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IRFBE30STRLPBF

器件型号:IRFBE30STRLPBF
器件类别:晶体管   
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
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器件描述

4.1 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

4.1 A, 800 V, 3 ohm, N沟道, , POWER, 场效应管

参数

IRFBE30STRLPBF端子数量 2
IRFBE30STRLPBF最小击穿电压 800 V
IRFBE30STRLPBF加工封装描述 铅 FREE, 塑料, D2PAK-3
IRFBE30STRLPBF无铅 Yes
IRFBE30STRLPBF欧盟RoHS规范 Yes
IRFBE30STRLPBF状态 TRANSFERRED
IRFBE30STRLPBF包装形状 矩形的
IRFBE30STRLPBF包装尺寸 SMALL OUTLINE
IRFBE30STRLPBF表面贴装 Yes
IRFBE30STRLPBF端子形式 GULL WING
IRFBE30STRLPBF端子涂层 MATTE 锡 OVER 镍
IRFBE30STRLPBF端子位置 单一的
IRFBE30STRLPBF包装材料 塑料/环氧树脂
IRFBE30STRLPBF结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
IRFBE30STRLPBF壳体连接 DRAIN
IRFBE30STRLPBF元件数量 1
IRFBE30STRLPBF晶体管应用 开关
IRFBE30STRLPBF晶体管元件材料
IRFBE30STRLPBF通道类型 N沟道
IRFBE30STRLPBF场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFBE30STRLPBF操作模式 ENHANCEMENT
IRFBE30STRLPBF晶体管类型 通用电源
IRFBE30STRLPBF最大漏电流 4.1 A
IRFBE30STRLPBF额定雪崩能量 260 mJ
IRFBE30STRLPBF最大漏极导通电阻 3 ohm
IRFBE30STRLPBF最大漏电流脉冲 16 A

IRFBE30STRLPBF器件文档内容

                                   IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

                                                                                          Vishay Siliconix

                                          Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY                                                     FEATURES
                                                                     Dynamic dV/dt Rating
VDS (V)                                    800                      Repetitive Avalanche Rated                           Available
RDS(on) ()                                                          Fast Switching
Qg (Max.) (nC)                 VGS = 10 V          3.0               Ease of Paralleling                           RoHS*
Qgs (nC)                                                             Simple Drive Requirements
Qgd (nC)                                   78                        Lead (Pb)-free Available                      COMPLIANT
Configuration
                                           9.6

                                           45

                                   Single

                                                D

I2PAK               D2PAK                                          DESCRIPTION
(TO-262)            (TO-263)
                                                                    Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
                                G                                   designer with the best combination of fast switching,
                                                                    ruggedized device design, low on-resistance and
                 G                                                  cost-effectiveness.
                 SD
          GD
                            S                   S

                                   N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package                         D2PAK (TO-263)                    D2PAK (TO-263)                    I2PAK (TO-262)
                                                                  IRFBE30STRLPbFa                   IRFBE30LPbF
Lead (Pb)-free                  IRFBE30SPbF                       SiHFBE30STL-E3a                   SiHFBE30L-E3
                                SiHFBE30S-E3                      -                                 -
                                                                  -                                 -
SnPb                            IRFBE30S
                                SiHFBE30S

Note
a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted

PARAMETER                                                                                 SYMBOL        LIMIT       UNIT
                                                                                                          800
Drain-Source Voltage                               VGS at 10 V  TC = 25 C                VDS             20          V
Gate-Source Voltage                                             TC = 100 C               VGS             4.1
                                                                                                          2.6          A
Continuous Drain Current                                TC = 25 C                          ID            16
                                                                                                          1.0       W/C
Pulsed Drain Currenta                                                                      IDM            260         mJ
Linear Derating Factor                                                                                    4.1          A
Single Pulse Avalanche Energyb                                                             EAS            13          mJ
Avalanche Currenta                                                                         IAR            125         W
Repetitive Avalanche Energya                                                              EAR             2.0        V/ns
Maximum Power Dissipation                                                                  PD       - 55 to + 150     C
Peak Diode Recovery dV/dtc                                                                dV/dt          300d
                                                                                                          10        lbf in
Operating Junction and Storage Temperature Range                                          TJ, Tstg        1.1       Nm
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
                                                        for 10 s

Mounting Torque                                         6-32 or M3 screw

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 C, L = 29 mH, RG = 25 , IAS = 4.1 A (see fig. 12).
c. ISD  4.1 A, dI/dt  100 A/s, VDD  600 V, TJ  150 C.
d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91119                                                                                              www.vishay.com
S-81432-Rev. A, 07-Jul-08                                                                                                               1
IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER                                SYMBOL            MIN.                           TYP.                          MAX.           UNIT
                                                             -                              -                             62           C/W
Maximum Junction-to-Ambient              RthJA               -                                                             -
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface      RthCS               -                            0.50                           1.0
Maximum Junction-to-Case (Drain)         RthJC                                              -

Note
a. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

SPECIFICATIONS TJ = 25 C, unless otherwise noted

PARAMETER                                SYMBOL            TEST CONDITIONS                                              MIN.  TYP. MAX. UNIT

Static                                                                                                                  800
                                                                                                                          -
Drain-Source Breakdown Voltage             VDS                 VGS = 0 V, ID = 250 A                                         -     -        V
VDS Temperature Coefficient              VDS/TJ            Reference to 25 C, ID = 1 mA                                 2.0
Gate-Source Threshold Voltage             VGS(th)                                                                         -   0.90  -        V/C
                                                               VDS = VGS, ID = 250 A                                     -
                                                                                                                          -   -     4.0      V
                                                                                                                          -
Gate-Source Leakage                       IGSS                          VGS = 20 V                                          -      100 nA
                                          IDSS                                                                           2.5
Zero Gate Voltage Drain Current          RDS(on)           VDS = 800 V, VGS = 0 V                                             -     100      A
                                           gfs                                                                            -
Drain-Source On-State Resistance                           VDS = 640 V, VGS = 0 V, TJ = 125 C                            -   -     500
Forward Transconductance                                                                                                  -
Dynamic                                                    VGS = 10 V             ID = 2.5 Ab                             -   -     3.0      
                                                                                                                          -
                                                           VDS = 100 V, ID = 2.5 A                                        -   -     -        S
                                                                                                                          -
Input Capacitance                        Ciss                     VGS = 0 V,                                              -   1300  -
Output Capacitance                       Coss                    VDS = 25 V,                                              -
Reverse Transfer Capacitance             Crss              f = 1.0 MHz, see fig. 5                                        -   310   -        pF
Total Gate Charge                         Qg                                                                              -
Gate-Source Charge                       Qgs                                                                                  190   -
Gate-Drain Charge                        Qgd                                                                              -
Turn-On Delay Time                       td(on)                                                                               -     78
Rise Time
Turn-Off Delay Time                        tr              VGS = 10 V        ID = 4.1 A, VDS = 400 V,                         -     9.6      nC
Fall Time                                td(off)                                 see fig. 6 and 13b

                                           tf                                                                                 -     45

                                                                                                                              12    -

                                                                  VDD = 400 V, ID = 4.1 A,                                    33    -        ns
                                                           RG = 12 , RD = 95 , see fig. 10b
                                                                                                                              82    -

                                                                                                                              30    -

Internal Drain Inductance                LD                Between lead,                                          D           4.5   -
                                                           6 mm (0.25") from              G
                                                           package and center of                                                             nH
                                                           die contact                                            S
Internal Source Inductance               LS                                                                                   7.5   -

Drain-Source Body Diode Characteristics

Continuous Source-Drain Diode Current    IS                MOSFET symbol                                             D  -     -     4.1

                                                           showing the                    G                                                  A
                                                                                                                     S
Pulsed Diode Forward Currenta            ISM               integral reverse                                             -     -     16

                                                           p - n junction diode

Body Diode Voltage                       VSD               TJ = 25 C, IS = 4.1 A, VGS = 0 Vb                           -     -     1.8      V
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge       trr               TJ = 25 C, IF = 4.1 A, dI/dt = 100 A/sb                    -     480   720      ns
Forward Turn-On Time
                                         Qrr                                                                            -     1.8   2.7      nC

                                         ton               Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS and LD)

Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Pulse width  300 s; duty cycle  2 %.

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2                                                                                                                             S-81432-Rev. A, 07-Jul-08
                             IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

                                                                                        Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 C, unless otherwise noted

Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 C   Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics

Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 150 C  Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature

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IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage  Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage   Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area

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4                                                         S-81432-Rev. A, 07-Jul-08
                                  IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

                                                                                         Vishay Siliconix

                                                                                    VDS          RD
                                                                             VGS            D.U.T.
                                                                        RG
                                                                                                                         +- VDD

                                                                           10 V

                                                                        Pulse width  1 s
                                                                        Duty factor  0.1 %

                                                                   Fig. 10a - Switching Time Test Circuit

                                                                    VDS
                                                                   90 %

                                                                   10 %
                                                                     VGS

                                                                          td(on) tr                          td(off) tf

Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature                Fig. 10b - Switching Time Waveforms

                                  Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

                        VDS              L                                                              VDS
Vary tp to obtain
required IAS                        D.U.T.                                               tp
                                  IAS                                                                            VDD
                 RG
                                        0.01               +       VDS
                   10 V                                    - V DD
                              tp
                                                                      IAS
              Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
                                                                   Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Document Number: 91119
S-81432-Rev. A, 07-Jul-08                                                                                                www.vishay.com
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IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

                             Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current

                                                               Current regulator
                                                             Same type as D.U.T.

                     QG                                                             50 k
                     QGD
VGS                                                    12 V  0.2 F

                                                                                          0.3 F

                QGS                                                                                            +
                                                                                                  D.U.T. - VDS

VG                                                     VGS

                                                                                    3 mA

                     Charge

                                                                                          IG      ID

                                                                                    Current sampling resistors

Fig. 13a - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current  Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit

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6                                                                                                 S-81432-Rev. A, 07-Jul-08
                                        IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

                                                                                               Vishay Siliconix

                                                    Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit

                                       D.U.T                 +          Circuit layout considerations

                                    +                                    Low stray inductance
                                    -
                                                                         Ground plane

                                                                         Low leakage inductance

                                                                        current transformer

                                                             -

                                                                                       -   +

                                    RG                                                                      +

                                                                dV/dt controlled by RG                    - VDD
                                                                ISD controlled by duty factor "D"
                                                                D.U.T. - device under test

                                        Driver gate drive                                   P.W.
                                                                                           Period
                                              P.W.         Period                      D=

                                                                                                       VGS = 10 V*

                                        D.U.T. ISD waveform

                           Reverse

                           recovery                          Body diode forward

                           current                                 current
                                                                              dI/dt

                                        D.U.T. VDS waveform        Diode recovery

                                                                        dV/dt                          VDD

Re-applied                                                    Body diode forward drop
voltage                                 Inductor current

                                                           Ripple  5 %                                 ISD

                                     * VGS = 5 V for logic level and 3 V drive devices

                                                                Fig. 14 - For N-Channel

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?91119.

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