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IRFB4229PBF

器件型号:IRFB4229PBF
器件类别:晶体管
文件大小:229.11KB,共0页
厂商名称:IRF [International Rectifier]
厂商官网:http://www.irf.com/
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器件描述

46 A, 250 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-

46 A, 250 V, 0.046 ohm, N沟道, , POWER, 场效应管, TO-

参数

IRFB4229PBF端子数量 3
IRFB4229PBF最小击穿电压 250 V
IRFB4229PBF加工封装描述 铅 FREE PACKAGE-3
IRFB4229PBF无铅 Yes
IRFB4229PBF欧盟RoHS规范 Yes
IRFB4229PBF状态 ACTIVE
IRFB4229PBF包装形状 矩形的
IRFB4229PBF包装尺寸 凸缘安装
IRFB4229PBF端子形式 THROUGH-孔
IRFB4229PBF端子涂层 MATTE 锡 OVER 镍
IRFB4229PBF端子位置 单一的
IRFB4229PBF包装材料 塑料/环氧树脂
IRFB4229PBF结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
IRFB4229PBF壳体连接 DRAIN
IRFB4229PBF元件数量 1
IRFB4229PBF晶体管应用 开关
IRFB4229PBF晶体管元件材料
IRFB4229PBF通道类型 N沟道
IRFB4229PBF场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFB4229PBF操作模式 ENHANCEMENT
IRFB4229PBF晶体管类型 通用电源
IRFB4229PBF最大漏电流 46 A
IRFB4229PBF额定雪崩能量 130 mJ
IRFB4229PBF最大漏极导通电阻 0.0460 ohm
IRFB4229PBF最大漏电流脉冲 180 A

文档预览

IRFB4229PBF器件文档内容

                                                                                               PD - 97078

                               PDP SWITCH                                 IRFB4229PbF

Features                                                            Key Parameters
l Advanced Process Technology
l Key Parameters Optimized for PDP Sustain,              VDS min                          250  V

Energy Recovery and Pass Switch Applications            VDS (Avalanche) typ.             300  V
l Low EPULSE Rating to Reduce Power                      RDS(ON) typ. @ 10V
                                                                                          38   m:
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery
and Pass Switch Applications                            IRP max @ TC= 100C              91   A
l Low QG for Fast Response
l High Repetitive Peak Current Capability for            TJ max                           175  C
Reliable Operation
l Short Fall & Rise Times for Fast Switching                        D                     D
l175C Operating Junction Temperature for
Improved Ruggedness                                     G                                                           S
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness                                                                  D
                                                                 G                                              G
and Reliability                                              Gate
                                                                                               TO-220AB
                                                                    S
                                                                                                       S
                                                                                D                  Source
                                                                            Drain

Description
This HEXFET Power MOSFET is specifically designed for Sustain; Energy Recovery & Pass switch

applications in Plasma Display Panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve

low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175C
operating junction temperature and high repetitive peak current capability. These features combine to

make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications.

Absolute Maximum Ratings

                               Parameter                                  Max.                 Units
                                                                            30                   V
VGS               Gate-to-Source Voltage                                     46                   A
ID @ TC = 25C    Continuous Drain Current, VGS @ 10V                        33
ID @ TC = 100C   Continuous Drain Current, VGS @ 10V                       180                  W
IDM                                                                          91                W/C
IRP @ TC = 100C  c Pulsed Drain Current                                    330
PD @TC = 25C     g Repetitive Peak Current                                 190                  C
PD @TC = 100C                                                              2.2
                  Power Dissipation                                   -40 to + 175                N
                  Power Dissipation                                                            Units
                  Linear Derating Factor                                    300                C/W

TJ                Operating Junction and                            x x 10lb in (1.1N m)
TSTG              Storage Temperature Range
                  Soldering Temperature for 10 seconds

                  Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

Thermal Resistance

RJC                                     Parameter                   Typ.           Max.
RCS                                                                             0.45
RJA               f Junction-to-Case                                0.50           
                  f Case-to-Sink, Flat, Greased Surface                          62

                  Junction-to-Ambient

Notes  through  are on page 8                                                                         1
www.irf.com
                                                                                                        04/12/06
IRFB4229PbF

Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise specified)

                              Parameter               Min. Typ. Max. Units                Conditions

BVDSS           Drain-to-Source Breakdown Voltage     250 V VGS = 0V, ID = 250A

VDSS/TJ         Breakdown Voltage Temp. Coefficient    210 mV/C Reference to 25C, ID = 1mA
RDS(on)         Static Drain-to-Source On-Resistance              e 46 m VGS = 10V, ID = 26A
                                                       38

VGS(th)         Gate Threshold Voltage                3.0 5.0       V VDS = VGS, ID = 250A

VGS(th)/TJ      Gate Threshold Voltage Coefficient    -14 mV/C

IDSS            Drain-to-Source Leakage Current       20 A VDS = 250V, VGS = 0V

                                                       1.0 mA VDS = 250V, VGS = 0V, TJ = 125C

IGSS            Gate-to-Source Forward Leakage         100 nA VGS = 20V

                Gate-to-Source Reverse Leakage         -100            VGS = -20V

gfs             Forward Transconductance              83         S VDS = 25V, ID = 26A
                                                       72 110
Qg              Total Gate Charge                                       e nC VDD = 125V, ID = 26A, VGS = 10V

Qgd             Gate-to-Drain Charge                   26

tst             Shoot Through Blocking Time           100 ns VDD = 200V, VGS = 15V, RG= 4.7

EPULSE          Energy per Pulse                      790               L = 220nH, C= 0.3F, VGS = 15V
                                                                        J VDS = 200V, RG= 4.7, TJ = 25C

                                                       1390             L = 220nH, C= 0.3F, VGS = 15V
                                                                              VDS = 200V, RG= 4.7, TJ = 100C

Ciss            Input Capacitance                      4560             VGS = 0V

Coss            Output Capacitance                     390 pF VDS = 25V

Crss            Reverse Transfer Capacitance          100               = 1.0MHz,

Coss eff.       Effective Output Capacitance          290              VGS = 0V, VDS = 0V to 200V

LD              Internal Drain Inductance             4.5              Between lead,                     D

                                                                        nH 6mm (0.25in.)

LS              Internal Source Inductance             7.5              from package                G

                                                                              and center of die contact         S

Avalanche Characteristics

                                       Parameter                  Typ.        Max.                       Units

EAS             d Single Pulse Avalanche Energy                            130                         mJ
EAR              Repetitive Avalanche Energy
VDS(Avalanche)   Repetitive Avalanche Voltage                             33                          mJ
IAS             d Avalanche Current
                                                                  300                                  V

                                                                           26                          A

Diode Characteristics

                Parameter                             Min.  Typ.  Max. Units              Conditions
                                                         
IS @ TC = 25C Continuous Source Current                                           MOSFET symbol
                                                            46
                (Body Diode)
                                                                      A showing the
                                                         190
ISM             Pulsed Source Current                    840   180         integral reverse

                (Body Diode)                                                p-n junction diode.
                                                                        e V TJ = 25C, IS = 26A, VGS = 0V
VSD             Diode Forward Voltage                             1.3

trr             Reverse Recovery Time                             290   ns TJ = 25C, IF = 26A, VDD = 50V
                                                                  1260
Qrr             Reverse Recovery Charge                                 e nC di/dt = 100A/s

     2                                                                                             www.irf.com
                                                                                                                                                              IRFB4229PbF

ID, Drain-to-Source Current (A)  1000         TOP      VGS                                      ID, Drain-to-Source Current (A)          1000         TOP     VGS
                                  100         BOTTOM   15V                                                                                100         BOTTOM  15V
                                                       10V                                                                                                    10V
                                                       8.0V                                                                                                   8.0V
                                                       7.0V                                                                                                   7.0V
                                                       6.5V                                                                                                   6.5V
                                                       6.0V                                                                                                   6.0V
                                                       5.5V                                                                                                   5.5V

                                 10                                                                                                                                                        5.5V
                                                                                                                                              10

                                      1                    5.5V  60s PULSE WIDTH                                                                                    60s PULSE WIDTH
                                         0.1                        Tj = 25C                                                                                       Tj = 175C

                                                           1                 10            100                                                1               1     10                           100
                                                                                                                                                 0.1

                                              VDS, Drain-to-Source Voltage (V)                                                                        VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

                                      Fig 1. Typical Output Characteristics                                                              Fig 2. Typical Output Characteristics

                                 1000                                                                                                    3.5

ID, Drain-to-Source Current()    100                                                            RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance           ID = 26A
                                                                                                    (Normalized)                         3.0 VGS = 10V
                                          TJ = 175C
                                  10                                                                                                     2.5

                                                                                                                                         2.0

                                 1                            TJ = 25C                                                                  1.5

                                                                                                                                         1.0

                                  0.1                         VDS = 25V                                                                  0.5
                                                               60s PULSE WIDTH
                                 0.01
                                       4.0            5.0          6.0           7.0       8.0                  0.0
                                                                                                                     -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
                                              VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                                   TJ , Junction Temperature (C)

                                 Fig 3. Typical Transfer Characteristics                        Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

Energy per pulse (J)  1600                L = 220nH                                            Energy per pulse (J)  1400                    L = 220nH
                       1200                C = 0.3F                                                                   1200                    C = Variable
                                                                                                                       1000
                                                100C                                                                                               100C
                                                25C                                                                                                25C

                                                                                                                                         800

                                 800

                                                                                                                                         600

                                 400                                                                                                     400

                                                                                                                                         200

                                 0                                                                                         0
                                                                                                                             100 110 120 130 140 150 160 170
                                      150     160             170       180           190  200
                                                                                                                                             ID, Peak Drain Current (A)
                   VDS, Drain-to -Source Voltage (V)
                                                                                                                       Fig 6. Typical EPULSE vs. Drain Current
Fig 5. Typical EPULSE vs. Drain-to-Source Voltage                                                                                                                        3
www.irf.com
IRFB4229PbF

                       2000                                                                                       1000

                                  L = 220nH                                                                        100
                                                                                                                                   TJ = 175C
                       1600        C= 0.3F                                      ISD, Reverse Drain Current (A)
                                   C= 0.2F                                                                          10

Energy per pulse (J)              C= 0.1F

                       1200

                       800

                       400                                                                                        1
                                                                                                                                                    TJ = 25C

                                                                                                                                                               VGS = 0V

                       0                                                                                          0.1
                          25
                                        50       75  100       125         150                                           0.2  0.4             0.6      0.8     1.0       1.2

                                             Temperature (C)                                                                 VSD, Source-to-Drain Voltage (V)

                             Fig 7. Typical EPULSE vs.Temperature                Fig 8. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

C, Capacitance (pF)    7000                 VGS = 0V, f = 1 MHZ                  VGS, Gate-to-Source Voltage (V)  20                      VDS= 160V
                       6000                 Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED                                                ID= 26A          VDS= 100V
                       5000                 Crss = Cgd                                                                                    VDS= 40V
                       4000                 Coss = Cds + Cgd                                                      16

                                   Ciss                                                                           12

                       3000                                                                                       8

                       2000 Coss

                       1000                                                                                4
                                  Crss
                                                                                                           0
                             0                                                                                 0 20 40 60 80 100 120
                                                                                                                            QG Total Gate Charge (nC)
                                1            10           100              1000
                                                                                 Fig 10. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
                       VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 9. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage

                       50                                                                                         1000
                                                                                                                   100
                                                                                 ID, Drain-to-Source Current (A)     10            OPERATION IN THIS AREA
                                                                                                                                   LIMITED BY R DS(on)

                       40                                                                                                                                      1sec
                                                                                                                                                               10sec
ID, Drain Current (A)                                                                                                                         100sec

                       30

                       20

                       10                                                                                         1

                                                                                                                            Tc = 25C
                                                                                                                            Tj = 175C
                                                                                                                            Single Pulse

                       0                                                                                          0.1
                          25
                                   50        75      100 125 150 175                                                     1                10           100               1000

                                        TJ, Junction Temperature (C)                                                         VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature                                                               Fig 12. Maximum Safe Operating Area
  4                                                                                                                                                  www.irf.com
                                                                                                                                                                                               IRFB4229PbF

RDS(on), Drain-to -Source On Resistance ()  0.40                                                                                    EAS, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)  600
                                                                                                  ID = 26A
                                                                                                                                                                                                                            ID
                                            0.30
                                                                                                                                                                             500                     TOP                    7.4A

                                                                                                                                                                                                                       13A

                                                                                                                                                                                                     BOTTOM 26A

                                                                                                                                                                             400

                                            0.20                                                                                                                             300

                                                                                           TJ = 125C                                                                        200

                                            0.10

                                                                                           TJ = 25C                                                                         100

                                            0.00                              6      7     8  9                10                                                            0         50      75    100 125 150 175
                                                    5                                                                                                                           25

                                                                              VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                                                          Starting TJ, Junction Temperature (C)

                                            Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage                                         Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature

                                            5.0                                                                                                                              140

                                                                                                                                                                                                     ton= 1s

VGS(th) Gate threshold Voltage (V)          4.5                                                                                                                              120                     Duty cycle = 0.25

                                                                                                                                    Repetitive Peak Current (A)                                      Half Sine Wave

                                                                                                                                                                                                     Square Pulse

                                            4.0                                                                                                                              100
                                                                                          ID = 250A
                                                                                                                                                                             80
                                            3.5

                                            3.0                                                                                                                              60

                                            2.5                                                                                                                              40

                                            2.0                                                                                                                              20

                                             1.5                                                                                                                             0         50      75    100 125 150 175
                                                   -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175                                                                                       25
                                                                    TJ , Temperature ( C )
                                                                                                                                                                                               Case Temperature (C)
                                            Fig 15. Threshold Voltage vs. Temperature
                                                                                                                                                                             Fig 16. Typical Repetitive peak Current vs.
                                                                                                                                                                                             Case temperature

                                                                        1

                                            Thermal Response ( ZthJC )        D = 0.50

                                                                        0.1          0.20

                                                                                     0.10                                           R1R 1                                       R2R 2  R 3R 3  Ri (C/W)  (sec)
                                                                                     0.05                                                                                    2 2
                                                                                                                           J J                                                                 C 0.080717 0.000052
                                                                                                                               1 1
                                                                                     0.02                                                                                              33      0.209555 0.001021

                                                                        0.01         0.01                                  Ci= i/Ri                                                            0.159883 0.007276
                                                                                                                              Ci= i/Ri

                                                                                     SINGLE PULSE                                                                                      Notes:
                                                                                     ( THERMAL RESPONSE )                                                                              1. Duty Factor D = t1/t2
                                                                                                                                                                                       2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
                                                                                                    1E-005
                                                                        0.001                                      0.0001           0.001                                                      0.01                    0.1
                                                                             1E-006

                                                                                                                                 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

                                                                                     Fig 17. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

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IRFB4229PbF

                                                                                          Driver Gate Drive                                   P.W.
                                                                                                                                             Period
              D.U.T                                                                       P.W.               Period                      D=

                                +

                                      Circuit Layout Considerations                                                                                  V*G*S*=10V

                                       Low Stray Inductance                                                                                         VDD
                                                                                                                                                     ISD
                            -          Ground Plane

                                       Low Leakage Inductance                            D.U.T. ISD Waveform

          +                               Current Transformer

                                                                              Reverse

           -                              - +                                 Recovery                       Body Diode Forward
                                                                              Current                                 Current
                                                                                                                                  di/dt
        RG
                                                                                          D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery

                                                                                                                       dv/dt

                   *                                                VDD       Re-Applied

                         dv/dt controlled by RG                   ** + Voltage                           Body Diode Forward Drop
                         Driver same type as D.U.T.

                               ISD controlled by Duty Factor "D"         -              Inductor Curent

                               D.U.T. - Device Under Test

                                                                                                           Ripple  5%

   * Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements                                      *** VGS = 5V for Logic Level Devices
   ** Reverse Polarity for P-Channel

              Fig 18. Diode Reverse Recovery Test Circuit for HEXFET Power MOSFETs

                                          15V                                                                                          V(BR)DSS
                                                                                                                      tp
              VDS                  L                  DRIVER
                                                                                               IAS
              RG                D.U.T                          +
                               IAS                             - VDD                      Fig 19b. Unclamped Inductive Waveforms
               2V0GVS
                        tp          0.01                                A

   Fig 19a. Unclamped Inductive Test Circuit

                                                L                                                 Vds                                                       Id
                                                               VCC                              Vgs(th)                                              Vgs

                                        DUT

0

                    1K

                                                                                                Qgs1 Qgs2 Qgd                            Qgodr

   Fig 20a. Gate Charge Test Circuit                                                            Fig 20b. Gate Charge Waveform

6                                                                                                                                                    www.irf.com
                                                      IRFB4229PbF

A             DRIVER     C               PULSE A
                                         PULSE B
          RG

                      L

                            VCC

B             Ipulse

   RG

              DUT                                                                  tST

   Fig 21a. tst and EPULSE Test Circuit               Fig 21b. tst Test Waveforms

                      Fig 21c. EPULSE Test Waveforms

www.irf.com                                                                             7
IRFB4229PbF

TO-220AB Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches))

TO-220AB Part Marking Information

        @Y6HQG@) UCDTDT6IDSA                 DIU@SI6UDPI6G          Q6SUIVH7@S
                       GPU8P9@ &'(                S@8UDAD@S
                       6TT@H7G@9PIXX (!             GPBP           96U@8P9@
                       DIUC@6TT@H7G`GDI@8                        `@6S2!
                                                    6TT@H7G`           X@@F (
        Ir)Qvhriyyvrvv                       GPU8P9@           GDI@8
                vqvphrGrhqArr

TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application.

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.

Starting TJ = 25C, L = 0.37mH, RG = 25, IAS = 26A.
Pulse width  400s; duty cycle  2%.

R is measured at TJ of approximately 90C.                            Data and specifications subject to change without notice.
Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1sec.

                                                      This product has been designed and qualified for the Industrial market.

                                                                       Qualification Standards can be found on IR's Web site.

        IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
                                                                                                                    TAC Fax: (310) 252-7903

                                                                   Visit us at www.irf.com for sales contact information. 04/2006

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