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JANTX2N3879

器件型号:JANTX2N3879
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

7 A, 75 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66

参数

JANTX2N3879端子数量 2
JANTX2N3879晶体管极性 NPN
JANTX2N3879最大集电极电流 7 A
JANTX2N3879最大集电极发射极电压 75 V
JANTX2N3879加工封装描述 TO-66, 2 PIN
JANTX2N3879状态 ACTIVE
JANTX2N3879包装形状 ROUND
JANTX2N3879包装尺寸 FLANGE MOUNT
JANTX2N3879端子形式 PIN/PEG
JANTX2N3879端子涂层 TIN LEAD
JANTX2N3879端子位置 BOTTOM
JANTX2N3879包装材料 METAL
JANTX2N3879结构 SINGLE
JANTX2N3879壳体连接 COLLECTOR
JANTX2N3879元件数量 1
JANTX2N3879晶体管应用 SWITCHING
JANTX2N3879晶体管元件材料 SILICON
JANTX2N3879晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
JANTX2N3879最小直流放大倍数 20

文档预览

JANTX2N3879器件文档内容

NPN POWER SILICON TRANSISTOR                                            TECHNICAL DATA

Qualified per MIL-PRF-19500/526                                                           Qualified Level
                                                                                               JANTX
Devices                                                                                       JANTXV

2N3879

MAXIMUM RATINGS

                          Ratings                      Symbol       Value      Unit
Collector-Emitter Voltage                                VCEO          75      Vdc
                                                        VCBO          120      Vdc
Collector-Base Voltage                                   VEBO          7.0     Vdc
                                                           IB          5.0     Adc
Emitter-Base Voltage                                       IC          7.0     Adc
                                                          PT           35       W
Base Current                   @ TC = 250C (1)                                  0C
Collector Current                                       TJ, Tstg  -65 to +200
Total Power Dissipation                                                        Unit
                                                                               0C/W
Operating & Storage Junction Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS                                Symbol     Max.                     TO-66*
                          Characteristics               RJC        5.0                   (TO-213AA)

Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 200 mW/0C for TC > 250C

                                                                                         *See Appendix A for
                                                                                         Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)

                         Characteristics                          Symbol       Min. Max.      Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage                               V(BR)CEO           75       Vdc
  IC = 200 mAdc

Collector-Emitter Cutoff Current                                  ICEO                   5.0  Vdc

VCE = 50 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current                                  ICEX                   4.0  mAdc

VCE = 100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current                                     ICBO                   25   mAdc

VCB = 120 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current                                       IEBO                   10   mAdc

VEB = 7.0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841                                                                 120101
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803                                         Page 1 of 2
2N3879 JAN SERIES

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (con't)                       Symbol    Min. Max. Unit
                                  Characteristics
                                                           hFE     40
ON CHARACTERISTICS (2)                                   VCE(sat)
Forward-Current Transfer Ratio                          VBE(sat)  20   80
                                                         VBE(on)
    IC = 0.5 Adc, VCE = 5.0 Vdc                                    12   100
    IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc                           hfe
    IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc                            Cobo         1.2   Vdc
Collector-Emitter Saturation Voltage                       ton
                                                           toff         2.0   Vdc
    IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc
Base-Emitter Saturation Voltage                                        1.8   Vdc

    IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc                                     4.0  20
Base-Emitter Voltage
                                                                        175   pF
    IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                 0.44  s

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit                 1.2   s
Forward Current Transfer Ratio

    IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 10 MHz
Output Capacitance

    VCB = 10 Vdc, IE = 0, 0.1 MHz  f  1.0 MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time

    VCC = 30 Vdc; IC = 4.0 Adc; IB = 0.4 Adc
Turn-Off Time

   VCC = 30 Vdc; IC = 4.0 Adc; IB = -IB = 0.4 Adc
SAFE OPERATING AREA

DC Tests
    TC = +250C, 1 Cycle, t = 1.0 s

Test 1
    VCE = 5.0 Vdc, IC = 7.0 Adc

Test 2
    VCE = 28 Vdc, IC = 1.25 Adc

Test 3
    VCE = 40 Vdc, IC = 500 mAdc

Test 4
    VCE = 75 Vdc, IC = 100 mAdc

(2) Pulse Test: Pulse Width = 300s, Duty Cycle  2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841                                                 120101
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