1N821 thru 1N829A-1 DO-7

                                                               6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
                                                                           Zener Reference Diodes

                  SCOTTSDALE DIVISION

                                       DESCRIPTION                                                APPEARANCE             WWW.Microsemi .COM

The popular 1N821 thru 1N829 series of Zero-TC Reference Diodes                              DO-7
provides a selection of both 6.2 V and 6.55 V nominal voltages and                           (DO-204AA)
temperature coefficients to as low as 0.0005%/oC for minimal voltage
change with temperature when operated at 7.5 mA. These glass axial-
leaded DO-7 reference diodes are also available in JAN, JANTX, JANTXV,
and JANS military qualifications. Microsemi also offers numerous other
Zener Reference Diode products for a variety of other voltages up to 200 V.

IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI's website:

                         FEATURES                                        APPLICATIONS / BENEFITS

JEDEC registered 1N821 thru 1N829 series                      Provides minimal voltage changes over a broad
                                                                   temperature range
Internal metallurgical bonds
                                                                For instrumentation and other circuit designs
Double anode option with 1N822 and 1N824 selection               requiring a stable voltage reference

Reference voltage selection of 6.2 V & 6.55 V +/-5%          Maximum temperature coefficient selections
    with further tight tolerance options at nominal of 6.35 V      available from 0.01%/C to 0.0005%/C

1N821, 823, 825, 827 and 829 also have military               Tight voltage tolerances with nominal reference
    qualification to MIL-PRF-19500/159 up to the JANS              voltages of 6.35 V available by adding tolerance
    level by adding JAN, JANTX, JANTXV, or JANS                    1%, 2%, 3%, etc. after the part number for
    prefixes to part numbers as well as the "-1" suffix, e.g.      identification e.g. 1N827-2%, 1N829A -1%, 1N829-
    JANTX1N829-1, etc.                                             1-1%, etc.

Radiation Hardened devices available by changing             Flexible axial-lead mounting terminals
    "1N" prefix to "RH", e.g. RH827, RH 829, RH829A,
    etc. Also consult factory for "RH" data sheet brochure      Nonsensitive to ESD per MIL-STD-750 Method
Military surface mount equivalents also available in
    DO-213AA with UR-1 suffix and JAN, JANTX, or
    JANTXV prefix, e.g. JANTX1N829UR-1 (see separate
    data sheet)

Also available in smaller axial-leaded DO-35 package
    (see separate data sheet)

                 MAXIMUM RATINGS                                     MECHANICAL AND PACKAGING                            1N821--1N829A-1

Operating & StorageTemperature: -65oC to +175oC               CASE: Hermetically sealed glass case with DO-7
DC Power Dissipation: 500 mW @ TL = 25oC and                     (DO-204AA) package

    maximum current IZM of 70 mA. NOTE: For optimum             TERMINALS: Tin-lead plated and solderable per
    voltage-temperature stability, IZ = 7.5 mA (less than 50       MIL-STD-750, Method 2026
    mW in dissipated power)
Solder temperatures: 260 oC for 10 s (maximum)                MARKING: Part number and cathode band (except
                                                                   double anode 1N822 and 1N824)

                                                                POLARITY: Reference diode to be operated with
                                                                   the banded end positive with respect to the
                                                                   opposite end

                                                                TAPE & REEL option: Standard per EIA-296 (add
                                                                   "TR" suffix to part number)

                                                                WEIGHT: 0.2 grams.

                                                                See package dimensions on last page

Copyright  2003                         Microsemi                                                                Page 1
10-27-2003 REV C
                                       Scottsdale Division

                  8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
                                                                               1N821 thru 1N829A-1 DO-7

                                                                      6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
                                                                                  Zener Reference Diodes

                  SCOTTSDALE DIVISION

*ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC, unless otherwise specified                                                                                                                                                  WWW.Microsemi .COM

     JEDEC            ZENER         ZENER                          MAXIMUM     MAXIMUM        VOLTAGE               EFFECTIVE
TYPE NUMBER         VOLTAGE          TEST                            ZENER     REVERSE    TEMPERATURE            TEMPERATURE
(Note 1, 5 & 6)   (Note 1 and 4)  CURRENT                                      CURRENT                            COEFFICIENT
                                                                  IMPEDANCE                  STABILITY
                      VZ @ IZT         IZT                           (Note 2)   IR @ 3 V     (VZT MAX)                   VZ
                                                                    ZZT @ IZT             -55oC to +100oC
                                                                                           (Note 3 and 4)

                  VOLTS           mA                              OHMS         A         mV                     %/oC

1N821             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        96                     0.01

1N821A            5.9 6.5       7.5                             10           2.0        96                     0.01

1N822             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        96                     0.01

1N823             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        48                     0.005

1N823A            5.9 6.5       7.5                             10           2.0        48                     0.005

1N824             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        48                     0.005

1N825             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        19                     0.002

1N825A            5.9 6.5       7.5                             10           2.0        19                     0.002

1N826             6.2 6.9       7.5                             15           2.0        20                     0.002

1N827             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        9                      0.001

1N827A            5.9 6.5       7.5                             10           2.0        9                      0.001

1N828             6.2 6.9       7.5                             15           2.0        10                     0.001

1N829             5.9 6.5       7.5                             15           2.0        5                      0.0005

1N829A            5.9 6.5       7.5                             10           2.0        5                      0.0005

*JEDEC Registered Data.

Double Anode; electrical specifications apply under both bias polarities.


1. Add a "-1" suffix for internal metallurgical bond. When ordering devices with tighter tolerances than specified for the VZ voltage nominal of
      6.35 V, add a hyphened suffix to the part number for desired tolerance, e.g. 1N827-1-2%, 1N829-1-1%, 1N829A-1%, 1N829A-1-1%, etc.

2. Zener impedance measured by superimposing 0.75 mA ac rms on 7.5 mA dc @ 25oC.

3. The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the specified mV

change at discrete temperature between the established limits.

4. Voltage measurements to be performed 15 seconds after application of dc current.

5. 1N821, 1N823, 1N825, 1N827, and 1N829 also have qualification to MIL-PRF-19500/159 by adding the JAN, JANTX, JANTXV, or

JANS prefix to part numbers as well as the "-1" suffix; e.g. JANTX1N827-1, JANTXV1N829-1, etc.

6. Designate Radiation Hardened devices with "RH" prefix instead of "1N", e.g. RH829A instead of 1N829A.


The curve shown in Figure 1 is typical of the diode series and    Change in temperature coefficient (%/oC)                                                                                                      1N821--1N829A-1
greatly simplifies the estimation of the Temperature Coefficient                                                                                                     Change in temperature coefficient (mV/oC)
(TC) when the diode is operated at currents other than 7.5mA.

EXAMPLE: A diode in this series is operated at a current of
7.5mA and has specified Temperature Coefficient (TC) limits of
+/-0.005%/oC. To obtain the typical Temperature Coefficient
limits for this same diode operated at a current of 6.0mA, the
new TC limits (%/oC) can be estimated using the graph in

At a test current of 6.0mA the change in Temperature Coefficient
(TC) is approximately 0.0006%.oC. The algebraic sum of +/-
0.005%oC and 0.0006%/oC gives the estimated limits of
+0.0044%/oC and -0.0056%/oC.

                                                                                             FIGURE 1
                                                                  TYPICAL CHANGE OF TEMPERATURE COEFFICIENT

                                                                        WITH CHANGE IN OPERATING CURRENT.

Copyright  2003                              Microsemi                                                                   Page 2
10-27-2003 REV C
                                            Scottsdale Division

                  8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
                                                                 1N821 thru 1N829A-1 DO-7

                                                        6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
                                                                    Zener Reference Diodes

                                   SCOTTSDALE DIVISION

VZ Change in Zener Voltage (mV)                                                               This curve in Figure 2 illustrates the change of  WWW.Microsemi .COM
                                                                                                diode voltage arising from the effect of
                                                                                                impedance. It is in effect an exploded view of
                                                                                                the zener operating region of the I-V

                                                                                                In conjunction with Figure 1, this curve can be
                                                                                                used to estimate total voltage regulation under
                                                                                                conditions of both varying temperature and

                                                    IZ Operating Current (mA)

                                                        FIGURE 2
                                   TYPICAL CHANGE OF ZENER VOLTAGE WITH

                                         CHANGE IN OPERATING CURRENT


                                                        All dimensions in INCH                                                                    1N821--1N829A-1

Copyright  2003                                          Microsemi                                                                Page 3
10-27-2003 REV C
                                                        Scottsdale Division

                                   8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
This datasheet has been downloaded from:

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company



About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017, Inc. All rights reserved