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IXFR80N50P

器件型号:IXFR80N50P
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:IXYS ( Littelfuse )
厂商官网:http://www.ixys.com/
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器件描述

45 A, 500 V, 0.072 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

45 A, 500 V, 0.072 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

参数
IXFR80N50P端子数量 3
IXFR80N50P最小击穿电压 500 V
IXFR80N50P加工封装描述 ISOPLUS247, 3 PIN
IXFR80N50P无铅 Yes
IXFR80N50P欧盟RoHS规范 Yes
IXFR80N50P状态 ACTIVE
IXFR80N50P包装形状 RECTANGULAR
IXFR80N50P包装尺寸 IN-LINE
IXFR80N50P端子形式 THROUGH-HOLE
IXFR80N50P端子涂层 TIN SILVER COPPER
IXFR80N50P端子位置 SINGLE
IXFR80N50P包装材料 PLASTIC/EPOXY
IXFR80N50P结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
IXFR80N50P壳体连接 ISOLATED
IXFR80N50P元件数量 1
IXFR80N50P晶体管应用 SWITCHING
IXFR80N50P晶体管元件材料 SILICON
IXFR80N50P通道类型 N-CHANNEL
IXFR80N50P场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IXFR80N50P操作模式 ENHANCEMENT
IXFR80N50P晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
IXFR80N50P最大漏电流 45 A
IXFR80N50P额定雪崩能量 3500 mJ
IXFR80N50P最大漏极导通电阻 0.0720 ohm
IXFR80N50P最大漏电流脉冲 200 A

IXFR80N50P器件文档内容

PolarHVTM HiPerFET IXFR 80N50P                                                    V=            500         V
Power MOSFET                                                                         DSS          45        A
ISOPLUS247TM                                                                                     72        m
                                                                                  ID25 =                   ns
(Electrically Isolated Back Surface)                                                            200
                                                                                   RDS(on)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated                                                                   trr         
Fast Intrinsic Diode

Symbol     Test Conditions                                 Maximum Ratings

VDSS       TJ = 25 C to 150 C                                      500   V ISOPLUS247 (IXFR)
VDGR       TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M                           500   V
                                                                                       E153432
VGSM       Transient                                                 40
VGSM       Continuous                                                30   V
                                                                           V
ID25                                                                   45
IDM        TC = 25 C                                                200       A  G             (Isolated Tab)
IAR        TC = 25 C, pulse width limited by TJM                              A     D
EAR                                                                    80      A         S
EAS        TC = 25 C                                                  80    mJ
           TC = 25 C                                                 3.5      J  G = Gate      D = Drain
dv/dt      TC = 25 C                                                             S = Source
                                                                       20  V/ns
P          IS IDM, di/dt 100 A/s, VDD VDSS,                                      Features
   D       TJ 150 C, RG = 2                                         360      W   l Silicon chip on Direct-Copper-Bond
                                                           -55 ... +150      C
TJ         T     = 25 C                                                     C     substrate
TJM           C                                                      150     C     - High power dissipation
T                                                          -55 ... +150      C     - Isolated mounting surface
           Maximum lead temperature for soldering                                   - 2500V electrical isolation
   stg                                                               300   N/lb   l Low drain to tab capacitance(<30pF)

TL         Mounting force                             20..120/4.5..25        V~   l Low RDS (on) HDMOSTM process
           50/60 Hz, RMS, 1 minute                                 2500           l Rugged polysilicon gate cell structure
FC                                                                      5      g
                                                                                  l Rated for Unclamped Inductive Load
VISOL
                                                                                    Switching (UIS)
Weight                                                                            l Fast intrinsic Rectifier

Symbol     Test Conditions                               Characteristic Values    Applications
                                                      Min. Typ. Max.              l DC-DC converters
(TJ = 25 C unless otherwise specified)                                           l Battery chargers
                                                                                  l Switched-mode and resonant-mode
BVDSS      VGS = 0 V, ID = 500 A                     500                  V
                                                                                    power supplies
V          V = V , I = 8 mA                           3.0                  5.0 V  l DC choppers
   GS(th)  DS    GS D                                                             l AC motor control

IGSS       VGS = 30 VDC, VDS = 0                         200 nA               Advantages
                                                                                  l Easy assembly
IDSS       VDS = VDSS                                                      25 A  l Space savings
                                                                            2 mA  l High power density
           VGS = 0 V                     TJ = 125 C

RDS(on)    VGS = 10 V, ID = 40 A                                           72 m

2006 IXYS All rights reserved                                                                 DS99438E(03/06)
                                                                                                                                              IXFR 80N50P

Symbol   Test Conditions                                          Characteristic Values                                     ISOPLUS247TM Outline

gfs                                           (TJ = 25 C unless otherwise specified)
Ciss                                                        Min. Typ. Max.
Coss
Crss     VDS= 20 V; ID = 40 A, ID25, Note 1                                                 45 70                    S
td(on)
tr                                                                                                  12.7             nF
td(off)
tf       VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz                                                           1280             pF
Qg(on)
Qgs                                                                                                    120           pF
Qgd
RthJC                                                                                                  25            ns
RthCS
         VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 40 A                                                         27            ns
         RG = 1  (External)
                                                                                                       70            ns

                                                                                                       16            ns

                                                                                                       197           nC

         VGS= 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 40 A                                                          70            nC

                                                                                                       64            nC

                                                                                                            0.35 C/W

                                                                                                    0.15             C/W

Source-Drain Diode                                                                          Characteristic Values

                                              (T                                 =  25  C  unless  otherwise  specified
                                                  J

Symbol   Test Conditions                                                                    Min. Typ. Max.
IS       VGS = 0 V
ISM      Repetitive                                                                                            80 A
VSD
t                                                                                                           200 A

rr      IF = IS, VGS = 0 V,                                                                                   1.5 V

QRM      I   =  25  A,  -di/dt  =  100  A/s                                                                200 ns
I
          F
RM
         VR = 100 V, VGS = 0 V                                                                         0.6           C

                                                                                                       6             A

Notes:
         1. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592 4,931,844                        5,049,961  5,237,481  6,162,665     6,404,065 B1  6,683,344 6,727,585
one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508                   5,063,307  5,381,025  6,259,123 B1  6,534,343
                                                            4,881,106 5,034,796  5,187,117  5,486,715  6,306,728 B1  6,583,505     6,710,405B2 6,759,692

                                                                                                                                   6,710,463  6,771,478 B2
                                                                                                                                                                       IXFR 80N50P

                                      Fig. 1. Output Char acte r is tics                                                Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics

                            80                       @ 25C                                                                                   @ 25C
                            70
                            60                               VGS = 10V                                             180
                            50                                         8V
                            40                                                                                     160           VGS = 10V
                            30                                             7V                                                               8V
                            20
                            10                                                                                     140

I D - Amperes                0                                                         I D - Amperes               120
                                  0                                                                                                                                7V

                            80                                                                                     100
                            70
                            60                                                                                     80
                            50
                            40                                            6V                                       60
                            30                                                                                                                                   6V
                            20
                            10                                                                                     40

                             0                                            5V                                       20
                                  0                                                                                                                              5V
                                         1          2     3            4      5    6
                                                                                                                    0
                                                    V D S - V olts
                                                                                                                         0 3 6 9 12 15 18 21 24 27

                                                                                                                                                  V D S - V olts

                                      Fig. 3. Output Char acte ris tics                                                     Fig. 4. RDS(on) Nor m alize d to ID = 40 A
                                                                                                                              V alue vs . Junction Te m pe rature
                                                    @ 125C
                                                                                                                   3.4

                                                       VGS = 10V                                                   3.1  VGS = 10V
                                                                   7V

                                                                                       R D S ( o n ) - Normalized  2.8

                                                                                                                   2.5

I D - Amperes                                                             6V

                                                                                                                   2.2

                                                                                                                   1.9                          ID = 80A

                                                                                                                   1.6

                                                                                                                   1.3                                                 ID = 40A

                                                                          5V                                       1

                                                                                                                   0.7

                                      2          4     6     8            10  12   14                              0.4           0 25 50 75 100 125 150
                                                                                                                        -50 -25
                                                                                                                                 TJ - Degrees Centigrade
                                                       V D S - V olts

                                      Fig. 5. RDS(on) Nor m alize d to                                                           Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
                                            ID = 40 A V alue vs . ID                                                                          Te m perature

                            3.2                                                                                    45
                               3
                                      VGS = 10V                                                                    40
                            2.8
                            2.6                                        TJ = 125C
                            2.4
R D S ( o n ) - Normalized  2.2                                                                                    35

                               2                                                       I D - Amperes               30
                            1.8
                            1.6                                                                                    25
                            1.4
                            1.2                                                                                    20

                               1                                                                                   15
                            0.8
                                                                                                                   10
                                   0
                                                                           TJ = 25C                               5

                                      20 40 60 80 100 120 140 160 180                                              0             0 25 50 75 100 125 150
                                                                                                                     -50 -25
                                                       I D - A mperes                                                            TC - Degrees Centigrade

2006 IXYS All rights reserved
                                                                                                                                                                IXFR 80N50P

                                              Fig. 7. Input Adm ittance                                                                           Fig. 8. Tr ans conductance

                          140                                                                                                     140

                          120                                                                                                     120

                          100                                                                                    g f s - Siemens  100 TJ = -40C
                                                                                                                                                25C
I D - Amperes
                          80             TJ = 125C                                                                               80       125C

                          60                     25C                                                                             60

                                         -40C

                          40                                                                                                      40

                          20                                                                                                      20

                          0                                                                                                       0

                               4    4.5  5             5.5     6       6.5    7                             7.5                         0  20         40    60  80 100 120 140

                                                 V G S - V olts                                                                                             I D - A mperes

                                              Fig. 9. Source Cur r e nt vs .                                                                   Fig. 10. Gate Char ge
                                              Sour ce -To-Dr ain V oltage
                                                                                                                                  10
                          250

                                                                                                                                  9        VDS = 250V

                          200                                                                                                     8        ID = 40A

                                                                                                                                  7        IG = 10m A

I S - Amperes             150                                                                                    V G S - Volts    6

                          100                               TJ = 25C                                                             5
                                                                                                                                  4
                                     TJ = 125C                                                                                   3
                                                                                                                                  2
                           50

                          0                                                                                                       1

                               0.4  0.6          0.8        1     1.2       1.4                             1.6                   0
                                                                                                                                      0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
                                                 V S D - V olts
                                                                                                                                                        Q G - NanoCoulombs

                                        Fig. 11. Capacitance                                                                                          Fig. 12. For w ar d-Bias
                                                                                                                                                      Safe Ope rating Are a
                                    f = 1MH z
                        100000                                                                                                    1000
                         10000
                                                                                                                                           R DS(on) Lim it                  TJ = 150C
                                                                                                                                                                            TC = 25C

Capacitance - PicoFarads                                                    C is s                               I D - Amperes    100
                                                                                                                                                                                                                  25s
                          1000                                                                                                                                                                                  100s

                                                                            C os s                                                                                                                              1m s
                                                                                                                                  10
                          100
                                                                                                    C rs s                                                                                                      10m s

                          10        5 10 15 20 25 30 35 40                                                                        1                             DC                      1000
                                0                                                                                                   10
                                                    V D S - V olts                                                                                                 100

                                                                                                                                                            V D S - V olts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
                                                                                               IXFR 80N50P

                                           Fig. 13. Maxim um Transient Therm al Resistance

R ( t h ) J C - C / W  1.00

                        0.10        0.001  0.01  0.1                                        1  10

                        0.01

                        0.00
                            0.0001

                                           Pulse Width - Seconds

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