . . . . . . . . . .8                           4  Ordering Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .    .  .  .  .  .  .  .  .  27

      3.5  DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9                4.1       Package Information . . . . . . . . . . . . . . . . . .     .  .  .  .  .  .  .  .  28

      3.6  Supply Current Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15                       4.2       Mechanical Drawings. . . . . . . . . . . . . . . . . .      .  .  .  .  .  .  .  .  28

      3.7  External Oscillator (XOSC) Characteristics . . . . . . . . .19

Revision History

To provide the most up-to-date information, the revision of our documents on the World Wide Web will

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The following revision history table summarizes changes contained in this document.

      Revision     Date                                                                              Description of Changes

   1            10/8/2008  Initial public released.

   2            1/16/2009  In Table 8, added the Max. of S2IDD and S3IDD in 0–105 °C; changed the Max. of S2IDD and

                           S3IDD    in  0–85  °C;  changed                                      the  typical  of  S2IDD  and  S3IDD;  changed  the  S23I  DDRTI                     to    P.

   3            4/7/2009   Added |IOZTOT| in the Table 7.

                           Changed VDDAD to VDDA, VSSAD to VSSA.

                           Updated Table 9, Table 10, Table 11, and Table 12.

                           Updated Figure 13 and Figure 14.

   4            4/10/2015  Updated Table 9.

Related Documentation

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Reference  Manual  (MC9S08SE8RM)

                   Contains extensive product information including modes of operation, memory,

                   resets and interrupts, register definition, port pins, CPU, and all module

                   information.

                                    MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

2                                                                                                                                              Freescale Semiconductor
                                                                                                                      MCU Block Diagram

1            MCU Block Diagram

The block diagram, Figure 1, shows the structure of the MC9S08SE8 series                                MCUs.

                  HCS08 CORE               BKGD/MS

                                                              DEBUG MODULE (DBG)

             CPU              BDC

             HCS08 SYSTEM CONTROL

             RESETS AND INTERRUPTS                            REAL-TIME COUNTER (RTC)

IRQ          MODES OF OPERATION                                                                                 PTA7/TPM1CH1/ADP5
             POWER MANAGEMENT

                                                                                                                PTA6/TPM1CH0/ADP4

             COP  IRQ              LVD                        KEYBOARD INTERRUPT       KBIP7–KBIP0              PTA5/IRQ/TCLK/RESET

                                                              MODULE (KBI)                              PORT A  PTA4/BKGD/MS

                  USER FLASH                                                           TCLK                     PTA3/KBIP3/ADP3

             (MC9S08SE8 = 8192 BYTES)                         2-CHANNEL TIMER/PWM                               PTA2/KBIP2/ADP2

             (MC9S08SE4 = 4096 BYTES)                         MODULE (TPM1)            TPM1CH1–TPM1CH0          PTA1/KBIP1/TPM1CH1/ADP1

                                                                                                                PTA0/KBIP0/TPM1CH0/ADP0

                  USER RAM                                    SERIAL COMMUNICATIONS    RxD                      PTB7/EXTAL

             (MC9S08SE8 = 512 BYTES)                          INTERFACE MODULE (SCI)   TxD                      PTB6/XTAL

             (MC9S08SE4 = 256 BYTES)                                                                            PTB5

                                                              1-CHANNEL TIMER/PWM      TCLK             PORT B  PTB4/TPM2CH0

             20 MHz INTERNAL CLOCK                            MODULE (TPM2)            TPM2CH0                  PTB3/KBIP7/ADP9

                  SOURCE (ICS)                                                                                  PTB2/KBIP6/ADP8

                                           EXTAL                                                                PTB1/KBIP5/TxD/ADP7

             LOW-POWER OSCILLATOR
                  31.25 kHz to 38.4 kHz
                  1 MHz to 16 MHz          XTAL                                                                 PTB0/KBIP4/RxD/ADP6

                  (XOSC)

VSS                                                                                                             PTC7

             VOLTAGE REGULATOR                                                                                  PTC6

VDD                                                                                                             PTC5

                                                                                                        PORT C  PTC4

VSSA/VREFL                    VSSA                            10-CHANNEL, 10-BIT       ADP9–ADP0                PTC3

VDDA/VREFH                    VDDA                            ANALOG-TO-DIGITAL                                 PTC2

                              VREFL                           CONVERTER (ADC)                                   PTC1

                              VREFH                                                                             PTC0

     pins not available on 16-pin package

     Notes:

     When PTA4 is configured as BKGD, pin is bi-directional.

     For the 16-pin package: VSSA/VREFL and VDDA/VREFH are double bonded to VSS and VDD respectively.

                                           Figure 1. MC9S08SE8 Series Block Diagram

                                           MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                              3
Pin Assignments

2  Pin Assignments

This chapter shows the pin assignments in the packages available for the MC9S08SE8                  series.

                                 Table 1. Pin Availability by Package Pin-Count

                    Pin Number                            <-- Lowest  Priority  --> Highest

                        (Package)

                    28                 16   Port Pin           Alt 1            Alt 2        Alt 3

                    (SOIC/PDIP)    (TSSOP)

                    1                  —    PTC5

                    2                  —    PTC4

                    3                  1    PTA5          IRQ         TCLK             RESET

                    4                  2    PTA4                      BKGD             MS

                    5                  3                                               VDD

                    6                  —                              VDDA             VREFH

                    7                  —                              VSSA             VREFL

                    8                  4                                               VSS

                    9                  5    PTB7          EXTAL

                    10                 6    PTB6          XTAL

                    11                 7    PTB5

                    12                 8    PTB4                      TPM2CH0

                    13                 —    PTC3

                    14                 —    PTC2

                    15                 —    PTC1

                    16                 —    PTC0

                    17                 9    PTB3          KBIP7                        ADP9

                    18                 10   PTB2          KBIP6                        ADP8

                    19                 11   PTB1          KBIP5       TxD              ADP7

                    20                 12   PTB0          KBIP4       RxD              ADP6

                    21                 —    PTA7                      TPM1CH11         ADP5

                    22                 —    PTA6                      TPM1CH01         ADP4

                    23                 13   PTA3          KBIP3                        ADP3

                    24                 14   PTA2          KBIP2                        ADP2

                    25                 15   PTA1          KBIP1       TPM1CH11         ADP1

                    26                 16   PTA0          KBIP0       TPM1CH01         ADP0

                    27                 —    PTC7

                    28                 —    PTC6

                 1  TPM1 pins can  be  remapped to PTA7,  PTA6 and PTA1,PTA0

                                       MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

4                                                                                             Freescale Semiconductor
                                                                                                        Pin  Assignments

                          PTC5        1                                28      PTC6

                          PTC4        2                                27      PTC7

           PTA5/IRQ/TCLK/RESET        3                                26      PTA0/KBIP0/TPM1CH0/ADP0

           PTA4/BKGD/MS               4                                25      PTA1/KBIP1/TPM1CH1/ADP1

                          VDD         5                                24      PTA2/KBIP2/ADP2

                          VDDA/VREFH  6                                23      PTA3/KBIP3/ADP3

                          VSSA/VREFL  7                                22      PTA6/TPM1CH0/ADP4

                          VSS         8                                21      PTA7/TPM1CH1/ADP5

                          PTB7/EXTAL  9                                20      PTB0/KBIP4/RxD/ADP6

                          PTB6/XTAL   10                               19      PTB1/KBIP5/TxD/ADP7

                          PTB5        11                               18      PTB2/KBIP6/ADP8

           PTB4/TPM2CH0               12                               17      PTB3/KBIP7/ADP9

                          PTC3        13                               16      PTC0

                          PTC2        14                               15      PTC1

           Pins in bold are lost in the next lower pin count package.

                          Figure 2. MC9S08SE8 Series in 28-Pin             PDIP/SOIC Package

           PTA5/IRQ/TCLK/RESET              1                              16  PTA0/KBIP0/TPM1CH0/ADP0

                          PTA4/BKGD/MS      2                              15  PTA1/KBIP1/TPM1CH1/ADP1

                                      VDD   3                              14  PTA2/KBIP2/ADP2

                                      VSS   4                              13  PTA3/KBIP3/ADP3

                          PTB7/EXTAL        5                              12  PTB0/KBIP4/RxD/ADP6

                          PTB6/XTAL         6                              11  PTB1/KBIP5/TxD/ADP7

                                      PTB5  7                              10  PTB2/KBIP6/ADP8

                          PTB4/TPM2CH0      8                              9   PTB3/KBIP7/ADP9

                          Figure 3. MC9S08SE8  in  16-Pin              TSSOP Package

                                      MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale  Semiconductor                                                                                     5
Electrical Characteristics

3       Electrical Characteristics

This chapter contains electrical and timing specifications.

3.1     Parameter Classification

The electrical parameters shown in this supplement are guaranteed by various methods. To give the

customer a better understanding, the following classification is used and the parameters are tagged

accordingly in the tables where appropriate:

                            Table 2. Parameter Classifications

     P  Those parameters are guaranteed during production testing on each individual device.

     C  Those parameters are achieved by the design characterization by measuring a statistically relevant

        sample size across process variations.

        Those parameters are achieved by design characterization on a small sample size from typical devices

     T  under typical conditions unless otherwise noted. All values shown in the typical column are within this

        category.

     D  Those parameters are derived mainly from simulations.

                                                      NOTE

        The classification is shown in the column labeled “C” in the parameter

        tables where appropriate.

3.2     Absolute Maximum Ratings

Absolute maximum ratings are stress ratings only, and functional operation at the maxima is not

guaranteed. Stress beyond the limits specified in Table 3 may affect device reliability or cause permanent

damage to the device. For functional operating conditions, refer to the remaining tables in this section.

This device contains circuitry protecting against damage due to high static voltage or electrical fields;

however, it is advised that normal precautions be taken to avoid application of any voltages higher than

maximum-rated voltages to this high-impedance circuit. Reliability of operation is enhanced if unused

inputs are tied to an appropriate logic voltage level (for instance, either VSS or VDD) or the programmable
pull-up resistor associated with the pin is enabled.

                            MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

6                                                                                             Freescale Semiconductor
                                                                                                  Electrical Characteristics

                                  Table 3. Absolute Maximum Ratings

                               Rating                          Symbol          Value                  Unit

        Supply voltage                                               VDD       –0.3 to 5.8               V

        Maximum current into VDD                                     IDD       120                      mA

        Digital input voltage                                        VIn       –0.3 to VDD + 0.3         V

        Instantaneous maximum current                                ID        ±25                      mA

        Single pin limit (applies to all port pins)1, 2, 3

        Storage temperature range                                    Tstg      –55 to 150                °C

     1  Input must be current limited to the value specified. To determine the value of the required

        current-limiting resistor, calculate resistance values for positive (VDD) and negative (VSS) clamp

        voltages, then use the larger of the two resistance values.

     2  All functional non-supply pins are internally clamped to VSS and VDD.

     3  Power supply must maintain regulation within operating VDD range during instantaneous and

        operating maximum current conditions. If positive injection current (VIn > VDD) is greater than

        IDD, the injection current may flow out of VDD and could result in external power supply going

        out of regulation. Ensure external VDD load will shunt current greater than maximum injection

        current. This will be the greatest risk when the MCU is not consuming power. Examples are: if

        no system clock is present, or if the clock rate is very low (which would reduce overall power

        consumption).

3.3  Thermal Characteristics

This section provides information about operating temperature range, power dissipation, and package

thermal resistance. Power dissipation on I/O pins is usually small compared to the power dissipation in

on-chip logic and voltage regulator circuits, and it is user-determined rather than being controlled by the

MCU design. To take PI/O into account in power calculations, determine the difference between actual pin
voltage and VSS or VDD and multiply by the pin current for each I/O pin. Except in cases of unusually high
pin current (heavy loads), the difference between pin voltage and VSS or VDD will be very small.

                                       Table 4. Thermal Characteristics

                               Rating                          Symbol          Value                    Unit

     Operating temperature range (packaged)                                    TL to TH

                                                            C        TA        –40 to 85                 °C

                                                            V                  –40 to 105

                                                            M                  –40 to 125

     Maximum junction temperature                              TJM             135                       °C

                                       28-pin SOIC                             70

     Thermal resistance                28-pin PDIP                             68                       °C/W

     single-layer board

                                       16-pin TSSOP            θJA             129

                                       28-pin SOIC                             48

     Thermal resistance four-layer     28-pin PDIP                             49                       °C/W

     board

                                       16-pin TSSOP                            85

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Freescale Semiconductor                                                                                                       7
Electrical Characteristics

The average chip-junction temperature (TJ) in °C can be obtained from:

                                                 TJ = TA + (PD × θJA)                                     Eqn. 1

Where:

TA = Ambient temperature, °C
θJA = Package thermal resistance, junction-to-ambient, °C/W
PD = Pint + PI/O
Pint = IDD × VDD, Watts — chip internal power
PI/O = Power dissipation on input and output pins — user-determined

For most applications, PI/O << Pint and can be neglected. An approximate       relationship  between  PD  and TJ

(if PI/O is neglected) is:

                                               PD = K ÷ (TJ + 273°C)                                      Eqn. 2

Solving Equation 1 and Equation 2 for K gives:

                              K = PD             × (TA + 273°C) + θJA × (PD)2                             Eqn. 3

Where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from Equation 3 by measuring

PD (at equilibrium) for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by
solving Equation 1 and Equation 2 iteratively for any value of TA.

3.4     ESD Protection and Latch-Up Immunity

Although damage from electrostatic discharge (ESD) is much less common on these devices than on early

CMOS circuits, normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge.

Qualification tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels

of static without suffering any permanent damage.

During the device qualification ESD stresses were performed for the human body model (HBM), the

machine model (MM) and the charge device model (CDM).

A device is defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device

specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device

specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device

specification.

                              Table 5. ESD and Latch-up Test Conditions

                Model         Description             Symbol                   Value         Unit

                            Series resistance          R1                      1500          Ω

                Human       Storage capacitance        C                       100           pF

                  body

                            Number of pulses per pin   —                       3             —

                            Series resistance         R1                       0             Ω

                Machine     Storage capacitance        C                       200           pF

                            Number of pulses per pin   —                       3             —

                              MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

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                                                                                                        Electrical Characteristics

                         Table 5. ESD and Latch-up Test Conditions (continued)

              Model              Description                          Symbol             Value          Unit

                         Minimum input voltage limit                  —                  –2.5           V

              Latch-up

                         Maximum input voltage limit                  —                  7.5            V

                         Table 6. ESD and Latch-up Protection                 Characteristics

              No.                Rating1                              Symbol  Min               Max     Unit

              1          Human body model (HBM)                       VHBM    ±2000                —    V

              2          Machine model (MM)                           VMM     ±200                 —    V

              3          Charge device model (CDM)                    VCDM    ±500                 —    V

              4          Latch-up current at TA = 125 °C              ILAT    ±100                 —    mA

           1  Parameter is achieved by design characterization on a small     sample size from typical  devices

              under typical conditions unless otherwise noted.

3.5        DC Characteristics

This  section includes information about power supply requirements and I/O pin characteristics.

                                            Table 7. DC Characteristics

      Num  C                     Parameter                            Symbol  Min        Typical1       Max      Unit

      1    —  Operating voltage                                       —       2.7               —       5.5      V

              Output  high voltage — Low drive (PTxDSn = 0)

                                             5 V, ILoad = –2 mA               VDD – 1.5         —       —

                                 3 V, ILoad = –0.6 mA                         VDD – 1.5         —       —

                                 5 V, ILoad = –0.4 mA                         VDD – 0.8         —       —

                                 3 V, ILoad = –0.24 mA                VOH     VDD – 0.8         —       —        V

              Output  high voltage — High drive (PTxDSn = 1)

                                            5 V, ILoad = –10 mA               VDD – 1.5         —       —

      2    P                                 3 V, ILoad = –3 mA               VDD – 1.5         —       —

                                             5 V, ILoad = –2 mA               VDD – 0.8         —       —

                                 3 V, ILoad = –0.4 mA                         VDD – 0.8         —       —

              Output  low voltage — Low drive (PTxDSn = 0)

                                             5 V, ILoad = 2 mA                1.5               —       —

                                            3 V, ILoad = 0.6 mA               1.5               —       —

                                            5 V, ILoad = 0.4 mA               0.8               —       —

                                 3 V, ILoad = 0.24 mA                 VOL     0.8               —       —        V

              Output  low voltage — High drive (PTxDSn = 1)

                                             5 V, ILoad = 10 mA               1.5               —       —

      3    P                                 3 V, ILoad = 3 mA                1.5               —       —

                                             5 V, ILoad = 2 mA                0.8               —       —

                                            3 V, ILoad = 0.4 mA               0.8               —       —

              Output  high current — Max total IOH for all ports

      4    P                                                      5V  IOHT    —                 —       100      mA

                                                                  3V          —                 —       60

                                 MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                             9
Electrical Characteristics

                                        Table 7. DC Characteristics (continued)

    Num  C                    Parameter                           Symbol    Min         Typical1  Max         Unit

            Output low current — Max total IOL for all ports

    5    P                                                    5V  IOLT      —           —         100         mA

                                                              3V            —           —         60

    6    P  Input high voltage; all digital inputs                VIH       0.65 × VDD  —         —           V

    7    P  Input low voltage; all digital inputs                 VIL       —           —         0.35 × VDD

    8    P  Input hysteresis; all digital inputs                  Vhys      0.06 × VDD  —         —           mV

    9    C  Input leakage current; input only pins2               |IIn|     —           0.1       1           μA

    10   P  High impedance (off-state) leakage current2           |IOZ|     —           0.1       1           μA

    11   C  Total leakage combined for all inputs and Hi-Z pins   |IOZTOT|  —           —         2           μA

            — All input only and I/O2

    12   P  Internal pullup resistors3                            RPU       20          45        65          kΩ

    13   P  Internal pulldown resistors4                          RPD       20          45        65          kΩ

            DC injection current 5, 6, 7

    14   D  VIN < VSS, VIN > VDD                                  IIC                                         mA

            Single pin limit                                                –0.2        —         0.2

            Total MCU limit, includes sum of all stressed pins              –5          —         5

    15   C  Input capacitance; all non-supply pins                CIn       —           —         8           pF

    16   C  RAM retention voltage                                 VRAM      0.6         1.0       —           V

    17   P  POR re-arm voltage8                                   VPOR      0.9         1.4       2.0         V

    18   D  POR re-arm time                                       tPOR      10          —         —           μs

            Low-voltage detection threshold —

    19   P  high range                                            VLVD1                                       V

                                                     VDD falling            3.9         4.0       4.1

                                                     VDD rising             4.0         4.1       4.2

            Low-voltage detection threshold —

    20   P  low range                                             VLVD0                                       V

                                                     VDD falling            2.48        2.56      2.64

                                                     VDD rising             2.54        2.62      2.70

            Low-voltage warning threshold —

    21   C  high range 1                                          VLVW3                                       V

                                                     VDD falling            4.5         4.6       4.7

                                                     VDD rising             4.6         4.7       4.8

            Low-voltage warning threshold —

    22   P  high range 0                                          VLVW2                                       V

                                                     VDD falling            4.2         4.3       4.4

                                                     VDD rising             4.3         4.4       4.5

            Low-voltage warning threshold

    23   P  low range 1                                           VLVW1                                       V

                                                     VDD falling            2.84        2.92      3.00

                                                     VDD rising             2.90        2.98      3.06

            Low-voltage warning threshold —

    24   C  low range 0                                           VLVW0                                       V

                                                     VDD falling            2.66        2.74      2.82

                                                     VDD rising             2.72        2.80      2.88

                                        MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

10                                                                                                Freescale Semiconductor
                                                                                          Electrical Characteristics

                                    Table 7. DC Characteristics (continued)

Num    C                     Parameter                      Symbol        Min   Typical1  Max                                Unit

          Low-voltage inhibit reset/recover hysteresis

   25  T                                                5V  Vhys          —     100       —                                  mV

                                                        3V                —     60        —

   26  P  Bandgap voltage reference9                        VBG           1.18  1.20      1.21                               V

1  Typical values are measured at 25 °C. Characterized, not tested.

2  Measured with VIn = VDD or VSS.

3  Measured with VIn = VSS.

4  Measured with VIn = VDD.

5  All functional non-supply pins are internally clamped to VSS and VDD.

6  Input must be current-limited to the value specified. To determine the value of the required current-limiting resistor,

   calculate resistance values for positive and negative clamp voltages, then use the larger of the two values.

7  Power supply must maintain regulation within operating VDD range during instantaneous and operating maximum

   current conditions. If positive injection current (VIn > VDD) is greater than IDD, the injection current may flow out of

   VDD and could result in external power supply going out of regulation. Ensure external VDD load will shunt current

   greater than maximum injection current. This will be the greatest risk when the MCU is not consuming power.

   Examples are: if no system clock is present, or if clock rate is very low (which would reduce overall power

   consumption).

8  Maximum is highest voltage that POR is guaranteed.

9  Factory trimmed at VDD = 5.0 V, Temp = 25 °C.

                                    MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                            11
Electrical  Characteristics

                                             VOL vs IOL at VDD = 5.0 V, High Drive

                    700

                                                                                                    -40C

                    600                                                                             0C

                    500                                                                             25C

            VDD/mV  400                                                                             70C

                                                                                                    95C

                    300                                                                             125C

                    200                                                                             135C

                    100

                             0

                                   1    1.5  2    2.5  3       9  9.5     10       10.5  11

                                                       IOL/mA

            Figure                 4. Typical VOL vs. IOL for High Drive Enabled         Pad  (VDD = 5  V)

                                             VOL vs IOL at VDD = 3.0 V, High Drive

                             350

                             300                                                              -40C

                             250                                                              0C

            VDD/mV                                                                            25C

                             200                                                              70C

                             150                                                              95C

                             100                                                              125C

                             50                                                               135C

                                0

                                   0.2  0.3  0.4  0.5  0.6  2     2.5  3      3.5   4

                                                       IOL/mA

            Figure                 5. Typical VOL vs. IOL for High Drive Enabled         Pad  (VDD = 3  V)

                                        MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev.            4

12                                                                                                      Freescale  Semiconductor
                                                                                               Electrical  Characteristics

                                           VOL vs IOL at VDD = 5.0 V, Low Drive

                          600                                                                  -40C

                          500                                                                  0C

                          400                                                                  25C

           VDD/mV                                                                              70C

                          300                                                                  95C

                                                                                               125C

                          200                                                                  135C

                          100

                              0

                                 0.2  0.3  0.4  0.5  0.6  1    1.5  2    2.5        3

                                                     IOL/mA

                   Figure 6.          Typical VOL vs. IOL for Low Drive Enabled     Pad  (VDD  = 5 V)

                                           VOL vs IOL at VDD = 3.0 V, Low Drive

                   250

                                                                                               -40C

                   200                                                                         0C

                                                                                               25C

           VDD/mV  150                                                                         70C

                                                                                               95C

                   100                                                                         125C

                                                                                               135C

                          50

                          0

                                 160  200  240  280  320  400  500  600  700        800

                                                     IOL/mA

                   Figure 7.          Typical VOL vs. IOL for Low Drive Enabled Pad      (VDD  = 3 V)

                                           MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale  Semiconductor                                                                                   13
Electrical  Characteristics

                                              VOH vs IOH at VDD = 5.0 V, High Drive

                    5.1

                             5                                                                   -40C

                    4.9                                                                          0C

                    4.8                                                                          25C

            VOH/mV  4.7                                                                          70C

                    4.6                                                                          95C

                    4.5                                                                          125C

                    4.4                                                                          135C

                    4.3

                    4.2

                    4.1

                                  -1    -1.5  -2    -2.5  -3    -9  -9.5  -10  -10.5  -11

                                                          IOH/mA

            Figure                8. Typical VOH vs. IOH for High Drive Enabled       Pad  (VDD  = 5 V)

                                              VOH vs IOL at VDD = 3.0 V, High Drive

                    3.05                                                                         -40C

                             3

                    2.95                                                                         0C

                             2.9                                                                 25C

            VOH/mV  2.85                                                                         70C

                             2.8                                                                 95C

                    2.75                                                                         125C

                             2.7                                                                 135C

                    2.65

                             2.6

                    2.55

                             2.5

                                  -200  -300  -400  -500  -600  -2  -2.5  -3   -3.5   -4

                                                          IOH/mA

            Figure                9. Typical VOH vs. IOH for High Drive Enabled       Pad  (VDD  = 3 V)

                                        MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev.         4

14                                                                                                   Freescale  Semiconductor
                                                                                                              Electrical  Characteristics

                                           VOH vs IOH at VDD = 5.0 V, Low Drive

              5.2                                                                                         -40C

                         5                                                                                0C

              4.8                                                                                         25C

      VOH/mV  4.6                                                                                         70C

                                                                                                          95C

              4.4                                                                                         125C

              4.2                                                                                         135C

                         4

              3.8

                               -200  -300  -400  -500  -600  -1      -1.5  -2     -2.5  -3

                                                       IOH/mA

              Figure 10.             Typical VOH vs. IOH for     Low       Drive  Enabled     Pad   (VDD  = 5 V)

                                           VOH vs IOH at VDD = 3.0 V, Low Drive

                            3                                                                             -40C

                         2.95                                                                             0C

                         2.9                                                                              25C

                         2.85                                                                             70C

      VOH/mV             2.8                                                                              95C

                         2.75                                                                             125C

                         2.7                                                                              135C

                         2.65

                         2.6

                         2.55

                               -160  -200  -240  -280  -320      -400      -500  -600   -700  -800

                                                             IOH/mA

              Figure           11. Typical VOH vs. IOH for Low Drive Enabled Pad                    (VDD  = 3 V)

3.6   Supply Current Characteristics

This  section includes information about power supply current in various operating modes.

                                           MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                   15
Electrical Characteristics

                                        Table 8.    Supply Current Characteristics

   Num  C                     Parameter                          Symbol      VDD  Typical1  Max             Unit  Temp

                                                                             (V)                                  (°C)

                Run supply current  2  measured at                           5    2.4       2.72

    1   C       (CPU clock = 4 MHz, fBus = 2 MHz)                RIDD                                       mA    –40 to 125

                                                                             3    2.18      2.26

                Run supply current  2  measured at                           5    6.35      7.29

    2   P       (CPU clock = 20 MHz, fBus = 10 MHz)              RIDD                                       mA    –40 to 125

                                                                             3    5.79      6.42

                Wait supply current2 measured at                             5    1.4       1.56

    3   P       fBus = 2 MHz                                     WIDD                                       mA    –40 to 125

                                                                             3    1.36      1.53

                                                                                            19                    –40 to 85

                                                                             5    1.4       28              μA    –40 to 105

                                                                                            45.8                  –40 to 125

    4   P       Stop2 mode supply current                        S2I  DD

                                                                                            15                    –40 to 85

                                                                             3    1.3       22              μA    –40 to 105

                                                                                            37.2                  –40 to 125

                                                                                            23                    –40 to 85

                                                                             5    1.61      43              μA    –40 to 105

                                                                                            76.1                  –40 to 125

    5   P       Stop3 mode supply current                        S3I  DD

                                                                                            19                    –40 to 85

                                                                             3    1.44      38              μA    –40 to 105

                                                                                            66.4                  –40 to 125

                                                                             5    300       500             nA    –40 to 85

                RTC adder to stop2 or stop33                                                500                   –40 to 125

    6   P                                                        S23IDDRTI

                                                                             3    300       500             nA    –40 to 85

                                                                                            500                   –40 to 125

                                                                             5    122       180             μA    –40 to 125

    7   C       LVD adder to stop3 (LVDE = LVDSE = 1)            S3I  DDLVD                                 μA

                                                                             3    110       160                   –40 to 125

    8   C       Adder to stop3 for oscillator enabled4           S3IDDOSC    5,3  5         8               μA    –40 to 125

                (OSCSTEN =1)

1   Typical values are based on characterization data at 25 °C unless otherwise stated. See Figure 12 through Figure 13 for typical

    curves across voltage/temperature.

2   All modules except ADC active, ICS configured for FBE, and does not include any dc loads on port pins.

3   Most customers are expected to find that auto-wakeup from stop2 or stop3 can be used instead of the higher current wait

    mode. Wait mode typical is 220 μA at 5 V with fBus = 1 MHz.

4   Values given under the following conditions: low range operation (RANGE = 0) with a 32.768 kHz crystal and low power mode

    (HGO = 0).

                                        MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

16                                                                                                Freescale Semiconductor
                                                                                      Electrical Characteristics

                                       Run IDD at 10 MHz vs Temp

                       8

                       7

                       6

                                                                                      5.5V

           RIDD (mA)   5                                                              5.0V

                       4                                                              4.5V

                                                                                      3.3V

                       3                                                              3.0V

                                                                                      2.7V

                       2

                       1

                       0

                             -40C  0C  25C  70C       95C                 125C  135C

                                            Temp (C)

                                       Figure 12. Typical Run IDD Curves

                                            Stop2 IDD vs Temp

                       20

                       18

                       16

                       14                                                             5.5V

           S2IDD (uA)  12                                                             5.0V

                       10                                                             4.5V

                                                                                      3.3V

                          8                                                           3.0V

                          6                                                           2.7V

                          4

                          2

                          0

                             -40C  0C  25C  70C       95C                 125C  135C

                                            Temp (C)

                                       Figure 13. Typical Stop2 IDD Curves

                                       MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale  Semiconductor                                                                    17
Electrical  Characteristics

                                                     Stop3 IDD vs  Temp

                        35

                        30

                        25                                                                       5.5V

            S3IDD (uA)  20                                                                       5.0V

                                                                                                 4.5V

                        15                                                                       3.3V

                                                                                                 3.0V

                        10                                                                       2.7V

                        5

                        0

                               -40C  0C    25C            70C         95C  125C       135C

                                                      Temp (C)

                                         Figure 14. Typical Stop3 IDD Curves

3.7         External Oscillator (XOSC) Characteristics

            Table 9. Oscillator electrical specifications (Temperature Range =        –40 to 125°C Ambient)

Num    C                             Characteristic                        Symbol     Min.  Typical1  Max.         Unit

            Oscillator crystal or resonator (EREFS = 1, ERCLKEN = 1)

    1  C    Low range (RANGE = 0)                                             flo     32    —         38.4         kHz

            High range (RANGE = 1), high gain (HGO = 1)2                   fhi-hgo    1     —          16          MHz

            High range (RANGE = 1), low power (HGO = 0)2                      fhi-lp  1     —          8           MHz

    2  —    Load capacitors                                                C1,C2         See crystal or resonator

                                                                                      manufacturer’s recommendation

       —    Feedback resistor

    3       Low range (32 kHz to 100 kHz)                                     RF      —     10         —           MΩ

            High range (1 MHz to 16 MHz)                                              —     1          —

            Series resistor

       —    Low range, low gain (RANGE = 0, HGO = 0)                                  —     0          —

            Low range, high gain (RANGE = 0, HGO = 1)                                 —     100        —

            High range, low gain (RANGE = 1, HGO = 0)                                 —     0          —

    4                                                                         RS                                   kΩ

            High range, high gain (RANGE = 1, HGO = 1)

                        ≥ 8 MHz                                                       —     0          0

                        4 MHz                                                         —     0          10

                        1 MHz                                                         —     0          20

                                         MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

18                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                                                                        Electrical Characteristics

         Table 9. Oscillator electrical specifications (Temperature Range = –40 to 125°C Ambient)

Num   C                          Characteristic                                  Symbol           Min.  Typical1  Max.            Unit

         Crystal start-up time3

         Low range, low gain (RANGE = 0, HGO = 0)                                t  CSTL-LP       —     200       —

   5  T  Low range, high gain (RANGE = 0, HGO = 1)                            t  CSTH-HGO         —     400       —

         High range, low gain (RANGE = 1, HGO = 0)4                              t                —     5         —               ms

         High range, high gain (RANGE = 1, HGO = 1)4                          t     CSTH-LP

                                                                                 CSTH-HGO         —     15        —

         Square wave input clock frequency (EREFS = 0, ERCLKEN = 1)

   6  T  FEE or FBE mode 2                                                          fextal   0.03125    —         20              MHz

         FBELP mode                                                                               0     —         20              MHz

1  Typical column was characterized at 5.0 V, 25 °C or is recommended value.

2  The input clock source must be divided using RDIV to within the range of 31.25 kHz to 39.0625 kHz.

3  This parameter is characterized and not tested on each device. Proper PC board layout procedures must be followed to achieve

   specifications. This data will vary based upon the crystal manufacturer and board design. The crystal should be characterized

   by the crystal manufacturer.

4  4 MHz crystal.

                                                    XOSCVLP

                                     EXTAL                                    XTAL

                                                      RF                            RS

                                                 Crystal or Resonator

                                 C1

                                                                                    C2

         Figure    15. Typical   Crystal or Resonator Circuit: High           Range and      Low  Range/High  Gain

                                                    XOSCVLP

                                     EXTAL                                    XTAL

                                                 Crystal or Resonator

                   Figure 16.    Typical Crystal or Resonator Circuit: Low Range/Low Power

                                 MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                           19
Electrical Characteristics

3.8        Internal Clock Source (ICS) Characteristics

              Table 10. ICS Frequency Specifications (Temperature Range = –40 to 85°C Ambient)

    Num    C                         Characteristic                         Symbol       Min.     Typical1     Max.                   Unit

       1   P  Average internal reference frequency — factory trimmed        fint_t       —        39.0625            —                kHz

              at VDD = 5 V and temperature = 25 °C

       2   P  Internal reference frequency — user trimmed                   fint_ut      31.25    —            39.06                  kHz

       3   T  Internal reference start-up time                              tIRST        —        60           100                    μs

       4   D  DCO output frequency range —           Low range              fdco_t       16       —                  20               MHz

              trimmed2                               (DRS = 00)

       5   D  DCO output frequency2                                         fdco_DMX32   —        59.77              —                MHz

              Reference = 32768 Hz and DMX32 = 1

       6   C  Resolution of trimmed DCO output frequency at fixed           Δfdco_res_t  —        ±0.1         ±0.2            %fdco

              voltage and temperature (using FTRIM)

       7   C  Resolution of trimmed DCO output frequency at fixed           Δfdco_res_t  —        ± 0.2        ± 0.4           %fdco

              voltage and temperature (not using FTRIM)

              Total deviation of DCO output from trimmed frequency3         Δfdco_t                                            %fdco

       8   C  Over full voltage and temperature range                                    —        –1.0 to 0.5  ±2

              Over fixed voltage and temperature range of 0 to 70 °C                              ±0.5         ±1

       10  C  FLL acquisition time4                                         tAcquire     —        —                  1                ms

       11  C  Long term jitter of DCO output clock (averaged over 2-ms      CJitter      —        0.02         0.2             %fdco

              interval)5

    1  Data in Typical column was characterized at 3.0 V, 25 °C or is typical recommended value.

    2  The resulting bus clock frequency should not exceed the maximum specified bus clock frequency of the device.

    3  This parameter is characterized and not tested on each device.

    4  This specification applies to any time the FLL reference source or reference divider is changed, trim value changed or

       changing from FLL disabled (FBELP, FBILP) to FLL enabled (FEI, FEE, FBE, FBI). If a crystal/resonator is being used

       as the reference, this specification assumes it is already running.

    5  Jitter is the average deviation from the programmed frequency measured over the specified interval at maximum fBus.

       Measurements are made with the device powered by filtered supplies and clocked by a stable external clock signal. Noise

       injected into the FLL circuitry via VDD and VSS and variation in crystal oscillator frequency increase the CJitter percentage

       for a given interval.

                                     MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

20                                                                                                Freescale Semiconductor
                                                                                                          Electrical Characteristics

                                                     1.00%

                                                     0.50%

                                                     0.00%

               Deviation (%)  -60       -40     -20          0    20     40          60        80         100        120

                                                     -0.50%

                                                     -1.00%       TBD

                                                     -1.50%

                                                     -2.00%

                                                                  Temperature

               Figure              17.  Deviation of DCO         Output from Trimmed Frequency     (20  MHz, 3.0 V)

3.9  ADC Characteristics

                                                Table 11. 10-Bit  ADC Operating Conditions

     Characteristic                          Conditions           Symb         Min       Typ1      Max         Unit       Comment

                                   Absolute                       VDDA         2.7       —         5.5         V

Supply voltage                     Delta to VDD (VDD – VDDA)2

                                                                  ΔVDDA        –100      0         100         mV

Ground voltage                     Delta to VSS (VSS – VSSA)2     ΔVSSA        –100      0         100         mV

Input voltage                                                     VADIN  VREFL           —         VREFH       V

Input capacitance                                                 CADIN        —         4.5       5.5         pF

Input resistance                                                  RADIN        —         3         5           kΩ

                                   10-bit mode

Analog source                                fADCK > 4MHz                      —         —         5                      External to

resistance                                   fADCK < 4MHz         RAS          —         —         10          kΩ         MCU

                                   8-bit mode (all valid fADCK)                —         —         10

ADC conversion                     High speed (ADLPC = 0)                      0.4       —         8.0

clock frequency                                                   fADCK                                        MHz

                                   Low power (ADLPC = 1)                       0.4       —         4.0

                                                MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                                21
Electrical Characteristics

    1  Typical values assume VDDA = 5.0 V, Temp = 25        °C, fADCK = 1.0 MHz   unless otherwise stated. Typical  values are  for

       reference only and are not tested in production.

    2  DC potential difference.

                                                                   SIMPLIFIED

                                                            INPUT PIN EQUIVALENT    ZADIN

                                                                    CIRCUIT

                                                            Pad                            SIMPLIFIED

                                 ZAS                        leakage                        CHANNEL SELECT

                                                            due to                         CIRCUIT                  ADC SAR

                   RAS                                      input                          RADIN                    ENGINE
                                                            protection

                                             +
                                             VADIN
                                             –
       VAS                       CAS
                +
                –

                                                                                           RADIN

                                                            INPUT PIN                      RADIN

                                                            INPUT PIN                      RADIN

                                                            INPUT PIN                                               CADIN

                                 Figure 18. ADC Input Impedance Equivalency Diagram

                   Table 12. 10-Bit ADC Characteristics (VREFH = VDDA, VREFL = VSSA)

Characteristic                   Conditions              C         Symb        Min  Typ1          Max      Unit            Comment

Supply Current

ADLPC = 1                                                T          IDDA       —    133           —        μA

ADLSMP = 1

ADCO = 1

Supply Current

ADLPC = 1                                                T          IDDA       —    218           —        μA

ADLSMP = 0

ADCO = 1

Supply Current

ADLPC = 0                                                T          IDDA       —    327           —        μA

ADLSMP = 1

ADCO = 1

Supply Current

ADLPC = 0                                                D          IDDA       —    0.582         1        mA

ADLSMP = 0

ADCO = 1

Supply Current     Stop, Reset, Module Off               D          IDDA       —    0.011         1        μA

                                             MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

22                                                                                                         Freescale Semiconductor
                                                                                        Electrical Characteristics

                 Table 12. 10-Bit ADC Characteristics (VREFH  =  VDDA,  VREFL =  VSSA)  (continued)

Characteristic           Conditions        C  Symb               Min    Typ1     Max    Unit         Comment

ADC              High Speed (ADLPC = 0)                          2      3.3      5                   tADACK =

Asynchronous                               D  fADACK                                    MHz          1/fADACK

Clock Source     Low Power (ADLPC = 1)                           1.25   2        3.3

Conversion       Short Sample (ADLSMP =                          —      20       —

Time (Including  0)                        D  tADC                                      ADCK

                                                                                        cycles       See SE8

sample time)     Long Sample (ADLSMP = 1)                        —      40       —                   reference

                                                                                                     manual for

                 Short Sample (ADLSMP =                          —      3.5      —                   conversion

Sample Time      0)                        D  tADS                                      ADCK         time variances

                                                                                        cycles

                 Long Sample (ADLSMP = 1)                        —      23.5     —

Temp Sensor      –40°C– 25°C                                     —      3.266    —

Slope                                      D  m                                         mV/°C

                 25°C– 125°C                                     —      3.638    —

Temp Sensor      25°C                      D  VTEMP25            —      1.396    —      mV

Voltage

Characteristics for 28-pin packages only

Total            10-bit mode               P                     —      ±1       ±2.5                Includes

Unadjusted                                    ETUE                                      LSB3         quantization

Error            8-bit mode                P                     —      ±0.5     ±1.0

Differential     10-bit mode2              P                     —      ±0.5     ±1.0   LSB3

Non-Linearity    8-bit mode3                  DNL

                                           P                     —      ±0.3     ±0.5

Integral         10-bit mode               T                     —      ±0.5     ±1.0   LSB3

Non-Linearity                                 INL

                 8-bit mode                T                     —      ±0.3     ±0.5

Zero-Scale       10-bit mode               P                     —      ±0.5     ±1.5   LSB3

Error            8-bit mode                P  EZS                —      ±0.5     ±0.5                VADIN = VSSA

Full-Scale       10-bit mode               T                     —      ±0.5     ±1     LSB3

Error            8-bit mode                T  EFS                —      ±0.5     ±0.5                VADIN = VDDA

Quantization     10-bit mode                                     —      —        ±0.5   LSB3

Error                                      D  EQ

                 8-bit mode                                      —      —        ±0.5

Input Leakage    10-bit mode                                     —      ±0.2     ±2.5   LSB3         Pad leakage4 *

Error                                      D  EIL                                                    RAS

                 8-bit mode                                      —      ±0.1     ±1

Characteristics for 16-pin package only

Total            10-bit mode               P                     —      ±1.5     ±3.5                Includes

Unadjusted                                    ETUE                                      LSB3         quantization

Error            8-bit mode                P                     —      ±0.7     ±1.5

                                     MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                            23
Electrical Characteristics

                   Table 12. 10-Bit ADC Characteristics (VREFH = VDDA, VREFL = VSSA)        (continued)

   Characteristic           Conditions     C  Symb                     Min  Typ1      Max   Unit         Comment

   Differential    10-bit mode3            P                           —    ±0.5      ±1.0  LSB3

   Non-Linearity   8-bit mode3                                    DNL

                                           P                           —    ±0.3      ±0.5

   Integral        10-bit mode             T                           —    ±0.5      ±1.0  LSB3

   Non-Linearity                                                  INL

                   8-bit mode              T                           —    ±0.3      ±0.5

   Zero-Scale      10-bit mode             P                           —    ±1.5      ±2.1  LSB3

   Error           8-bit mode              P                      EZS  —    ±0.5      ±0.7               VADIN = VSSA

   Full-Scale      10-bit mode             T                           —    ±1        ±1.5  LSB3

   Error           8-bit mode              T                      EFS  —    ±0.5      ±0.5               VADIN = VDDA

   Quantization    10-bit mode                                         —    —         ±0.5  LSB3

   Error                                   D                      EQ

                   8-bit mode                                          —    —         ±0.5

   Input Leakage   10-bit mode                                         —    ±0.2      ±2.5  LSB3         Pad leakage4 *

   Error                                   D                      EIL                                    RAS

                   8-bit mode                                          —    ±0.1      ±1

1  Typical values assume VDDA = 5.0 V, Temp = 25 °C, fADCK = 1.0 MHz unless otherwise stated. Typical values are for reference

   only and are not tested in production.

2  Monotonicity and No-Missing-Codes guaranteed in 10-bit and 8-bit modes

3  1 LSB =(VREFH – VREFL)/2N

4  Based on input pad leakage current. Refer to pad electricals.

                                           MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

24                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                                                                     Electrical Characteristics

3.10    AC Characteristics

This section describes ac timing characteristics for each peripheral system.

3.10.1     Control Timing

                                                   Table 13. Control Timing

   Num  C                           Rating                   Symbol            Min                   Typical1  Max                Unit

   1    D  Bus frequency (tcyc = 1/fBus)                              fBus     DC                    —         10                 MHz

   2    D  Internal low power oscillator period                       tLPO     700                   —         1300               μs

   3    D  External reset pulse width2                                textrst  100                   —         —                  ns

   4    D  Reset low drive3                                           trstdrv  34 × tcyc             —         —                  ns

   5    D  BKGD/MS setup time after issuing background                tMSSU    500                   —         —                  ns

           debug force reset to enter user or BDM modes

   6    D  BKGD/MS hold time after issuing background debug           tMSH     100                   —         —                  μs

           force reset to enter user or BDM modes4

           IRQ pulse width

   7    D  Asynchronous path2                                tILIH, tIHIL      100                   —         —                  ns

           Synchronous path5                                                   1.5 × tcyc

           Pin interrupt pulse width

   8    D  Asynchronous path2                                tILIH, tIHIL      100                   —         —                  ns

           Synchronous path5                                                   1.5 × tcyc

           Port rise and fall time —

           Low output drive (PTxDS = 0) (load = 50 pF)6      tRise, tFall      —                               —                  ns

           Slew rate control disabled (PTxSE = 0)                                                    40

           Slew rate control enabled (PTxSE = 1)                                                     75

   9    C

           Port rise and fall time —

           High output drive (PTxDS = 1) (load = 50 pF)      tRise, tFall      —                               —                  ns

           Slew rate control disabled (PTxSE = 0)                                                    11

           Slew rate control enabled (PTxSE = 1)                                                     35

1  Typical values are based on characterization data at VDD = 5.0 V, 25 °C unless otherwise stated.

2  This is the shortest pulse that is guaranteed to be recognized as a reset pin request. Shorter pulses are not guaranteed to

   override reset requests from internal sources.

3  When any reset is initiated, internal circuitry drives the reset pin (if enabled, RSTPE = 1) low for about 34 cycles of tcyc.

4  To enter BDM mode following a POR, BKGD/MS should be held low during the power-up and for a hold time of tMSH after VDD

   rises above VLVD.

5  This is the minimum pulse width that is guaranteed to pass through the pin synchronization circuitry. Shorter pulses may or

   may not be recognized. In stop mode, the synchronizer is bypassed so shorter pulses can be recognized in that case.

6  Timing is shown with respect to 20% VDD and 80% VDD levels. Temperature range –40 °C to 125 °C.

                                                             textrst

                         RESET PIN

                                                   Figure 19. Reset Timing

                                      MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                               25
Electrical Characteristics

                                                              tIHIL

                            IRQ/Pin Interrupts

                            IRQ/Pin Interrupts

                                                              tILIH

                                    Figure 20. IRQ/Pin Interrupt Timing

3.10.2     TPM/MTIM Module Timing

Synchronizer circuits determine the shortest input pulses that can be recognized or the fastest clock that

can be used as the optional external source to the timer counter. These synchronizers operate from the

current bus rate clock.

                                                   Table 14. TPM Input Timing

    Num    C                      Rating                      Symbol           Min  Max     Unit

        1  D                External clock frequency          fTPMext          DC   fBus/4  MHz

        2  D                External clock period             tTPMext          4    —       tcyc

        3  D                External clock high time          tclkh            1.5  —       tcyc

        4  D                External clock low time           tclkl            1.5  —       tcyc

        5  D                Input capture pulse width         tICPW            1.5  —       tcyc

                                                              tTCLK

                                                       tclkh

                            TCLK

                                                                       tclkl

                                    Figure 21. Timer External Clock

                                                       tICPW

                            TPMCHn

                            TPMCHn

                                                       tICPW

                                  Figure 22. Timer Input Capture Pulse

                                  MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

26                                                                                  Freescale Semiconductor
                                                                                                     Ordering Information

3.11        Flash Specifications

This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the flash

memory.

Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see the Memory section in the reference

manual.

                                          Table 15. Flash Characteristics

   Num      C             Characteristic                   Symbol            Min     Typical         Max                  Unit

   1        D  Supply voltage for program/erase            Vprog/erase       2.7                  —  5.5                  V

   2        D  Supply voltage for read operation                     VRead   2.7                  —  5.5                  V

   3        D  Internal FCLK frequency1                              fFCLK   150                  —  200                  kHz

   4        D  Internal FCLK period (1/FCLK)                         tFcyc   5                    —  6.67                 μs

   5        P  Byte program time (random location)2                  tprog                        9                       tFcyc

   6        P  Byte program time (burst mode)2                       tBurst                       4                       tFcyc

   7        P  Page erase time2                                      tPage           4000                                 tFcyc

   8        P  Mass erase time2                                      tMass           20,000                               tFcyc

               Program/erase endurance3

   9        C  TL to TH = –40 °C to 125 °C                           nFLPE   10,000               —             —         cycles

               T = 25 °C                                                             100,000

   10       C  Data retention4                                       tD_ret  15      100                        —         years

1  The frequency of this clock is controlled by a software setting.

2  These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information supplied for

   calculating approximate time to program and erase.

3  Typical endurance for flash was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional information on how

   Freescale defines typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619/D, Typical Endurance for Nonvolatile

   Memory.

4  Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated

   to 25 °C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines typical data retention, please refer

   to Engineering Bulletin EB618/D, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.

4           Ordering Information

This chapter contains ordering information for the         device            numbering system.

Example of the device numbering system:

                                    MC 9  S08 SE       8C  XX        E

                         Status                                              RoHS compliance indicator (E = yes)

            (MC = Fully Qualified)                                           Package designator (see Table 16)

                         Memory                                              Temperature range (C = –40 °C to 85 °C)

               (9 = Flash-based)                                                                  (V = –40 °C to 105 °C)

                         Core                                                                     (M = –40 °C to 125 °C)

                         Family                                              Memory Size (in KB)

                                    MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                                                                                             27
Ordering Information

4.1      Package Information

                                         Table 16. Package Descriptions

    Pin Count         Package Type                Abbreviation  Designator            Case No.   Document No.

     28        Plastic Dual In-line Pin           PDIP          RL                    710        98ASB42390B

     28        Small Outline Integrated Circuit   SOIC          WL                    751F       98ASB42345B

     16        Thin Shrink Small Outline Package  TSSOP         TG                    948F       98ASH70247A

4.2      Mechanical Drawings

The following pages are mechanical drawings for the packages described            in  Table 16.

                                         MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

28                                                                                          Freescale Semiconductor
                                                                  Ordering Information

                         MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                           29
Ordering Information

                      MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

30                                                             Freescale Semiconductor
                                                                  Ordering Information

                         MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                           31
Ordering Information

                      MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

32                                                             Freescale Semiconductor
                                                                  Ordering Information

                         MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor                                           33
Ordering Information

                      MC9S08SE8 Series MCU Data Sheet, Rev. 4

34                                                             Freescale Semiconductor
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MC9S08SE8CRL  MC9S08SE8CTG  MC9S08SE8CWL   MC9S08SE8MRL  MC9S08SE8MTG  MC9S08SE8MWL

MC9S08SE8VTG  MC9S08SE8VWL  MC9S08SE4CTGR  MC9S08SE8VTGR  MC9S08SE8VWLR  MC9S08SE8CWLR
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