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KP11N60F_15

器件型号:KP11N60F_15
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厂商名称:KEC [KEC(Korea Electronics)]
厂商官网:http://www.keccorp.com/
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KP11N60F_15器件文档内容

                                     SEMICONDUCTOR                                               KP11N60F

                                           TECHNICAL DATA                                     N CHANNEL MOS FIELD
                                                                                               EFFECT TRANSISTOR

General Description

                                                                                           A              C
                                                                           E
  This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast                            F
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent
avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor                               O
correction and switching mode power supplies.
                                                                                                                   DIM MILLIMETERS
FEATURES
hVDSS=600V, ID=11A                                                                                  B              A 10.16 +_ 0.2
hDrain-Source ON Resistance :                                                                                      B 15.87 +_ 0.2
                                                                                                 G
   RDS(ON)(Max)=0.38 @VGS=10V
hQg(typ.)= 20nC                                                            K                                       C 2.54 +_ 0.2
                                                                                                                   D 0.8 +_ 0.1
MAXIMUM RATING (Tc=25)                                                        L                                    E 3.18 +_ 0.1
                                                                                                                   F 3.3 +_ 0.1
                                                                                                                   G 12.57 +_ 0.2

                                                                                              M                 R  H 0.5 +_ 0.1
                                                                                                                   J 13.0 +_ 0.5
                                                                                                    J   H

                                                                              D                        1. GATE     K 3.23 +_ 0.1
                                                                                        NN             2. DRAIN
                                                                                                       3. SOURCE   L 1.47 MAX

                                                                                                                   M 1.47 MAX

                                                                                                                   N 2.54 +_ 0.2

                                                                                                                   O 6.68 +_ 0.2

                                                                                                                   Q  4.7 +_ 0.2

             CHARACTERISTIC          SYMBOL                 RATING   UNIT  Q     123                               R 2.76 +_ 0.2
                                                                       V
Drain-Source Voltage                 VDSS                   600        V
                                     VGSS                   30
Gate-Source Voltage                                         11*        A
                                      ID                    6.9*
                @TC=25                IDP                   24*       mJ                         TO-220IS (1)
                                     EAS                    195       mJ
Drain Current @TC=100                EAR                             V/ns
                                     dv/dt                   4.0       W
                Pulsed (Note1)                                       W/
                                      PD                     4.5      
Single Pulsed Avalanche Energy                              34.7      
(Note 2)                                                    0.28
                                                                     /W
Repetitive Avalanche Energy                                          /W
(Note 1)

Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)

Drain Power     Tc=25
Dissipation     Derate above 25

Maximum Junction Temperature         Tj                        150
                                                            -55q150
Storage Temperature Range            Tstg

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC                  3.6

Thermal Resistance,                  RthJA                  62.5
Junction-to-Ambient

* : Drain current limited by maximum junction temperature.

PIN CONNECTION

                                  D

             G

                      S

2013. 4. 24                          Revision No : 0                                                                                1/6
                                                           KP11N60F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25)

               CHARACTERISTIC                  SYMBOL                     TEST CONDITION  MIN. TYP. MAX. UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage                 BVDSS       ID=250A, VGS=0V                600  -    -     V
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Drain Cut-off Current                          BVDSS/Tj ID=250A, Referenced to 25         -    0.6  -     V/
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current                           IDSS        VDS=600V, VGS=0V               -    -    10   
Drain-Source ON Resistance
Dynamic                                        Vth         VDS=VGS, ID=250A               2.0  -    4.0   V

                                               IGSS        VGS=30V, VDS=0V                -    - 100 nA

                                               RDS(ON)     VGS=10V, ID=5.5A               -    0.33 0.38  

Total Gate Charge                               Qg                                        -    20   -
Gate-Source Charge                             Qgs
Gate-Drain Charge                              Qgd         VDS=480V, ID=11A  (Note 5)     -    4.0  -     nC
Turn-on Delay time                             td(on)      VGS=10V
Turn-on Rise time                                tr
Turn-off Delay time                            td(off)                                    -    9.0  -
Turn-off Fall time                               tf
Input Capacitance                              Ciss                                       -    25   -
Output Capacitance                             Coss
Reverse Transfer Capacitance                   Crss        VDD=300V                       -    35   -
Source-Drain Diode Ratings                                 ID=11A
                                                           RG=25                                          ns

                                                                             (Note4,5)    -    65   -

                                                                                          -    25   -

                                                                                          -    850  -

                                                           VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz      -    800  -     pF

                                                                                          -    2.0  -

Continuous Source Current                      IS                                         -    -    11
Pulsed Source Current                                       VGS                                                                                                           A
                                               ISP
                                                                                          -    -    44

Diode Forward Voltage                          VSD         IS=11A, VGS=0V                 -    -    1.4   V

Reverse Recovery Time                          trr         IS=11A, VGS=0V,                -    300  -     ns
Reverse Recovery Charge
                                               Qrr         dIs/dt=100A/s                  -    3.0  -     C

Note 1) Repetivity rating : Pulse width limited by junction temperature.
Note 2) L =3mH, IS=11A, VDD=50V, RG=25, Starting Tj=25.
Note 3) IS11A, dI/dt100A/, VDDBVDSS, Starting Tj=25.
Note 4) Pulse Test : Pulse width  10, Duty Cycle  2%.

Note 5) Essentially independent of operating temperature.

Marking

1

             KP11N60

             F  001   2

                         1 PRODUCT NAME
                         2 LOT NO

2013. 4. 24                   Revision No : 0                                                                  2/6
                                                                                     KP11N60F

                                                          Fig1. ID - VDS                                                                       Fig2. ID - VGS

                                    100                                                                                         VDS=20V
                                                                                                                         101
Drain Current ID (A)                                                                VGS=10V  Drain Current ID (A)

                                    10                                              VGS=6V

                                                                                    VGS=5V

                                                                                                                                 100 C         25 C

                                                                                                                         100

                                    1

                                    0.1              1                10             100                                 10-1               4        6               8                 10
                                        0.1                                                                                   2

                                                     Drain - Source Voltage VDS (V)                                                         Gate - Source Voltage VGS (V)

                                                     Fig3. BVDSS - Tj                                                                      Fig4. RDS(ON) - ID

Normalized Breakdown Voltage BVDSS  1.3                                                      On - Resistance RDS(ON) ()  1.2
                                          VGS = 0V                                                                                                VGS=5V
                                          IDS = 250
                                                                                                                         1.0
                                    1.2

                                                                                                                         0.8

                                    1.1                                                                                  0.6

                                    1.0                                                                                  0.4
                                                                                                                                                                              VGS=10V

                                                                                                                         0.2

                                    0.9                                                                                  0

                                    0        25      50         75 100 125 150                                                0             5        10              15                20

                                                     Junction Temperature Tj ( C )                                                             Drain Current ID (A)

                                                      Fig5. IS - VSD                                                                           Fig6. RDS(ON) - Tj

                                    102                                                                                  3.0
                                                                                                                                VGS =10V
Reverse Drain Current IS (A)                                                                 Normalized On Resistance           IDS = 5.5A

                                                                                                                         2.5

                                                         100 C  25 C

                                    101                                                                                  2.0

                                                                                                                         1.5

                                    100                                                                                  1.0

                                                                                                                         0.5

                                    10-1                                                                                 0.0
                                       0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8
                                                                                                                         -100    -50           0         50             100            150
                                                 Source - Drain Voltage VSD (V)
                                                                                                                                            Junction Temperature Tj ( C)

2013. 4. 24                                              Revision No : 0                                                                                                                    3/6
                                                                                         KP11N60F

                                                     Fig 7. C - VDS                                                                                Fig8. Qg- VGS

                              104                                                  Ciss              Gate - Source Voltage VGS (V)  12
                              103                                                  Coss                                                    ID=11A
                              102
                              101                                                                                                   10
                               1
Capacitance (pF)                                                                                                                    8
                                  0                                                                                                             VDS = 480V

                                                                                                                                    6

                                                                                                                                    4

                                                                                   Crss                                             2

                                                                                                                                    0

                                                 10              20            30        40                                            0  4        8        12  16        20  24

                                                 Drain - Source Voltage VDS (V)                                                                    Gate - Charge Qg (nC)

                                              Fig9. Safe Operation Area

                              102

Drain Current ID (A)          101                                                  10
                                                                                   100
                              100    Operation in this                             1
                                     area is limited by RDS(ON)                    10

                              10-1                                                 DC

                              10-2                   101                 102       103
                                 100

                                                 Drain - Source Voltage VDS (V)

                                                                 Fig10. Transient Thermal Response Curve

                              101

Transient Thermal Resistance          Duty=0.5

                              100 0.2                                                                PDM
                                                                                                                    t1
                                            0.1
                                           0.05                                                                          t2

                              10-1    0.02                                                           - Rth(j-c) = 3.6 C/W Max.
                                      0.01                                                           - Duty Factor, D= t1/t2

                                                           Single Pulse

                              10-2

                                    10-5             10-4                10-3      10-2        10-1                                 100            101

                                                                                   TIME (sec)

2013. 4. 24                                                Revision No : 0                                                                                                        4/6
                                                    KP11N60F

Fig11. Gate Charge

                                          Fast                  VGS
                                                            10 V
                       ID                 Recovery
                                                                         Qgs
                                          Diode

             0.8 VDSS                               ID
                                                       VDS
                             1.0 mA                                                    Qgd                                   Q
                                     VGS                                                             Qg
                                                                                                                                VDS(t)
Fig12. Single Pulsed Avalanche Energy                                                                                        Time

                                                                                  1    LIAS2                      BVDSS
                                                                         EAS= 2                              BVDSS - VDD

                                                                  BVDSS
                                                    L

                                                                    IAS

             50V
                                      25

                                                    VDS                                ID(t)

                       10 V               VGS               VDD

Fig13. Resistive Load Switching                                                                          tp

                                                                       VDS
                                                                                  90%

                                                    RL

             0.5 VDSS                                       VGS 10%
                                                                            td(on) tr
                           25                                                 ton                            td(off)

                                                    VDS                                                                  tf
                                                                                                                      toff

                       10V                VGS

2013. 4. 24                  Revision No : 0                                                                                            5/6
                                                              KP11N60F

Fig14. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt

                                         DUT                  VDS   ISD   Body Diode Forword Current

                                   IF    driver                    (DUT)                                                   di/dt
                                         VGS                                                               IRM
             0.5 VDSS                                     IS                                    Body Diode Reverse Current

                                    10V                             VDS      Body Diode Recovery dv/dt
                                                                   (DUT)  VSD

                                                                                                                                  VDD

                                                                          Body Diode Forword Voltage drop

2013. 4. 24                              Revision No : 0                                                                               6/6
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