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JANTX2N6351

器件型号:JANTX2N6351
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

5000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-33

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JANTX2N6351器件文档内容

                                                                              TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR                                                    Qualified Level

Qualified per MIL-PRF-19500/472                                                                  JAN
                                                                                               JANTX
Devices                                                                                       JANTXV

2N6350  2N6351                           2N6352                  2N6353

MAXIMUM RATINGS                                  Symbol    2N6350 2N6351            Units
                        Ratings
                                                  VCER     2N6352 2N6353             Vdc
Collector-Emitter Voltage                        VCBO                               Vdc
Collector-Base Voltage                           VEBO     80             150        Vdc
Emitter-Base Voltage                                                                Vdc
Base Current                                        IB    80             150        Adc
Collector Current                                   IC                              Adc
                                                                     12              Adc
                                                                     6.0
                                                                                      W
                                                                     0.5              W
                                                                                      0C
                                                                 5.0                       2N6350, 2N6351
                                                                 10(1)                     TO-33*

                                                           2N6350 2N6352

Total Power Dissipation @ TA = 250C               PT      2N6351         2N6353
                                 @ TC = 1000C    TJ, Tstg    1.0(2)         2.0(4)
                                                             5.0(3)         25(5)
Operating & Storage Junction Temperature Range
                                                                 -65 to +200
THERMAL CHARACTERISTICS

        Characteristics                          Symbol    2N6350 2N6352            Unit
                                                                                    0C/W
                                                           2N6351 2N6353

Thermal Resistance, Junction-to-Case             RJC       20             4.0

1) Applies for tp  10 ms, Duty cycle  50%                                                    2N6352, 2N6353
2) Derate linearly @ 5.72 mW/0C above TA > 250C                                            TO-24* (TO-213AA)
3) Derate linearly @ 50 mW/0C above TC > 1000C
4) Derate linearly @ 11.4 mW/0C above TA > 250C

5) Derate linearly @ 250 mW/0C above TC > 1000C

                                                                                           *See Appendix A for
                                                                                           package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)

        Characteristics                                              Symbol         Min. Max.  Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC = 25 mAdc, RB1E = 2.2 k, RB2E = 100           2N6350, 2N6352      V(BR)CER       80         Vdc
                                                 2N6351, 2N6353
                                                                                    150

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841                                                                  120101
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803                                          Page 1 of 2
                                  2N6350, 2N6351, 2N6352, 2N6353 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con't)

        Characteristics                                            Symbol    Min.              Max.     Unit
                                                                   V(BR)EBO   6.0                       Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage                                                12                 1.0   Adc
                                                                     ICEX                        1.0
  IEB = 12 mAdc, Base 1 Open                                                 2,000                      Vdc
  IEB = 12 mAdc, Base 2 Open                                          hFE    2,000             10,000   Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current                                              400                        pF
                                                                                               10,000    s
    VEB1 = 2.0 Vdc, RB2E = 100 , VCE = 80 Vdc   2N6350, 2N6352                                   1.5     s
                                                2N6351, 2N6353                                   2.5
    VEB1 = 2.0 Vdc, RB2E = 100 , VCE = 150 Vdc                                                   2.5       120101
ON CHARACTERISTICS (6)                                                                                 Page 2 of 2
                                                                                                 25
Forward-Current Transfer Ratio                                                                  120
                                                                                                 0.5
IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 1.0         2N6350, 2N6352                                   1.2
IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 100
IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 100

  IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 1.0       2N6351, 2N6353               1,000
  IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 100                                    1,000
  IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 100                                      200
Collector-Emitter Saturation Voltage

  IC = 5.0 Adc, RB2E = 100 , IB1 = 5.0 mAdc     2N6350, 2N6352     VCE(sat)
  IC = 5.0 Adc, RB2E = 100 , IB1 = 10 mAdc      2N6351, 2N6353
Base-Emitter Voltage

IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RB2E = 100                            VBE1(on)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward Current Transfer Ratio                                     hfe
  IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, RB2E = 100 ; f = 10 MHz                                5.0

Output Capacitance

VCB1 = 10 Vdc, 100 kHz  f  1.0 MHz, Base 2 Open                    Cobo

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time                       (See fig 4 for 2N6350, 2N6352)  ton
  VCC = 30 Vdc; IC = 5.0 Adc

                                   (See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

Turn-Off Time                      (See fig 4 for 2N6350, 2N6352)  toff
VCC = 30 Vdc; IC = 5.0 Adc

                                   (See fig 5 for 2N6350, 2N6352)

SAFE OPERATING AREA

DC Tests
  TC = +1000C, 1 Cycle, t  1.0 s, tr + tf = 10 s, RB2E = 100  (See fig 6 for 2N6350, 2N6351)

Test 1

  VCE = 1.5Vdc, IC = 3.3 Adc                    2N6350, 2N6351
Test 2

  VCE = 30 Vdc, IC = 167 mAdc                   2N6350, 2N6351
Test 3

  VCE = 80 Vdc, IC = 35 mAdc                    2N6350
Test 4

VCE = 150 Vdc, IC = 13 mAdc                     2N6351

TC = +1000C, 1 Cycle, t  1.0 s, tr + tf = 10 s, RB2E = 100  (See fig 7 for 2N6352, 2N6353)

Test 1

  VCE = 5.0Vdc, IC = 5.0 Adc                    2N6352, 2N6353
Test 2

  VCE = 10 Vdc, IC = 2.5 Adc                    2N6352, 2N6353
Test 3

  VCE = 80 Vdc, IC = 95 mAdc                    2N6352
Test 4

VCE = 150 Vdc, IC = 35 mAdc                     2N6353

(6) Pulse Test: Pulse Width = 300s, Duty Cycle  2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
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