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IRFBC30PBF

器件型号:IRFBC30PBF
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商名称:IR
厂商官网:http://www.irf.com
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器件描述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):74W 类型:N沟道 N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.6A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.2Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)74W
类型N沟道

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