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JAN1N5907

器件型号:JAN1N5907
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

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JAN1N5907器件文档内容

                                                      1N5907 and 1N5908

                                       1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT
                                            VOLTAGE SUPPRESSOR

                  SCOTTSDALE DIVISION

                  DESCRIPTION                                                                APPEARANCE                              WWW.Microsemi .COM

This pair of unidirectional low voltage Transient Voltage Suppressor (TVS)                       DO-13           CASE 1
devices for the 1N5907 and 1N5908 JEDEC registrations with different                         (DO-202AA)
packages have the same high Peak Pulse Power rating of 1500 W with
extremely fast response times. The 1N5907 is available in a military qualified
version as described in the Features section herein. They are most often used
for protecting against transients from inductive switching environments, induced
RF effects, or induced secondary lightning effects as found in surge levels of
IEC61000-4-5 described herein. They are also very successful in protecting
airborne avionics and electrical systems when low voltage is required. Since
their response time is virtually instantaneous, they can also protect from ESD
and EFT per IEC61000-4-2 and IEC61000-4-4.

Both hermetic seal and molded types are available.

IMPORTANT: For the most current data, consult MICROSEMI's website: http://www.microsemi.com

                  FEATURES                                            APPLICATIONS / BENEFITS

Unidirectional TVS series for thru-hole mounting                     Protection from switching transients and induced RF

Suppresses transients up to 1500 watts @ 10/1000 s (Figure 1)       Protects TTL, ECL, DTL, MOS, MSI, and other
   in less than 100 pico seconds                                         integrated circuits requiring 5.0 V or lower power
                                                                         supplies
Low working voltage (VWM) of 5 V
                                                                      Protection from ESD and EFT per IEC 61000-4-2 and
Hermetic sealed DO-13 metal package for 1N5907 and plastic             IEC 61000-4-4
   "Case 1" for 1N5908
                                                                      Secondary lightning protection per IEC61000-4-5 with
JAN/TX/TXV military qualification available for 1N5907 per MIL-        42 Ohms source impedance: Class 1 thru 4
   PRF-19500/500 by adding JAN, JANTX, or JANTXV prefix, e.g.
   JANTXV1N5907                                                       Secondary lightning protection per IEC61000-4-5 with
                                                                         12 Ohms source impedance: Class 1 thru 4
Surface mount equivalent packages also available as SMCJ5.0
   or SMCG5.0 in separate data sheet (consult factory for other       Secondary lightning protection per IEC61000-4-5 with
   surface mount options)                                                2 Ohms source impedance: Class 2 & 3

                                                                      1N5907 Inherently radiation hard as described in
                                                                         Microsemi MicroNote 050

                  MAXIMUM RATINGS                                     MECHANICAL AND PACKAGING

1500 Watts for 10/1000 s at lead temperature (TL) 25oC (See Figs.   CASE (1N5907): DO-13 (DO-202AA) welded                       1N5907 thru 1N5908
    1, 2, and 4) with repetition rate of 0.01% or less*                  hermetically sealed metal and glass

Operating & Storage Temperatures: -65o to +175oC for 1N5907          Case (1N5908): "Case 1" Void Free transfer molded
    and                                                                  thermosetting epoxy body meeting UL94V-0
     -65o to +150oC for 1N5908
                                                                      FINISH: External metal surfaces are Tin-Lead (Sn-
THERMAL RESISTANCE (junction to lead): 50oC/W for 1N5907 or            Pb) plated and solderable per MIL-STD-750 method
    22 oC/W for 1N5908 at 0.375 inches (10 mm) from body                 2026

THERMAL RESISTANCE (junction to ambient): 110 oC/W for               POLARITY: Polarity indicated by diode symbol or
    1N5907, or 82 oC/W for 1N5908 when mounted on FR4 PC board           cathode band (cathode connected to case for 1N5907)
    with 4 mm2 copper pads (1 oz) and track width 1 mm, length 25 mm
                                                                      MARKING: Part number and polarity symbol
DC Power Dissipation* (1N5907): 1 Watt at TL <125oC 3/8" (10
    mm) from body, or 1 Watt at TA +65oC when mounted on FR4 PC       WEIGHT: 1.4 grams. (Approx)
    board as described for thermal resistance junction to ambient
                                                                      TAPE & REEL option: Standard per EIA-296 (add
DC Power Dissipation* (1N5908): 5 Watts at TL <+40oC 3/8" (10          "TR" suffix to part number)
    mm) from body, or 1.52 Watts at TA = +25oC when mounted on FR4
    PC board as described for thermal resistance junction to ambient   See package dimension on last page

Forward surge current: 200 A for 8.3ms half-sine wave at TA =
    +25oC

Solder Temperatures: 260 o C for 10 s (maximum)

* TVS devices are not typically used for dc power dissipation and are instead operated at or less than their rated standoff voltage

   (VWM) except for transients that briefly drive the device into avalanche breakdown (VBR to VC region).

Copyright  2002                                        Microsemi                                                 Page 1
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                                                                         Scottsdale Division
                  8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
                                                                            1N5907 and 1N5908

                                                             1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT
                                                                  VOLTAGE SUPPRESSOR

                         SCOTTSDALE DIVISION

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC                                                                                                                  WWW.Microsemi .COM

JEDEC     Reverse          Minimum     Maximum    Maximum    Peak Pulse  Maximum    Peak Pulse                 Maximum                 Peak Pulse
Type     Standoff        Breakdown     Standby   Clamping     Current   Clamping     Current                  Clamping                  Current
  No.     Voltage                        Current   Voltage        IPP1    Voltage        IPP2                   Voltage                     IPP3
                            Voltage     ID @ VWM  VC @ IPP1    (FIG. 3)  VC @ IPP2    (FIG. 3)                 VC @ IPP3                 (FIG. 3)
             VWM         V(BR) @ 1 mA
          (NOTE 1)                                 (FIG. 3)               (FIG. 3)                              (FIG. 3)

                  Volts  Volts         A         Volts      Amps        Volts                           Amps    Volts                 Amps
                         6.0                                                                                                           120
1N5907*           5.0    6.0           300        7.6        30          8.0                             60      8.5                   120
1N5908            5.0
                                       300        7.6        30          8.0                             60      8.5

* Also available in military qualified types with a JAN, JANTX, or JANTXV prefix per MIL-PRF-19500/500.

NOTE 1: A TVS is normally selected according to the reverse "Standoff Voltage" VWM which should be equal to or greater than the dc or
                           continuous peak operating voltge level.

Symbol                                                 SYMBOLS & DEFINITIONS

   VWM                                                                       Definition
  V(BR)
                  Standoff Voltage: Applied Reverse Voltage to assure a nonconductive condition. (See Note 1 above)
     VC           Breakdown Voltage: This is the Breakdown Voltage the device will exhibit at 25oC
                  Maximum Clamping Voltage: The maximum peak voltage appearing across the TVS when subjected to the
    IPP           peak pulse current in a one millisecond time interval. The peak pulse voltage is the combination of voltage rise
   PPP            due to both the series resistance and thermal rise and positive temperature coefficient (V(BR))
    ID            Peak Pulse Current: The peak current during the impulse (See Figure 2)
   I(BR)          Peak Pulse Power: The pulse power as determined by the product of VC and IPP

                  Standby Current: The current at the standoff voltage (VWM)
                  Breakdown Current: The current used for measuring Breakdown Voltage (V(BR))

                                                  GRAPHS

                             FIGURE 1                                                                          FIGURE 2                            1N5907 thru 1N5908
         PEAK PULSE POWER VS. PULSE TIME                                                                 DERATING CURVE

Copyright  2002                                        Microsemi                                                                       Page 2
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                                                                         Scottsdale Division
                  8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
                                                      1N5907 and 1N5908

                                       1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT
                                            VOLTAGE SUPPRESSOR

                  SCOTTSDALE DIVISION

                                    Test wave form                                                                          WWW.Microsemi .COM
                                    parameters
                                    tr = 10 s
                                    tp = 1000 s

                          FIGURE 3                                                 FIGURE 4 TYPICAL CLAMPING VOLTAGE (VC)
                  PULSE WAVEFORM                                                              VS. PEAK PULSE CURRENT (IPP)

                                    PACKAGE DIMENSIONS

All dimensions in INCH                              All dimensions in mm                                                    1N5907 thru 1N5908
                       mm
                                                           and inches
                        DO-13
                   (DO-202AA)                               CASE 1

Copyright  2002                                        Microsemi                                                 Page 3
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                                                                         Scottsdale Division
                  8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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