电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

IRF830

器件型号:IRF830
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Suntac
厂商官网:http://suntac-semi.myweb.hinet.net/
下载文档

器件描述

4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

参数
IRF830端子数量 3
IRF830最小击穿电压 500 V
IRF830状态 TRANSFERRED
IRF830包装形状 矩形的
IRF830包装尺寸 凸缘安装
IRF830端子形式 THROUGH-孔
IRF830端子涂层 锡 铅
IRF830端子位置 单一的
IRF830包装材料 塑料/环氧树脂
IRF830结构 单一的
IRF830壳体连接 DRAIN
IRF830元件数量 1
IRF830晶体管应用 开关
IRF830晶体管元件材料
IRF830通道类型 N沟道
IRF830场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF830操作模式 ENHANCEMENT
IRF830晶体管类型 通用电源
IRF830最大漏电流 4.5 A
IRF830最大漏极导通电阻 1.5 ohm
IRF830最大漏电流脉冲 15 A

文档预览

IRF830器件文档内容

!                                                                                                                  IRF830

GENERAL DESCRIPTION                                                                                          POWER MOSFET

This Power MOSFET is designed for low voltage, high                                FEATURES
speed power switching applications such as switching
regulators, conveters, solenoid and relay drivers.                                  Higher Current Rating
                                                                                    Lower rDS(ON), Lower Capacitances
PIN CONFIGURATION                                                                   Lower Total Gate Charge
                                                                                    Tighter VSD Specifications
                           TO-220/TO-220FP                                          Avalanche Energy Specified
                             Top View
                                                                                   SYMBOL

                                                                                                                         D

                           GATE                                                    G
                                   DRAIN
                                           SOURCE

                           12 3                                                                 S

                                                                                   N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Part Number                                        Package

.................IRF830....................................................TO-220

.................IRF830FP                          TO-220FP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                    Rating                            Symbol      Value     Unit
Drain to Current  Continuous                                                              ID        5.0       A
                                                                                         IDM         18
                       Pulsed (Note 1)                                                  VGS         20       V
Gate-to-Source Voltage  Continue                                                         PD          96      W
Total Power Dissipation                                                                            0.77     W/
                                                                                         EAS        125      mJ
    Derate above 25                                                                   TJ, TSTG               
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)                                                          -55 to 150  /W
Operating and Storage Temperature Range                                                  JC        1.70
Thermal Resistance  Junction to Case                                                     JA          62      
                                                                                         TL         300
                             Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8" from case for 10 seconds

                                                                                                            Page 1
!                                                                                                          IRF830

                                                                                            POWER MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25.

                                                                                            CIRF830

                              Characteristic                                Symbol     Min  Typ            Max   Units
                                                                            V(BR)DSS                               V
Drain-Source Breakdown Voltage                                                         500                  25
                                                                               IDSS                        100    A
(VGS = 0 V, ID = 250 A)
                                                                              IGSSF                        -100   nA
Drain-Source Leakage Current
                                                                              IGSSR                        4.0    nA
(VDS = 500V, VGS = 0 V)
                                                                             VGS(th)                       1.5     V
Gate-Source Leakage Current-Forward
                                                                              RDS(on)                      730     
(Vgsf = 20 V, VDS = 0 V)                                                       gFS                         240   mhos
                                                                               Ciss                         20
Gate-Source Leakage Current-Reverse                                           Coss                          10     pF
                                                                               Crss                         20     pF
(Vgsr = -20 V, VDS = 0 V)                                                     td(on)                        40     pF
                                                                                tr                          20     ns
Gate Threshold Voltage                                                        td(off)  2.0                         ns
                                                                                tf                                 ns
(VDS = VGS, ID = 250 A)                                                        Qg      2.8                         ns
                                                                               Qgs                    520         nC
Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 2.7A) (Note 3)             Qgd                    170         nC
                                                                               LD                      11         nC
Forward Transconductance (VDS = 15V, ID = 2.5 A) (Note 3)                                             7.0         nH
                                                                               LS                     9.0
Input Capacitance                    (VDS = 25 V, VGS = 0 V,                                           20         nH
Output Capacitance                          f = 1.0 MHz)                                               10
Reverse Transfer Capacitance                                                                           10
                                                                                                        2
Turn-On Delay Time                                                                                      3
                                                                                                      4.5
Rise Time                                  (VDD = 250 V, ID = 5 A,
Turn-Off Delay Time                  RG = 9.1, VGS = 10 V) (Note 3)                                   7.5

Fall Time

Total Gate Charge                             (VDS = 400V, ID = 5A
Gate-Source Charge                            VGS = 10 V) (Note 3)
Gate-Drain Charge

Internal Drain Inductance

(Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)

Internal Drain Inductance

(Measured from the source lead 0.25" from package to source bond pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Reverse Recovery Charge                                                     Qrr             1.8                  C

Forward Turn-On Time                 IF = 5A, di/dt = 100A/s , TJ = 25     ton             **

Reverse Recovery Time                                                       trr             415                  ns

Diode Forward Voltage                         IS = 5A, VGS = 0 V            VSD                            1.5   V

   Note
   (1) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature
   (2) VDD = 100V, VGS = 10V, L=10mH, IAS = 5A, RG = 25
   (3) Pulse.Test:.Duty Cycle 2% , Pulse.Width 300s  
   ** Negligible, Dominated by circuit inductance

P                                                                                                               Page 2
!                                          IRF830

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  POWER MOSFET

                                    Page 3
!                                                                    TO-220                                    IRF830

PACKAGE DIMENSION                                                        A                              POWER MOSFET
                                                                                 c1
                                    D                                                      PIN 1: GATE
                                                                                           PIN 2: DRAIN
                                                                                           PIN 3: SOURCE
   L1                                                        E
      F
                               E1

                                                                                           A

                                                                                           A1

                                                                                           b

                                                                                           b1

                                                                                           c

                                                                                           c1

                                                                                           D

                               L                                                           E

                                                                                           E1

                                                                                           e

                                                                                           e1

                                                                                           F

                                                                                           L

                        e                                            A1                    L1

                    b1                                               c                     

                            b

                    e1                                               Side View

             Front View

   R1.50     B              R3.18 0.10                         TO-220FP
             C
                                                             I
                                                                  J
                            A
D  Q                                             H

                                                                        O                                  A
                                                                                                    R1.50
                                                                                                           B

                                                                                                           C

                                                                                                           D

E                                                                                                          E

   P                                                      K                                                G

                                                                                                           H

                                                                                                           I

                                                                                                           J

                                                                                                           K

                            R1.60                                                                          M

                                                                                                           N

                                                                                                           O

                                                                                                           P

                                                                                                           Q

G         b                                                                                                R

                                                                                                           b

                                                                                                           b1

                                                                                                           b2

                                                                                                           e

             b1         b2                                   N

                                                             M

                 e                                        R

          Front View                                      Side View             Back View

                                                                                                               Page 4
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved