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IXA45IF1200HB

器件型号:IXA45IF1200HB
器件类别:半导体    分离式半导体   
文件大小:1296.01KB,共7页
厂商名称:IXYS ( Littelfuse )
厂商官网:http://www.ixys.com/
标准:  
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器件描述

igbt transistors N-channel: power mosfet w/fast diode

参数

Manufacturer: IXYS
Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Yes
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 78 A
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Power Dissipation: 325 W
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Brand: IXYS
Continuous Collector Current Ic Max: 45 A
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Mounting Style: Through Hole
Series: IXA45IF1200HB
Factory Pack Quantity: 30

IXA45IF1200HB器件文档内容

                                                                                                        IXA45IF1200HB

XPT IGBT                                                                                                VCES =                                     1200 V
                                                                                                                                                      78 A
Copack                                                                                                  I C25  =                                     1.8 V

Part number                                                                                             V = CE(sat)

IXA45IF1200HB

                                                                                                                     Backside: collector

               (G) 1                                                  2 (C)
                                                                      3 (E)

Features / Advantages:                                                Applications:                     Package: TO-247

Easy paralleling due to the positive temperature                      AC motor drives                   Industry standard outline
  coefficient of the on-state voltage                                  Solar inverter                    RoHS compliant
                                                                       Medical equipment                 Epoxy meets UL 94V-0
Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through)                        Uninterruptible power supply
  results in:                                                          Air-conditioning systems
  - short circuit rated for 10 sec.                                   Welding equipment
  - very low gate charge                                               Switched-mode and resonant-mode
  - low EMI
  - square RBSOA @ 3x Ic                                                power supplies
                                                                       Inductive heating, cookers
Thin wafer technology combined with the XPT design                    Pumps, Fans
  results in a competitive low VCE(sat)

SONICTM diode
  - fast and soft reverse recovery
  - low operating forward voltage

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  20100702b

2010 IXYS all rights reserved
                                                                                                     IXA45IF1200HB

IGBT                                                                                                                 Ratings
Symbol
VCES      Definition                                                  Conditions                        TVJ = 25C   min. typ. max. Unit
VGES                                                                                                                                    1200 V
VGEM      collector emitter voltage                                   IC = 35A; VGE = 15 V              TC = 25C                         20 V
I C25     max. DC gate voltage                                        IC = 1.5mA; VGE = VCE             TC = 80C
I C80     max. transient gate emitter voltage                         VCE = VCES; VGE = 0 V             TC = 25C                                  30 V
Ptot      collector current                                           VGE = 20 V                       TVJ = 25C                                  78 A
VCE(sat)                                                              VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC =     TVJ = 125C                                 45 A
          total power dissipation                                                                       TVJ = 25C
          collector emitter saturation voltage                        inductive load                    TVJ = 25C                                 325 W
                                                                      VCE = 600 V; IC = 35 A            TVJ = 125C
                                                                      VGE = 15 V; RG= 27            35 A            1.8 2.1 V

                                                                      VGE = 15 V; RG= 27               TVJ = 125C  2.1                           V
                                                                      VCEmax = 1200 V
VGE(th)   gate emitter threshold voltage                              VCEmax = 900 V                    TVJ = 125C  5.4 5.9                       6.5 V
I CES     collector emitter leakage current                           VCE = 900 V; VGE = 15 V                                0.1                  0.1 mA
                                                                      RG= 27 ; non-repetitive           TVJ = 125C
                                                                                                                                                           mA

I GES     gate emitter leakage current                                                                                                             500 nA
Q G(on)   total gate charge
t d(on)   turn-on delay time                                                                                         106                           nC
tr        current rise time
t d(off)  turn-off delay time                                                                                        70                            ns
tf        current fall time
Eon       turn-on energy per pulse                                                                                   40                            ns
Eoff      turn-off energy per pulse
RBSOA     reverse bias safe operating area                                                                           250                           ns
I CM
SCSOA     short circuit safe operating area                                                                          100                           ns
t SC      short circuit duration
I SC      short circuit current                                                                                      3.8                           mJ
R thJC    thermal resistance junction to case
RthCH     thermal resistance case to heatsink                                                                        4.1                           mJ

                                                                                                                                                   105 A

                                                                                                                     140                             10 s
                                                                                                                     0.25                                      A

                                                                                                                                                   0.38 K/W
                                                                                                                                                           K/W

Diode     max. repetitive reverse voltage                             IF = 30A                       TVJ = 25C                                    1200 V
VRRM      forward current                                                                            TC = 25C                                        60 A
I F25                                                                 VR = VRRM                      TC = 80C                                        33 A
IF 80     forward voltage                                                                            TVJ = 25C
VF                                                                    VR = 600 V                     TVJ = 125C                                   2.20 V
                                                                      -diF /dt = -600 A/s           TVJ = 25C                                                 V
IR        reverse current                                             IF = 30A; VGE = 0 V            TVJ = 125C     1.95
          * not applicable, see Ices value above                                                                                                        * mA
Qrr       reverse recovery charge                                                                    TVJ = 125C         *                                   mA
I RM      max. reverse recovery current                                                                               3.5                                     C
t rr      reverse recovery time                                                                                        30                                       A
E rec     reverse recovery energy                                                                                    350                                       ns
R thJC    thermal resistance junction to case                                                                         0.9                                     mJ
R thCH    thermal resistance case to heatsink
                                                                                                                     0.25                            0.7 K/W
                                                                                                                                                            K/W

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  20100702b

2010 IXYS all rights reserved
                                                                                                                         IXA45IF1200HB

Package TO-247                                                                                                                    Ratings

Symbol              Definition                                        Conditions                                             min. typ. max. Unit
I RMS
TVJ                 RMS current                                       per terminal                                                                    70 A
T op                virtual junction temperature
Tstg                operation temperature                                                                                    -40                      150 C
Weight              storage temperature
                                                                                                                             -40                      125 C

                                                                                                                             -40                      150 C

                                                                                                                                                   6  g

MD                  mounting torque                                                                                          0.8                      1.2 Nm

F                   mounting force with clip                                                                                 20                       120 N
  C

                    Product Marking                                                         Part number

              Logo         IXYS                                                                   I = IGBT
          Part No.                                                                               X = XPT IGBT
Assembly Line          XXXXXXXXX                                                                A = Gen 1 / std
                            Zyyww                                                               45 = Current Rating [A]
Assembly Code                 abcd                                                              IF = Copack
      Date Code                                                                             1200 = Reverse Voltage [V]
                                                                                               HB = TO-247AD (3)

                        Ordering       Part Number                    Marking on Product    Delivery Mode                Quantity Code No.
                        Standard     IXA45IF1200HB                      IXA45IF1200HB             Tube
                                                                                                                         30  507837

Equivalent Circuits for Simulation                                    * on die level        T VJ = 150 C

I V0                R0                                                                IGBT   Diode

V 0 max  threshold voltage                                                            1.1   1.25  V
R0 max   slope resistance *                                                           39
                                                                                            28.3 m

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                                                                                                          IXA45IF1200HB

Outlines TO-247                                 A A2                     P   P1 D2

                       E                                              S                             Sym.      Inches                                  Millimeter
                                                                                                          min. max.
Q                                                                                                   A     0.185 0.209                                 min. max.
                                                                                                    A1    0.087 0.102
                                                                                                    A2    0.059 0.098                                 4.70 5.30
                                                                                                    D     0.819 0.845
                                                                                                D1  E     0.610 0.640                                 2.21 2.59
                                                                                                    E2    0.170 0.216
                                         D                                            4             e                                                 1.50 2.49
2x E2                                                                                               L      0.215 BSC
                                                                             E1                     L1    0.780 0.800                                 20.79 21.45
          123                                                                                       P
                                                                                                    Q        - 0.177                                  15.48 16.24
L1                                                                                                 S     0.140 0.144
                                                                                                    b     0.212 0.244                                 4.31 5.48
                                          L                                                         b2
                                                                                                    b4     0.242 BSC                                  5.46 BSC
                                                                                                    c     0.039 0.055
                                                                                                    D1    0.065 0.094                                 19.80 20.30
                                                                                                    D2    0.102 0.135
                                                                                                    E1    0.015 0.035                                 - 4.49
                                                                                                    P1  0.515 -
                                                                                                          0.020 0.053                                 3.55 3.65
                                                                                                          0.530 -
                                                                                                                                                      5.38 6.19
                                                                                                             - 0.29
                                                                                                                                                      6.14 BSC

                                                                                                                                                      0.99 1.40

                                                                                                                                                      1.65 2.39

                                                                                                                                                      2.59 3.43

2x b2                                                                                                                                                 0.38 0.89
           b4
           2x e           3x b               C                                                                                                        13.07 -

                                                A1                                                                                                    0.51 1.35

                                                                                                                                                      13.45       -

                                                                                                                                                      - 7.39

                                                (G) 1                        2 (C)
                                                                             3 (E)

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                                                                                                      IXA45IF1200HB

IGBT                                                                         70                                       13 V
    70 VGE = 15 V
    60                                                                                      VGE = 15 V

                                                                             60                       17 V                                                     11 V
                                                                                                      19 V

   50                                                                        50

IC 40               TVJ = 25C                                            IC 40 TVJ = 125C
[A] 30                                TVJ = 125C                         [A] 30

    20                                                                                                                                                    9V

                                                                              20

   10                                                                        10

   0                                                                         0

        0           1       2                      3                                  0  1            2     3                                          4       5

                        VCE [V]                                                                          VCE [V]

        Fig. 1 Typ. output characteristics                                            Fig. 2 Typ. output characteristics

   70                                                                        20
                                                                                      IC = 35 A
   60                                                                                 VCE = 600 V

   50                                                                        15

IC 40                                                                     VGE 10
[A] 30                                                                    [V]

   20                                                                              5

   10      TVJ = 125C                                                       0
                             TVJ = 25C                                        0 20 40 60 80 100 120 140
    0
       5   6 7 8 9 10 11 12 13                                                                          QG [nC]

                                VGE [V]                                          Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
        Fig. 3 Typ. tranfer characteristics

   10                                                 Eon                    6

           RG = 27                                                                   IC = 35 A

          VCE = 600 V                                                                    VCE = 600 V

   8 VGE = 15 V                                                                         VGE = 15 V                                                      Eon
                                                                                         TVJ = 125C
           TVJ = 125C

   6                                                  Eoff                   5

E                                                                         E

[mJ] 4                                                                    [mJ]
                                                                                                                                      Eoff

                                                                                  4

   2

   0                                                                         3

        0  20           40       60                                   80     20             40                    60                                           80

                        IC [A]                                                                           RG [ ]
                                                                             Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
        Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.      Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified          20100702b

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                                                                                                                         IXA45IF1200HB

Diode                                                                                      7

       60                                                                                                    T = 125C
                                                                                                               VJ
       50
                                                                                           6                 VR = 600 V
       40
IF                                                                                         5                                                                                   60 A

       30      TVJ = 125C                                                                 Qrr
[A]            TVJ = 25C                                                                          4

       20                                                                                                                                                                      30 A

       10                                                                                  [C]

                                                                                                   3
                                                                                                                                                                               15 A

                                                                                           2

      0                                                                                    1
       0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0                                                         300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

                                   VF [V]                                                                            diF /dt [A/s]

         Fig. 7 Typ. Forward current versus VF                                               Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt

      70                                                                                   700

           T = 125C                                                  60 A                                                           T = 125C
      60   VJ                                                                              600                                       VJ

           VR = 600 V                                                                                                                VR = 600 V

      50                                                              30 A                 500

IRR 40                                                                                     trr 400

                                                                                     15 A  [ns] 300

[A] 30                                                                                                                                                                            60 A

      20                                                                                   200                                                                                 30 A

                                                                                                                                                                               15 A

      10                                                                                   100

      0                                                                                    0
      300 400 500 600 700 800 900 1000 1100                                                300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

                               diF /dt [A/s]                                                                       diF /dt [A/s]
        Fig. 9 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt
                                                                                             Fig. 10 Typ. recovery time trr versus di/dt

      2.0                                                                                  1
                 TVJ = 125C                                                                                                                       Diode
                 VR = 600 V
                                                                                                                                                                               IGBT
      1.6
                                                                                   60 A

Erec 1.2                                                              30 A

                                                                                           ZthJC
                                                                                                   0.1

[mJ]  0.8                                                                                  [K/W]

                                                                      15 A                        0.01                   Inverter-IGBT Inverter-FRD
                                                                                                      0.001
                                                                                                                         Ri      ti                                        Ri  ti

      0.4                                                                                                                1 0.070 0.0006 0.16 0.0005

                                                                                                                         2 0.113 0.2 0.12 0.004

                                                                                                                         3 0.055 0.006 0.15 0.02

                                                                                                                         4 0.142 0.05 0.27 0.15

      0.0                                                                                                    0.01        0.1                                            1               10
         300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
                                                                                                                         tp [s]
                                 diF /dt [A/s]
          Fig. 5 Typ. recovery energy Erec versus di/dt                                                 Fig. 12 Typ. transient thermal impedance

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