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IRHY593130CMPBF

器件型号:IRHY593130CMPBF
器件类别:分立半导体    晶体管   
厂商名称:Infineon(英飞凌)
厂商官网:http://www.infineon.com/
标准:
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器件描述

Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.215ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,

参数
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)94 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12.5 A
最大漏极电流 (ID)12.5 A
最大漏源导通电阻0.215 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
参考标准RH - 300K Rad(Si)
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)130 ns
最大开启时间(吨)80 ns
Base Number Matches1

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