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LX5503LQ

器件型号:LX5503LQ
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

5000 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

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LX5503LQ器件文档内容

                                                                                                      LX5503

TM                                InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                             PRODUCTION DATA SHEET

                                        DESCRIPTION                                                   KEY FEATURES          WWW.Microsemi .COM

   The LX5503 is a power amplifier For +18dBm OFDM output power                               Advanced InGaP HBT
optimized for the FCC Unlicensed (64QAM, 54Mbps), the PA provides a                           5.15-5.85GHz Operation
National Information Infrastructure very low EVM (Error-Vector                                Single-Polarity 3.3V Supply
(U-NII) band and HiperLAN2 Magnitude) of 4%, and consumes less                                Low Quiescent Current Icq
applications in the 5.15-5.85GHz than 200mA total DC current.
frequency range. The PA is im- The LX5503 is available in a 16-pin                               ~100mA
plemented as a two-stage monolithic 3mmx3mm micro-lead package (MLP).                         P1dB ~ +25dBm across
microwave integrated circuit (MMIC) The compact footprint, low profile, and
with active bias and input/output pre- excellent thermal capability of the MLP                   5.15~5.85GHz
matching. The device is manufactured package makes the LX5503 an ideal                        Power Gain ~ 22dB at 5.25GHz
with an InGaP/GaAs Heterojunction solution for broadband, medium-gain
Bipolar Transistor (HBT) IC process power amplifier requirements for IEEE                        & Pout=18dBm
(MOCVD). It operates at a single low 802.11a, and Hiperlan2 portable WLAN                     Power Gain ~ 18dB at 5.85GHz
voltage supply of 3.3V with +25dBm applications.
of P1dB and 22dB power gain                                                                      & Pout=18dBm
between 5.15-5.35GHz and 18dB gain                                                            Total Current < 200mA for
up to 5.85GHz.
                                                                                                 Pout=18dBm
IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI's website: http://www.microsemi.com   EVM ~ 4% for 64QAM/ 54Mbps

                                                                                                 & Pout=18dBm
                                                                                              Excellent Temperature

                                                                                                 Performance
                                                                                              Simple Input/Output Match
                                                                                              Minimal External Components
                                                                                              Small Footprint: 3x3mm2
                                                                                              Low Profile: 0.9mm

                                                                                             APPLICATIONS/BENEFITS

                                                                                              FCC U-NII Wireless
                                                                                              IEEE 802.11a
                                                                                              HiperLAN2

                          PRODUCT HIGHLIGHT

                          PACKAGE ORDER INFO                                                                                LX5503

                      LQ  Plastic
                          16-Pin

                                   LX5503LQ

                      RoHS Compliant / Pb-free Transition DC: 0418

                      Note: Available in Tape & Reel (3K parts per reel). Append the
                              letters "TR" to the part number. (i.e. LX5503LQ-TR)

                      This device is classified as ESD Level 1 in accordance with MIL-
                      STD-883, Method 3015 (HBM) testing. Appropriate ESD
                      procedures should be observed when handling this device.

Copyright 2000                                     Microsemi                                        Page 1
Rev. 1.2d, 8/18/2005
                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                                                  LX5503

TM                                  InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                     PRODUCTION DATA SHEET

                      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                                                   PACKAGE PIN OUT

DC Supply Voltage, RF off ...............................................................................6V          13 14 15 16                            WWW.Microsemi .COM
Collector Current ........................................................................................500mA
Total Power Dissipation...................................................................................3 W    12               1
RF Input Power........................................................................................... 10dBm
Operation Ambient Temperature ....................................................... -40 to +85oC               11               2
Storage Temperature........................................................................ -65 to +150oC
                                                                                                                 10               3
Peak Package Solder Reflow Temp (40 seconds maximum exposure) .......... 260C (+0,-5)
                                                                                                                 9                4
Note: Exceeding these ratings could cause damage to the device. All voltages are with respect to
                                                                                                                     87 65
        Ground. Currents are positive into, negative out of specified terminal.
                                                                                                                                     LQ PACKAGE

                                                                                                                                          (Bottom View)

                                                                                                                 RoHS / Pb-free 100% Matte Tin Lead Finish

Pin Name              Pin Number            FUNCTIONAL PIN DESCRIPTION                                                                                      PACKAGE DATA
  RF IN                     2, 3
    Vb1                      6                                                            Description
    Vb2                      7
    Vcc                      9    RF input for the power amplifier. This pin is DC-shorted to GND but AC-coupled to the transistor
                                  base of the first stage. For 5.15-5.35GHz this pin is pre-matched to 50.
RF OUT                   10, 11
    Vc1                     15    Bias current control voltage for the first stage.
                                  Bias current control voltage for the second stage. The VB2 pin can be connected with the first
    Vc2                     14    stage control voltage (VB1) into a single reference voltage (referred to as Vref) through an
   GND                            external resistor bridge(R1/R2).
                                  Supply voltage for the bias reference and control circuits. The VCC feed line should be
                                  terminated with a 1 F bypass capacitor as close to the device as possible. This pin can be
                                  combined with both VC1 and VC2 pins, resulting in a single supply voltage (referred to as Vc).
                                  RF output for the power amplifier. This pin is AC-coupled and does not require a DC-blocking
                                  capacitor.
                                  Power supply for first stage amplifier. The VC1 feedline should be terminated with a 220pF
                                  bypass capacitor as close to the device as possible, followed by a 1F bypass capacitor at the
                                  supply side. This pin can be combined with VC2 and VCC pins, resulting in a single supply
                                  voltage (referred to as Vc).
                                  Power supply for second stage amplifier. The VC2 feedline should be terminated with a 220pF
                                  bypass capacitor as close to the device as possible, followed by a 1 F bypass capacitor at the
                                  supply side. This pin can be combined with VC1 and VCC pins, resulting in a single supply
                                  voltage (referred to as Vc).
                                  The center metal base of the MLP package provides both DC and RF ground as well as heat
                                  sink for the power amplifier.

Copyright 2000                                     Microsemi                                                                       Page 2
Rev. 1.2d, 8/18/2005
                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                                   LX5503

TM                                                        InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                                                           PRODUCTION DATA SHEET

                                                 ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                      WWW.Microsemi .COM
Test conditions: Vcc=3.3V, Vref=2.86V, Icq=100mA, TA=25C.

    Parameter                Condition Symbol Min. Typ.                                        Max.  Min.  Typ.    Max.  Unit
                                                                                               5.35  5.7           5.85  GHz
Frequency Range                                  f         5.15                                       24     25
                                                                                                -10   16            -10  dBm
Output Power at 1dB                              Pout      24                              25                18
Compression                                                                                                   4           dB
                                                                                                            180           %
Power Gain at Pout=18dBm                         Gp        20                              22               100          mA
                                                                                                            1.6          mA
EVM at Pout=18dBm            64QAM/54Mbps                                                  4                 17          mA
                                                                                                           +/-0.5         dB
Total Current at Pout=18dBm                      Ic_total        200                                                      dB
                                                                                                            +/-1
Quiescent Current                                Icq             100                                                      dB
                                                                                                            -12
Bias Control Reference Current For Icq=100mA     Iref            1.6                                        -10           dB
                                                                                                            -40           dB
Small-Signal Gain                                S21                                       21               -42           dB
                                                                                                            -37          dBc
Gain Flatness                Over 100MHz         S21             +/-0.2                                       6          dBc
                                                                                                            100           dB
Gain Variation Over          -40 to +85oC        S21             +/-1                                                     ns
Temperature

Input Return Loss                                S11             -15

Output Return Loss                               S22                                       -9

Reverse Isolation                                S12             -40

Second Harmonic              Pout = 18dBm                        -45

Third Harmonic               Pout = 18dBm                        -37

Noise Figure                                     NF                                        6

Ramp-On Time                 10~90%              tON             100

Note: All measured data was obtained on a 5 mil GETEK evaluation board without heat sink.

                                                                                                                                 ELECTRICALS

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Rev. 1.2d, 8/18/2005
                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                      LX5503

TM                                    InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                               PRODUCTION DATA SHEET

                               CHARTS

                            Typical Power Sweep Data at Room Temperature                                      WWW.Microsemi .COM

                                           (Vc=3.3V, Vref=2.86V, Icq=100mA)

    30

                      Pout

    25                Gain

    20

    15

    10                                                         Freq.=5.15GHz

    5

    0

    -5
      -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6

                                          Pin (dBm)

    30

                      Pout

    25                Gain

    20

    15

    10                                                         Freq.=5.25GHz

    5

    0

    -5
      -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6

                                          Pin (dBm)

    30

    25                Pout

                      Gain

    20

    15

    10                                                         Freq.=5.85GHz

    5                                                                                                         CHARTS

    0

    -5
      -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12

                                          Pin (dBm)

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                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                      LX5503

TM                                                       InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                               PRODUCTION DATA SHEET

                                              CHARTS

                               Typical EVM & Total Current vs. Output Power                                   WWW.Microsemi .COM

                               (Vc=3.3V, Vref=2.86V, Icq=100mA, 64QAM/54Mbps)

    8                                         300

    7                 EVM_in
                      EVM_out

    6                 Ictotal                 250

    5

    4                                         200

                                                               Freq.=5.15GHz

    3

    2                                         150

    1

    0                                         100

       12 13 14 15 16 17 18 19 20 21

                               Pout (dBm)

    8                                                     300

    7                 EVM_in

                      EVM_out

    6                 Ictotal                             250

    5

    4                                                     200

                                                               Freq.=5.25GHz

    3

    2                                                     150

    1

    0                                                     100

       12 13 14 15 16 17 18 19 20 21

                               Pout (dBm)

    8                                                     300

    7                 EVM_in

                      EVM_out

    6                 Ictotal                             250

    5

    4                                                     200

                                                               Freq.=5.85GHz

    3

    2                                                     150

    1

    0                                                     100                                                 CHARTS

                      9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

                               Pout (dBm)

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                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                           LX5503

TM                                                              InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                                         PRODUCTION DATA SHEET

                                                                 CHARTS

                           Typical S-Parameter Data at Room Temperature                                            WWW.Microsemi .COM

                      25

                      20

                      15

                      10

                      5

                      0

                      -5

                      -10

                      -15                                                Vc=3.3V

                      -20                                                Vref=2.81V

                      -25                                                Icq=80mA

                      -30

                      -35

                      -40

                      -45

                      -50

                           5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0

                                                 Frequency, GHz          Vc=3.3V
                                                                         Vref=2.86V
                       25                                                Icq=100mA
                       20
                       15
                       10

                        5
                        0
                       -5
                      -10
                      -15
                      -20
                      -25
                      -30
                      -35
                      -40
                      -45
                      -50

                           5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0

                           Frequency, GHz

                       25                                                Vc=3.3V
                       20                                                Vref=2.98V
                       15                                                Icq=160mA
                       10
                                                                                                                   CHARTS
                        5
                        0
                       -5
                      -10
                      -15
                      -20
                      -25
                      -30
                      -35
                      -40
                      -45
                      -50

                           5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0

                                                    Frequency, GHz

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                           11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                      LX5503

TM                                                 InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                         PRODUCTION DATA SHEET

                                                               CHARTS                                         WWW.Microsemi .COM

                                               Quiescent Current vs. Vref

                                                    (VC1=VC2=VCC=Vc=3.3V)

                           250

                           225

                           200

                           175

                           150

                           125

                           100

                           75

                           50

                           2.75  2.8  2.85     2.9       2.95                  3  3.05

                                               Vref (V)

                                               Power Down Isolation

                                             (Vc=3.3V, Vref=0 to 1V, Icq<2A)

                      0

                      -10

                      -20             Vref=0V

                                      Vref=1V

                      -30

                      -40

                           4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0
                                                             Frequency (GHz)

                                                                                                              CHARTS

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                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                      LX5503

TM                                                    InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                                            PRODUCTION DATA SHEET

                                                             CHARTS                                           WWW.Microsemi .COM

                             Power, EVM & Current for Low Quiescent Current
                                 (Recommended for High Efficiency Operation)

                                 (Vc=3.3V, Vref=2.81V, Icq=80 mA, Freq.=5.25GHz)

                                                     Power & Gain vs. Pout
                         30

                                      Pout

                         25           Gain

                         20

                         15

                         10

                         5

                         0

                         -5
                           -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6

                                                               Pin (dBm)

                                      EVM & Total Current vs. Pout

                      8                                                               300

                      7      EVM_in

                             EVM_out

                      6      Ictotal                                                  250

                      5

                      4                                                               200

                      3

                      2                                                               150

                      1                                                                                       CHARTS

                      0                                                               100

                         14  15       16       17  18      19               20    21

                                               Pout (dBm)

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                                                             Integrated Products Division
                      11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
                                                                                                      LX5503

TM                                                         InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                                PRODUCTION DATA SHEET

                                                                 CHARTS                                       WWW.Microsemi .COM

                                Power, EVM & Current for High Quiescent Current
                                        (Recommended for High Gain Operation)

                                     (Vc=3.3V, Vref=2.98V, Icq=160 mA, Freq.=5.25GHz)

                                                    Power & Gain vs. Pout
                         30

                                              Pout
                                              Gain
                         25

                         20

                         15

                         10

                             5

                             0
                              -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6

                                                                  Pin (dBm)

                                             EVM & Total Current vs. Pout

                      8                                                                    300

                      7             EVM_in
                                    EVM_out

                      6             Ictotal                                                250

                      5

                      4                                                                    200

                      3

                      2                                                                    150

                      1                                                                                       CHARTS

                      0                                                                    100

                         13     14           15     16  17      18         19          20

                                                    Pout (dBm)

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                                                                                                      LX5503

TM                          InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                     PRODUCTION DATA SHEET

                             CHARTS

                          S-Parameter Variation Over Temperature                                               WWW.Microsemi .COM

                          (Vc=3.3V, Vref=2.98V, Icq=160mA at Room Temperature)

                      24
                      23

                      22
                      21
                      20

                      19     -40oC

                      18

                      17     +25oC
                      16

                      15     +85oC

                      14

                      13

                      12

                      11

                      10

                          4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0

                             Frequency (GHz)

                                       Power & Gain Variation Over Temperature

                        (Vc=3.3V, Vref=2.86V, Icq=100mA at Room Temperature, Freq.=5.25GHz)

                      26

                      24

                      22

                      20

                      18             -40 o
                                     +25 o
                                     +85 o
                      16

                      14                                                                                       CHARTS

                      12

                      10
                         0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
                                                          Pout (dBm)

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TM                                           InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                 PRODUCTION DATA SHEET

                                                              CHARTS                                                WWW.Microsemi .COM

                                      Small-Signal Gain vs. Supply Voltage

                                            (Vref=2.86V, Icq=100mA for Vc=3.3V)
                      22

                      21.5

                      21

                      20.5

                        20     3.1  3.2  3.3     3.4                             3.5                  3.6
                            3
                                         Vc (V)
                        27
                      26.5          P1dB vs. Supply Voltage

                        26     (Vref=2.86V, Icq=100mA for Vc=3.3V)
                      25.5
                                         3.3                                                          3.6           CHARTS
                        25
                      24.5

                        24
                            3

                                         Vc (V)

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    TM                                                           InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                                                       PRODUCTION DATA SHEET

                                    MECHANICAL DRAWING                                                                                 WWW.Microsemi .COM

LQ      16-Pin MLPQ 3x3
                 D
                                                b E2
                                                               L  Dim  MILLIMETERS                        INCHES
                                                                       MIN MAX                        MIN MAX
                                                 D2
                                                                  A 0.80 1.00 0.031 0.039

                                                                  A1   0    0.05                      0 0.002

E                                                                 A3   0.20 REF                       0.008 REF

                                                                  b 0.18 0.30 0.007 0.012

                                                                  D    3.00 BSC                       0.118 BSC

                                                                  E    3.00 BSC                       0.118 BSC

                                                                  e    0.50 BSC                       0.020 BSC

                                             e       K            D2 1.30 1.55 0.051 0.061
                                    or
                                                                  E2 1.30 1.55 0.051 0.061

A1                               A                                K    0.2  -                         0.008  -
          A3
                                                or                L 0.35 0.50 0.012 0.020

                                    Pin 1 Indicator               L1   -    0.15                      -      0.006

                             Or                 b E2 L            Note:
                                                D2
                     D                                               1. Dimensions do not include mold flash or
                                                                           protrusions; these shall not exceed
E                                                                          0.155mm(.006") on any side. Lead dimension
                                                                           shall not include solder coverage.

                                                                     2. Due to multiple qualified assembly sub-
                                                                           contractors either package (with different pin
                                                                           one indicators) may be shipped. Package type
                                                                           will be consistent within the smallest individual
                                                                           container.

                         L1

                                    e

A1                               A                   K

                                                                                                                                       MECHANICALS

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TM                             InGaP HBT 5-6GHz Power Amplifier

                                PRODUCTION DATA SHEET

                         NOTES                                                                                                         WWW.Microsemi .COM

                                   PRODUCTION DATA Information contained in this document is proprietary to                          NOTES
                                   Microsemi and is current as of publication date. This document may not be modified in
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                                   configuration and performance of the product and to discontinue product at any time.

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