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IRF3711ZL

器件型号:IRF3711ZL
厂商名称:International Rectifier ( Infineon )
厂商官网:http://www.irf.com/
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器件描述

HEXFET Power MOSFET

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IRF3711ZL器件文档内容

Applications                                                                                PD - 94757A
l High Frequency Synchronous Buck
                                                                             IRF3711Z
    Converters for Computer Processor Power                               IRF3711ZS
                                                                           IRF3711ZL

                                                                  HEXFET Power MOSFET

                                                        VDSS RDS(on) max Qg

                                                        20V       6.0m: 16nC

Benefits                                                TO-220AB     D2Pak         TO-262
                                                        IRF3711Z  IRF3711ZS      IRF3711ZL
l Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Ultra-Low Gate Impedance                                                            Units
l Fully Characterized Avalanche Voltage                                                   V
                                                                                          A
   and Current
                                                                                         W
Absolute Maximum Ratings                                                               W/C

                    Parameter                                     Max.                   C
                                                                      20
VDS              Drain-to-Source Voltage                              20             Units
                                                                                       C/W
VGS              Gate-to-Source Voltage                       92 h
ID @ TC = 25C   Continuous Drain Current, VGS @ 10V          65 h                          1
ID @ TC = 100C  Continuous Drain Current, VGS @ 10V
IDM                                                                  380                10/30/03
PD @TC = 25C     Pulsed Drain Current                                79
PD @TC = 100C                                                        40
                 Maximum Power Dissipation                          0.53
                 Maximum Power Dissipation                     -55 to + 175

TJ               Linear Derating Factor                 300 (1.6mm from case)
TSTG             Operating Junction and
                 Storage Temperature Range               y y 10 lbf in (1.1N m)

                 Soldering Temperature, for 10 seconds

                 f Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

Thermal Resistance

                    Parameter                           Typ.      Max.
                                                               1.89
RJC              i Junction-to-Case                     0.50      
                                                                 62
RCS              f Case-to-Sink, Flat Greased Surface            40

RJA              fi Junction-to-Ambient

RJA              gi Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Notes  through  are on page 12
www.irf.com
IRF3711Z/S/L

Static @ TJ = 25C (unless otherwise specified)

                           Parameter              Min. Typ. Max. Units                Conditions
            Drain-to-Source Breakdown Voltage
BVDSS       Breakdown Voltage Temp. Coefficient    20             V VGS = 0V, ID = 250A
VDSS/TJ     Static Drain-to-Source On-Resistance     0.013      V/C Reference to 25C, ID = 1mA
RDS(on)                                                     6.0
            Gate Threshold Voltage                    4.8   7.3    e m VGS = 10V, ID = 15A
VGS(th)     Gate Threshold Voltage Coefficient    1.55   5.9   2.45       e VGS = 4.5V, ID = 12A
VGS(th)/TJ  Drain-to-Source Leakage Current           2.0   
IDSS                                                     -5.6           V VDS = VGS, ID = 250A
            Gate-to-Source Forward Leakage                           mV/C
IGSS        Gate-to-Source Reverse Leakage
            Forward Transconductance               1.0 A VDS = 16V, VGS = 0V
gfs         Total Gate Charge
Qg          Pre-Vth Gate-to-Source Charge          150             VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 125C
            Post-Vth Gate-to-Source Charge
  Qgs1      Gate-to-Drain Charge                   100 nA VGS = 20V
  Qgs2      Gate Charge Overdrive
  Qgd       Switch Charge (Qgs2 + Qgd)             -100            VGS = -20V
  Qgodr     Output Charge
Qsw         Turn-On Delay Time                    46 S VDS = 10V, ID = 12A
Qoss        Rise Time
td(on)      Turn-Off Delay Time                   16 24
tr          Fall Time
td(off)     Input Capacitance                      4.6              VDS = 10V
tf          Output Capacitance
Ciss        Reverse Transfer Capacitance          1.4 nC VGS = 4.5V
Coss
Crss                                              5.3              ID = 12A

                                                   4.7              See Fig. 16

                                                   6.7

                                                   9.5 nC VDS = 10V, VGS = 0V
                                                                          e VDD = 10V, VGS = 4.5V
                                                   12

                                                   16               ID = 12A

                                                   15 ns Clamped Inductive Load

                                                   5.4

                                                   2150               VGS = 0V
                                                   680         pF VDS = 10V
                                                   320
                                                                             = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

EAS                   d Parameter                              Typ.                 Max.           Units
IAR                                                                              130             mJ
EAR         Single Pulse Avalanche Energy                                         12              A
                                                                                  7.9            mJ
             Avalanche Current
             Repetitive Avalanche Energy

Diode Characteristics

            Parameter                             h Min. Typ. Max. Units              Conditions

IS          Continuous Source Current             92              MOSFET symbol                   D

            (Body Diode)                                             A showing the

ISM         Pulsed Source Current                  380             integral reverse     G

             (Body Diode)                                                p-n junction diode.             S

VSD         Diode Forward Voltage                  1.0        e V TJ = 25C, IS = 12A, VGS = 0V

trr         Reverse Recovery Time                  16       24    e ns TJ = 25C, IF = 12A, VDD = 10V
                                                   6.0      9.0
Qrr         Reverse Recovery Charge                                  nC di/dt = 100A/s

2                                                                                              www.irf.com
                                                                                                                                                  IRF3711Z/S/L

                                 1000       VGS                                                                               1000       VGS
                                  100                                                                                          100
                                       TOP  10V                                                                                     TOP  10V

                                            9.0V                                                                                         9.0V

ID, Drain-to-Source Current (A)             7.0V                                     ID, Drain-to-Source Current (A)                     7.0V

                                            5.0V                                                                                         5.0V

                                            4.5V                                                                                         4.5V

                                            4.0V                                                                                         4.0V

                                            3.5V                                                                                         3.5V

                                       BOTTOM 3.0V                                                                                  BOTTOM 3.0V

                                                                                                                                                     3.0V

                                                                        3.0V                                                  10
                                 10

                                                    60s PULSE WIDTH                                                                              60s PULSE WIDTH
                                                    Tj = 25C                                                                                     Tj = 175C

                                 1                  1                         10                                              1                   1                        10
                                   0.1                                                                                          0.1

                                            VDS, Drain-to-Source Voltage (V)                                                             VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

                                 Fig 1. Typical Output Characteristics                                                        Fig 2. Typical Output Characteristics

ID, Drain-to-Source Current ()   1000               TJ = 25C                        RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance  2.0
                                  100                             TJ = 175C             (Normalized)                                  ID = 30A
                                                                                                                                       VGS = 10V

                                                                                                                              1.5

                                 10

                                 1                                 VDS = 10V                                                  1.0
                                   2.0                             60s PULSE WIDTH
                                                                                                                              0.5
                                            3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0                                                                -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
                                            VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                                                    TJ , Junction Temperature (C)

    Fig 3. Typical Transfer Characteristics                                                                                       Fig 4. Normalized On-Resistance
www.irf.com                                                                                                                                   vs. Temperature
                                                                                                                                                                               3
IRF3711Z/S/L

                                10000     VGS = 0V, f = 1 MHZ                                                       VGS, Gate-to-Source Voltage (V)  12                    VDS= 15V
                                 1000     Ciss = C gs + Cgd, C ds SHORTED                                                                                    ID= 12A       VDS= 10V
                                          Crss = Cgd
                                          Coss = Cds + Cgd                                                                                           10

C, Capacitance (pF)                                   Ciss                                                                                           8

                                                      Coss                                                                                           6

                                                      Crss                                                                                           4

                                                                                                                                                     2

                                100                        10                   100                                                                  0
                                       1                                                                                                                0 5 10 15 20 25 30 35 40
                                                                                                                                                                     QG Total Gate Charge (nC)
                                          VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

                                Fig 5. Typical Capacitance vs.                                                                                           Fig 6. Typical Gate Charge vs.
                                    Drain-to-Source Voltage                                                                                                   Gate-to-Source Voltage

1000.0                                                                                                              10000
                                                                                                                     1000
                                                                                                                                                                        OPERATION IN THIS AREA
                                                                                                                                                                        LIMITED BY RDS(on)

ISD, Reverse Drain Current (A)  100.0                                                ID, Drain-to-Source Current (A)

                                          TJ = 175C

                                10.0                                                                                  100

                                                                                                                                                                                         100sec

                                1.0                   TJ = 25C                                                                                      10                                  1msec

                                                                      VGS = 0V                                                                            Tc = 25C                      10msec

                                0.1                                                                                                                       Tj = 175C
                                     0.0
                                                                                                                                                          Single Pulse
                                                                                                                                                     1

                                          0.5         1.0        1.5  2.0       2.5                                                                      0              1            10         100

                                          VSD, Source-toDrain Voltage (V)                                                                                   VDS , Drain-toSource Voltage (V)

       Fig 7. Typical Source-Drain Diode                                                                                                             Fig 8. Maximum Safe Operating Area
                   Forward Voltage
                                                                                                                                                                                     www.irf.com
4
                                                                                                                                               IRF3711Z/S/L

                             100                                                                                           2.4
                                                           LIMITED BY PACKAGE
                                                                                       VGS(th) Gate threshold Voltage (V)  2.0
                              80

ID , Drain Current (A)       60                                                                                            1.6                            ID = 250A

                             40                                                                                            1.2

                             20                                                                                            0.8

                             0             50 75 100 125 150 175                          0.4
                                25            TC , Case Temperature (C)                        -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200

                             Fig 9. Maximum Drain Current vs.                                                   TJ , Temperature ( C )
                                       Case Temperature
                                                                                       Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature

                             10

Thermal Response ( Z thJC )  1 D = 0.50

                                           0.20

                                           0.10                                                                                 R1R1     R2R2  R3R3 Ri (C/W) i (sec)
                                                                                                                                       2 2
                             0.1           0.05                                        J J                                                          C 0.894 0.000306
                                                                                           1 1
                                           0.02                                                                                                3 3  0.600 0.001019
                                           0.01
                                                                                                                           Ci= i/Ri                 0.401 0.006662
                                                                                                                             Ci= i/Ri
                             0.01

                                                 SINGLE PULSE                                                                                  Notes:
                                                 ( THERMAL RESPONSE )                                                                          1. Duty Factor D = t1/t2
                                                                                                                                               2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc

                             0.001               1E-005                        0.0001                                           0.001               0.01               0.1
                                   1E-006

                                                         t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

                                   Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com                                                                                                                                                            5
IRF3711Z/S/L

RDS(on), Drain-to -Source On Resistance ( )                                                                                 600
                                                                                   EAS, Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
0.02                                                                                                                                                                ID
                                                       ID = 15A

                                                                                                                            500                              TOP    7.3A

                                                                                                                                                                    8.6A

                                                                                                                                                             BOTTOM 12A

                                                                                                                            400

0.01                                TJ = 125C                                                                              300

                                                                                                                            200

                                    TJ = 25C                                                                               100

0.00                                                                                                                        0

      2.0       4.0         6.0     8.0             10.0                                                                         25  50  75     100 125 150 175

           VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                                                                           Starting TJ, Junction Temperature (C)

Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage                                                                                           Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
                                                                                                                                               vs. Drain Current

                                    15V                                                                                                                               LD
                                                                                                                                                VDS
           VDS           L               DRIVER
                                                                                                                                                                              +
                                                                                                                                                                        VDD -

           RG             D.U.T          +      VDD                                                                                                          D.U.T
                         IAS                          A
            2V0GVS                       -
                     tp       0.01
                                                                                                                                           VGS

                                                                                                                                         Pulse Width < 1s
                                                                                                                                         Duty Factor < 0.1%

Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit

                                          V(BR)DSS                                                                            Fig 14a. Switching Time Test Circuit
                         tp
                                                                                                                            VDS

                                                                                                                            90%

                                                                                                                            10%

                                                                                                                            VGS

        IAS                                                                                                                          td(on) tr  td(off) tf

   Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms                                                                                        Fig 14b. Switching Time Waveforms
6
                                                                                                                                                             www.irf.com
                                                                                                                   IRF3711Z/S/L

                                                                                        Driver Gate Drive                                 P.W.
                                                                                                                                         Period
           D.U.T                                                                        P.W.               Period                    D=

                             +

                                     Circuit Layout Considerations                                                                               * VGS=10V

                                     Low Stray Inductance                                                                                      VDD
                                                                                                                                                 ISD
                 -                   Ground Plane

                                     Low Leakage Inductance                           D.U.T. ISD Waveform

       +                             Current Transformer

                                     - +                                    Reverse                        Body Diode Forward
                                                                            Recovery
        -                                                                   Current                                Current
                                                                                                                              di/dt

     RG                                                                                 D.U.T. VDS Waveform        Diode Recovery

                                                                                                                          dv/dt

                            dv/dt controlled by RG             VDD         Re-Applied                        Body Diode  Forward Drop
                            Driver same type as D.U.T.                     Voltage     Inductor Curent
                                                                         +

                            ISD controlled by Duty Factor "D"      -

                            D.U.T. - Device Under Test

                                                                                              Ripple  5%

                                                                   * VGS = 5V for Logic Level Devices

                 Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
                                       HEXFET Power MOSFETs

             Current Regulator                                                                                                                    Id
           Same Type as D.U.T.                                              Vds

                                                                                                                                          Vgs

                 50K

12V        .2F

                           .3F

                                                  +
                                     D.U.T. -VDS

                                                                            Vgs(th)

VGS

                      3mA

                                 IG  ID                                     Qgs1 Qgs2 Qgd                                 Qgodr

                 Current Sampling Resistors

Fig 16. Gate Charge Test Circuit                                                        Fig 17. Gate Charge Waveform

www.irf.com                                                                                                                                      7
IRF3711Z/S/L

Power MOSFET Selection for Non-Isolated DC/DC Converters

Control FET                                                       Synchronous FET

   Special attention has been given to the power losses              The power loss equation for Q2 is approximated
in the switching elements of the circuit - Q1 and Q2.             by;
Power losses in the high side switch Q1, also called
the Control FET, are impacted by the Rds(on) of the               Ploss  =  Pconduction  +  Pdrive  +  P*
MOSFET, but these conduction losses are only about                                                       output
one half of the total losses.
                                                                  ( ) Ploss =     2  
                                                                                        Rds(on)
                                                                            Irms

   Power losses in the control switch Q1 are given                       ( ) + Qg Vg f
by;

P =P                  +P +P +P                                           ( ) +  Qoss Vin      f  +
                                                                           2                     
loss       conduction        switching   drive     output                                              Qrr Vin f

This can be expanded and approximated by;

( ) Ploss = Irms 2 Rds(on )                                     *dissipated primarily in Q1.

                Qgd   Vin     f         Qgs 2   Vin     f      For the synchronous MOSFET Q2, Rds(on) is an im-
      +I          ig                 +I      ig                   portant characteristic; however, once again the im-
                                                                  portance of gate charge must not be overlooked since
                                                                  it impacts three critical areas. Under light load the
                                                                  MOSFET must still be turned on and off by the con-
      ( ) + Qg Vg f                                           trol IC so the gate drive losses become much more
                                                                  significant. Secondly, the output charge Qoss and re-
      +    Qoss   Vin    f                                      verse recovery charge Q both generate losses that
            2                 
                                                                                                                           rr
   This simplified loss equation includes the terms Qgs2
and Qoss which are new to Power MOSFET data sheets.               are transfered to Q1 and increase the dissipation in
                                                                  that device. Thirdly, gate charge will impact the
   Qgs2 is a sub element of traditional gate-source               MOSFETs' susceptibility to Cdv/dt turn on.
charge that is included in all MOSFET data sheets.
The importance of splitting this gate-source charge                  The drain of Q2 is connected to the switching node
into two sub elements, Qgs1 and Qgs2, can be seen from            of the converter and therefore sees transitions be-
Fig 16.                                                           tween ground and Vin. As Q1 turns on and off there is
                                                                  a rate of change of drain voltage dV/dt which is ca-
   Qgs2 indicates the charge that must be supplied by             pacitively coupled to the gate of Q2 and can induce
the gate driver between the time that the threshold               a voltage spike on the gate that is sufficient to turn
voltage has been reached and the time the drain cur-              the MOSFET on, resulting in shoot-through current .
rent rises to Idmax at which time the drain voltage be-           The ratio of Q /Q must be minimized to reduce the
gins to change. Minimizing Qgs2 is a critical factor in
reducing switching losses in Q1.                                                                 gd gs1

   Qoss is the charge that must be supplied to the out-           potential for Cdv/dt turn on.
put capacitance of the MOSFET during every switch-
ing cycle. Figure A shows how Qoss is formed by the
parallel combination of the voltage dependant (non-
linear) capacitances Cds and Cdg when multiplied by
the power supply input buss voltage.

                                                                  Figure A: Qoss Characteristic

8                                                                                                                www.irf.com
                                                                                 IRF3711Z/S/L

TO-220AB Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

2.87 (.113)              10.54 (.415)      3.78 (.149)         4.69 (.185)       -B-
2.62 (.103)              10.29 (.405)      3.54 (.139)         4.20 (.165)
                                                                                     1.32 (.052)
                                                   -A-                               1.22 (.048)

                                           6.47 (.255)

                         4                 6.10 (.240)

15.24 (.600)
14.84 (.584)

                                           1.15 (.045)                               LEAD ASSIGNMENTS
                                               MIN                                        1 - GATE
                                                                                          2 - DRAIN
                         1 23                                                             3 - SOURCE
                                                                                          4 - DRAIN

14.09 (.555)                               4.06 (.160)
13.47 (.530)                               3.55 (.140)

                                       3X  0.93 (.037)                           3X  0.55 (.022)
                                           0.69 (.027)                               0.46 (.018)
            1.40 (.055)
        3X  1.15 (.045)                0.36 (.014) M B A M

        2.54 (.100)                                                              2.92 (.115)
                                                                                 2.64 (.104)

             2X

NOTES:

1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.            3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.

2 CONTROLLING DIMENSION : INCH                                 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.

TO-220AB Part Marking Information

                 EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010                   INT E RNAT IONAL   PART NUMBER
                                 LOT CODE 1789                    RE CT IF IE R
                                 AS S EMBLED ON WW 19, 1997           LOGO       DAT E CODE
                                 IN T HE AS S EMBLY LINE "C"                     YEAR 7 = 1997
                                                                                 WEEK 19
                                                               AS S EMBLY        LINE C
                                                               LOT CODE

                 For GB Production                             INT E RNAT IONAL   PART NUMBER
                                                                   RECT IFIER    DAT E CODE
                 EXAMPLE: T HIS IS AN IRF1010                           LOGO
                                  LOT CODE 1789
                                  AS S EMBLED ON WW 19, 1997      LOT CODE
                                  IN T HE AS S EMBLY LINE "C"

www.irf.com                                                                                                          9
IRF3711Z/S/L

D2Pak Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

D2Pak Part Marking Information

    T HIS IS AN IRF530S WIT H                   INT ERNAT IONAL   F 530S    PART NUMBER
    LOT CODE 8024                                  RECT IFIER     F 530S
                                                       LOGO               DAT E CODE
    AS S EMBLED ON WW 02, 2000                                            YEAR 0 = 2000
                                                                          WEEK 02
    IN T HE AS S EMBLY LINE "L"                                           LINE L

    For GB Production                                 AS S EMBLY            PART NUMBER
                                                      LOT CODE
                   T HIS IS AN IRF530S WIT H                              DAT E CODE
                   LOT CODE 8024                INT ERNAT IONAL
                   AS S EMBLED ON WW 02, 2000      RECT IFIER                   www.irf.com
                   IN T HE AS S EMBLY LINE "L"         LOGO

                                                LOT CODE

10
                                                                IRF3711Z/S/L

TO-262 Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

                                                                      IGBT

                                                                1- GATE

                                                                2- COLLEC-
                                                                TOR

TO-262 Part Marking Information

EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L                  INT ERNAT IONAL    PART NUMBER
                LOT CODE 1789                    RE CT IF IE R
                AS SEMBLED ON WW 19, 1997            LOGO       DAT E CODE
                IN T HE AS S EMBLY LINE "C"                     YEAR 7 = 1997
                                                                WEEK 19
                                              AS SEMBLY         LINE C
                                              LOT CODE
                                                                                           11
www.irf.com
IRF3711Z/S/L

D2Pak Tape & Reel Information

    TRR

                                                          1.60 (.063)  1.60 (.063)                             0.368 (.0145)
                                                          1.50 (.059)  1.50 (.059)                             0.342 (.0135)

                                                4.10 (.161)                                                        24.30 (.957)
                                                3.90 (.153)                                                        23.90 (.941)

    FEED DIRECTION 1.85 (.073)                                         11.60 (.457)              15.42 (.609)      4.72 (.136)
                                   1.65 (.065)                         11.40 (.449)              15.22 (.601)      4.52 (.178)

    TRL

                    10.90 (.429)                                                    1.75 (.069)
                    10.70 (.421)                                                    1.25 (.049)

                                                                       16.10 (.634)
                                                                       15.90 (.626)

    FEED DIRECTION

                    13.50 (.532)                                                     27.40 (1.079)
                    12.80 (.504)                                                     23.90 (.941)

                                                                                           4

         330.00                                                                                                60.00 (2.362)
         (14.173)                                                                                                  MIN.

          MAX.

    NOTES :                                                                          26.40 (1.039)             30.40 (1.197)
    1. COMFORMS TO EIA-418.                                                          24.40 (.961)                  MAX.
    2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
    3. DIMENSION MEASURED @ HUB.                                                            3                        4
    4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.

Notes:                                           This is only applied to TO-220AB pakcage.
Repetitive rating; pulse width limited by       This is applied to D2Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-

    max. junction temperature.                       4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering
Starting TJ = 25C, L = 1.8mH, RG = 25,             techniques refer to application note #AN-994.

    IAS = 12A.                                   Calculated continuous current based on maximum allowable
Pulse width  400s; duty cycle  2%.
                                                    junction temperature. Package limitation current is 30A.

                                                 R is measured at TJ approximately 90C

TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.

                                                                  Data and specifications subject to change without notice.
                                               This product has been designed and qualified for the Industrial market.

                                                                     Qualification Standards can be found on IR's Web site.

IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105

                                                                                                               TAC Fax: (310) 252-7903

                                                Visit us at www.irf.com for sales contact information. 10/03

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