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JCS9N50CT-O-C-N-B

器件型号:JCS9N50CT-O-C-N-B
厂商名称:JSMC
厂商官网:http://www.hwdz.com.cn/
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器件描述

N-CHANNEL MOSFET

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JCS9N50CT-O-C-N-B器件文档内容

                                                              N

      R                                                       N-CHANNEL MOSFET

                          JCS9N50T

MAIN CHARACTERISTICS                               Package

ID                 9A

VDSS               500 V

Rdson@Vgs=10V 0.75

Qg                 29 nC

                   APPLICATIONS
                   z High efficiency switch
z
z                    mode power supplies
z UPS              z Electronic lamp ballasts

                     based on half bridge
                   z UPS

                       FEATURES
                       zLow gate charge
z                      zLow Crss (typical 26pF )
z Crss ( 26pF)         zFast switching
z                      z100% avalanche tested
z                      zImproved dv/dt capability
z dv/dt                zRoHS product
zRoHS

ORDER MESSAGE

                                                                           
      Order codes         Marking     Package        Halogen                Device
                                                                            Weight
JCS9N50CT-O-C-N-B         JCS9N50CT  TO-220C           Free   Packaging  2.15 g(typ)
JCS9N50FT-O-F-N-B         JCS9N50FT  TO-220MF       NO         Tube      2.20 g(typ)
                                                    NO         Tube

    201010C                                                              1/10
                       R                                                     JCS9N50T

ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)

                                                                             
Parameter                          Symbol                  Value              Unit
                                            JCS9N50CT JCS9N50FT

                                   VDSS                 500            500   V
Drain-Source Voltage

                                   ID                   9              9*    A
Drain Current -continuous          T=25
                                   T=100                5.7            5.7*  A

1                                 IDM                  36             36*   A

Drain Current - pulse  note 1

                                   VGSS                       30            V
Gate-Source Voltage

2                                                            369            mJ
Single Pulsed Avalanche Energynote 2 EAS

1                                 IAR                        9              A

Avalanche Currentnote 1

1                                                            15.8           mJ
Repetitive Avalanche Currentnote 1 EAR

3                                 dv/dt                      4.5            V/ns

Peak Diode Recovery dv/dtnote 3

                                   PD                   158            48     W
                                   TC=25                                     W/
                                   -Derate
Power Dissipation                  above                                      
                                   25                                         
                                                        1.27           0.38



Operating and Storage Temperature  TJTSTG                     -55+150
Range


Maximum Lead Temperature for       TL                         300

Soldering Purposes

*

*Drain current limited by maximum junction temperature

201010C                                                                      2/10
                       R                                        JCS9N50T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                                                                  

Parameter                        Symbol       Tests conditions  Min Typ Max Units

Off Characteristics

                                 BVDSS    ID=250A, VGS=0V       500 - - V
Drain-Source Voltage

                                 BVDSS/ ID=250A, referenced to  - 0.63 - V/
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient                      TJ       25

                                 IDSS     VDS=500V,VGS=0V,      - - 1 A
                                          TC=25                 - - 10 A
Zero Gate Voltage Drain Current           VDS=400V, TC=125



Gate-body leakage current,       IGSSF    VDS=0V, VGS =30V      - - 100 nA
forward



Gate-body leakage current,       IGSSR    VDS=0V, VGS =-30V     - - -100 nA
reverse

On-Characteristics

                                 VGS(th)  VDS = VGS , ID=250A   3.0 - 5.0 V
Gate Threshold Voltage



Static Drain-Source              RDS(ON) VGS =10V , ID=4.5A     - 0.64 0.75
On-Resistance

                                 gfs      VDS = 40V, ID=4.5Anote 4 - 6.6 - S
Forward Transconductance

Dynamic Characteristics

                                 Ciss     VDS=25V,              - 810 1060 pF
Input capacitance                Coss     VGS =0V,              - 155 190 pF
                                          f=1.0MHZ
Output capacitance

                                 Crss                           - 26 33 pF

Reverse transfer capacitance

201010C                                                         3/10
  R                                                                         JCS9N50T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                              - 64 83 ns
                                                                         - 52 68 ns
Switching Characteristics                                               - 101 135 ns
                                                                         - 66 91 ns
Turn-On delay time            td(on)    VDD=250V,ID=9A,RG=25            - 29 38 nC
Turn-On rise time             tr        note 45                         - 6.3 - nC
                                                                         - 12 - nC
Turn-Off delay time           td(off)

Turn-Off Fall time            tf

Total Gate Charge Qg                    VDS =400V ,

Gate-Source charge            Qgs       ID=9A
                                         VGS =10V note 45
Gate-Drain charge             Qgd

Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings



Maximum Continuous Drain                            IS                   - -9 A
-Source Diode Forward Current



Maximum Pulsed Drain-Source                         ISM                  - - 36 A
Diode Forward Current



Drain-Source Diode Forward     VSD       VGS=0V, IS=9A                   - - 1.4 V
Voltage

                               trr       VGS=0V, IS=9A                   - 341 - ns
Reverse recovery time                                                    - 2.97 - C

                                             dIF/dt=100A/s     (note 4)
Reverse recovery charge        Qrr

THERMAL CHARACTERISTIC

                                                                                    
                      Parameter          Symbol                                      Unit
                                                               Max
                                          Rth(j-c)                                   /W
Thermal Resistance, Junction to Case                JCS9N50CT            JCS9N50FT

                                                         0.79            2.6

                                         Rth(j-A)        62.5            62.5       /W
Thermal Resistance, Junction to Ambient

                                                    Notes:
1                                                   1Pulse width limited by maximum junction
2L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 ,                  temperature
                                                    2L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
       TJ=25
3ISD 9A,di/dt 200A/s,VDDBVDSS,                          TJ=25
                                                    3ISD 9A,di/dt 200A/s,VDDBVDSS, Starting
       TJ=25
4300s,2                                                   TJ=25
5                                                   4Pulse TestPulse Width 300s,Duty Cycle2
                                                    5Essentially independent of operating temperature

201010C                                                                             4/10
                       R                                                                                                                                              JCS9N50T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

                            On-Region Characteristics                                                                           Transfer Characteristics

                                   VGS
                         Top 15V

                            10V

                            9V

                            8V                                                                                          10

                            7V

                  10        6.5V

I D [A]                     6V                                                             ID [A]

                            5.5V

                         Bottom 5V                                                                                                                        25

                                                                                                                                     150

                                                                                                                           1

                                                           Notes:                                                                                                     Notes:
                                                                                                                                                                      1.250s pulse test
                  1                                        1. 250s pulse test                                                                                         2.VDS=40V

                                                           2. TC=25

                                                                                                                        0.1

                      1                                10                                                                    2            4            6              8                    10

                                                   VDS [V]                                                                                             VGS [V]

                    On-Resistance Variation vs.                                            Body Diode Forward Voltage Variation
                  Drain Current and Gate Voltage                                            vs. Source Current and Temperature

                  1.00

                  0.95                                                                                                 10

                                                            VGS=10V

                  0.90

RDS (on ) [  ]    0.85                                                                     IDR [A]

                  0.80                                                                                                                                                           25

                                                                                                                        1

                  0.75                                                        VGS=20V

                  0.70                                                                                                                        150                     Notes:
                                                                                                                                                                      1. 250s pulse test
                  0.65                                                   Note:Tj=25                                                                                   2. VGS=0V

                  0.60                                                                     0.1
                                                                                              0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
                         0  2           4  6    8  10                12       14  16   18
                                                                                                                                     VSD [V]
                                                   ID [A]
                                                                                                Gate Charge Characteristics
                  Capacitance Characteristics

                  3x103                                                                    12

                                                   Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)                                                                  VDS=400V

                                                   Coss=Cds+Cgd                            10                                                VDS=250V

Capacitance [pF]                                   Crss=Cgd                                VGS Gate Source Voltage[V]           VDS=100V

                  2x103                                                                                              8

                                                                                                                     6

                  1x103                                                                                              4

                                                                                                                     2

                  0                                                                                                  0

                      10-1                 100                           101                                            0                 10              20                         30

                                           V DS Drain-Source Voltage [V]                                                                  Qg Toltal Gate Charge [nC]

201010C                                                                                                                                                                              5/10
                       R                                                                                                                               JCS9N50T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

                        Breakdown Voltage Variation                                                                 On-Resistance Variation
                                 vs. Temperature                                                                         vs. Temperature

                         1.2                                                                                   4.0

BV -(DS ) (Normalized)                                                                                         3.5

                         1.1                                                                                   3.0

                                                                                      R D (on ) (Normalized)   2.5

                         1.0                                                                                   2.0

                                                                                                               1.5

                         0.9                                             Notes:                                1.0

                                                                         1. VGS=0V                                                                     Notes:
                                                                         2. ID=250A
                                                                                                               0.5                                     1. VGS=10V

                                                                                                                                                       2. ID=4.5A

                         0.8                                                                                   0.0

                             -75 -50 -25       0  25     50       75 100 125 150                                  -75 -50 -25       0  25  50          75 100 125 150

                                                      T j [ ]                                                                              Tj [ ]

                         Maximum Safe Operating Area                                                           Maximum Safe Operating Area
                                   For JCS9N50CT
                                                                                                                    For JCS9N50FT

                                  Operation in This Area                                                            Operation in This Area

                        102       is Limited by RDS(ON)                                                   102       is Limited by RDS(ON)

I D Drain Current [A]                                                    10s          ID Drain Current [A]

                                                                         100s                                                                           10s
                                                                                                                                                       100s
                        101                                              1ms                              101                                          1ms

                                                                         10ms                             100

                                                                                                          10-1                                         10ms
                                                                                                             100
                      100                         Note:                  100ms                                                         Note:           100ms
                      10-1                                               DC                                                                            DC
                                                  1 TC=25                                                                              1 TC=25
                         100                      2 TJ=150                                                                             2 TJ=150
                                                  3 Single Pulse                                                                       3 Single Pulse

                                          101                102                                                               101             102                 103

                                          V DS Drain-Source Voltage [V]                                             VDS Drain-Source Voltage [V]

                              Maximum Drain Current
                               vs. Case Temperature

10

                      8

ID Drain Current [A]  6

                      4

                      2

                      0

                        25    50          75          100         125            150

                                  TC Case Temperature []

201010C                                                                                                                                                            6/10
                       R                                                                                                         JCS9N50T

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

                                     Transient Thermal Response Curve
                                     For JCS9N50CT

                        1

Z (t) Thermal Response          D = 0 .5
     JC
                                            0 .2                                                N o te s :
                                            0 .1                                               1 Z  J C(t)= 0 .7 9  /W M a x
                        0 .1                                                                   2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
                                          0 .0 5                                               3 T J M -T c = P D M * Z  J C(t)
                                          0 .0 2
                                         0 .0 1                                       P DM

                      0 .0 1                                                                                t1
                                                                                                              t2
                                                          s in g le p u ls e

                        1 E -5                    1 E -4  1 E -3              0 .0 1  0 .1                        1              10

                                                  t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

                                                  Transient Thermal Response Curve
                                                  For JCS9N50FT

                                D = 0 .5

Z (t) Thermal Response  1
     JC                                0 .2
                                       0 .1

                                0 .0 5                                                N o te s :

                        0 .1    0 .0 2                                                1 Z  J C(t)= 2 .6  /W M a x
                                                                                      2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
                                0 .0 1                                                3 T J M -T c = P D M * Z  J C(t)

                                                          s in g le p u ls e          P DM

                      0 .0 1                                                                                t1
                                                                                                              t2

                        1 E -5                    1 E -4  1 E -3              0 .0 1  0 .1                        1              10

                                                  t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]

201010C                                                                                                                              7/10
                       R     JCS9N50T

PACKAGE MECHANICAL DATA   Unitmm

TO-220C

201010C                   8/10
                       R     JCS9N50T

PACKAGE MECHANICAL DATA   Unitmm

TO-220MF

201010C                   9/10
                                    R                                 JCS9N50T

                                         NOTE

1.                                      1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
                                              product either through direct sales or sales
                                              agent , thus, for customers, when ordering ,
                                              please check with our company.
2.
                                         2. We strongly recommend customers check
                                              carefully on the trademark when buying our
3.                                           product, if there is any question, please
                                              don't be hesitate to contact us.

4.                                      3. Please do not exceed the absolute
                                              maximum ratings of the device when circuit
                                              designing.

                                         4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
                                              the right to make changes in this
                                               specification sheet and is subject to
                                              change without prior notice.

                                         CONTACT

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201010C                                  10/10
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