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IRF6N60FP

器件型号:IRF6N60FP
厂商名称:Suntac
厂商官网:http://suntac-semi.myweb.hinet.net/
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器件描述

POWER MOSFET

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IRF6N60FP器件文档内容

!                                                                           IRF6N60

GENERAL DESCRIPTION                                                  POWER MOSFET

                                                           FEATURES

This high voltage MOSFET uses an advanced termination         Robust High Voltage Termination
                                                              Avalanche Energy Specified
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability        Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a
                                                              Discrete Fast Recovery Diode
without degrading performance over time. In addition, this    Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
                                                              IDSS Specified at Elevated Temperature
advanced MOSFET is designed to withstand high energy in

avalanche and commutation modes. The new energy            

efficient design also offers a drain-to-source diode with a

fast recovery time. Designed for high voltage, high speed

switching applications in power supplies, converters and

PWM motor controls, these devices are particularly well

suited for bridge circuits where diode speed and

commutating safe operating areas are critical and offer

additional and safety margin against unexpected voltage

transients.

PIN CONFIGURATION                                          SYMBOL

                           TO-220/TO-220FP                                                       D
                             Front View

             GATE
                     DRAIN
                             SOURCE

             12 3                                                    G

                                                                                  S

                                                                     N-Channel MOSFET

                                                                                                    Page 1
                                                                                                 IRF6N60

                                                                                          POWER MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                    Rating                      Symbol      Value     Unit
Drain to Current  Continuous                                                        ID        6.0       A
                                                                                   IDM         18
                       Pulsed                                                     VGS         20       V
Gate-to-Source Voltage  Continue                                                              40       V
                                                                                  VGSM                 W
                                  Non-repetitive                                   PD         125
Total Power Dissipation                                                                        45      
                                                                                TJ, TSTG  -55 to 150   mJ
    TO-220
    TO-220FP                                                                       EAS        180     /W
Operating and Storage Temperature Range                                            JC         1.0
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy  TJ = 25                             JA        62.5      
(VDD = 100V, VGS = 10V, IL = 6A, L = 10mH, RG = 25)                                TL         260
Thermal Resistance  Junction to Case

                             Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8" from case for 10 seconds

(1) VDD = 50V, ID = 6A
(2) Pulse Width and frequency is limited by TJ(max) and thermal response

ORDERING INFORMATION

Part Number                    Package

IRF6N60...............................................TO-220

....................IRF6N60FP  TO-220 Full Pak

TEST CIRCUIT

                               Test Circuit Avalanche Capability

                                                                                                      Page 2
                                                                                              IRF6N60

                                                                                       POWER MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25.

                                                                                       IRF6N60

                              Characteristic                           Symbol     Min  Typ      Max   Units
                                                                       V(BR)DSS                         V
Drain-Source Breakdown Voltage                                                    600
                                                                          IDSS                         A
(VGS = 0 V, ID = 250 A)
                                                                         IGSSF                         nA
Drain-Source Leakage Current
                                                                         IGSSR                         nA
(VDS = 600 V, VGS = 0 V)                                                                        100
(VDS = 480 V, VGS = 0 V, TJ = 125)                                      VGS(th)                 50      V
                                                                                                100
Gate-Source Leakage Current-Forward                                     RDS(on)                        
                                                                          gFS                         mhos
(Vgsf = 20 V, VDS = 0 V)                                                  Ciss
                                                                         Coss                           pF
Gate-Source Leakage Current-Reverse                                       Crss                  100     pF
                                                                         td(on)                         pF
(Vgsr = 20 V, VDS = 0 V)                                                   tr                           ns
                                                                         td(off)                        ns
Gate Threshold Voltage                                                     tf     2.0           4.0     ns
                                                                          Qg                            ns
(VDS = VGS, ID = 250 A)                                                   Qgs                          nC
                                                                          Qgd                          nC
Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 3.5A) *               LD                    1.2    nC
                                                                                                       nH
Forward Transconductance (VDS = 15 V, ID = 3.0A) *                        LS      3.4
                                                                                                       nH
Input Capacitance                    (VDS = 25 V, VGS = 0 V,                           1498     2100
Output Capacitance                          f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance                                                           158      220

                                                                                       29       60

Turn-On Delay Time                   (VDD = 300 V, ID = 6.0 A,                         14       30
Rise Time                                    VGS = 10 V,
Turn-Off Delay Time                         RG = 9.1) *                                19       40
Fall Time
                                                                                       40       80

                                                                                       26       55

Total Gate Charge                    (VDS = 300 V, ID = 6.0 A,                         35.5     50
Gate-Source Charge                          VGS = 10 V)*
Gate-Drain Charge                                                                      8.1

                                                                                       14.1

Internal Drain Inductance                                                              4.5

(Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)

Internal Drain Inductance                                                              7.5

(Measured from the source lead 0.25" from package to source bond pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Forward On-Voltage(1)                            (IS = 6.0 A,          VSD             0.83     1.2   V
Forward Turn-On Time                          dIS/dt = 100A/s)
Reverse Recovery Time                                                  ton             **             ns

                                                                       trr             266            ns

* Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%
** Negligible, Dominated by circuit inductance

                                                                                                     Page 3
                                           IRF6N60

                                    POWER MOSFET

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                                    Page 4
PACKAGE DIMENSION                                                    TO-220                                    IRF6N60

                                    D                                    A                            POWER MOSFET
                                                                                 c1
                                                                                           PIN 1: GATE
   L1                                                        E                             PIN 2: DRAIN
      F                                                                                    PIN 3: SOURCE

                               E1

                                                                                           A

                                                                                           A1

                                                                                           b

                                                                                           b1

                                                                                           c

                                                                                           c1

                                                                                           D

                               L                                                           E

                                                                                           E1

                                                                                           e

                                                                                           e1

                                                                                           F

                                                                                           L

                        e                                            A1                    L1

                    b1                                               c                     

                            b

                    e1                                               Side View

             Front View

   R1.50     B              R3.18 0.10                         TO-220FP
             C
                                                             I
                                                                  J
                            A
D  Q                                             H

                                                                        O                                  A
                                                                                                    R1.50
                                                                                                           B

                                                                                                           C

                                                                                                           D

E                                                                                                          E

   P                                                      K                                                G

                                                                                                           H

                                                                                                           I

                                                                                                           J

                                                                                                           K

                            R1.60                                                                          M

                                                                                                           N

                                                                                                           O

                                                                                                           P

                                                                                                           Q

G         b                                                                                                R

                                                                                                           b

                                                                                                           b1

                                                                                                           b2

                                                                                                           e

             b1         b2                                   N

                                                             M

                 e                                        R

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