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IXFH11N80

器件型号:IXFH11N80
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:IXYS ( Littelfuse )
厂商官网:http://www.ixys.com/
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器件描述

13 A, 800 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

参数

IXFH11N80端子数量 3
IXFH11N80最小击穿电压 800 V
IXFH11N80加工封装描述 TO-247, 3 PIN
IXFH11N80无铅 Yes
IXFH11N80欧盟RoHS规范 Yes
IXFH11N80状态 ACTIVE
IXFH11N80包装形状 RECTANGULAR
IXFH11N80包装尺寸 FLANGE MOUNT
IXFH11N80端子形式 THROUGH-HOLE
IXFH11N80端子涂层 TIN SILVER COPPER
IXFH11N80端子位置 SINGLE
IXFH11N80包装材料 PLASTIC/EPOXY
IXFH11N80结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
IXFH11N80壳体连接 DRAIN
IXFH11N80元件数量 1
IXFH11N80晶体管应用 SWITCHING
IXFH11N80晶体管元件材料 SILICON
IXFH11N80通道类型 N-CHANNEL
IXFH11N80场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IXFH11N80操作模式 ENHANCEMENT
IXFH11N80晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
IXFH11N80最大漏电流 13 A
IXFH11N80最大漏极导通电阻 0.8000 ohm
IXFH11N80最大漏电流脉冲 52 A

文档预览

IXFH11N80器件文档内容

HiPerFETTM                                           IXFH/IXFM 11 N80                          V             I           R
Power MOSFETs                                        IXFH/IXFM 13 N80                               DSS                      DS(on)
                                                                                                               D25
N-Channel Enhancement Mode                                                                     800 V                     0.95 W
High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family                                                            800 V        11 A         0.80 W
                                                                                                            13 A

                                                                                               trr 250 ns

Symbol   Test Conditions                                    Maximum Ratings                    TO-247 AD (IXFH)
VDSS
VDGR     TJ = 25C to 150C                                                 800  V
VGS      TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW
VGSM     Continuous                                                         800  V
ID25     Transient
                                                                            20  V                                       (TAB)
IDM      TC = 25C
                                                                            30  V
I
                                                     11N80                  11   A
AR
                                                     13N80                  13   A             TO-204 AA (IXFM)
EAR
dv/dt    TC = 25C, pulse width limited by TJM       11N80                  44   A

P                                                    13N80                  52   A
   D
         T     = 25C                                11N80                  11   A
TJ          C
TJM
Tstg                                                 13N80                  13   A
TL
Md       TC = 25C                                                          30   mJ                                   G
Weight                                                                                                      D
         IS IDM, di/dt 100 A/ms, VDD VDSS,                            5    V/ns
Symbol   TJ 150C, RG = 2 W                                                                               D = Drain,
                                                                                               G = Gate,    TAB = Drain
VDSS     T     = 25C                                                       300  W             S = Source,
VGS(th)     C
IGSS
IDSS                                                 -55 ... +150                C            Features
                                                                                                International standard packages
RDS(on)                                                                     150  C             Low RDS (on) HDMOSTM process
                                                                                                Rugged polysilicon gate cell structure
                                                     -55 ... +150                C             Unclamped Inductive Switching (UIS)

         1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s                              300  C              rated
         Mounting torque                                                                        Low package inductance
                                                                            1.13/10 Nm/lb.in.
                                                                                                 - easy to drive and to protect
                                                  TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g                   Fast intrinsic Rectifier

         Test Conditions                                   Characteristic Values               Applications
                                                                                                DC-DC converters
                                      (TJ = 25C, unless otherwise specified)                   Synchronous rectification
                                                       min. typ. max.                           Battery chargers
                                                                                                Switched-mode and resonant-mode
         VGS = 0 V, ID = 3 mA                        800                               V
                                                                              4.5 V              power supplies
         VDS = VGS, ID = 4 mA                        2.0                                        DC choppers
                                                                            100 nA             AC motor control
         VGS = 20 VDC, VDS = 0                                                                Temperature and lighting controls
                                                                             250 mA             Low voltage relays
         VDS = 0.8 VDSS             TJ = 25C                                 1 mA
         VGS = 0 V                    TJ = 125C                                               Advantages
                                                                            0.95 W             Easy to mount with 1 screw (TO-247)
         VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25     11N80                              0.80 W
                                         13N80                                                   (isolated mounting screw hole)
                                                                                                Space savings
         Pulse test, t 300 ms, duty cycle d 2 %                                             High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.                                               91528F(7/97)
2000 IXYS All rights reserved
                                                                                                                                 1-4
                                                              IXFH 11N80 IXFH 13N80
                                                              IXFM 11N80 IXFM 13N80

Symbol   Test Conditions                                  Characteristic Values  TO-247 AD (IXFH) Outline

gfs                                  (TJ = 25C, unless otherwise specified)
Ciss                                                  min. typ. max.
Coss
Crss     VDS = 10 V; ID = 0.5 ID25, pulse test        8 14  S
td(on)
tr                                                      4200  pF
td(off)
tf       VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz               360   pF
Qg(on)
Qgs                                                     100   pF
Qgd
RthJC    VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25  20 50 ns
RthCK    RG = 2 W (External)                            33 50 ns
                                                        63 100 ns
                                                        32 50 ns

                                                        128 155 nC               Dim. Millimeter                       Inches
                                                         30 45 nC
         VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25   55 80 nC                   Min. Max. Min. Max.

                                                                                 A 19.81 20.32 0.780 0.800
                                                                                 B 20.80 21.46 0.819 0.845

                                                              0.42 K/W           C 15.75 16.26 0.610 0.640
                                                                                 D 3.55 3.65 0.140 0.144

                                                        0.25  K/W                E 4.32 5.49 0.170 0.216

                                                                                 F  5.4 6.2 0.212 0.244

                                                                                 G 1.65 2.13 0.065 0.084

                                                                                 H  - 4.5 -                            0.177

Source-Drain Diode                                        Characteristic Values  J  1.0 1.4 0.040 0.055

                                     (TJ = 25C, unless otherwise specified)     K 10.8 11.0 0.426 0.433
                                                      min. typ. max.
Symbol   Test Conditions                                                         L  4.7 5.3 0.185 0.209

                                                                                 M 0.4 0.8 0.016 0.031

IS       VGS = 0 V                         11N80              11 A               N 1.5 2.49 0.087 0.102
                                           13N80              13 A

ISM      Repetitive;                       11N80              44 A               TO-204 AA (IXFM) Outline
                                                              52 A
         pulse width limited by TJM        13N80
                                                              1.5 V
VSD      IF = IS, VGS = 0 V,
         Pulse test, t 300 ms, duty cycle d 2 %

trr      I =I                        TJ = 25C                250 ns
                                           125C              400 ns
          FS                         T=
         -di/dt = 100 A/ms,             J

QRM      V = 100 V                                      1     mC
            R

IRM                                                     8.5   A

                                                                                 Dim. Millimeter                            Inches
                                                                                          Min. Max.                      Min. Max.

                                                                                 A 38.61 39.12                         1.520 1.540
                                                                                 B 19.43 19.94                                - 0.785

                                                                                 C 6.40 9.14                           0.252 0.360
                                                                                 D 0.97 1.09                           0.038 0.043

                                                                                 E 1.53 2.92                           0.060 0.115
                                                                                 F 30.15 BSC                           1.187 BSC

                                                                                 G 10.67 11.17                         0.420 0.440
                                                                                 H 5.21 5.71                           0.205 0.225

                                                                                 J 16.64 17.14                         0.655 0.675
                                                                                 K 11.18 12.19                         0.440 0.480

                                                                                 Q 3.84 4.19                           0.151 0.165
                                                                                 R 25.16 25.90                         0.991 1.020

2000 IXYS All rights reserved      IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:                  2-4
                                     4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
                                     4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
                                                                                                                          IXFH 11N80 IXFH 13N80
                                                                                                                          IXFM 11N80 IXFM 13N80

                    Fig. 1 Output Characteristics                                                                         Fig. 2 Input Admittance

                18                                                                                                  18
                            TJ = 25C                                                                               16 TJ = 25C

                16                                                                                                           VDS = 10V
                                                                                                                    14
                14                                        VGS = 10V
                                                                                                                    12
ID - Amperes    12                                                                          ID - Amperes
                                                                                        8V                          10

                10                                                                                                   8

                8                                                                                                    6

                6                                                                                                    4
                                                                                      7V
                                                                                                                     2
                4
                                                                                                                     0
                2                                                                                                       0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

                0

                    0  2               4  6            8  10 12

                                          VDS - Volts                                                                                        VGS - Volts

                    Fig. 3 RDS(on) vs. Drain Current                                                                      Fig. 4 Temperature Dependence
                                                                                                                                   of Drain to Source Resistance

                1.40                                                                                                2.50
                1.35 TJ = 25C
                1.30                                                                                                2.25
                1.25
                1.20                                                                        RDS(on) - Normalized    2.00
                1.15
RDS(on) - Ohms  1.10                                                                                                1.75
                1.05
                1.00                          VGS = 10V                                                             1.50                                     ID = 6.5A
                0.95                                        VGS = 15V                                               1.25
                0.90
                                       8 10 12 14 16 18 20 22 24 26                                                 1.00
                      0246
                                                                                                                    0.75

                                                                                                                    0.50
                                                                                                                         -50 -25 0 25 50 75 100 125 150

                                         ID - Amperes                                                                                             TJ - Degrees C

                    Fig. 5 Drain Current vs.                                                                              Fig. 6 Temperature Dependence of
                             Case Temperature                                                                                      Breakdown and Threshold Voltage

                18                                                                                                  1.2                                      BVDSS
                16                                                                                                                  VGS(th)
                14 13N80
                12                                                                                                  1.1
                10 11N80
                                                                                            BV/VG(th) - Normalized  1.0
                 8
ID - Amperes     6                                                                                                  0.9
                 4
                 2                                                                                                  0.8
                 0
                  -50 -25 0                                                                                         0.7

                                                                                                                    0.6

                                          25 50 75 100 125 150                                                      0.5
                                                                                                                       -50 -25 0 25 50 75 100 125 150

                                       TC - Degrees C                                                                                        TJ - Degrees C

2000 IXYS All rights reserved                                                                                                                                         3-4
                                                                                                   IXFH 11N80 IXFH 13N80
                                                                                                   IXFM 11N80 IXFM 13N80

                               Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve                           Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area

                        10

                                  VDS = 400V                                                           Limited by RDS(on)             10s
                                                                                            10                                        100s
                        8         ID = 13A
                                                                                             1                                        1ms
                                  IG = 10mA                                   ID - Amperes                                            10ms
                                                                                                                                      100ms
VGE - Volts             6

                        4

                        2

                        0                                                                   0.1
                                                                                                1
                               0  25 50 75 100 125 150                                                  10                    100     1000

                                  Gate Charge - nCoulombs                                                      VDS - Volts

                               Fig.9 Capacitance Curves                                        Fig.10 Source Current vs. Source
                                                                                                           to Drain Voltage
                        4500
                        4000                                                                18
                        3500
                        3000                    Ciss                                        16
                        2500
Capacitance - pF        2000                                                                14
                        1500
                        1000                                                  ID - Amperes  12

                         500                    f = 1 MHz                                   10
                            0                   VDS = 25V
                               0
                                                                                            8

                                                                                            6

                                                                                            4      TJ = 125C              TJ = 25C

                                                Coss                                        2
                                                Crss

                                  5             10      15   20     25                      0
                                                                                             0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

                                                VCE - Volts                                                    VSD - Volts

                          Fig.11 Transient Thermal Impedance

                        1

Thermal Response - K/W          D=0.5
                         0.1

                                 D=0.2

                                D=0.1
                                D=0.05

                        0.01 D=0.02
                                D=0.01

                                  Single Pulse

                        0.001

                        0.00001                 0.0001       0.001      0.01                       0.1                     1          10

                                                                        Pulse Width - Seconds

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