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KP11N60D_15

器件型号:KP11N60D_15
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厂商名称:KEC [KEC(Korea Electronics)]
厂商官网:http://www.keccorp.com/
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KP11N60D_15器件文档内容

                                      SEMICONDUCTOR                                      KP11N60D

                                            TECHNICAL DATA                             N CHANNEL MOS FIELD
                                                                                        EFFECT TRANSISTOR

General Description

  This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast               A           K            DIM MILLIMETERS
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent                                        L     A 6.60 +_ 0.20
avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor            C        D                B 6.10 +_0.20
correction and switching mode power supplies.                                                             N   C 5.34 +_ 0.30
                                                                                             B           M    D 0.70 +_0.20
FEATURES                                                                                                      E 2.70 +_ 0.15
hVDSS=600V, ID=11A                                                         H              J                   F 2.30 +_ 0.10
hDrain-Source ON Resistance :                                                                                 G 0.96 MAX
                                                                                             E                H 0.90 MAX
   RDS(ON)(Max)=0.38 @VGS=10V                                                                                 J 1.80 +_0.20
hQg(typ.)= 20nC                                                                  G                            K 2.30 +_0.10
                                                                                                              L 0.50 +_ 0.10
MAXIMUM RATING (Tc=25)                                                           FF                           M 0.50 +_0.10
                                                                                                              N 0.70 MIN

                                                                                                              O 0.1 MAX

                                                                              1     2  3        1. GATE
                                                                                                2. DRAIN
                                                                                                3. SOURCE

             CHARACTERISTIC           SYMBOL                RATING   UNIT           O
                                                                       V
Drain-Source Voltage                  VDSS                  600        V
                                      VGSS                  30
Gate-Source Voltage                                         11*        A                        DPAK (1)
                                       ID                   6.9*
                @TC=25                 IDP                  24*       mJ
                                      EAS                   195       mJ
Drain Current @TC=100                 EAR                            V/ns
                                      dv/dt                  4.0       W
                Pulsed (Note1)                                       W/
                                       PD                    4.5      
Single Pulsed Avalanche Energy                              69.4      
(Note 2)                                                    0.56
                                                                     /W
Repetitive Avalanche Energy                                          /W
(Note 1)

Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)

Drain Power     Tc=25
Dissipation     Derate above 25

Maximum Junction Temperature          Tj                       150
                                                            -55q150
Storage Temperature Range             Tstg

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case RthJC                  1.8

Thermal Resistance,                   RthJA                 110
Junction-to-Ambient

* : Drain current limited by maximum junction temperature.

PIN CONNECTION

                                   D

             G

                      S

2013. 5. 15                           Revision No : 0                                                                         1/6
                                                           KP11N60D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25)

               CHARACTERISTIC                  SYMBOL                     TEST CONDITION  MIN. TYP. MAX. UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage                 BVDSS       ID=250A, VGS=0V                600  -    -     V
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Drain Cut-off Current                          BVDSS/Tj ID=250A, Referenced to 25         -    0.6  -     V/
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current                           IDSS        VDS=600V, VGS=0V               -    -    10    A
Drain-Source ON Resistance
Dynamic                                        Vth         VDS=VGS, ID=250A               2.0  -    4.0   V

                                               IGSS        VGS=30V, VDS=0V                -    - 100 nA

                                               RDS(ON)     VGS=10V, ID=5.5A               -    0.33 0.38  

Total Gate Charge                               Qg                                        -    20   -
Gate-Source Charge                             Qgs
Gate-Drain Charge                              Qgd         VDS=480V, ID=11A  (Note 5)     -    4.0  -     nC
Turn-on Delay time                             td(on)      VGS=10V
Turn-on Rise time                                tr
Turn-off Delay time                            td(off)                                    -    9.0  -
Turn-off Fall time                               tf
Input Capacitance                              Ciss                                       -    25   -
Output Capacitance                             Coss
Reverse Transfer Capacitance                   Crss        VDD=300V                       -    35   -
Source-Drain Diode Ratings                                 ID=11A
                                                           RG=25                                          ns

                                                                             (Note4,5)    -    65   -

                                                                                          -    25   -

                                                                                          -    850  -

                                                           VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz      -    800  -     pF

                                                                                          -    2.0  -

Continuous Source Current                      IS                                         -    -    11
Pulsed Source Current                                       VGS                                                                                                           A
                                               ISP
                                                                                          -    -    44

Diode Forward Voltage                          VSD         IS=11A, VGS=0V                 -    -    1.4   V

Reverse Recovery Time                          trr         IS=11A, VGS=0V,                -    300  -     ns
Reverse Recovery Charge
                                               Qrr         dIs/dt=100A/s                  -    3.0  -     C

Note 1) Repetivity rating : Pulse width limited by junction temperature.
Note 2) L =3mH, IS=11A, VDD=50V, RG=25, Starting Tj=25.
Note 3) IS11A, dI/dt100A/, VDDBVDSS, Starting Tj=25.
Note 4) Pulse Test : Pulse width  10, Duty Cycle  2%.

Note 5) Essentially independent of operating temperature.

Marking

1

             KP11N60

             D 001            2

                                 1 PRODUCT NAME
                                 2 LOT NO

2013. 5. 15                   Revision No : 0                                                                  2/6
                                                                                     KP11N60D

                                                          Fig1. ID - VDS                                                                       Fig2. ID - VGS

                                    100                                                                                         VDS=20V
                                                                                                                         101
Drain Current ID (A)                                                                VGS=10V  Drain Current ID (A)

                                    10                                              VGS=6V

                                                                                    VGS=5V

                                                                                                                                 100 C         25 C

                                                                                                                         100

                                    1

                                    0.1              1                10             100                                 10-1               4        6               8                 10
                                        0.1                                                                                   2

                                                     Drain - Source Voltage VDS (V)                                                         Gate - Source Voltage VGS (V)

                                                     Fig3. BVDSS - Tj                                                                      Fig4. RDS(ON) - ID

Normalized Breakdown Voltage BVDSS  1.3                                                      On - Resistance RDS(ON) ()  1.2
                                          VGS = 0V                                                                                                VGS=5V
                                          IDS = 250
                                                                                                                         1.0
                                    1.2

                                                                                                                         0.8

                                    1.1                                                                                  0.6

                                    1.0                                                                                  0.4
                                                                                                                                                                              VGS=10V

                                                                                                                         0.2

                                    0.9                                                                                  0

                                    0        25 50 75 100 125 150                                                             0             5        10              15                20

                                                     Junction Temperature Tj ( C )                                                             Drain Current ID (A)

                                                      Fig5. IS - VSD                                                                           Fig6. RDS(ON) - Tj

                                    102                                                                                  3.0
                                                                                                                                VGS =10V
Reverse Drain Current IS (A)                                                                 Normalized On Resistance           IDS = 5.5A

                                                                                                                         2.5

                                                        100 C  25 C

                                    101                                                                                  2.0

                                                                                                                         1.5

                                    100                                                                                  1.0

                                                                                                                         0.5

                                    10-1                                                                                 0.0
                                       0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8
                                                                                                                         -100    -50           0         50             100            150
                                                 Source - Drain Voltage VSD (V)
                                                                                                                                            Junction Temperature Tj ( C)

2013. 5. 15                                             Revision No : 0                                                                                                                     3/6
                                                                                KP11N60D

                                                    Fig 7. C - VDS                                                                             Fig8. Qg- VGS

                              104                                               Ciss             Gate - Source Voltage VGS (V)  12
                              103                                               Coss                                                   ID=11A
                              102
                              101                                                                                               10
                               1
Capacitance (pF)                                                                                                                8
                                  0                                                                                                         VDS = 480V

                                                                                                                                6

                                                                                                                                4

                                                                                Crss                                            2

                                                                                                                                0

                                                10               20        30         40                                           0  4        8        12  16        20  24

                                                Drain - Source Voltage VDS (V)                                                                 Gate - Charge Qg (nC)

                                              Fig9. Safe Operation Area

                              102

Drain Current ID (A)          101                                               10
                                                                                100
                              100    Operation in this                          1
                                     area is limited by RDS(ON)                 10

                              10-1                                              DC

                              10-2                  101              102        103
                                 100

                                                Drain - Source Voltage VDS (V)

                                                          Fig10. Transient Thermal Response Curve

                              101

Transient Thermal Resistance  100     Duty=0.5                                                   PDM
                              10-1                                                                              t1
                                       0.1
                                       0.2                                                                           t2
                                       0.05
                                      0.02                                                       - Rth(j-c) = 1.8 C/W Max.
                                       0.01                                                      - Duty Factor, D= t1/t2

                              10-2              Single Pulse         10-3       10-2       10-1                                 100            101
                                   10-5
                                                   10-4

                                                                               TIME (sec)

2013. 5. 15                                              Revision No : 0                                                                                                      4/6
                                                                KP11N60D

Fig11. Gate Charge                                                       VGS
                            ID                                       10 V

                                     Fast
                                     Recovery
                                     Diode

0.8 VDSS
                                                            ID

                             1.0 mA

                                                                VDS           Qgs               Qgd                      Q
                                                                                                              Qg
                                                                                                                            VDS(t)
                                     VGS                                                                                 Time

Fig12. Single Pulsed Avalanche Energy

                                                                                       1        LIAS2       BVDSS
                                                                              EAS= 2                   BVDSS - VDD

                                                               BVDSS
                                                 L

                                                                 IAS

50V
                         25

                                                 VDS                                            ID(t)

             10 V                    VGS                             VDD

                                                                                                tp

Fig13. Resistive Load Switching

                                                                    VDS
                                                                               90%

                                                 RL

0.5 VDSS                                                             VGS 10%
                                                                                     td(on) tr
                                25                                                     ton             td(off)

                                                                VDS                                                  tf
                                                                                                                  toff

             10V                     VGS

2013. 5. 15                     Revision No : 0                                                                                     5/6
                                                 KP11N60D

Fig14. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt

                            DUT                  VDS      ISD   Body Diode Forword Current

                      IF    driver                       (DUT)                                                   di/dt
                            VGS                                                                  IRM
0.5 VDSS                                     IS                                       Body Diode Reverse Current

                       10V                                VDS      Body Diode Recovery dv/dt
                                                         (DUT)  VSD

                                                                                                                        VDD

                                                                Body Diode Forword Voltage drop

2013. 5. 15                 Revision No : 0                                                                                  6/6
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